有机发光显示面板的制备方法、有机发光显示面板及装置

摘要

本申请公开一种有机发光显示面板的制备方法、有机发光显示面板及装置，方法包括：在衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板，其中，所述第一中间基板包括功能绑定区域和切割区域，所述切割区域包围所述功能绑定区域；在所述第一中间基板远离所述衬底基板的一侧整面设置封装层；对整面的所述封装层进行刻蚀，形成封装图形，以使所述切割区域包围封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，其中，所述封装投影为所述封装图形在所述第一中间基板上的正投影。能够避免封装层边缘出现阴影区域，从而避免发生由于阴影区域造成的有机发光显示面板可靠性降低的问题。

权利要求

1.一种有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板，其中，所述第一中间基板包括功能绑定区域和切割区域，所述切割区域包围所述功能绑定区域；

在所述第一中间基板远离所述衬底基板的一侧整面设置封装层；

在所述封装层远离所述衬底基板的一侧设置第一触控电极，得到第二中间基板；

在所述第二中间基板远离所述衬底基板的一侧设置绝缘层；

使用第一掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成触控通孔，以及在所述封装层上形成封装图形，以使所述切割区域包围封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，其中，所述封装投影为所述封装图形在所述第一中间基板上的正投影；

在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置第二触控电极，其中，所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二中间基板远离所述衬底基板的一侧设置绝缘层的步骤之前，包括：使用第二掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成初始封装图形；

所述使用第一掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：使用所述第一掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜板包括半透掩膜板；

所述使用第一掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡。

4.根据权利要求2所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜板包括半透掩膜板；

所述使用所述第一掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡；

和/或，

所述第二掩膜板包括半透掩膜板；

所述使用第二掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成初始封装图形的步骤，包括：使用所述半透掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成所述初始封装图形。

5.根据权利要求3所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡，其中，所述半透掩膜板对应所述封装图形边缘的区域光透过率渐变，所述光透过率渐变的方向为所述封装投影指向所述切割区域的方向。

6.根据权利要求4所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡，其中，所述半透掩膜板对应所述封装图形边缘的区域光透过率渐变，所述光透过率渐变的方向为所述封装投影指向所述切割区域的方向；

和/或，

所述使用所述半透掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成所述初始封装图形的步骤，包括：使用所述半透掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成所述初始封装图形，其中，所述半透掩膜板对应所述封装图形边缘的区域光透过率渐变，所述光透过率渐变的方向为所述封装投影指向所述切割区域的方向。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板的步骤之前，还包括：在所述衬底基板的一侧设置驱动器件，得到驱动背板，其中所述驱动器件与所述第二触控电极电连接；

所述在衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板的步骤，包括：在所述驱动背板远离所述衬底基板的一侧设置所述有机发光显示器件，得到所述第一中间基板。

8.根据权利要求1‑7中任一项所述的有机发光显示面板的制备方法，其特征在于，所述封装层包括第一无机封装层和第二无机封装层；

所述在所述第一中间基板远离所述衬底基板的一侧整面设置封装层的步骤，包括：在所述第一中间基板远离所述衬底基板的一侧整面设置所述第一无机封装层；

在所述第一无机封装层远离所述衬底基板的一侧整面设置所述第二无机封装层。

9.一种有机发光显示面板，其特征在于，采用如权利要求1‑8中任一项所述的有机发光显示面板的制备方法制备得到，所述有机发光显示面板包括：第一中间基板、封装层、第一触控电极、绝缘层和第二触控电极，所述封装层设置于所述第一中间基板的一侧；

所述第一中间基板包括衬底基板和有机发光显示器件，所述有机发光显示器件设置于所述衬底基板与所述封装层之间，所述第一触控电极设置于所述封装层远离所述衬底基板的一侧，所述绝缘层设置于所述第一触控电极和所述第二触控电极之间，所述绝缘层设置有触控通孔，所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接；

所述第一中间基板包括功能绑定区域和切割区域，所述切割区域包围所述功能绑定区域；

所述封装层包括封装图形，所述切割区域包围封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，其中，所述封装投影为所述封装图形在所述第一中间基板上的正投影。

10.根据权利要求9所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述封装图形的边缘包括至少两个斜坡。

11.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的有机发光显示面板。

说明书

有机发光显示面板的制备方法、有机发光显示面板及装置

技术领域

[0001] 本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示面板的制备方法、有机发光显示面板及装置。

背景技术

[0002] 在有机发光显示面板中，有机发光材料和金属电极容易受到内外部的水氧侵蚀而发生氧化反应，致使像素收缩或者不发光。设置封装层能够阻挡外界的水氧进入并侵蚀有机发光器件，起到保护有机发光器件的作用，可以延长有机发光器件的寿命。

[0003] 然而，目前在有机发光显示面板的制备过程中，封装层的设置方式容易发生封装层边缘出现阴影区域，阴影区域容易造成有机发光显示面板可靠性的降低。

发明内容

[0004] 本申请实施例提供了一种有机发光显示面板的制备方法、有机发光显示面板及装置，能够避免封装层边缘出现阴影区域，从而避免发生由于阴影区域造成的有机发光显示面板可靠性降低的问题。

[0005] 第一方面，一种有机发光显示面板的制备方法，包括：

[0006] 在衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板，其中，所述第一中间基板包括功能绑定区域和切割区域，所述切割区域包围所述功能绑定区域；

[0007] 在所述第一中间基板远离所述衬底基板的一侧整面设置封装层；

[0008] 对整面的所述封装层进行刻蚀，形成封装图形，以使所述切割区域包围封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，其中，所述封装投影为所述封装图形在所述第一中间基板上的正投影。

[0009] 在一种可行的实施方式中，所述对整面的所述封装层进行刻蚀，形成封装图形的步骤之前，包括：

[0010] 在所述封装层远离所述衬底基板的一侧设置第一触控电极，得到第二中间基板；

[0011] 在所述第二中间基板远离所述衬底基板的一侧设置绝缘层；

[0012] 所述对整面的所述封装层进行刻蚀，形成封装图形的步骤之后，包括：

[0013] 在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置第二触控电极。

[0014] 在一种可行的实施方式中，所述对整面的所述封装层进行刻蚀，形成封装图形的步骤，包括：

[0015] 使用第一掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，以及所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻。

[0016] 在一种可行的实施方式中，所述在所述第二中间基板远离所述衬底基板的一侧设置绝缘层的步骤之前，包括：

[0017] 使用第二掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成初始封装图形；

[0018] 所述使用第一掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：

[0019] 使用所述第一掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡。

[0020] 在一种可行的实施方式中，所述第一掩膜板包括半透掩膜板；

[0021] 所述使用第一掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：

[0022] 使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡。

[0023] 在一种可行的实施方式中，所述第一掩膜板包括半透掩膜板；

[0024] 所述使用所述第一掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：

[0025] 使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡；

[0026] 和/或，

[0027] 所述第二掩膜板包括半透掩膜板；

[0028] 所述使用第二掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成初始封装图形的步骤，包括：

[0029] 使用所述半透掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成所述初始封装图形。

[0030] 在一种可行的实施方式中，所述使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：

[0031] 使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在所述绝缘层上形成触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包围所述封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡，其中，所述半透掩膜板对应所述封装图形边缘的区域光透过率渐变，所述光透过率渐变的方向为所述封装投影指向所述切割区域的方向。

[0032] 在一种可行的实施方式中，所述使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形的步骤，包括：

[0033] 使用所述半透掩膜板，对所述绝缘层和所述初始封装图形进行刻蚀，在所述绝缘层上形成所述触控通孔，以及在所述封装层上形成所述封装图形，以使所述第一触控电极与所述第二触控电极通过所述触控通孔电连接，所述切割区域包所述围封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在所述封装图形的边缘形成至少两个斜坡，其中，所述半透掩膜板对应所述封装图形边缘的区域光透过率渐变，所述光透过率渐变的方向为所述封装投影指向所述切割区域的方向；

[0034] 和/或，

[0035] 所述使用所述半透掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成所述初始封装图形的步骤，包括：

[0036] 使用所述半透掩膜板，对整面的所述封装层进行刻蚀，形成所述初始封装图形，其中，所述半透掩膜板对应所述封装图形边缘的区域光透过率渐变，所述光透过率渐变的方向为所述封装投影指向所述切割区域的方向。

[0037] 在一种可行的实施方式中，所述在衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板的步骤之前，还包括：

[0038] 在所述衬底基板的一侧设置驱动器件，得到驱动背板，其中所述驱动器件与所述第二触控电极电连接；

[0039] 所述在衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板的步骤，包括：

[0040] 在所述驱动背板远离所述衬底基板的一侧设置所述有机发光显示器件，得到所述第一中间基板。

[0041] 在一种可行的实施方式中，所述封装层包括第一无机封装层和第二无机封装层；

[0042] 所述在所述第一中间基板远离所述衬底基板的一侧整面设置封装层的步骤，包括：

[0043] 在所述第一中间基板远离所述衬底基板的一侧整面设置所述第一无机封装层；

[0044] 在所述第一无机封装层远离所述衬底基板的一侧整面设置所述第二无机封装层。

[0045] 第二方面，一种有机发光显示面板，采用上述任一项所述的有机发光显示面板的制备方法制备得到，所述有机发光显示面板包括：第一中间基板和封装层，所述封装层设置于所述第一中间基板的一侧；

[0046] 所述第一中间基板包括衬底基板和有机发光显示器件，所述有机发光显示器件设置于所述衬底基板与所述封装层之间；

[0047] 所述第一中间基板包括功能绑定区域和切割区域，所述切割区域包围所述功能绑定区域；

[0048] 所述封装层包括封装图形，所述切割区域包围封装投影，且所述封装投影与所述功能绑定区域毗邻，其中，所述封装投影为所述封装图形在所述第一中间基板上的正投影。

[0049] 在一种可行的实施方式中，所述封装图形的边缘包括至少两个斜坡。

[0050] 第三方面，一种有机发光显示装置，包括上述任一项所述的有机发光显示面板。

[0051] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法、有机发光显示面板及装置，在封装层成膜工艺流程中，进行整面成膜，后续采用刻蚀工艺形成封装图形。采用刻蚀工艺形成封装图形能够避免封装图形的边缘出现阴影区域，切割区域围绕封装投影，封装图形不会延伸至切割区域，可以改善阴影区域延伸至切割区域导致的切割裂纹，避免引起封装失效，从而可以提高有机发光显示面板的可靠性。另外，采用刻蚀的方式得到封装图形可以使得封装投影与功能绑定区域无交叠，能够实现功能绑定区域的完全裸露，便于后续的功能器件的绑定，消除残留阴影区域对于功能器件绑定的影响，提高有机发光显示面板的生产良率。

附图说明

[0052] 图1为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法的示意性流程图；

[0053] 图2为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法的结构变化示意图；

[0054] 图3为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法中第一基板的俯视图；

[0055] 图4为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法中封装图形的示意图；

[0056] 图5为本申请实施例提供的一种封装层阴影示意图；

[0057] 图6为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法的制得的一种有机发光显示面板的结构示意图；

[0058] 图7为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法得到的一种封装图形边缘结构示意图；

[0059] 图8为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法得到的另一种封装图形边缘结构示意图；

[0060] 图9为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法中的半透掩膜板的示意性结构图；

[0061] 图10为本申请实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图。

具体实施方式

[0062] 为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。

[0063] 在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。

[0064] 在有机发光显示面板中，有机发光材料和金属电极容易受到内外部的水氧侵蚀而发生氧化反应，致使像素收缩或者不发光。设置封装层能够阻挡外界的水氧进入并侵蚀有机发光器件，起到保护有机发光器件的作用，可以延长有机发光器件的寿命。然而，目前在有机发光显示面板的制备过程中，封装层的设置方式容易发生封装层边缘出现阴影区域，阴影区域容易造成有机发光显示面板可靠性的降低。

[0065] 有鉴于此，本申请实施例提供一种有机发光显示面板的制备方法、有机发光显示面板及装置，能够避免封装层边缘出现阴影区域，从而避免发生由于阴影区域造成的有机发光显示面板可靠性降低的问题。

[0066] 第一方面，在一种可行的实施方式中，示例性的，图1为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法的示意性流程图。如图1所示，本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法，包括：

[0067] S100：在衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板，其中，第一中间基板包括功能绑定区域和切割区域，切割区域包围功能绑定区域。

[0068] 示例性的，图2为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法的结构变化示意图；图3为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法中第一基板的俯视图。结合图2和图3，在步骤S100过程中，在衬底基板100的一侧设置有机发光显示器件200，得到第一中间基板G100。如图3所示，第一中间基板G100包括功能绑定区域G110和切割区域G120，切割区域G120包围功能绑定区域G110。容易理解的是，有机发光显示面板可以是先在一张大的衬底基板100上进行统一的膜层和器件的制备，所有工艺完成之后再对大张的显示面板进行切割，得到多个显示面板单体(panel，面板)，得到panel后可以进行IC(驱动芯片)或者FPC(柔性线路板)的绑定(bonding)得到显示模组，IC和FPC可以统称为功能器件，显示模组可以被组装成为显示装置，例如，智能手机、电脑或者平板，本申请不作具体限定。在对大张显示面板进行切割的工艺制程中，需要按照切割区域G120进行切割，在进行IC或者FPC的绑定工艺制程中，IC或者FPC需要绑定在功能绑定区域G110，切割区域G120通常包围功能绑定区域G110，切割区域G120通常与功能绑定区域G110无交叠。

[0069] S200：在第一中间基板远离衬底基板的一侧整面设置封装层。如图2所示，在步骤S200中，在第一中间基板G100远离衬底基板100的一侧整面设置封装层300。

[0070] S300：对整面的封装层进行刻蚀，形成封装图形，以使切割区域包围封装投影，且封装投影与功能绑定区域毗邻，其中，封装投影为封装图形在第一中间基板上的正投影。

[0071] 示例性的，图4为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法中封装图形的示意图。如图4所示，经过步骤S200的整面成膜得到封装层300，对整面的封装层300进行刻蚀，可以形成封装图形310，封装图形310在第一中间基板G100上的正投影为封装投影320，切割区域G120包围封装投影320，且封装投影320与功能绑定区域G110毗邻。容易理解的是，封装图形310和功能绑定区域G110均被切割区域G120包围，一个单体的panel上均包括封装图形310和功能绑定区域G110，封装图形310用于对有机发光显示器件进行封装保护，可以阻挡外界的水氧侵蚀，提高有机发光显示器件的使用寿命。封装投影320与功能绑定区域G110毗邻，封装投影320与切割区域G120相接，即封装投影320与功能绑定区域G110和切割区域G120均无交叠，未发生封装图形310延伸至功能绑定区域G110和切割区域G120的现象。

[0072] 需要说明的是，在封装层300远离衬底基板100的一侧还可以制作其他膜层或者器件线路，可以根据具体有机发光显示面板的膜层设置进行具体的工艺流程，此处不作详细描述，本申请不作具体限定。

[0073] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，针对通常使用CVD Mask(化学气相沉积掩膜板)制备封装层，得到封装图形的工艺方法。示例性的，图5为本申请实施例提供的一种封装层阴影示意图。利用CVD Mask，采用化学气相沉积的工艺方式，将封装材料按照CVD Mask的图案在第一中间基板G100上形成封装图形，然而，如5所示，在CVD Mask的边缘区域，封装图形容易产生残留阴影区域，残留阴影区域内残留多余的封装材料，残留阴影区域包括Shadow(阴影)区和Under coating(下方涂覆)区。在一种可能的情况下，Shadow区和Under coating区的形成是由于CVD Mask自身重量导致中心下垂，在CVD Mask与第一中间基板G100之间形成Gap而造成的边缘“衍射”现象。如果，封装图形边缘的阴影区域延伸至切割区域，则容易造成切割裂纹，裂纹容易沿着封装层延伸至显示面板的显示区域内部，引起封装失效，最终导致有机发光显示面板的可靠性严重降低。由于CVD Mask的制作成本较高，且Gap改善难度较大。另外，封装图形的残留阴影区域如果延伸至功能绑定区域，则容易影响后续功能器件的绑定，引起功能器件的绑定失效，增加有机发光显示面板的产品不良率。因此，本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法取消CVD Mask，在封装层成膜工艺流程中，进行整面成膜，后续采用刻蚀工艺形成封装图形。采用刻蚀工艺形成封装图形能够避免封装图形的边缘出现阴影区域，切割区域围绕封装投影，封装图形不会延伸至切割区域，可以改善阴影区域延伸至切割区域导致的切割裂纹，避免引起封装失效，从而可以提高有机发光显示面板的可靠性。另外，采用刻蚀的方式得到封装图形可以使得封装投影与功能绑定区域无交叠，能够实现功能绑定区域的完全裸露，便于后续的功能器件的绑定，消除残留阴影区域对于功能器件绑定的影响，提高有机发光显示面板的生产良率。

[0074] 在一种可行的实施方式中，步骤S300之前，还包括：

[0075] 在封装层远离衬底基板的一侧设置第一触控电极，得到第二中间基板。示例性的，图6为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法的制得的一种有机发光显示面板的结构示意图。如图6所示，在封装层300远离衬底基板100的一侧设置第一触控电极400，得到第二中间基板G200。

[0076] 在第二中间基板远离衬底基板的一侧设置绝缘层。继续参考图6，在第二中间基板G200远离衬底基板100的一侧设置绝缘层500。

[0077] 步骤S300之后，还包括：

[0078] 在绝缘层远离衬底基板的一侧设置第二触控电极。继续参考图6，在绝缘层500远离衬底基板100的一侧设置第二触控电极600。第一触控电极400和第二触控电极600可以用于实现触控功能，绝缘层500用于实现对于第一触控电极400和第二触控电极600的绝缘阻隔。图6所示显示面板的结构只是示意性的，不作为本申请的具体限定。

[0079] 在一种可行的实施方式中，步骤S300，可以包括：

[0080] 使用第一掩膜板，对绝缘层和封装层进行刻蚀，在绝缘层上形成触控通孔，以及在封装层上形成封装图形，以使第一触控电极与第二触控电极通过触控通孔电连接，以及切割区域包围封装投影，且封装投影与功能绑定区域毗邻。

[0081] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，针对绝缘层和封装层通常分别刻蚀的工艺流程，需要两张刻蚀掩膜板和两道刻蚀工艺流程。由于，绝缘层和封装层的刻蚀共用一张第一掩膜板，封装层的刻蚀得到封装图形，绝缘层的刻蚀是打孔，刻蚀位置不同，因此第一掩膜板上的图案互不干扰，可以实现共用一张第一掩膜板。从而能够节省一道刻蚀工艺流程和一张刻蚀掩膜板，节约成本的同时，还能够节约时间，提高生产效率。

[0082] 在一种可行的实施方式中，在第二中间基板远离衬底基板的一侧设置绝缘层的步骤之前，还包括：

[0083] 使用第二掩膜板，对整面的封装层进行刻蚀，形成初始封装图形。本步骤是在绝缘层成膜之前，先对封装层进行一道刻蚀处理，形成初始封装图形，初始封装图形通常不一定能满足切割区域包围封装投影的情形，也要根据实际工艺能力或者刻蚀程度而定，本申请不作具体限定。

[0084] 所述使用第一掩膜板，对绝缘层和所述封装层进行刻蚀，在绝缘层上形成触控通孔，以及在封装层上形成封装图形的步骤，可以包括：

[0085] 使用第一掩膜板，对绝缘层和初始封装图形进行刻蚀，在绝缘层上形成触控通孔，以及在封装层上形成封装图形，以使第一触控电极与第二触控电极通过触控通孔电连接，切割区域包围封装投影，且封装投影与功能绑定区域毗邻，以及在封装图形的边缘形成至少两个斜坡。

[0086] 示例性的，图7为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法得到的一种封装图形边缘结构示意图。如图7所示，先后采用第二掩膜板和第一掩膜板对封装层进行两道刻蚀处理，得到的封装图形310的边缘可以形成至少两个斜坡330。至少两个斜坡330的形成主要通过两道刻蚀工艺实现，至少两个斜坡330的形貌可以通过掩膜板的图案差异设计控制，也可以通过两道刻蚀工艺参数的调整来控制实现，本申请不作具体限定。

[0087] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，先后采用第二掩膜板和第一掩膜板对封装层进行两道刻蚀处理，得到的封装图形的边缘可以形成至少两个斜坡，在确保得到的封装图形不延伸至切割区域和功能绑定区域的同时，在封装图形的边缘形成至少两个斜坡，可以使得封装图形的边缘是趋于平缓的状态，尤其在封装图形与功能绑定区域的边界处，第一触控电极和/或第二触控电极会跨过封装图形的边缘与功能绑定区域的线路相连接，如果封装图形的边缘太过陡峭，第一触控电极和/或第二触控电极容易发生断裂，从而引起触控功能失效。在封装图形的边缘形成至少两个斜坡可以使得封装图形的边缘是趋于平缓的状态，减缓封装图形与功能绑定区域边界的膜厚落差，能够改善第一触控电极和/或第二触控电极的断裂。

[0088] 在一种可行的实施方式中，在只使用一张第一掩膜板，进行一道刻蚀工艺的情形下，第一掩膜板可以包括半透掩膜板(Halftone Mask)。

[0089] 使用第一掩膜板，对绝缘层和封装层进行刻蚀，在绝缘层上形成触控通孔，以及在封装层上形成封装图形的步骤，包括：

[0090] 使用半透掩膜板，对绝缘层和封装层进行刻蚀，在绝缘层上形成触控通孔，以及在封装层上形成封装图形，以使第一触控电极与第二触控电极通过触控通孔电连接，切割区域包围封装投影，且封装投影与功能绑定区域毗邻，以及在封装图形的边缘形成至少两个斜坡。

[0091] 示例性的，图8为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法得到的另一种封装图形边缘结构示意图。如图8所示，使用一道半透掩膜板，同时得到触控通孔和封装图形，可以利用半透掩膜板关于不同位置光透过率的设计，可以实现封装图形310的边缘形成至少两个斜坡330。半透掩膜板得到的封装图形310的边缘可以比普通掩膜板得到的封装图形310的边缘更加圆滑，更利于第一触控电极和第二触控电极的走线，可以进一步减缓封装图形与功能绑定区域边界的膜厚落差，能够改善第一触控电极和/或第二触控电极的断裂。

[0092] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，使用一道半透掩膜板，同时得到触控通孔和封装图形，可以利用半透掩膜板关于不同位置光透过率的设计，可以实现封装图形310的边缘形成至少两个斜坡330。半透掩膜板得到的封装图形310的边缘可以比普通掩膜板得到的封装图形310的边缘更加圆滑，更利于第一触控电极和第二触控电极的走线，可以进一步减缓封装图形与功能绑定区域边界的膜厚落差，能够改善第一触控电极和/或第二触控电极的断裂。

[0093] 在一种可行的实施方式中，在分别使用第二掩膜板和第一掩膜板的两道刻蚀工艺流程的情形中，第一掩膜板可以采用半透掩膜板。

[0094] 所述使用第一掩膜板，对绝缘层和初始封装图形进行刻蚀，在绝缘层上形成触控通孔，以及在封装层上形成封装图形的步骤，包括：

[0095] 使用半透掩膜板，对绝缘层和初始封装图形进行刻蚀，在绝缘层上形成触控通孔，以及在封装层上形成封装图形，以使第一触控电极与第二触控电极通过触控通孔电连接，切割区域包围所述封装投影，且封装投影与所述功能绑定区域毗邻，以及在封装图形的边缘形成至少两个斜坡。

[0096] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，在两道刻蚀工艺流程中，绝缘层与封装层共用一张第一掩膜板的刻蚀步骤中的第一掩膜板采用半透掩膜板，第二掩膜板采用普通掩膜板，在封装图形的边缘可能形成大于两个斜坡，可以根据具体的掩膜板设置，得到相应数量的斜坡，可以进一步减缓封装图形与功能绑定区域边界的膜厚落差，能够进一步改善第一触控电极和/或第二触控电极的断裂。

[0097] 在一种可行的实施方式中，在分别使用第二掩膜板和第一掩膜板的两道刻蚀工艺流程的情形中，第一掩膜板和第二掩膜板均可以采用半透掩膜板。

[0098] 则使用第二掩膜板，对整面的封装层进行刻蚀，形成初始封装图形的步骤，包括：

[0099] 使用半透掩膜板，对整面的封装层进行刻蚀，形成初始封装图形。

[0100] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，在两道刻蚀工艺流程中，第一掩膜板和第二掩膜板均采用半透掩膜板，在封装图形的边缘可能形成大于两个斜坡，可以根据具体的掩膜板设置，得到相应数量的斜坡，可以进一步减缓封装图形与功能绑定区域边界的膜厚落差，能够进一步改善第一触控电极和/或第二触控电极的断裂。

[0101] 在一种可行的实施方式中，在分别使用第二掩膜板和第一掩膜板的两道刻蚀工艺流程的情形中，仅有第二掩膜板采用半透掩膜板。

[0102] 则使用第二掩膜板，对整面的封装层进行刻蚀，形成初始封装图形的步骤，包括：

[0103] 使用半透掩膜板，对整面的封装层进行刻蚀，形成初始封装图形。

[0104] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，在两道刻蚀工艺流程中，仅第二掩膜板均采用半透掩膜板，也能在封装图形的边缘可能形成大于两个斜坡，可以根据具体的掩膜板设置，得到相应数量的斜坡，可以进一步减缓封装图形与功能绑定区域边界的膜厚落差，能够进一步改善第一触控电极和/或第二触控电极的断裂。

[0105] 在一种可行的实施方式中，上述实施例使用的半透掩膜板对应封装图形边缘的区域光透过率渐变，光透过率渐变的方向为封装投影指向切割区域的方向。

[0106] 需要说明的是，使用掩膜板对封装层进行刻蚀的工艺步骤，实际上包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀以及光刻胶剥离，本申请不作具体限定。

[0107] 示例性的，图9为本申请实施例提供的一种有机发光显示面板的制备方法中的半透掩膜板的示意性结构图。如图9所示，半透掩膜板Halftone Mask的开口区域W可以对应的是封装图形310，开口区域W也同样对应封装投影320，当采用正性光刻胶进行曝光显影时，开口区域W对应光透过率远小于其他剩余区域的光透过率，以使封装层经过刻蚀后开口区域W对应封装层会保留下来，其余区域的封装层会被刻蚀掉。如果采用负性光刻胶，则开口区域W对应光透过率远大于其他剩余区域的光透过率，以使封装层经过刻蚀后开口区域W对应封装层会保留下来，其余区域的封装层会被刻蚀掉。因此掩膜板的光透过率图案设计需要对应正负光刻胶的选择。以正性光刻胶为例进行说明，半透掩膜板Halftone Mask的开口区域W对应光透过率远小于其他剩余区域的光透过率，为在封装图形边缘得到多个斜坡或者形成圆滑台阶，可以对半透掩膜板Halftone Mask的开口区域W的边缘进行光透过率渐变的设计。示例性的，如图9所示，由封装投影指向切割区域的方向R，也是由开口区域W指向切割区域的方向，光透过率逐渐增大。

[0108] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，由封装投影指向切割区域的方向R，也是由开口区域W指向切割区域的方向，光透过率逐渐增大，可以在封装图形的边缘形成较多的斜坡，或者得到较圆滑的封装图形边缘。可以进一步减缓封装图形与功能绑定区域边界的膜厚落差，能够进一步改善第一触控电极和/或第二触控电极的断裂。

[0109] 在一种可行的实施方式中，在步骤S100之前，还包括：

[0110] 在衬底基板的一侧设置驱动器件，得到驱动背板，其中驱动器件与第二触控电极电连接。驱动器件可以是TFT(薄膜晶体管)，本申请不作具体限定。驱动器件可以驱动有机发光器件的发光以实现显示的功能。驱动器件可以通过其他线路设计在功能绑定区域与第二触控电极电连接，以实现对第二触控电极的驱动，本申请也不作具体限定。

[0111] 步骤S100，包括：

[0112] 在驱动背板远离衬底基板的一侧设置有机发光显示器件，得到第一中间基板。

[0113] 在一种可行的实施方式中，封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；

[0114] 步骤S200，包括：

[0115] 在第一中间基板远离衬底基板的一侧整面设置第一无机封装层。

[0116] 在第一无机封装层远离衬底基板的一侧整面设置第二无机封装层。

[0117] 本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法，封装层采用第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的封装结构，有机封装层可以起到平坦有机发光器件以及提供应力释放等封装保护的作用，但是有机封装层不能防止水氧的侵蚀，两层无机封装层夹在有机封装层两侧，可以防止水氧侵蚀有机发光器件。本申请涉及到的封装层的刻蚀主要针对两层无机封装层，因为无机封装层的边缘会延伸至单体显示面板的最边缘，才能对有机发光器件起到全面的防控水氧侵袭。有机封装层通常只覆盖有机发光显示面板的显示区域即可，因此只要在成膜中控制成膜区域大小即可，无需刻蚀。

[0118] 第二方面，本申请实施例提供一种有机发光显示面板，可以采用上述实施例中任一项所述的有机发光显示面板的制备方法制备得到，示例性的，可以参考图2，有机发光显示面板包括：第一中间基板G100和封装层300，封装层300设置于第一中间基板G100的一侧；第一中间基板G100包括衬底基板100和有机发光显示器件200，有机发光显示器件200设置于衬底基板100与封装层300之间。结合图2‑图4，G100第一中间基板包括功能绑定区域G110和切割区域G120，切割区域G120包围所述功能绑定区域G110。封装层300包括封装图形310，切割区域G120包围封装投影320，且封装投影320与功能绑定区域G110毗邻，其中，封装投影
320为封装图形310在第一中间基板G100上的正投影。切割区域G120与封装投影320和功能绑定区域G110均无交叠。

[0119] 本申请实施例提供的有机发光显示面板，通过设置切割区域围绕封装投影，封装图形不会延伸至切割区域，可以改善阴影区域延伸至切割区域导致的切割裂纹，避免引起封装失效，从而可以提高有机发光显示面板的可靠性。另外，采用刻蚀的方式得到封装图形可以使得封装投影与功能绑定区域无交叠，能够实现功能绑定区域的完全裸露，便于后续的功能器件的绑定，消除残留阴影区域对于功能器件绑定的影响，提高有机发光显示面板的生产良率。

[0120] 在一种可行的实施方式中，如图6所示，在封装层300远离衬底基板100的一侧依次设置有第一触控电极400、绝缘层500和第二触控电极600。第一触控电极400和第二触控电极600可以用于实现触控功能，绝缘层500用于实现对于第一触控电极400和第二触控电极600的绝缘阻隔。图6所示显示面板的结构只是示意性的，不作为本申请的具体限定。

[0121] 在一种可行的实施方式中，参考图7和图8，封装图形310的边缘包括至少两个斜坡330。

[0122] 本申请实施例提供的有机发光显示面板，通过在封装图形310的边缘形成至少两个斜坡330可以使得封装图形310的边缘是趋于平缓的状态，减缓封装图形310与功能绑定区域G110边界的膜厚落差，能够改善第一触控电极400和/或第二触控电极600的断裂。

[0123] 第三方面，本申请实施例提供一种有机发光显示装置，包括上述实施例中任一项的有机发光显示面板。示例性的，图10为本申请实施例提供的一种有机发光显示装置的结构示意图。如图10所示，本申请实施例提供一种有机发光显示装置，包括上述实施例中任一项的有机发光显示面板1000。示例性的，本申请实施例提供的有机发光显示装置可以包括智能手机、笔记本电脑、智能平板或者显示器等等，本申请不作具体限定。

[0124] 尽管已描述了本说明书的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。

[0125] 显然，本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样，倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内，则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。