晶圆清洗的控制方法、控制装置和计算机可读存储介质

摘要

本申请提供了一种晶圆清洗的控制方法、控制装置和计算机可读存储介质，该方法包括：在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；在检测到不需要清洗喷射管道的情况下，控制喷射管道向预定区域喷射清洗液，预定区域为目标晶圆所在的区域。该方法在检测到不需要清洗喷射管道的情况下，直接对目标晶圆进行清洗，在保证对目标晶圆的清洗效果较好的同时，较好地缓解了现有技术中每片晶圆清洗前均需清洗喷射管道导致产能较低和资源浪费的问题，从而节省了清洗液，且保证了晶圆的清洗效率较高。

权利要求

1.一种晶圆清洗的控制方法，其特征在于，包括：在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；

在检测到不需要清洗所述喷射管道的情况下，控制所述喷射管道向预定区域喷射清洗液，所述预定区域为所述目标晶圆所在的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道，包括：

在所述清洗腔内存在所述目标晶圆的情况下，检测所述喷射管道的喷射间隔时间是否小于或等于第一预设时间，所述喷射间隔时间为当前时刻与所述喷射管道上一次喷射停止时刻之间的时长；

在检测到所述喷射间隔时间小于或等于所述第一预设时间的情况下，确定不需要清洗所述喷射管道。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在检测到不需要清洗所述喷射管道的情况下，控制所述喷射管道向预定区域喷射清洗液，包括：控制所述喷射管道移动至预定位置；

控制所述喷射管道在所述预定位置喷射所述清洗液，以清洗所述目标晶圆。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在检测到所述喷射间隔时间大于所述第一预设时间的情况下，控制所述喷射管道在初始位置喷射第二预设时间后停止，以清洗所述喷射管道；

控制所述喷射管道从所述初始位置移动至预定位置；

控制所述喷射管道在所述预定位置喷射所述清洗液，以清洗所述目标晶圆。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，确定是否需要清洗喷射管道之前，所述方法还包括：实时获取所述清洗腔内的感应装置的感应信息；

根据所述感应信息，确定所述清洗腔内是否存在所述目标晶圆。

6.一种晶圆清洗的控制装置，其特征在于，包括：第一检测单元，用于在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道，所述喷射管道用于向所述清洗腔内喷射清洗液；

第一控制单元，用于在检测到不需要清洗所述喷射管道的情况下，控制所述喷射管道向预定区域喷射清洗液，所述预定区域为所述目标晶圆所在的区域。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一检测单元包括：第一检测模块，用于在所述清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测所述喷射管道的喷射间隔时间是否小于或等于第一预设时间，所述喷射间隔时间为当前时刻与所述喷射管道上一次喷射停止时刻之间的时长；

第一确定模块，用于在检测到所述喷射间隔时间小于或等于所述第一预设时间的情况下，确定不需要清洗所述喷射管道。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行权利要求1至5中任意一项所述的方法。

9.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至5中任意一项所述的方法。

10.一种清洗系统，其特征在于，包括：清洗设备，包括清洗腔和喷射管道；

控制装置，与所述清洗设备通信连接，所述控制装置包括控制程序，所述控制程序运行时执行权利要求1至5中任意一项所述的方法。

说明书

晶圆清洗的控制方法、控制装置和计算机可读存储介质

技术领域

[0001] 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆清洗的控制方法、控制装置、计算机可读存储介质、处理器和清洗设备。

背景技术

[0002] 在当前国内半导体制造工艺中，机台国产化是国产芯片生产制造过程中一项重要项目。在湿法清洗工艺中，清洗每片晶圆之前都会对所有化学管路做冲洗，这会造成很多产
能和化学试剂的浪费。

[0003] 在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成
在本国已知的现有技术。

发明内容

[0004] 本申请的主要目的在于提供一种晶圆清洗的控制方法、控制装置、计算机可读存储介质、处理器和清洗设备，以解决现有技术中每片晶圆清洗前均需清洗化学管路导致产
能和资源浪费的问题。

[0005] 根据本发明实施例的一个方面，提供了一种晶圆清洗的控制方法，包括：在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；在检测到不需要清洗所述喷射管
道的情况下，控制所述喷射管道向预定区域喷射清洗液，所述预定区域为所述目标晶圆所
在的区域。

[0006] 可选地，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道，包括：在所述清洗腔内存在所述目标晶圆的情况下，确定所述喷射管道的喷射间隔时间是否小于
或等于第一预设时间，所述喷射间隔时间为当前时刻与所述喷射管道上一次喷射停止时刻
之间的时长；在检测到所述喷射间隔时间小于所述第一预设时间的情况下，确定不需要清
洗所述喷射管道。

[0007] 可选地，在检测到不需要清洗所述喷射管道的情况下，控制所述喷射管道向预定区域喷射清洗液，包括：控制所述喷射管道移动至预定位置；控制所述喷射管道在所述预定
位置喷射所述清洗液，以清洗所述目标晶圆。

[0008] 可选地，所述方法还包括：在检测到所述喷射间隔时间大于所述第一预设时间的情况下，控制所述喷射管道在初始位置喷射第二预设时间后停止，以清洗所述喷射管道；控
制所述喷射管道从所述初始位置移动至预定位置；控制所述喷射管道在所述预定位置喷射
所述清洗液，以清洗所述目标晶圆。

[0009] 可选地，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，确定是否需要清洗喷射管道之前，所述方法还包括：实时获取所述清洗腔内的感应装置的感应信息；根据所述感应信息，确定所
述清洗腔内是否存在所述目标晶圆。

[0010] 根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种晶圆清洗的控制装置，包括第一检测单元和第一控制单元，其中，所述第一检测单元用于在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，
检测是否需要清洗喷射管道，所述喷射管道用于向所述清洗腔内喷射清洗液；所述第一控
制单元用于在检测到不需要清洗所述喷射管道的情况下，控制所述喷射管道向预定区域喷
射清洗液，所述预定区域为所述目标晶圆所在的区域。

[0011] 可选地，所述第一检测单元包括第一检测模块和第一确定模块，其中，所述第一检测模块用于在所述清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测所述喷射管道的喷射间隔时间是
否小于或等于第一预设时间，所述喷射间隔时间为当前时刻与所述喷射管道上一次喷射停
止时刻之间的时长；所述第一确定模块用于在检测到所述喷射间隔时间小于或等于所述第
一预设时间的情况下，确定不需要清洗所述喷射管道。

[0012] 根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。

[0013] 根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。

[0014] 根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种清洗系统，包括清洗设备和控制装置，其中，所述清洗设备包括清洗腔和喷射管道；所述控制装置与所述清洗设备通信连接，
所述控制装置包括控制程序，所述控制程序运行时执行任意一种所述的方法。

[0015] 本申请所述的晶圆清洗的控制方法，首先，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；然后，在检测到不需要清洗所述喷射管道的情况下，控制所述喷
射管道向所述目标晶圆所在的预定区域喷射清洗液，以清洗所述目标晶圆。所述方法，在检
测到不需要清洗喷射管道的情况下，直接对目标晶圆进行清洗，在保证对目标晶圆的清洗
效果较好的同时，较好地缓解了现有技术中每片晶圆清洗前均需清洗喷射管道导致产能较
低和资源浪费的问题，从而节省了清洗液，且保证了晶圆的清洗效率较高。

附图说明

[0016] 构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

[0017] 图1示出了根据本申请的实施例的晶圆清洗的控制方法生成的流程示意图；

[0018] 图2示出了根据本申请的实施例的晶圆清洗的控制装置的示意图；

[0019] 图3示出了根据本申请的实施例的清洗系统的示意图。

[0020] 其中，上图中的附图标记说明如下：

[0021] 30、清洗设备；40、控制装置；300、清洗腔；400、喷射管道。

具体实施方式

[0022] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

[0023] 为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是
本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人
员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范
围。

[0024] 需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用
的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具
有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的
过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清
楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

[0025] 应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当
描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件
“连接”至该另一元件。

[0026] 正如背景技术中所说的，现有技术中每片晶圆清洗前均需清洗化学管路导致产能和资源浪费，为了解决上述问题，本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种晶圆清洗的
控制方法、控制装置、计算机可读存储介质、处理器和清洗设备。

[0027] 根据本申请的实施例，提供了一种晶圆清洗的控制方法。

[0028] 图1是根据本申请实施例的晶圆清洗的控制方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：

[0029] 步骤S101，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；

[0030] 步骤S102，在检测到不需要清洗上述喷射管道的情况下，控制上述喷射管道向预定区域喷射清洗液，上述预定区域为上述目标晶圆所在的区域。

[0031] 本申请上述的晶圆清洗的控制方法，首先，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；然后，在检测到不需要清洗上述喷射管道的情况下，控制上述喷
射管道向上述目标晶圆所在的预定区域喷射清洗液，以清洗上述目标晶圆。上述方法，在检
测到不需要清洗喷射管道的情况下，直接对目标晶圆进行清洗，在保证对目标晶圆的清洗
效果较好的同时，较好地缓解了现有技术中每片晶圆清洗前均需清洗喷射管道导致产能较
低和资源浪费的问题，从而节省了清洗液，且保证了晶圆的清洗效率较高。

[0032] 一种具体的实施例中，上述清洗液包括臭氧清洗液、SC1清洗液以及FOM清洗液(氢氟酸与臭氧的混合液)，其中，SC1清洗液包括氨水、双氧水以及水。当然，上述清洗液还可以
包括现有技术中其他类型的清洗液，具体可以根据清洗的晶圆来确定。

[0033] 根据本申请的一种具体的实施例，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道，包括：在上述清洗腔内存在上述目标晶圆的情况下，检测上述喷射管道
的喷射间隔时间是否小于或等于第一预设时间，上述喷射间隔时间为当前时刻与上述喷射
管道上一次喷射停止时刻之间的时长；在检测到上述喷射间隔时间小于或等于上述第一预
设时间的情况下，确定不需要清洗上述喷射管道。在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，通过
比较喷射管道的喷射间隔时间与第一预设时间，在喷射时间间隔小于或者等于第一预设时
间的情况下，确定喷射管道内基本没有结晶等污染物，此种情况下确定不需要清洗喷射管
道，这样保证了较为准确高效地确定上述喷射管道是否需要清洗。

[0034] 一种具体的实施例中，上述第一预设时间为10min，当然，上述第一预设时间还可以为其他任意的值，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置。

[0035] 在实际的应用过程中，为了进一步准确高效地确定上述喷射管道是否需要清洗，还可以采用其他方式确定是否需要清洗喷射管道，根据本申请的另一种具体的实施例，在
清洗腔内存在目标晶圆的情况下，确定是否需要清洗喷射管道，包括：在清洗腔内存在目标
内晶圆的情况下，获取上述喷射管道内的图像；根据上述图像，计算上述喷射管道内的结晶
物面积；使用神经网络模型对上述图像进行分析，确定上述图像中的上述结晶物面积是否
小于面积阈值，在上述结晶物面积小于上述面积阈值的情况下，确定不需要清洗上述喷射
管道，其中，上述神经网络模型为使用多组数据通过机器学习训练出的，上述多组数据中的
每组数据包括：不同结晶物面积对应的上述喷射管道内的图像，以及不同结晶物面积对应
的上述喷射管道喷出的清洗液的成分信息。

[0036] 本申请的再一种具体的实施例中，在上述喷射管道未喷射上述清洗液的情况下，可以控制摄像装置进入上述喷射管道内，对上述喷射管道内部进行拍照或者拍摄视频，以
获取上述喷射管道内的图像，在上述喷射管道喷射上述清洗液之前，控制上述摄像装置退
出上述喷射管道。

[0037] 当然，在实际的应用过程中，还可以将上述摄像装置设置在上述喷射管道内，并控制上述摄像装置每隔预定时间对上述喷射管道内部进行拍照，来获取上述喷射管道内的图
像。在上述清洗液为具有腐蚀性的清洗液的情况下，还可以给上述摄像装置设置防腐蚀的
外壳之后，再将安装了上述外壳的上述摄像装置设置在上述喷射管道内，以避免上述喷射
管道喷射的清洗液对上述摄像装置造成影响。

[0038] 在实际的应用过程中，上述摄像装置可以为现有技术中任意的摄像装置，本领域技术人员可以根据图像清晰度的要求选择合适的摄像装置。

[0039] 本申请的再一种具体的实施例中，上述喷射管道位于上述清洗腔的一侧，在检测到不需要清洗上述喷射管道的情况下，控制上述喷射管道向预定区域喷射清洗液，包括：控
制上述喷射管道移动至预定位置；控制上述喷射管道在上述预定位置喷射上述清洗液，以
清洗上述目标晶圆。上述方法，在不需要清洗喷射管道的情况下，通过将上述喷射管道移动
至预定位置，并控制喷射管道在上述预定位置喷射清洗液，来对上述目标晶圆进行清洁，这
样进一步地保证了可以对目标晶圆进行较好地清洗。

[0040] 一种具体的实施例中，上述预定位置为上述清洗腔的正上方。当然，上述预定位置还可以为其他的位置，只要保证上述喷射管道在上述预定位置喷射时能清洗上述目标晶圆
即可。

[0041] 在实际的应用过程中，还可以通过移动清洗腔的位置，来使得目标晶圆进入喷射管道的清洗范围。

[0042] 根据本申请的又一种具体的实施例，上述方法还包括：在检测到上述喷射间隔时间大于上述第一预设时间的情况下，控制上述喷射管道在初始位置喷射第二预设时间后停
止，以清洗上述喷射管道，即在上述初始位置处上述喷射管道不向上述预定区域喷射上述
清洗液；控制上述喷射管道从上述初始位置移动至预定位置；控制上述喷射管道在上述预
定位置喷射上述清洗液，以清洗上述目标晶圆。本实施例中，在检测到上述喷射间隔时间大
于上述第一预设时间的情况下，也就是在需要清洗上述喷射管道的情况下，首先控制喷射
管道在上述初始位置喷射第二预设时间，保证喷射管道内的洁净，再将喷射管道由初始位
置移动至预定位置，对目标晶圆进行清洗，这样进一步地保证了目标晶圆的清洗效果较好，
进一步地避免了目标晶圆受到污染。

[0043] 在实际的应用过程中，上述第二预设时间可以为任意的值，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置。上述初始位置可以为上述清洗腔的一侧，当然，上述初始位置还可
以为其他的位置，只要保证上述喷射管道在上述初始位置喷射时清洗液无法到达上述预定
区域即可。

[0044] 本申请的另一种具体的实施例中，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，确定是否需要清洗喷射管道之前，上述方法还包括：实时获取上述清洗腔内的感应装置的感应信息；
根据上述感应信息，确定上述清洗腔内是否存在上述目标晶圆。

[0045] 在实际的应用过程中，上述感应装置为激光传感器，上述激光传感器包括位于上述清洗腔内壁两侧的激光接收器和激光发射器，当然，上述感应装置还可以为现有技术中
任意合适的感应器件。

[0046] 需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不
同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

[0047] 本申请实施例还提供了一种晶圆清洗的控制装置，需要说明的是，本申请实施例的晶圆清洗的控制装置可以用于执行本申请实施例所提供的晶圆清洗的控制方法。以下对
本申请实施例提供的晶圆清洗的控制装置进行介绍。

[0048] 图2是根据本申请实施例的晶圆清洗的控制装置的示意图。如图2所示，该装置包括第一检测单元10和第一控制单元20，其中，上述第一检测单元10用于在清洗腔内存在目
标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；上述第一控制单元20用于在检测到不需要
清洗上述喷射管道的情况下，控制上述喷射管道向预定区域喷射清洗液，上述预定区域为
上述目标晶圆所在的区域。

[0049] 本申请上述的晶圆清洗的控制装置，通过上述第一检测单元在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；通过上述第一控制单元在检测到不需要清洗
上述喷射管道的情况下，控制上述喷射管道向上述目标晶圆所在的预定区域喷射清洗液，
以清洗上述目标晶圆。上述装置，在检测到不需要清洗喷射管道的情况下，直接对目标晶圆
进行清洗，在保证对目标晶圆的清洗效果较好的同时，较好地缓解了现有技术中每片晶圆
清洗前均需清洗喷射管道导致产能较低和资源浪费的问题，从而节省了清洗液，且保证了
晶圆的清洗效率较高。

[0050] 一种具体的实施例中，上述清洗液包括臭氧清洗液、SC1清洗液以及FOM清洗液(氢氟酸与臭氧的混合液)，其中，SC1清洗液包括氨水、双氧水以及水。当然，上述清洗液还可以
包括现有技术中其他类型的清洗液，具体可以根据清洗的晶圆来确定。

[0051] 根据本申请的一种具体的实施例，上述第一检测单元包括第一检测模块和第一确定模块，其中，上述第一检测模块用于在上述清洗腔内存在上述目标晶圆的情况下，检测上
述喷射管道的喷射间隔时间是否小于或等于第一预设时间，上述喷射间隔时间为当前时刻
与上述喷射管道上一次喷射停止时刻之间的时长；上述第一确定模块用于在检测到上述喷
射间隔时间小于或等于上述第一预设时间的情况下，确定不需要清洗上述喷射管道。在清
洗腔内存在目标晶圆的情况下，通过比较喷射管道的喷射间隔时间与第一预设时间，在喷
射时间间隔小于或者等于第一预设时间的情况下，确定喷射管道内基本没有结晶等污染
物，此种情况下确定不需要清洗喷射管道，这样保证了较为准确高效地确定上述喷射管道
是否需要清洗。

[0052] 一种具体的实施例中，上述第一预设时间为10min，当然，上述第一预设时间还可以为其他任意的值，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置。

[0053] 在实际的应用过程中，为了进一步准确高效地确定上述喷射管道是否需要清洗，还可以采用其他方式确定是否需要清洗喷射管道，根据本申请的另一种具体的实施例，上
述第一检测单元包括获取模块、计算模块和分析模块，其中，上述获取模块用于在清洗腔内
存在目标内晶圆的情况下，获取上述喷射管道内的图像；上述计算模块用于根据上述图像，
计算上述喷射管道内的结晶物面积；上述分析模块用于使用神经网络模型对上述图像进行
分析，确定上述图像中的上述结晶物面积是否小于面积阈值，在上述结晶物面积小于上述
面积阈值的情况下，确定不需要清洗上述喷射管道，其中，上述神经网络模型为使用多组数
据通过机器学习训练出的，上述多组数据中的每组数据包括：不同结晶物面积对应的上述
喷射管道内的图像，以及不同结晶物面积对应的上述喷射管道喷出的清洗液的成分信息。

[0054] 本申请的再一种具体的实施例中，在上述喷射管道未喷射上述清洗液的情况下，可以控制摄像装置进入上述喷射管道内，对上述喷射管道内部进行拍照或者拍摄视频，以
获取上述喷射管道内的图像，在上述喷射管道喷射上述清洗液之前，控制上述摄像装置退
出上述喷射管道。

[0055] 当然，在实际的应用过程中，还可以将上述摄像装置设置在上述喷射管道内，并控制上述摄像装置每隔预定时间对上述喷射管道内部进行拍照，来获取上述喷射管道内的图
像。在上述清洗液为具有腐蚀性的清洗液的情况下，还可以给上述摄像装置设置防腐蚀的
外壳之后，再将安装了上述外壳的上述摄像装置设置在上述喷射管道内，以避免上述喷射
管道喷射的清洗液对上述摄像装置造成影响。

[0056] 在实际的应用过程中，上述摄像装置可以为现有技术中任意的摄像装置，本领域技术人员可以根据图像清晰度的要求选择合适的摄像装置。

[0057] 本申请的再一种具体的实施例中，上述喷射管道位于上述清洗腔的一侧，上述第一控制单元包括第一控制模块和第二控制模块，其中，上述第一控制模块用于控制上述喷
射管道移动至预定位置；上述第二控制模块用于控制上述喷射管道在上述预定位置喷射上
述清洗液，以清洗上述目标晶圆。上述装置，在不需要清洗喷射管道的情况下，通过将上述
喷射管道移动至预定位置，并控制喷射管道在上述预定位置喷射清洗液，来对上述目标晶
圆进行清洁，这样进一步地保证了可以对目标晶圆进行较好地清洗。

[0058] 一种具体的实施例中，上述预定位置为上述清洗腔的正上方。当然，上述预定位置还可以为其他的位置，只要保证上述喷射管道在上述预定位置喷射时能清洗上述目标晶圆
即可。

[0059] 在实际的应用过程中，还可以通过移动清洗腔的位置，来使得目标晶圆进入喷射管道的清洗范围。

[0060] 根据本申请的又一种具体的实施例，上述装置还包括第二控制单元、第三控制单元和第四控制单元，其中，上述第二控制单元用于在检测到上述喷射间隔时间大于上述第
一预设时间的情况下，控制上述喷射管道在初始位置喷射第二预设时间后停止，以清洗上
述喷射管道，即在上述初始位置处上述喷射管道不向上述预定区域喷射上述清洗液；上述
第三控制单元用于控制上述喷射管道从上述初始位置移动至预定位置；上述第四控制单元
用于控制上述喷射管道在上述预定位置喷射上述清洗液，以清洗上述目标晶圆。本实施例
中，在检测到上述喷射间隔时间大于上述第一预设时间的情况下，也就是在需要清洗上述
喷射管道的情况下，首先控制喷射管道在上述初始位置喷射第二预设时间，保证喷射管道
内的洁净，再将喷射管道由初始位置移动至预定位置，对目标晶圆进行清洗，这样进一步地
保证了目标晶圆的清洗效果较好，进一步地避免了目标晶圆受到污染。

[0061] 在实际的应用过程中，上述第二预设时间可以为任意的值，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置。上述初始位置可以为上述清洗腔的一侧，当然，上述初始位置还可
以为其他的位置，只要保证上述喷射管道在上述初始位置喷射时清洗液无法到达上述预定
区域即可。

[0062] 本申请的另一种具体的实施例中，上述装置还包括获取单元和第二确定单元，其中，上述获取单元用于在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，确定是否需要清洗喷射管道之
前，实时获取上述清洗腔内的感应装置的感应信息；上述第二确定单元用于根据上述感应
信息，确定上述清洗腔内是否存在上述目标晶圆。

[0063] 在实际的应用过程中，上述感应装置为激光传感器，上述激光传感器包括位于上述清洗腔内壁两侧的激光接收器和激光发射器，当然，上述感应装置还可以为现有技术中
任意合适的感应器件。

[0064] 上述晶圆清洗的控制装置包括处理器和存储器，上述第一检测单元和上述第一控制单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元
来实现相应的功能。

[0065] 处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决现有技术中每片晶圆清洗前均需清洗化学管路导致产能
和资源浪费的问题。

[0066] 存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存
储芯片。

[0067] 本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述晶圆清洗的控制方法。

[0068] 本发明实施例提供了一种处理器，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述晶圆清洗的控制方法。

[0069] 本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现至少以下步骤：

[0070] 步骤S101，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；

[0071] 步骤S102，在检测到不需要清洗上述喷射管道的情况下，控制上述喷射管道向预定区域喷射清洗液，上述预定区域为上述目标晶圆所在的区域。

[0072] 本文中的设备可以是服务器、PC、PAD、手机等。

[0073] 本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：

[0074] 步骤S101，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；

[0075] 步骤S102，在检测到不需要清洗上述喷射管道的情况下，控制上述喷射管道向预定区域喷射清洗液，上述预定区域为上述目标晶圆所在的区域。

[0076] 在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

[0077] 根据本申请的再一种典型的实施例，如图3所示，还提供了一种清洗系统，包括清洗设备30和控制装置40，其中，上述清洗设备30包括清洗腔300和喷射管道400；上述控制装
置40与上述清洗设备30通信连接，上述控制装置40包括控制程序，上述控制程序运行时执
行任意一种上述的方法。

[0078] 本申请上述的清洗系统，包括清洗设备和控制装置，上述清洗设备包括清洗腔和喷射管道；上述控制装置与上述清洗设备通信连接，上述控制装置包括控制程序，上述控制
程序运行时执行任意一种上述的方法。上述清洗系统在确定不需要清洗喷射管道的情况
下，直接对目标晶圆进行清洗，在保证对目标晶圆的清洗效果较好的同时，较好地缓解了现
有技术中每片晶圆清洗前均需清洗喷射管道导致产能较低和资源浪费的问题，从而节省了
清洗液，且保证了晶圆的清洗效率较高。

[0079] 表1为采用现有技术清洗目标晶圆以及采用本申请的上述清洗设备清洗目标晶圆的清洗时间对照表，其中每片目标晶圆清洗时间为目标晶圆从进清洗腔到出清洗腔的总耗
时。

[0080] 表1采用现有技术清洗目标晶圆以及采用本申请的上述清洗设备清洗目标晶圆的清洗时间对照表

[0081]

[0082] 通过表1可见，相比现有技术，采用本申请的实施例的上述清洗设备对每片目标晶圆进行清洗，可以较好地提高晶圆的清洗效率，保证了晶圆清洗的效率较高，并且，上述清
洗设备相比现有技术，每年可以节省约186.7万的清洗剂成本。

[0083] 在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，可以为
一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或
者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互
之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连
接，可以是电性或其它的形式。

[0084] 上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个
单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

[0085] 另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单
元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

[0086] 上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上
或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式
体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机
设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例上述方法的全部或
部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read‑Only Memory)、随机存取存
储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的
介质。

[0087] 从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

[0088] 1)、本申请上述的晶圆清洗的控制方法，首先，在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；然后，在检测到不需要清洗上述喷射管道的情况下，控制
上述喷射管道向上述目标晶圆所在的预定区域喷射清洗液，以清洗上述目标晶圆。上述方
法，在检测到不需要清洗喷射管道的情况下，直接对目标晶圆进行清洗，在保证对目标晶圆
的清洗效果较好的同时，较好地缓解了现有技术中每片晶圆清洗前均需清洗喷射管道导致
产能较低和资源浪费的问题，从而节省了清洗液，且保证了晶圆的清洗效率较高。

[0089] 2)、本申请上述的晶圆清洗的控制装置，通过上述第一检测单元在清洗腔内存在目标晶圆的情况下，检测是否需要清洗喷射管道；通过上述第一控制单元在检测到不需要
清洗上述喷射管道的情况下，控制上述喷射管道向上述目标晶圆所在的预定区域喷射清洗
液，以清洗上述目标晶圆。上述装置，在检测到不需要清洗喷射管道的情况下，直接对目标
晶圆进行清洗，在保证对目标晶圆的清洗效果较好的同时，较好地缓解了现有技术中每片
晶圆清洗前均需清洗喷射管道导致产能较低和资源浪费的问题，从而节省了清洗液，且保
证了晶圆的清洗效率较高。

[0090] 3)、本申请上述的清洗系统，包括清洗设备和控制装置，上述清洗设备包括清洗腔和喷射管道；上述控制装置与上述清洗设备通信连接，上述控制装置包括控制程序，上述控
制程序运行时执行任意一种上述的方法。上述清洗系统在确定不需要清洗喷射管道的情况
下，直接对目标晶圆进行清洗，在保证对目标晶圆的清洗效果较好的同时，较好地缓解了现
有技术中每片晶圆清洗前均需清洗喷射管道导致产能较低和资源浪费的问题，从而节省了
清洗液，且保证了晶圆的清洗效率较高。

[0091] 以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修
改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。