具有不均匀的纵向截面的用于半导体材料的外延反应器的反应室及反应器

摘要

反应室(100A)用于反应器，用于在基底(62)上沉积半导体材料；反应室沿纵向方向延伸，并包括沿该纵向延伸的反应和沉积区域(10)；该区域(10)由适于通过电磁感应加热的感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B、31、32)限定；第一感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B)与室的基底支撑元件(61)相对，并且具有孔(20)，该孔沿着其整个长度在纵向方向上延伸；第一感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B)具有取决于其纵向位置的不均匀的横截面。

权利要求

1.一种用于外延反应器的反应室，所述反应室适于在基底（62）上沉积半导体材料，所述反应室沿纵向方向延伸并且包括沿所述纵向方向延伸的反应和沉积区域（10），其中所述反应和沉积区域（10）由感受器元件限定，所述感受器元件由裸露或被覆盖的石墨制成并且适于通过电磁感应加热，其中所述感受器元件中的第一感受器元件与所述反应室的基底支撑元件（61）相对并且具有孔（20），所述孔（20）沿其整个长度沿所述纵向方向延伸，其特征在于，所述第一感受器元件具有取决于其纵向位置的不均匀的横向横截面，使得所述第一感受器元件对所述反应和沉积区域（10）的加热的贡献根据其纵向位置而变化。

2.根据权利要求1所述的反应室，其中所述第一感受器元件具有第一端部区域、第二端部区域和中间区域，其中所述中间区域处的截面积小于所述第一端部区域和所述第二端部区域处的截面积。

3.根据权利要求2所述的反应室，其中所述第一端部区域和所述第二端部区域相等。

4.根据权利要求1‑3中任一项所述的反应室，其中所述第一感受器元件包括平板和接合到所述平板的弯曲板，其中所述平板和所述弯曲板围绕所述孔（20）。

5.根据权利要求4所述的反应室，其中所述弯曲板具有至少一个切口（222）和/或至少一个孔。

6.根据权利要求4所述的反应室，其中所述弯曲板具有可变的厚度。

7.根据权利要求5所述的反应室，其中所述弯曲板具有可变的厚度。

8.根据权利要求4所述的反应室，其中所述平板具有可变的厚度。

9.根据权利要求5所述的反应室，其中所述平板具有可变的厚度。

10.根据权利要求6所述的反应室，其中所述平板具有可变的厚度。

11.根据权利要求7所述的反应室，其中所述平板具有可变的厚度。

12.根据权利要求1或2或3所述的反应室，其中所述第一感受器元件具有第一端部区域、第二端部区域和中间区域，‑ 其中所述第一端部区域包括第一平板和接合到所述第一平板的第一弯曲板，‑ 其中所述第二端部区域包括第二平板和接合到所述第二平板的第二弯曲板，以及‑ 其中所述中间区域由第三平板组成。

13.根据权利要求12所述的反应室，包括适于沿径向方向传导热的装置，所述装置位于所述第一弯曲板和所述第二弯曲板之间。

14.根据权利要求1或2或3所述的反应室，其中所述第一感受器元件具有第一端部区域、第二端部区域和中间区域，‑ 其中所述第一端部区域包括具有第一厚度的第一平板，

‑ 其中所述第二端部区域包括具有第二厚度的第二平板，以及

‑ 其中所述中间区域包括具有第三厚度的第三平板；

其中所述第三厚度低于或高于所述第一厚度和所述第二厚度。

15.根据权利要求14所述的反应室，其中所述第一平板和/或所述第二平板具有在所述纵向方向上形成的中心降低部或中心升高部。

16.根据权利要求1、3、5‑11、13和15中任一项所述的反应室，包括适于在所述反应和沉积区域中支撑一个或更多个基底的盘形支撑元件，其中所述第一感受器元件相对于所述盘形支撑元件位于前方。

17.根据权利要求2所述的反应室，包括适于在所述反应和沉积区域中支撑一个或更多个基底的盘形支撑元件，其中所述第一感受器元件相对于所述盘形支撑元件位于前方。

18.根据权利要求4所述的反应室，包括适于在所述反应和沉积区域中支撑一个或更多个基底的盘形支撑元件，其中所述第一感受器元件相对于所述盘形支撑元件位于前方。

19.根据权利要求12所述的反应室，包括适于在所述反应和沉积区域中支撑一个或更多个基底的盘形支撑元件，其中所述第一感受器元件相对于所述盘形支撑元件位于前方。

20.根据权利要求14所述的反应室，包括适于在所述反应和沉积区域中支撑一个或更多个基底的盘形支撑元件，其中所述第一感受器元件相对于所述盘形支撑元件位于前方。

21.根据权利要求17、19或20所述的反应室，其中所述中间区域相对于所述盘形支撑元件位于前方。

22.根据权利要求1‑3、5‑11、13和15中任一项所述的反应室，包括感应器组件，所述感应器组件适于产生电磁场，以用于加热所述电磁感应的感受器元件，其中所述感应器组件被布置成区别地加热所述第一感受器元件的第一端部区域、第二端部区域和中间区域。

23.根据权利要求4所述的反应室，包括感应器组件，所述感应器组件适于产生电磁场，以用于加热所述电磁感应的感受器元件，其中所述感应器组件被布置成区别地加热所述第一感受器元件的第一端部区域、第二端部区域和中间区域。

24.根据权利要求12所述的反应室，包括感应器组件，所述感应器组件适于产生电磁场，以用于加热所述电磁感应的感受器元件，其中所述感应器组件被布置成区别地加热所述第一感受器元件的第一端部区域、第二端部区域和中间区域。

25.根据权利要求14所述的反应室，包括感应器组件，所述感应器组件适于产生电磁场，以用于加热所述电磁感应的感受器元件，其中所述感应器组件被布置成区别地加热所述第一感受器元件的第一端部区域、第二端部区域和中间区域。

26.一种反应器，其包括根据权利要求1‑25中任一项所述的反应室。

说明书

具有不均匀的纵向截面的用于半导体材料的外延反应器的反

应室及反应器

发明领域

[0001] 本发明涉及一种用于适于在基底上沉积半导体材料的外延反应器的反应室和使用该反应室的反应器，该反应室具有不均匀(non‑uniform)的纵向截面。

[0002] 特别地，本发明涉及一种“热壁”反应室。

[0003] 背景

[0004] 这种类型的反应室特别用于碳化硅在碳化硅基底上的外延沉积(“同质外延”工艺)或在由另一种材料制成的基底上的外延沉积(“异质外延”工艺)。

[0005] 在过去，申请人已经对这种种类的反应室进行了研究，并且已经提交了例如两个国际专利申请WO2004053187A1和WO2004053188A1(其在此作为参考目的并入)。

[0006] 这种类型的反应室1的示例示意性地示于图1、图2和图3中；该反应室1沿纵向方向均匀地延伸。反应室1包括由四个感受器元件(susceptor elements)2、3、4和5构成的感受器组件，感受器元件2、3、4和5限定了反应和沉积区域10，并包含在由绝热材料制成的外壳7中；外壳7插入石英管8中。外壳7由管71和两个圆形帽72和73构成。围绕管8缠绕有感应器(inductor)9，感应器9适于通过电磁感应加热由石墨制成的元件2、3、4和5；感应器9用虚线表示，因为严格地讲它不是反应室1的一部分。感应器元件4和5是两条带，并构成区域10的侧壁。元件2和3是两个具有圆弓形(circular segment)形状的截面并且具有通孔20和30的突起实体(projection solids)，通孔20和30具有圆弓形形状的截面；因此，它们由平板21和31以及弯曲板22和32构成；平板21和31分别构成区域10的上壁和下壁。下壁31适于容纳组件6，组件6尤其包括支撑元件61(通常在沉积过程期间可旋转)，支撑元件61适于支撑至少一个经受沉积的基底62；根据该示例，支撑元件61可以插入区域10和从区域10取出。所示的两个帽72和73看起来像是封闭的；其实，它们表示的是开口，特别是帽73中的用于前体气体(precursor gases)的入口(见黑色箭头)的开口和帽72中的用于废气的出口(见黑色箭头)的开口。室1在位置P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8处的横截面是相同的(准确地说，几乎相同)。

[0007] 在这两个专利申请中描述和示出的反应室的目的尤其是在反应和沉积区域(图1和图2和图3中的10)内，特别是在经受沉积的基底(图1和图2和图3中的62)内保持均匀的温度。

[0008] 下面，申请人根据这两项专利申请开发了一种解决方案，以获得反应和沉积区域内的竖直温差，并提交了国际专利申请WO2007088420A2(其在此作为参考目的并入)。同样，该反应室沿纵向方向均匀地延伸。

[0009] 在图1、图2和图3的室中(以及在上述专利申请的室中)，如果感受器组件被认为被切割成彼此相等(即厚度相同)的薄的轴向截面，则每个截面同等程度地有助于加热反应和沉积区域。

[0010] 概述

[0011] 由于最近进行的实验，申请人认识到，为了在沉积过程中获得经受沉积的基底的期望温度分布(例如，在沉积过程期间基底的上表面的均匀温度)，这种均等式贡献(equal contribution)并不是最佳的解决方案。

[0012] 在图1、图2和图3的室中(以及在上述专利申请的室中)，例如在沉积过程期间几乎不可能直接测量基底的上表面各个点处的温度。

[0013] 因此，申请人决定采用特定的方法进行间接测量。根据该方法，将例如由碳化硅制成的基底放置在室的支撑元件上，将室的反应和沉积区域加热到处理温度，允许氢气(而不是通常的处理气体混合物)流入反应和沉积区域持续预定时间，冷却反应和沉积区域，从反应和沉积区域取出如此处理的基底，最后在各个点测量如此处理的基底的厚度；基底的上表面在这些各个点的温度(在处理期间)可以从各自的厚度测量中检测到，在氢气和温度的“蚀刻”速度之间存在关系。

[0014] 这种间接测量的结果在图3中表示。如果支撑元件61不旋转(因此基底62也不旋转)，则基底62的上表面具有前部区域Z1和两个侧部区域Z2和Z3，前部区域Z1由于遇到进入反应和沉积区域10中的相对较冷的气体(见图3左侧的黑色箭头)而较冷，侧部区域Z2和Z3由于其靠近相对较热的侧壁4和5而较热。通常，当支撑元件61在沉积过程期间旋转时，基底62的这种温度不均匀性会减小，但是没有完全消除。

[0015] 本发明的目的是根据纵向位置简单有效地改变感受器组件对反应室的反应和沉积区域的加热的贡献。

[0016] 特别是，已经发现，在反应和沉积区域的中心部分中(例如参照图2，在纵向位置P2和P7之间、或P3和P6之间、或P4和P5之间)，即经受沉积的基底(图2中的62)所处的位置，这种贡献必须是低的。

[0017] 本发明的另一个目的是根据横向位置简单有效地改变感受器组件对反应室的反应和沉积区域的加热的贡献。

[0018] 由于在所附权利要求中表达的内容，该一般目的和其他目的得以实现，所附权利要求形成了本说明书的组成部分。

[0019] 本发明的主题还为使用这种反应室的反应器。

[0020] 附图列表

[0021] 本发明根据结合附图考虑的以下详细描述将变得更明显，在附图中：

[0022] 图1示出了根据现有技术的反应室的横截面(示意)视图，

[0023] 图2示出了图1的反应室的纵向截面(示意)视图，

[0024] 图3示出了从上方观看的图1的反应室的一部分的内部(示意)视图，

[0025] 图4A示出了具有改进的弯曲板的根据本发明的反应室的第一实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0026] 图4B示出了具有改进的弯曲板的根据本发明的反应室的第二实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0027] 图4C示出了具有改进的弯曲板的根据本发明的反应室的第三实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0028] 图4D示出了具有改进的弯曲板的根据本发明的反应室的第四实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0029] 图4E示出了具有改进的弯曲板的根据本发明的反应室的第五实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0030] 图4F示出了具有改进的弯曲板的根据本发明的反应室的第六实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0031] 图5A示出了具有改进的平板的根据本发明的反应室的第一实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0032] 图5B示出了具有改进的平板的根据本发明的反应室的第二实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0033] 图5C示出了具有改进的平板的根据本发明的反应室的第三实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0034] 图6‑1示出了具有改进的平板的根据本发明的反应室的第四实施方案的纵向截面(示意)视图，

[0035] 图6‑2示出了图6‑1的反应室的横截面(示意)视图A‑A，

[0036] 图7示出了从上方观察的包括本发明的一些变型的平板的视图，以及

[0037] 图8示出了包括本发明的一些变型的弯曲板的侧视图。

[0038] 很容易理解，有各种实际实施本发明的方式，本发明的主要有利方面在所附权利要求中限定，本发明不限于下面的详细描述或所附权利要求。

[0039] 详细描述

[0040] 参照图1、图2和图3，如果感应器9被供应交流电流，则在感受器元件2、3、4和5中(特别是在元件2和3中)感应出交流电流(应当注意，根据本发明，元件4和5也可以全部或部分由电绝缘材料制成，因此对反应和沉积区域10的加热贡献小)。

[0041] 众所周知，用于制造感受器元件的最典型的材料是石墨；这可以裸着使用或被覆盖使用，例如，用碳化硅或碳化钽覆盖。

[0042] 例如，在元件2中，感应电流遵循孔20周围的闭合路径；设想元件2是对称的，可以假设这些路径中的每一个都在垂直于室1的轴线(见图1中的“+”标号)的平面内；这些平面之一例如是图1的平面。感受器元件中感应的电流通过焦耳效应产生热量。

[0043] 申请人决定根据纵向位置，特别是通过改变感受器元件2的随纵向位置变化的横截面来获得感受器组件的热产生。同样根据本发明，具有可变横截面的感受器元件类似于突起实体，尤其是穿孔的突起实体。

[0044] 这种截面变化的主要目的是限制或防止在感受器组件的一个或更多个区域中的孔周围感应的电流。

[0045] 此外，有利的是，申请人决定根据纵向和/或横向位置，特别是通过改变感受器元件2的随位置变化的厚度来获得感受器组件的发热。

[0046] 在研究这种截面和/或厚度变化时，至少考虑了两个因素。第一个因素是感受器元件内的热传导，特别是关于在具有平行于室的轴线(见图1中的“+”标号)的分量的方向上的任何热流。第二个因素是感受器元件内的电能传导，特别是关于在具有平行于室的轴线(见图1中的“+”标号)的分量的方向上的任何电流流。

[0047] 此外，还考虑了两个欧姆定律：

[0048] I＝V/R

[0049] R＝ρ(l/S)

[0050] 其中“ρ”是所考虑的主体或主体的一部分的材料的电阻率，“l”是长度，“S”是截面积。

[0051] 图4和5的实施方案可以被认为是图1、图2和图3的解决方案的变型。图4的示例与图1、图2和图3的解决方案的不同之处仅在于上部感受器元件(即与基底支撑元件相对的感受器元件)的弯曲板的构型；特别地，该感受器元件的平板面向基底支撑元件。图5的示例与图1、图2和图3的解决方案的不同之处仅在于上部感受器元件(即与基底支撑元件相对的感受器元件)的平板的构型；特别地，该感受器元件的平板面向基底支撑元件。图6的示例与图1、图2和图3的解决方案的不同之处仅在于上部感受器元件(即，与基底支撑元件相对的感受器元件)的构型，并且类似于图5A的示例的图4A的示例的组合；通常，图4的示例和图5的示例可以彼此组合。

[0052] 在继续对示例进行详细描述之前，先适当地对以下内容进行说明。下面将主要参考解决方案的几何方面，并且将完全与构造方面无关。例如，如果提到“板”，它可以包括一个或更多个接合在一起的部分；特别地，板可以通过接合具有相同轮廓的两个(或更多个)平坦主体来获得，并且这两个(或更多个)主体可以简单地重叠或彼此固定。需要注意的是，构造方面会影响解决方案的表现；例如，如果部件是通过接合两个覆盖有碳化硅的石墨主体而获得的，则热量很容易从一个主体传递到另一个主体，而电流不容易从一个主体传递到另一个主体。

[0053] 另一个说明涉及前面提到的纵向位置P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8。纵向位置P4对应于基板62的边缘的端部的位置；纵向位置P3对应于支撑元件61的边缘的端部的位置；纵向位置P1和P2(彼此远离)对应于支撑元件61的边缘的端部和区域10的端部之间的中间位置的示例；纵向位置P5对应于基板62的边缘的另一端部的位置；纵向位置P6对应于支撑元件61的边缘的另一端部的位置；纵向位置P7和P8(彼此远离)对应于支撑元件61的边缘的另一端部和区域10的另一端部之间的中间位置的示例。

[0054] 在图4A的示例100A中(可以认为是图1、图2和图3的解决方案的变型)，感受器元件2包括：

[0055] ‑第一端部区域(从邻近帽73的第一端部到位置P4)，其包括第一平板21A和接合到第一平板21A的第一弯曲板22A，

[0056] ‑第二端部区域(从位置P5到邻近帽72的第二端部)，其包括第二平板21B和接合到第二平板21B的第二弯曲板22B，以及

[0057] ‑由第三平板21C组成的中间区域(从位置P4到位置P5)；

[0058] 三个平板21A、21B和21C通常由单个部分21制成；在第一弯曲板22A和第二弯曲板22B之间，存在体积VA，该体积VA流体地连接第一段孔20A和第二段孔20B。

[0059] 图4B的示例100B类似于图4A的示例100A。然而，第一弯曲板22C延伸到位置P3，第二弯曲板22D从位置P6延伸，并且在两个板之间存在体积VB。

[0060] 图4C的示例100C类似于图4A的示例100A。然而，第一弯曲板22E延伸到位置P2，第二弯曲板22F从位置P7延伸，并且在两个板之间存在体积VC。

[0061] 图4D的示例100D类似于图4A的示例100A。然而，第一弯曲板22G在上部延伸到位置P3，在下部延伸到位置P4(特别地，第一弯曲板22G以斜面纵向地限定边界)，第二弯曲板22H在上部从位置P6延伸，在下部从位置P5延伸(特别地，第二弯曲板22H以斜面纵向地限定边界)，并且在两个板之间存在体积VD。

[0062] 图4E的示例100E类似于图4A的示例100A。然而，第一弯曲板22L在上部延伸到位置P3，在下部延伸到位置P4(特别地，第一弯曲板22L以斜面纵向地限定边界)，第二弯曲板22M从位置P6延伸，并且在两个板之间存在体积VE。

[0063] 图4F的示例100F非常类似于图4D的示例100D。然而，第一弯曲板22N和第二弯曲板22P具有不同的曲率半径，并且在两个板之间存在体积VF。

[0064] 在图5A的示例100G中(可以认为是图1、图2和图3的解决方案的变型)，感受器元件2包括：

[0065] ‑第一端部区域(从邻近帽73的第一端部到位置P4)，其包括具有第一厚度(特别是第一平均厚度)的第一平板S1，

[0066] ‑第二端部区域(从位置P5到邻近帽72的第二端部)，其包括具有第二厚度(特别是第二平均厚度)的第二平板S2，

[0067] ‑中间区域(从位置P4到位置P5)包括具有第三厚度(特别是第三平均厚度)的第三平板S3；

[0068] 三个平板S1、S2和S3通常由单个件21‑1制成；在这个示例中，第三厚度小于第一厚度和第二厚度。此外，感受器元件2包括单个弯曲板22，该弯曲板22类似于图1、图2和图3的室的弯曲板，并且环绕孔20。

[0069] 图5B的示例100H类似于图5A的示例100G。然而，第一平板S4延伸到位置P3，第二平板S5从位置P6延伸，第三平板S6在位置P3和位置P6之间延伸，并且三个板通常由单个件21‑2制成。

[0070] 图5C的示例100L类似于图5A的示例100G。然而，第一平板S4延伸到位置P3，第二平板S5从位置P6延伸，第三平板S3在位置P4和位置P之间延伸，在板S4和S3之间有第一小的连接部，在板S3和S5之间有第二小的连接部，并且三个板和两个连接部通常由单个件21‑3制成。

[0071] 对图5的示例100G、100H和100L中以及在图6的示例600中的平板的示例中的平板21‑1、21‑2、21‑3、21‑4的降低用于限制感应电流流入感受器元件2的中间区域中。

[0072] 图6(即，图6‑1和图6‑2)的示例600就弯曲板22而言与图4A的示例100A非常相似而就平板21‑4而言与图5A的示例100G非常相似，并且在中心中具有体积VM。然而，第一板S1具有沿纵向方向延伸(见图6‑1)的中心降低部S7(即，相对于室的轴线居中，见图6‑2)。特别是，降低部S7与组件6对准(见图6‑2)；更具体地，降低部7的宽度对应于基底62的直径。降低部S7面向孔20。特别地，板S1在降低部S7处的厚度大于板S3的厚度。

[0073] 降低部S7用于在中心更多地(横向地)加热进入反应和沉积区域的气体，特别是在相对于侧部(考虑图6‑2中相对于元件4和5的位置)的横向位置D1和D2之间(相对于区域10的轴线对称)。

[0074] 通常，根据本发明的反应室用于外延反应器，外延反应器适于在基底(特别是碳化硅)上沉积半导体材料(特别是碳化硅)；它沿纵向方向延伸，并包括沿纵向方向延伸的反应和沉积区域；该区域由适于通过电磁感应加热的感受器元件限定)；(至少)第一感受器元件具有在其整个长度上沿纵向方向延伸的孔；第一感受器元件具有取决于其纵向位置的不均匀的横截面。

[0075] 至少第一感受器元件通常类似于突起实体，特别是穿孔的突起实体。

[0076] 通常，第一感受器元件具有第一(纵向)端部区域、第二(纵向)端部区域和中间(纵向)端部区域；第一端部区域和第二端部区域可以相等。

[0077] 根据第一种通常的简单和一般的可能性，中间区域中的截面积小于第一端部区域和第二端部区域中的截面积。

[0078] 根据通常的构型，第一感受器元件包括(至少)平板(其部分地界定反应和沉积区域)和(至少)弯曲板(其不界定反应和沉积区域)，弯曲板接合到平板(类似于图1和图2的反应室)；平板和弯曲板围成第一感受器元件的孔。在图7中，特别地示出了上部感受器元件的平板21(其具有多个凹槽212)；在图8中，特别地示出了上部感受器元件的弯曲板22(其具有多个切口222)；图7的板21和图8的板22被接合以形成感受器元件，特别是上部感受器元件(注意图7中的两个箭头22)；附图标记211表示板21的不与板22接触的部分。

[0079] 如果使用这种典型的构型，获得感受器组件的不均匀热产生的第一种方式设想弯曲板具有至少一个切口(例如参见切口222)和/或至少一个适当尺寸的孔；该孔可以径向定向，即在垂直于第一感受器元件的纵向方向的方向上定向；切口可以周向延伸(例如参见切口222)。在图8中，切口222的数量、宽度和位置影响热的产生。

[0080] 如果使用这种典型的构型，获得感受器组件的不均匀的热产生的第二种方式设想弯曲板具有可变的厚度。

[0081] 如果使用这种典型的构型，获得感受器组件的不均匀的热产生的第三种方式设想平板具有可变的厚度。图7表示这样一种情况，其中这种厚度可变性源自在板21的面向孔20的一侧上获得的凹槽；凹槽212是直线的，并且朝向反应室的宽度LA定向，但是可选地，它们可以例如根据反应室的长度LU来定向。通常，(在平板的面向孔的一侧上获得的)凹槽的数量、形状、宽度、长度、位置和方向影响热的产生。

[0082] 这三种方式(以及其他方式)可以以各种方式相互结合。

[0083] 根据一些第一实施方案，第一感受器元件具有第一(纵向)端部区域和第二(纵向)端部区域以及中间(纵向)区域，

[0084] ‑其中第一端部区域包括第一平板和接合到第一平板的第一弯曲板，[0085] ‑其中第二端部区域包括第二平板和接合到第二平板的第二弯曲板，以及[0086] ‑其中中间区域由第三平板组成。

[0087] 这些第一实施方案可以设想位于第一弯曲板和第二弯曲板之间的适于在径向方向上导热的装置。

[0088] 根据一些第二实施方案，第一感受器元件具有第一(纵向)端部区域和第二(纵向)端部区域以及中间(纵向)区域，

[0089] ‑其中第一端部区域包括具有第一(平均)厚度的第一平板，

[0090] ‑其中第二端部区域包括具有第二(平均)厚度的第二平板，以及

[0091] ‑其中中间区域包括具有第三(平均)厚度的第三平板；

[0092] 第三厚度可以小于或大于第一厚度或第二厚度。

[0093] 这些第二实施方案可以设想第一平板和/或第二平板具有沿纵向方向延伸的(薄的)中心降低部或升高部(例如参见图6)。

[0094] 应当注意，第三实施方案可以结合第一实施方案的特征和第二实施方案的特征。

[0095] 通常，根据本发明的室包括盘形支撑元件(优选可旋转的)(考虑例如附图标记61)，其适于在反应和沉积区域中支撑(直接或间接)一个或更多个基底(例如考虑附图标记
62)；第一感受器元件可以优选相对于该支撑元件位于前方；特别地，第一感受器元件的中间区域的平壁相对于该支撑元件位于前方。所有这些都适用于图中的示例。在这些情况下，支撑元件可以放置在离第三平壁一定距离处。

[0096] 支撑元件61或基底62的直径可以等于反应和沉积区域的长度与因子k1的乘积；其中k1例如包括在0.3和0.9之间或者0.5和0.8之间。

[0097] 支撑元件61或基底62的直径可以等于反应和沉积区域的宽度与因子k2的乘积，其中k2例如包括在0.3和0.9之间或者0.5和0.8之间。

[0098] 支撑元件61或基底62的直径可以等于反应和沉积区域的高度与因子k3的乘积；其中k3例如包括在0.1和0.3之间。与反应和沉积区域的高度相关的特征也可以用绝对术语来定义；在这种情况下，高度例如包括在10mm和100mm之间或者在20mm和40mm之间。

[0099] 应注意的是，k1和k2以及k3通常是不同的，特别是因为反应和沉积区域通常比其宽更长。

[0100] 通常，根据本发明的室包括感应器组件，该感应器组件适于产生用于加热电磁感应感受器元件的电磁场；感应器组件可以优选地被布置成不同地加热第一感受器元件的第一(纵向)端部区域和第二(纵向)端部区域以及(纵向)中间区域。在这些情况下，感应器组件可以包括在第一(纵向)端部区域处的第一感应器和在第二(纵向)端部区域处的第二感应器。此外，可以存在适于限制第一感应器和第二感应器之间的电磁耦合的屏蔽单元。