一种IC载板去膜剂及其应用

摘要

本发明公开了一种IC载板去膜剂及其应用，属于去膜工艺技术领域。本发明所述IC载板去膜剂产品的组分中，去膜剂A中的无机碱可直接断裂IC载板上的覆盖膜，而有机碱则可令膜层发生溶胀，在渗透剂的协同辅助下可使膜层全面脱落且不会发生卷曲粘留；去膜剂B组分可实现产品载板上微观结构的渗透，同时保护这些微观结构不被损伤或脱落的膜层粘连；通过两种去膜剂的搭配，所得产品可实现对IC载板上膜的高效去除。本发明还公开了所述产品在去除IC载板上的膜上的应用，该产品应用时无需使用其他辅助设备或添加额外预处理工序，采用直接浸泡的方式即可实现对线路上膜层的完整去除，所述去除效率高且不会损坏载板上的线路。

权利要求

1.一种IC载板去膜剂，其特征在于，包括以下质量百分含量的组分：10 20%去膜剂A、5~ ~

10%去膜剂B及余量水；所述去膜剂A包括以下质量百分含量的组分：13 14%氢氧化钠、11~ ~

13%氢氧化钾、5 6%碳酸钠、21 23%有机碱、4 6%二甲胺、5 10%乙二醇单丁醚及余量水，所述~ ~ ~ ~

有机碱包括三乙烯四胺、四乙烯五胺中的至少一种；所述去膜剂B包括以下质量百分含量的组分：3 3.5%聚氧丙烯甘油醚、9 10%二甲基磷酸氨基甲磺酸、1.8 2.3%磺酸钠盐混合物、7~ ~ ~ ~

9%保护剂、1 2%表面活性剂、0.7 0.9%螯合剂、20 28%碱性剂及余量水，所述磺酸钠盐混合~ ~ ~

物包括聚萘甲醛磺酸钠盐、N‑油酰甲基牛磺酸钠中的至少一种，所述保护剂包括2‑羟基膦酰基乙酸、S‑羧乙基硫代琥珀酸中的至少一种；所述表面活性剂为N‑月桂酰基肌氨酸；所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、谷氨酸二乙酸四钠中的至少一种；所述碱性剂为三乙胺。

2.如权利要求1所述IC载板去膜剂在去除IC载板上的膜时的应用。

说明书

一种IC载板去膜剂及其应用

技术领域

[0001] 本发明涉及去膜工艺技术领域，具体涉及一种IC载板去膜剂及其应用。

背景技术

[0002] IC载板是一种用以封装IC裸芯片的基板，其作用是承载半导体IC芯片，产品内部布有线路用以导通芯片与电路板之间连接，保护、固定、支撑IC芯片，以及提供散热通道。相
比于普通线路板，IC载板要求更精细，更高密度，更小体积，载板上的孔、盘、线更小，芯层更
薄，因而必须具有精密的层间对位技术、线路成像技术、电镀技术、钻孔技术和表面处理技
术。

[0003] 普通PCB线路板去膜工艺采用氢氧化钠或有机胺均可达到去膜效果，但是IC载板由于板材属于柔性板且其具有更小的孔径线宽线距等，去膜难度相对更大，甚至简单的超
声处理都可能导致其板材上线路脱落，无法使用同等工艺去膜。所以，开发一种去膜剂采用
常规浸泡方式去除IC载板上的膜对现有技术具有重大意义，虽然如今市场上也存在以下改
良后的IC载板处理药剂，然而普遍去膜效果较差，效率较低抑或对设备及反应条件要求较
高。

发明内容

[0004] 基于现有技术存在的缺陷，本发明的目的在于提供了一种IC载板去膜剂，该产品相比现有去膜剂产品可实现直接IC载板浸泡去膜，避免因辅助处理损伤载板线路，针对载
板中较难处理的细孔内膜也可去除干净且不会发生粘连堵塞等现象。

[0005] 为了达到上述目的，本发明采取的技术方案为：

[0006] 一种IC载板去膜剂，包括以下质量百分含量的组分：10～20％去膜剂A、5～10％去膜剂B及余量水；所述去膜剂A包括无机碱、有机碱和渗透剂，所述去膜剂B包括润湿分散剂、
保护剂、表面活性剂、螯合剂及碱性剂。

[0007] 本发明所述IC载板去膜剂含有两种去膜剂，由于这两种去膜剂物质含量丰富且浓度较高，若直接复配则可能导致析出沉淀或溶液饱和等现象，不仅无法配制成功，还可能在
使用时造成IC载板堵塞或者膜层粘连，经过发明人多次调配筛选后发现，所述产品中去膜
剂A的质量浓度控制在10～20％、B的质量浓度控制在5～10％时可实现两者复配，最终产品
在用于IC载板去膜时无消极状况发生。

[0008] 本发明所述IC载板去膜剂的组分中，去膜剂A中的无机碱可直接断裂IC载板上的覆盖膜，而有机碱则可令膜层发生溶胀，在渗透剂的协同辅助下可使膜层全面脱落且不会
发生卷曲粘留；由于IC载板线路精密，对于微观孔道，传统去膜剂无法实现其覆盖膜层的脱
落去除，而在本申请所述去膜剂B组分的作用下，所述产品可实现载板上微观结构的渗透，
同时保护这些微观结构不被损伤或脱落的膜层粘连。通过两种去膜剂的搭配，所得产品可
实现对IC载板上膜的高效去除。

[0009] 优选地，所述无机碱包括氢氧化钠、氢氧化钾及碳酸钠。

[0010] 所述无机碱中，氢氧化钠容易使IC载板上的膜形成条状，因此需要搭配氢氧化钾及碳酸钠使其形成非条状膜，避免其后续发生卷曲进入微孔中。

[0011] 优选地，所述有机碱包括三乙烯四胺、四乙烯五胺中的至少一种。

[0012] 所述有机碱种类性质稳定，可有效促进IC载板膜层发生溶胀。

[0013] 优选地，所述渗透剂包括二甲胺和乙二醇单丁醚。

[0014] 所述渗透剂与碱性成分相容性高，可有效协助其渗透并覆盖载板线路并发生反应。

[0015] 更优选地，所述去膜剂A包括以下质量百分含量的组分：13～14％氢氧化钠、11～13％氢氧化钾、5～6％碳酸钠、21～23％有机碱、4～6％二甲胺、5～10％乙二醇单丁醚及余
量水。

[0016] 所述配比下的去膜剂A稳定性高，与去膜剂B复配相容性好，去膜效果好，整体产品的生产成本低，经济效益高。

[0017] 优选地，所述润湿分散剂包括聚氧丙烯甘油醚、二甲基磷酸氨基甲磺酸和磺酸钠盐混合物；所述磺酸钠盐混合物包括聚萘甲醛磺酸钠盐、N‑油酰甲基牛磺酸钠中的至少一
种。

[0018] 所述润湿分散剂可协助去膜剂浸泡、覆盖及渗透IC载板线路上的微观结构，使其去膜更加彻底，消除孔内膜反粘造成去膜不净的缺陷。

[0019] 优选地，所述保护剂包括2‑羟基膦酰基乙酸、S‑羧乙基硫代琥珀酸中的至少一种。

[0020] 上述种类的保护剂均为业界常用的缓蚀、阻垢及螯合试剂，在应用于本申请所述去膜剂时可有效保护去膜后的IC载板不被溶液中溶解的膜层或其他杂质所污染。

[0021] 优选地，所述表面活性剂为N‑月桂酰基肌氨酸。

[0022] 优选地，所述螯合剂包括亚氨基二乙酸、谷氨酸二乙酸四钠中的至少一种。

[0023] 所述表面活性剂、螯合剂可与其他组分协同作用，帮助功效去膜成分更快渗透膜层结构，同时可有效去除及负载脱落后的膜层。

[0024] 优选地，所述碱性剂为三乙胺。

[0025] 更优选地，所述去膜剂B包括以下质量百分含量的组分：3～3.5％聚氧丙烯甘油醚、9～10％二甲基磷酸氨基甲磺酸、1.8～2.3％磺酸钠盐混合物、7～9％保护剂、1～2％表
面活性剂、0.7～0.9％螯合剂、20～28％碱性剂及余量水；所述磺酸钠盐混合物包括聚萘甲
醛磺酸钠盐、N‑油酰甲基牛磺酸钠中的至少一种。

[0026] 所述配比下的去膜剂B稳定性高，与去膜剂A复配相容性好，去膜效果好，整体产品的生产成本低，经济效益高。

[0027] 本发明的另一目的还在于提供所述IC载板去膜剂在去除IC载板上的膜时的应用。

[0028] 所述IC载板去膜剂在用于IC载板去膜时，将所述IC载板去膜剂加热至45～55℃，随后将IC载板浸入IC载板去膜剂中1～10min，待膜层脱落干净后取出并清洗干燥即可。

[0029] 本发明所述IC载板去膜剂在IC载板去膜的应用时无需使用其他辅助设备或添加额外预处理工序，采用直接浸泡的方式即可实现对线路上膜层的完整去除，所述去除效率
高且不会损坏载板上的线路。

[0030] 本发明的有益效果在于，本发明提供了一种IC载板去膜剂，该产品的组分中，去膜剂A中的无机碱可直接断裂IC载板上的覆盖膜，而有机碱则可令膜层发生溶胀，在渗透剂的
协同辅助下可使膜层全面脱落且不会发生卷曲粘留；去膜剂B组分可实现产品载板上微观
结构的渗透，同时保护这些微观结构不被损伤或脱落的膜层粘连；通过两种去膜剂的搭配，
所得产品可实现对IC载板上膜的高效去除。本发明还提供了所述产品在去除IC载板上的膜
上的应用，该产品应用时无需使用其他辅助设备或添加额外预处理工序，采用直接浸泡的
方式即可实现对线路上膜层的完整去除，所述去除效率高且不会损坏载板上的线路。

附图说明

[0031] 图1为本发明效果例1所用IC载板去膜处理前的平面图(左)及显微放大图(右)；

[0032] 图2为本发明效果例1所用IC载板经本发明IC载板去膜剂去膜处理后1.4×1.4mil线宽线距处的平面图(左)及显微放大图(右)；

[0033] 图3为本发明效果例1所用IC载板经本发明IC载板去膜剂去膜处理后1.6×1.6mil线宽线距处的平面图(左)及显微放大图(右)；

[0034] 图4为本发明效果例1所用IC载板经本发明IC载板去膜剂去膜处理后1.8×1.8mil线宽线距处的平面图(左)及显微放大图(右)。

具体实施方式

[0035] 为了更好地说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例及对比例对本发明作进一步说明，其目的在于详细地理解本发明的内容，而不是对本发明的限制。
本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发
明的保护范围。本发明实施所设计的实验试剂及仪器，除非特别说明，均为常用的普通试剂
及仪器。

[0036] 实施例1

[0037] 本发明所述IC载板去膜剂的一种实施例，包括以下质量百分含量的组分：15％去膜剂A、9％去膜剂B及余量水；所述去膜剂A包括以下质量百分含量的组分：13％氢氧化钠、
12％氢氧化钾、5％碳酸钠、22％三乙烯四胺、5％二甲胺、8％乙二醇单丁醚及余量水；所述
去膜剂B包括以下质量百分含量的组分：3％聚氧丙烯甘油醚、9％二甲基磷酸氨基甲磺酸、
2％聚萘甲醛磺酸钠盐、8％2‑羟基膦酰基乙酸、2％N‑月桂酰基肌氨酸、0.8％亚氨基二乙
酸、25％三乙胺及余量水。

[0038] 实施例2

[0039] 本发明所述IC载板去膜剂的一种实施例，包括以下质量百分含量的组分：20％去膜剂A、5％去膜剂B及余量水；所述去膜剂A包括以下质量百分含量的组分：14％氢氧化钠、
11％氢氧化钾、5％碳酸钠、20％三乙烯四胺、2％四乙烯五胺、6％二甲胺、10％乙二醇单丁
醚及余量水；所述去膜剂B包括以下质量百分含量的组分：3％聚氧丙烯甘油醚、10％二甲基
磷酸氨基甲磺酸、2.3％聚萘甲醛磺酸钠盐、5％2‑羟基膦酰基乙酸、3％S‑羧乙基硫代琥珀
酸、1％N‑月桂酰基肌氨酸、0.9％亚氨基二乙酸、28％三乙胺及余量水。

[0040] 实施例3

[0041] 本发明所述IC载板去膜剂的一种实施例，包括以下质量百分含量的组分：12％去膜剂A、10％去膜剂B及余量水；所述去膜剂A包括以下质量百分含量的组分：13％氢氧化钠、
13％氢氧化钾、5％碳酸钠、23％四乙烯五胺、6％二甲胺、10％乙二醇单丁醚及余量水；所述
去膜剂B包括以下质量百分含量的组分：3.5％聚氧丙烯甘油醚、9％二甲基磷酸氨基甲磺
酸、1％聚萘甲醛磺酸钠盐、1％N‑油酰甲基牛磺酸钠、9％2‑羟基膦酰基乙酸、1％N‑月桂酰
基肌氨酸、0.4％亚氨基二乙酸、0.3％谷氨酸二乙酸四钠、20％三乙胺及余量水。

[0042] 对比例1

[0043] 本对比例与实施例1的差距仅在于，所述IC载板去膜剂包括以下质量百分含量的组分：20％去膜剂A、1％去膜剂B及余量水。

[0044] 对比例2

[0045] 本对比例与实施例1的差距仅在于，所述IC载板去膜剂包括以下质量百分含量的组分：5％去膜剂A、10％去膜剂B及余量水。

[0046] 对比例3

[0047] 本对比例与实施例1的差距仅在于，所述去膜剂A包括以下质量百分含量的组分：23％氢氧化钠、22％氢氧化钾、5％碳酸钠、5％二甲胺、8％乙二醇单丁醚及余量水。。

[0048] 对比例4

[0049] 本对比例与实施例1的差距仅在于，所述去膜剂A的组分的无机碱中不含氢氧化钾，氢氧化钠的含量为25％。

[0050] 对比例5

[0051] 本对比例与实施例1的差距仅在于，所述去膜剂A包括以下质量百分含量的组分：18％氢氧化钠、5％氢氧化钾、5％碳酸钠、15％三乙烯四胺、10％二甲胺、8％乙二醇单丁醚
及余量水。

[0052] 对比例6

[0053] 本对比例与实施例1的差距仅在于，所述去膜剂B的组分不含润湿分散剂。

[0054] 效果例1

[0055] 为验证本申请所述IC载板去膜剂的使用效果，将实施例1～3及对比例1～6所得产品分别取等量置入恒温水浴锅加热至55℃，将同等线路结构的IC载板分别置入各去膜剂溶
液中浸泡10～15min，观察面板膜层是否脱落；待膜层完全脱落或者15min结束后取出测试
板并用自来水冲洗干净，用风筒吹干，观察去膜状况并记录去膜时间，测试结果如表1所示。

[0056] 表1

[0057]

[0058]

[0059] 从表1可知，本发明实施例所得产品可直接采用浸泡的方式完全去除IC载板上的膜，去膜时间短，效率高；而对比例1～6所得产品则由于去膜剂A或B的组分选择或含量配比
不当，其整体产品无法发挥出协同增效的效果，经过15min后依然无法实现完全脱模。

[0060] 将实施例1所述IC载板去膜剂处理前后的IC载板进行目测及显微观察(100倍)，其结果如图1和图2所示，，线宽线距为1.4×1.4mil处膜层完全去除干净且微观结构没有被破
坏；检查不同的线宽线距(1.6×1.6mil、1.8×1.8mil)的去膜情况，其效果如图3和图4所
示，去除效果完全相同，说明本发明所得IC载板去膜剂可有效应用在不同线宽线距的IC载
板膜层去除中。

[0061] 最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当
理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质
和范围。