一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺及制备方法转让专利

申请号 : CN202110218924.9

文献号 : CN112975583B

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法律信息:

相似专利:

发明人 : 黄作权吴江涛徐长春黎清乐

申请人 : 厦门华信安电子科技有限公司

摘要 :

本发明涉及电子元器件制造领域,特别涉及一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺及制备方法。该研磨工艺包括以下工艺步骤:S100、产品烧结前进行中温处理:处理温度为625‑725℃;S200、所述中温处理后进行机台细磨:磨介为白刚玉粉,所述产品与白刚玉粉体积比为1:2;其运行曲线为:转速4‑8rpm下运行4.5‑5.5h,转速14‑18rpm下运行4.5‑5.5h,转速23‑27rpm下运行40‑50h。其提升了产品的综合质量,保证产品的一致性,提升产品的外观合格率;产品内部微裂纹减小,损耗角正切值降低;产品的表面光滑度增加,产品的耐压性能及可靠性提高。且生产效率提高,实现了产品大规模批量生产。

权利要求 :

1.一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其特征在于:包括以下工艺步骤:S100、产品烧结前进行中温处理:处理温度为625‑725℃;

S200、所述中温处理后进行机台细磨:磨介为白刚玉粉,所述产品与白刚玉粉体积比为

1:2,其运行曲线为:转速4‑8rpm下运行4.5‑5.5h,转速14‑18rpm下运行4.5‑5.5h,转速23‑

27rpm下运行40‑50h;

所述S100中的运行曲线为:

第一程序段为从25‑35℃匀速升温至110‑130℃,升温时间2.5‑3.5h;第二程序段为从

110‑130℃匀速升温至140‑160℃,升温时间5.5‑6.5h;第三程序段为从140‑160℃匀速升温至195‑225℃,升温时间5.5‑6.5h;第四程序段为从195‑225℃匀速升温至260‑300℃,升温时间5.5‑6.5h;

第五程序段为260‑300℃保温,保温时间1.5‑2.5h;第六程序段为还原性气氛条件下,从260‑300℃匀速升温至625‑725℃,升温时间5.5‑6.5h;第七程序段为在还原性气氛条件下,625‑725℃保温,保温时间1.5‑2.5h;第八程序段为在还原性气氛条件下,625‑725℃匀速降温至25‑35℃,降温时间1.5‑2.5h。

2.根据权利要求1所述的一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其特征在于:通入氢气和氮气混合以达到所述还原性气氛条件;所述氢气与氮气的流量比为25mLPM:4LPM。

3.根据权利要求1所述的一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其特征在于:还包括产品烧结后机台细磨步骤,其分为两个阶段:第一阶段:磨介为白刚玉粉、氧化锆柱以及水;其运行曲线为:转速9‑11rpm下运行2.5‑

3.5h,转速12‑16rpm下运行2.5‑3.5h,转速20‑24rpm下运行60‑70h;

第二阶段:磨介为氧化锆柱以及水;其运行曲线为:转速5‑7rpm下运行0.5‑1.5h,转速

8‑12rpm下运行0.5‑1.5h,转速14‑18rpm下运行8‑10h。

4.根据权利要求3所述的一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其特征在于:所述第一阶段中,产品:白刚玉粉:氧化锆柱:水的体积比为1:4:6:6;所述第二阶段中,产品:氧化锆柱:水的体积比为1:6:6。

5.根据权利要求1或3所述的一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其特征在于:所述白刚玉粉的粒径D50为18‑28μm。

6.根据权利要求3所述的一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其特征在于:在所述产品烧结后机台细磨步骤后进行抛光处理;

所述抛光处理的磨介为玻璃珠;其运行曲线为:转速8‑11rpm下运行1.5‑2.5h,转速12‑

14rpm下运行1.5‑2.5h,转速12‑17rpm下运行15‑17h。

7.根据权利要求6所述的一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其特征在于:所述产品与玻璃珠体积比为1:4。

8.根据权利要求6所述的一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其特征在于:所述氧化锆柱的直径为2.5‑4.5mm;所述玻璃珠的直径为0.8‑2.2mm。

9.一种多层陶瓷电容器大规格产品的制备方法,其特征在于:采用权利要求1‑8任一项所述多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺对产品进行研磨。

说明书 :

一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺及制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及电子元器件制造领域,特别涉及一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺及制备方法。

背景技术

[0002] MLCC(Multi‑layer Ceramic Capacitors),又称片式多层陶瓷电容器,是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯
片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,故也叫独石电
容器。
[0003] 传统MLCC产品烧结后需进行研磨,研磨是将烧结好的MLCC芯片,加入磨介与芯片进行配比,通过研磨机高速研磨,把产品的棱边角研磨圆滑,以利于产品封端,同时要保证
产品外观,充分引出内电极层,以利于产品外电极与内电极层充分接触,保证产品的电气性
能。
[0004] 对大规格MLCC研磨的主要目的在于:保证MLCC棱边角圆滑,以利于封端及后续的加工不会由于碰撞造成破损等现象;保证MLCC外观无破损等质量现象;保证MLCC内电极引
出良好,保证产品的电极引出及性能;保证MLCC瓷体表面干净,保障产品的绝缘等性能。
[0005] 而MLCC外观是否完好、棱边角圆滑程度质量直接影响到产品的质量;内电极的引出程度好坏直接影响到MLCC的性能,影响到MLCC的质量。因此,保证MLCC外观、棱边角圆滑
程度、内电极引出良好、瓷体表面干净、是保证MLCC质量的关键要素之一。
[0006] 对于MLCC大规格产品,在加工过程更容易出现破损等外观质量问题、对内电极引出要求更高。用传统的研磨工艺进行制作,产品的外观合格率低且性能得不到更好的保证。
[0007] 而现有的MLCC大规格产品传统的手工研磨工艺,研磨后产品出现外观一致性差,电极引出不能保障,研磨后瓷体表面粗糙,表面易受外物污染而容易出现绝缘性能下降、表
面放电等问题。而为保证产品的外观及电极引出性能需要手工花较高较长的时间研磨,其
效率低人力成本高、不适用于规模化生产,且产品的圆滑程度还是得不到保证,研磨一致性
差,研磨过程对产品的冲击力较大,易导致产品内部裂纹等质量缺陷,并且表面易受外物污
染而容易出现绝缘性能下降、表面放电问题,为从而影响到产品的性能。
[0008] 当前电子行业发展迅速,对MLCC的高可靠性性能等提出了严格的要求,因此,迫切需要开发新的MLCC大规格产品研磨技术取代现有的手工研磨方式,以提高产品的性能及合
格率,提高产品质量。
[0009] 公布号为CN111113252A,公布日为2020年05月08日的发明专利申请文件,公开了一种MLCC研磨工艺,改变了以往传统的MLCC研磨理念,分二个阶段研磨,两个阶段分别结合
新的磨介,制定出新的配比工艺和新型研磨转速、研磨时间研磨工艺,达到了使MLCC产品内
电极充分引出的效果,从而能够使MLCC产品的外电极能与内电极层充分接触,保证产品的
电气性能;同时减小产品内力微裂纹的产生,提高产品的性能及可靠性,提高产品质量。其
中,该发明申请文件主要通过烧结后产品分两阶段研磨,并结合每阶段特定磨介、特定磨介
配比、特定研磨转速、研磨时间研磨工艺以得到提高产品的性能及可靠性,提高产品质量的
技术效果。

发明内容

[0010] 为解决MLCC大规格产品传统研磨工艺研磨后产品存在研磨一致性差、电极引出不能保障、易导致产品内部裂纹、表面易受外物污染而容易出现绝缘性能下降以及表面放电
等缺陷,影响产品性能和质量的问题。本发明提供一种多层陶瓷电容器大规格产品研磨工
艺,其包括以下工艺步骤:
[0011] S100、产品烧结前进行中温处理:处理温度为625‑725℃;
[0012] S200、所述中温处理后进行机台细磨:磨介为白刚玉粉,所述产品与白刚玉粉体积比为1:2;其运行曲线为:转速4‑8rpm下运行4.5‑5.5h,转速14‑18rpm下运行4.5‑5.5h,转速
23‑27rpm下运行40‑50h。
[0013] 其中,所述产品为多层陶瓷电容器大规格产品。
[0014] 烧结前的MLCC大规格产品为烧结前产品为生坯,瓷体较软,由于产品规格大,在研磨时瓷体的表面、端面会存在较大比例的压痕及孔洞现象,对其进行625‑725℃中温处理,
使产品有一定的硬度,以使后续研磨时不会产生表面、端面压痕及孔洞现象,保证产品的性
能和合格率,确保产品质量。
[0015] 通过中温处理后的产品具有一定硬度,而后在烧结前对产品进行机台细磨,改变了传统的产品先烧成再研磨的理念。相比烧结后研磨产品,烧结前对产品进行中温处理再
机台细磨,研磨更容易,且减小了产品研磨过程中受冲击的力,产品内部微裂纹减小。
[0016] 产品烧结前两步工艺结合,通过中温处理和机台细磨工艺中特定的产品磨介配比,特定的研磨转速和研磨时间工艺,保证产品的一致性,同时使得产品的质量综合提升,
提升了产品的外观合格率,减小产品研磨过程中受冲击的力,产品内部微裂纹减小,提高了
产品的表面光滑度,防止产品表面放电,提高产品的性能及可靠性,产品质量综合提高。
[0017] 其中,采用625‑725℃中温处理,温度太低则产品太软,硬度不足,导致产品表面和端面出现压痕以及孔洞现象;温度太高则将造成产品较硬,后续的研磨时间长,效率低下,
且产品易产生裂痕和崩瓷情况。
[0018] 在上述方案的基础上,进一步地,所述中温处理后进行机台细磨中,其运行曲线为:转速6rpm下运行5h,转速16rpm下运行5h,转速25rpm下运行45h。
[0019] 在上述方案的基础上,进一步地,所述S100中的运行曲线为:第一程序段为从25‑35℃匀速升温至110‑130℃,升温时间2.5‑3.5h;第二程序段为从110‑130℃匀速升温至
140‑160℃,升温时间5.5‑6.5h;第三程序段为从140‑160℃匀速升温至195‑225℃,升温时
间5.5‑6.5h;第四程序段为从195‑225℃匀速升温至260‑300℃,升温时间5.5‑6.5h;
[0020] 第五程序段为260‑300℃保温,保温时间1.5‑2.5h;第六程序段为在还原性气氛条件下,从260‑300℃匀速升温至625‑725℃,升温时间5.5‑6.5h;第七程序段为在还原性气氛
条件下,625‑725℃保温,保温时间1.5‑2.5h;第八程序段为在还原性气氛条件下,625‑725
℃匀速降温至25‑35℃,降温时间1.5‑2.5h。
[0021] 在上述方案的基础上,进一步地,所述S100中的运行曲线为:第一程序段为从30℃匀速升温至120℃,升温时间3h;第二程序段为从120℃匀速升温至150℃,升温时间6h;第三
程序段为从150℃匀速升温至210℃,升温时间6h;第四程序段为从210℃匀速升温至280℃,
升温时间6h;
[0022] 第五程序段为280℃保温,保温时间2h;第六程序段为在还原性气氛条件下,从280℃匀速升温至725℃,升温时间6h;第七程序段为在还原性气氛条件下,725℃保温,保温时
间2h;第八程序段为在还原性气氛条件下,725℃匀速降温至30℃,降温时间2h。
[0023] 在上述方案的基础上,进一步地,通入氢气和氮气混合以达到所述还原性气氛条件;所述氢气与氮气的流量比为25mLPM:4LPM。
[0024] 在上述方案的基础上,进一步地,在所述S100前,采用手工对产品进行砂纸粗磨,以使产品12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损。
[0025] 由于产品棱边角较尖,为进一步减少在研磨时碰撞撞击造成表面、端面小孔洞及棱边角破损现象,产品的棱边角预先粗磨处理后,使其12条棱边及八个顶角有一定的圆弧
度,且产品无破损。
[0026] 本领域技术人员可采用包括但不限于上述手工砂纸粗磨方式,以使产品12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损。
[0027] 在上述方案的基础上,进一步地,所述砂纸为SiC砂纸,其目数为800‑1200目。
[0028] 在上述方案的基础上,进一步地,还包括产品烧结后机台细磨步骤,其分为两个阶段:
[0029] 第一阶段:磨介为白刚玉粉、氧化锆柱以及水;其运行曲线为:转速9‑11rpm下运行2.5‑3.5h,转速12‑16rpm下运行2.5‑3.5h,转速20‑24rpm下运行60‑70h;
[0030] 第二阶段:磨介为氧化锆柱以及水;其运行曲线为:转速5‑7rpm下运行0.5‑1.5h,转速8‑12rpm下运行0.5‑1.5h,转速14‑18rpm下运行8‑10h。
[0031] 在上述方案的基础上,进一步地,还包括产品烧结后机台细磨步骤,其分为两个阶段:
[0032] 所述第一阶段的运行曲线为:转速10rpm下运行3h,转速14rpm下运行3h,转速22rpm下运行65h;
[0033] 所述第二阶段的运行曲线为:转速6rpm下运行1h,转速10rpm下运行1h,转速16rpm下运行9h。
[0034] 在上述方案的基础上,进一步地,所述第一阶段中,产品:白刚玉粉:氧化锆柱:水的体积比为1:4:6:6;所述第二阶段中,产品:氧化锆柱:水的体积比为1:6:6。
[0035] 在上述方案的基础上,进一步地,所述白刚玉粉的粒径D50为18‑28um。
[0036] 在上述方案的基础上,进一步地,将所述第一阶段运行后的产品清洗干净后,再进行所述第二阶段。
[0037] 在上述方案的基础上,进一步地,在所述产品烧结后机台细磨步骤后进行抛光处理;所述抛光处理的磨介为玻璃珠;其运行曲线为:转速8‑11rpm下运行1.5‑2.5h,转速12‑
14rpm下运行1.5‑2.5h,转速12‑17rpm下运行15‑17h。
[0038] 在上述方案的基础上,进一步地,所述抛光处理的运行曲线为:转速10rpm下运行2h,转速13rpm下运行2h,转速15rpm下运行16h。
[0039] 在上述方案的基础上,进一步地,所述产品与玻璃珠体积比为1:4,
[0040] 在上述方案的基础上,进一步地,所述氧化锆柱的直径为2.5‑4.5mm;所述玻璃珠的直径为0.8‑2.2mm。
[0041] 本发明还提供一种多层陶瓷电容器大规格产品的制备方法,其采用上述多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺对产品进行研磨。
[0042] 本发明提供的多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,与现有的技术相比,具有以下有益效果:
[0043] 1、提升MLCC大规格产品的综合质量:通过机台的研磨,保证了产品的一致性,同时提升了产品的外观合格率;减小产品研磨过程中受冲击的力,产品内部微裂纹减小,降低损
耗角正切值;提高了产品的表面光滑度,防止产品表面放电,提高产品的耐压性能及可靠
性,产品质量综合提高。
[0044] 2、采用新的工艺路线,制定出MLCC大规格产品研磨的具体工艺路线和参数,提高了产品的生产效率,实现MLCC大规格产品大规模批量生产。

附图说明

[0045] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发
明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以
根据这些附图获得其他的附图。
[0046] 图1为本发明提供的实施例1中的产品砂纸粗磨后的产品外观效果图;
[0047] 图2为本发明提供的实施例1中的产品烧结前进行中温处理后的产品外观效果图;
[0048] 图3为本发明提供的实施例1中的产品中温处理后进行机台细磨后的产品外观效果图;
[0049] 图4为本发明提供的实施例1中的产品烧结后机台细磨第一阶段处理后的产品外观效果图;
[0050] 图5为本发明提供的实施例1中的产品烧结后机台细磨第一阶段处理后的电极引出效果图;
[0051] 图6为本发明提供的实施例1中的产品烧结后机台细磨第二阶段处理后的产品外观效果图;
[0052] 图7为本发明提供的实施例1中的产品烧结后机台细磨第二阶段处理后的电极引出效果图;
[0053] 图8为本发明提供的实施例1中的产品抛光处理后的产品外观效果图;
[0054] 图9为本发明提供的实施例1中的产品抛光处理后的产品粗糙度微观显示图。

具体实施方式

[0055] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明一部分实施
例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性
劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0056] 本发明提供如下所述多层陶瓷电容器大规格产品研磨工艺,其包括以下工艺步骤:
[0057] S100、产品烧结前进行中温处理:处理温度为625‑725℃;
[0058] S200、所述中温处理后进行机台细磨:磨介为白刚玉粉,所述产品与白刚玉粉体积比为1:2;其运行曲线为:转速4‑8rpm下运行4.5‑5.5h,转速14‑18rpm下运行4.5‑5.5h,转速
23‑27rpm下运行40‑50h。
[0059] 优选地,所述中温处理后进行机台细磨中,其运行曲线为:转速6rpm下运行5h,转速16rpm下运行5h,转速25rpm下运行45h。
[0060] 优选地,所述S100中的运行曲线为:第一程序段为从25‑35℃匀速升温至110‑130℃,升温时间2.5‑3.5h;第二程序段为从110‑130℃匀速升温至140‑160℃,升温时间5.5‑
6.5h;第三程序段为从140‑160℃匀速升温至195‑225℃,升温时间5.5‑6.5h;第四程序段为
从195‑225℃匀速升温至260‑300℃,升温时间5.5‑6.5h;
[0061] 第五程序段为260‑300℃保温,保温时间1.5‑2.5h;第六程序段为在还原性气氛条件下,从260‑300℃匀速升温至625‑725℃,升温时间5.5‑6.5h;第七程序段为在还原性气氛
条件下,625‑725℃保温,保温时间1.5‑2.5h;第八程序段为在还原性气氛条件下,625‑725
℃匀速降温至25‑35℃,降温时间1.5‑2.5h。
[0062] 优选地,所述S100中的运行曲线为:第一程序段为从30℃匀速升温至120℃,升温时间3h;第二程序段为从120℃匀速升温至150℃,升温时间6h;第三程序段为从150℃匀速
升温至210℃,升温时间6h;第四程序段为从210℃匀速升温至280℃,升温时间6h;
[0063] 第五程序段为280℃保温,保温时间2h;第六程序段为在还原性气氛条件下,从280℃匀速升温至725℃,升温时间6h;第七程序段为在还原性气氛条件下,725℃保温,保温时
间2h;第八程序段为在还原性气氛条件下,725℃匀速降温至30℃,降温时间2h。
[0064] 优选地,通入氢气和氮气混合以达到所述还原性气氛条件;所述氢气与氮气的流量比为25mLPM:4LPM。
[0065] 优选地,在所述S100前,采用手工对产品进行砂纸粗磨,以使产品12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损。
[0066] 优选地,所述砂纸为SiC砂纸,其目数为800‑1200目。
[0067] 优选地,还包括产品烧结后机台细磨步骤,其分为两个阶段:
[0068] 第一阶段:磨介为白刚玉粉、氧化锆柱以及水;其运行曲线为:转速9‑11rpm下运行2.5‑3.5h,转速12‑16rpm下运行2.5‑3.5h,转速20‑24rpm下运行60‑70h;
[0069] 第二阶段:磨介为氧化锆柱以及水;其运行曲线为:转速5‑7rpm下运行0.5‑1.5h,转速8‑12rpm下运行0.5‑1.5h,转速14‑18rpm下运行8‑10h。
[0070] 优选地,还包括产品烧结后机台细磨步骤,其分为两个阶段:
[0071] 所述第一阶段的运行曲线为:转速10rpm下运行3h,转速14rpm下运行3h,转速22rpm下运行65h;
[0072] 所述第二阶段的运行曲线为:转速6rpm下运行1h,转速10rpm下运行1h,转速16rpm下运行9h。
[0073] 优选地,所述第一阶段中,产品:白刚玉粉:氧化锆柱:水的体积比为1:4:6:6;所述第二阶段中,产品:氧化锆柱:水的体积比为1:6:6。
[0074] 优选地,所述白刚玉粉的粒径D50为18‑28um。
[0075] 优选地,将所述第一阶段运行后的产品清洗干净后,再进行所述第二阶段。
[0076] 优选地,在所述产品烧结后机台细磨步骤后进行抛光处理;所述抛光处理的磨介为玻璃珠;其运行曲线为:转速8‑11rpm下运行1.5‑2.5h,转速12‑14rpm下运行1.5‑2.5h,转
速12‑17rpm下运行15‑17h。
[0077] 优选地,所述抛光处理的运行曲线为:转速10rpm下运行2h,转速13rpm下运行2h,转速15rpm下运行16h。
[0078] 优选地,所述产品与玻璃珠体积比为1:4。
[0079] 优选地,所述氧化锆柱的直径为2.5‑4.5mm;所述玻璃珠的直径为0.8‑2.2mm。
[0080] 本发明还提供如下所示实施例与对比例:
[0081] 实施例和对比例中使用的实验MLCC大规格产品型号为:5868X7R224K;其研磨工艺处理设备为罐磨机,该倒角罐容量为3L;使用材料清单如表1所示:
[0082] 表1
[0083]序号 材料名称 材料型号规格
1 SiC砂纸 800‑1200目
2 白刚玉粉 D50:18‑28um
3 氧化锆柱 直径:2.5‑4.5mm
4 玻璃珠 直径:0.8‑2.2mm
[0084] 实施例1:
[0085] 对烧结前实验产品预先进行手工砂纸粗磨,用1000目的SiC砂纸手工粗磨12条棱边及八个顶角,以使产品12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损。粗磨后产品
外观如图1所示。
[0086] 1.产品烧结前进行中温处理
[0087] 将砂纸粗磨后的实验产品进行中温725℃处理,其运行曲线为:第一程序段为从30℃匀速升温至120℃,升温时间3h;第二程序段为从120℃匀速升温至150℃,升温时间6h;第
三程序段为从150℃匀速升温至210℃,升温时间6h;第四程序段为从210℃匀速升温至280
℃,升温时间6h;第五程序段为280℃保温,保温时间2h;第六程序段为在还原性气氛条件
下,从280℃匀速升温至725℃,升温时间6h;第七程序段为在还原性气氛条件下,725℃保
温,保温时间2h;第八程序段为在还原性气氛条件下,725℃匀速降温至30℃,降温时间2h。
[0088] 产品进行中温处理后,产品12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损,有一定硬度。产品外观如图2所示。
[0089] 其中,氢气和氮气流量比为25mLPM:4LPM,二者分别以流量为1000mL/min和160L/min通入,以使处理环境达到还原性气氛条件。
[0090] 2.中温处理后进行机台细磨
[0091] 将中温处理后的产品继续装罐进行机台细磨,所使用磨介为白刚玉粉,加入的产品与白刚玉粉使用量分别为350mL和700mL;其运行曲线为:转速6rpm下运行5h,转速16rpm
下运行5h,转速25rpm下运行45h。产品进行处理后外观呈12条棱边及八个顶角圆滑,其圆滑
度正常,一致性好,无破损。产品外观如图3所示。
[0092] 而后将上述产品进行烧结。产品烧结后对产品进行机台细磨,其运行情况为:第一阶段加入的产品、磨介白刚玉粉、磨介氧化锆柱和磨介水使用量分别为250mL、1000mL、
1500mL和1500mL,其运行曲线为转速10rpm下运行3h,转速14rpm下运行3h,转速22rpm下运
行65h。第一阶段处理后产品外观呈12条棱边及八个顶角圆滑,其圆滑度正常,一致性好,无
破损。约55%电极引出,产品外观和电极引出情况如图4‑5所示。
[0093] 将运行完第一阶段的产品清洗干净,并加水和磨介进行第二阶段研磨。第二阶段加入的产品、磨介氧化锆柱、水的用量为250mL、1500mL和1500mL,运行曲线为:转速6rpm下
运行1h,转速10rpm下运行1h,转速16rpm下运行9h。第二阶段处理后产品外观呈12条棱边及
八个顶角圆滑,圆滑度正常,一致性好,无破损。约90%电极引出,电极引出好,产品外观和
电极引出情况如图6‑7所示。
[0094] 最后,对产品进行抛光处理,加入的产品和磨介玻璃珠的用量为350mL和1400mL,运行曲线为:转速10rpm下运行2h,转速13rpm下运行2h,转速15rpm下运行16h。处理后产品
外观呈12条棱边及八个顶角圆滑,其圆滑度正常,一致性好,无破损。产品表面光滑,粗糙度
为0.143‑0.742um,产品外观和粗糙度如图8‑9所示。
[0095] 实施例2:
[0096] 对烧结前实验产品预先进行手工砂纸粗磨,用1000目的SiC砂纸手工粗磨12条棱边及八个顶角,以使产品12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损。
[0097] 1.产品烧结前进行中温处理
[0098] 将砂纸粗磨后的实验产品进行中温625℃处理,其运行曲线为:第一程序段为从30℃匀速升温至120℃,升温时间3h;第二程序段为从120℃匀速升温至150℃,升温时间6h;第
三程序段为从150℃匀速升温至210℃,升温时间6h;第四程序段为从210℃匀速升温至280
℃,升温时间6h;第五程序段为280℃保温,保温时间2h;第六程序段为在还原性气氛条件
下,从280℃匀速升温至625℃,升温时间6h;第七程序段为在还原性气氛条件下,625℃保
温,保温时间2h;第八程序段为在还原性气氛条件下,625℃匀速降温至30℃,降温时间2h。
[0099] 产品进行中温处理后,产品外观12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损,有一定硬度。
[0100] 其中,氢气和氮气流量比为25mLPM:4LPM,二者分别以流量为1000mL/min和160L/min通入,以使处理环境达到还原性气氛条件。
[0101] 2.中温处理后进行机台细磨
[0102] 将中温处理后的产品继续装罐进行机台细磨,所使用磨介为白刚玉粉,加入的产品与白刚玉粉使用量分别为350mL和700mL;其运行曲线为:转速6rpm下运行5h,转速16rpm
下运行5h,转速25rpm下运行45h。产品进行处理后外观呈12条棱边及八个顶角圆滑,其圆滑
度正常,一致性好,无破损。
[0103] 而后将上述产品进行烧结。产品烧结后对产品进行机台细磨,其运行情况为:第一阶段加入的产品、磨介白刚玉粉、磨介氧化锆柱和水使用量分别为250mL、1000mL、1500mL和
1500mL,其运行曲线为转速10rpm下运行3h,转速14rpm下运行3h,转速22rpm下运行65h。第
一阶段处理后产品外观呈12条棱边及八个顶角圆滑,其圆滑度正常,一致性好,无破损。
[0104] 将运行完第一阶段的产品清洗干净,并加水和磨介进行第二阶段研磨。第二阶段加入的产品、磨介氧化锆柱和水的用量为250mL、1500mL和1500mL,运行曲线为:转速6rpm下
运行1h,转速10rpm下运行1h,转速16rpm下运行9h。第二阶段处理后产品外观呈12条棱边及
八个顶角圆滑,圆滑度正常,一致性好,无破损。
[0105] 最后,对产品进行抛光处理,加入的产品和磨介玻璃珠的用量为350mL和1400mL,运行曲线为:转速10rpm下运行2h,转速13rpm下运行2h,转速15rpm下运行16h。处理后产品
外观呈12条棱边及八个顶角圆滑,其圆滑度正常,一致性好,无破损,产品表面光滑。
[0106] 实施例3:
[0107] 对烧结前实验产品预先进行手工砂纸粗磨,用1000目的SiC砂纸手工粗磨12条棱边及八个顶角,以使产品外观12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损。
[0108] 1.产品烧结前进行中温处理
[0109] 将砂纸粗磨后的实验产品进行中温675℃处理,其运行曲线为:第一程序段为从30℃匀速升温至120℃,升温时间3h;第二程序段为从120℃匀速升温至150℃,升温时间6h;第
三程序段为从150℃匀速升温至210℃,升温时间6h;第四程序段为从210℃匀速升温至280
℃,升温时间6h;第五程序段为280℃保温,保温时间2h;第六程序段为在还原性气氛条件
下,从280℃匀速升温至675℃,升温时间6h;第七程序段为在还原性气氛条件下,675℃保
温,保温时间2h;第八程序段为在还原性气氛条件下,675℃匀速降温至30℃,降温时间2h。
[0110] 产品进行中温处理后外观12条棱边及八个顶角有一定的圆弧度,且产品无破损,有一定硬度。
[0111] 其中,氢气和氮气流量比为25mLPM:4LPM,二者分别以流量为1000mL/min和160L/min通入,以使处理环境达到还原性气氛条件。
[0112] 2.中温处理后进行机台细磨
[0113] 将中温处理后的产品继续装罐进行机台细磨,所使用磨介为白刚玉粉,加入的产品与白刚玉粉使用量分别为350mL和700mL;其运行曲线为:其运行曲线为:转速6rpm下运行
5h,转速16rpm下运行5h,转速25rpm下运行45h。产品进行处理后外观呈12条棱边及八个顶
角圆滑,其圆滑度正常,一致性好,无破损。
[0114] 而后将上述产品进行烧结,产品烧结后对产品进行机台细磨,其运行情况为:第一阶段加入的产品、磨介白刚玉粉、磨介氧化锆柱和水使用量分别为250mL、1000mL、1500mL和
1500mL,其运行曲线为转速10rpm下运行3h,转速14rpm下运行3h,转速22rpm下运行65h。第
一阶段处理后产品外观呈12条棱边及八个顶角圆滑,其圆滑度正常,一致性好,无破损。
[0115] 将运行完第一阶段的产品清洗干净,并加水和磨介进行第二阶段研磨。第二阶段加入的产品、磨介氧化锆柱和水的用量为250mL、1500mL和1500mL,运行曲线为:转速6rpm下
运行1h,转速10rpm下运行1h,转速16rpm下运行9h。第二阶段处理后产品外观呈12条棱边及
八个顶角圆滑,圆滑度正常,一致性好,无破损。
[0116] 最后,对产品进行抛光处理,加入的产品和磨介玻璃珠的用量为350mL和1400mL,运行曲线为:转速10rpm下运行2h,转速13rpm下运行2h,转速15rpm下运行16h。处理后产品
外观呈12条棱边及八个顶角圆滑,其圆滑度正常,一致性好,无破损,产品表面光滑。
[0117] 对比例1:
[0118] 传统研磨工艺:产品烧结后进行手工研磨。研磨后产品12条棱边及八个顶角不圆滑,一致性不好,有60%的产品有崩瓷现象。
[0119] 对上述实施例和对比例最终制得的产品进行测试表征,测试结果如下表2所示:
[0120] 表2
[0121]
[0122]
[0123] 与对比例1相比,本发明实施例1‑3中产品外观一致性好,产品的外观合格率提高;产品研磨过程中受冲击的力减小,产品内部微裂纹减小,产品无崩瓷现象,损耗角正切值降
低;产品的表面光滑度提高,无产品表面放电和无飞弧现象,产品的耐压性能及可靠性提
高,产品质量综合提高。
[0124] 最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进
行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术
方案的范围。