一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法及装置转让专利
申请号 : CN202110455222.2
文献号 : CN113203939B
文献日 : 2022-03-18
发明人 : 刘婧 , 冯方方 , 李宗伟 , 杨长春 , 周永健
申请人 : 中国科学院地质与地球物理研究所
摘要 :
权利要求 :
1.一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,其特征在于,所述方法包括:将可变直流电压加在MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板,以使所述第二极板朝着所述第一极板的方向移动;其中,所述第一极板是固定极板,所述第二极板是可动极板;
将预设频率的交流电压加在所述第一极板与所述第二极板,以获得所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容值和加压电容值;其中,所述基础电容值为所述直流电压的电压值为零时,所述第一极板与所述第二极板之间的电容值,所述加压电容值为所述直流电压的电压值不为零时,所述第一极板与所述第二极板之间的电容值;
基于获得的所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容值和加压电容值,确定所述MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板之间的电压‑电容特性曲线、转折电压以及电容变化值,具体包括:
根据电压值与电容值对应的关系,绘制所述第一极板与所述第二极板之间的电压‑电容特性曲线;
基于所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容与加压电容的差值,确定所述电容变化值;
基于所述电压‑电容特性曲线,确定极板间电容急速变化时对应的电压值为转折电压;
根据所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线,判断所述MEMS加速度传感器芯片是否正常;其中,所述根据所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线,判断所述MEMS加速度传感器芯片是否正常,具体包括:将当前所述MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线,与MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板之间对应的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线的理论设计值,进行对比;
在当前所述基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线中的任意一项或多项,与对应的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线的理论设计值的差值大于预设阈值的情况下,确定所述MEMS加速度传感器芯片不正常。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,其特征在于,所述方法还包括:
确定MEMS加速度传感器芯片第二极板与第三极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线;其中,所述第三极板为固定极板,且所述第三极板的第一表面与所述第二极板的第二表面相对设置;
将所述MEMS加速度传感器芯片第二极板与第三极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线与MEMS加速度传感器芯片第二极板与第三极板之间对应的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线的理论设计值进行对比,判断所述MEMS加速度传感器芯片是否正常。
3.根据权利要求1所述的一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,其特征在于,所述将可变直流电压加在MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板,以使所述第二极板朝着所述第一极板的方向移动,具体包括:将可变直流电压加在MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板;
基于预设的步进电压值,调整所述直流电压值,以使所述第二极板朝着所述第一极板的方向移动;
其中,所述第二极板的移动距离由当前直流电压值决定。
4.根据权利要求3所述的一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,其特征在于,所述基于预设的步进电压值,调整所述直流电压的输出电压值,以使所述第二极板朝着所述第一极板的方向移动,具体包括:
基于预设的步进电压值调整直流电压值,以使所述第一极板与所述第二极板之间获得不同的直流电压值,以基于所述不同的直流电压值在所述第一极板与所述第二极板之间产生不同大小的静电力,用以克服基于第二极板移动引起弹性梁形变,所产生的弹性力;其中,所述弹性梁为连接在MEMS加速度传感器芯片第二极板上的组件。
5.根据权利要求1所述的一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,其特征在于,所述将预设频率的交流电压加在所述第一极板与所述第二极板,以获得所述第一极板与所述的第二极板之间的基础电容值和加压电容值,具体包括:将预设频率的交流电压加在所述MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板,以使所述第一极板与所述第二极板之间产生电流;
基于所产生的电流信息,计算所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容值和加压电容值;其中,所述电流信息包括电流的幅值及相位。
6.根据权利要求1所述的一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,其特征在于,所述转折电压为公式 结果等于零的情况,V所对应的电压值;
其中,ε为所述第一极板与所述第二极板间介质的介电常数,A为所述第一极板与所述第二极板的极板面积,V为加在所述第一极板与所述第二极板之间的直流电压值,d为所述第一极板与所述第二极板的极板间距,所述MEMS加速度传感器由质量块、弹性梁与固定框架组成,k为所述弹性梁的弹性系数。
7.根据权利要求1所述的一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,其特征在于,在直流电压值不为零时,所述交流电压峰值绝对值的预设倍数小于所述直流电压值的绝对值。
8.根据权利要求1所述的一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,其特征在于,在将可变直流电压加在MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板,以使所述第二极板朝着所述第一极板的方向移动之前,所述方法还包括:在所述MEMS加速度传感器芯片的第一极板的第一表面的边缘设置第一限位凸点,以及在第三极板的第一表面的边缘设置第二限位凸点,用以避免在所述直流电压提供的电压值下使得所述第二极板移动过程中与所述第一极板或者所述第三极板接触;其中,所述第三极板为固定极板,且所述第三极板的第一表面与所述第二极板的第二表面相对设置,所述第一极板的第一表面与所述第二极板的第一表面相对设置。
9.一种MEMS加速度传感器芯片的检测装置,其特征在于,所述装置包括:电压输出模块,用于将可变直流电压加在MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板,以使所述第二极板朝着所述第一极板的方向移动;其中,所述第一极板是固定极板,所述第二极板是可动极板;
所述电压输出模块,还用于将预设频率的交流电压加在所述第一极板与所述第二极板,以获得所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容值和加压电容值;其中,所述基础电容值为所述直流电压的电压值为零时,所述第一极板与所述第二极板之间的电容值,所述加压电容值为所述直流电压的电压值不为零时,所述第一极板与所述第二极板之间的电容值;
确定模块,用于基于获得的所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容值和加压电容值,确定所述MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板之间的电压‑电容特性曲线、转折电压以及电容变化值;具体用于:
根据电压值与电容值对应的关系,绘制所述第一极板与所述第二极板之间的电压‑电容特性曲线;
基于所述第一极板与所述第二极板之间的基础电容与加压电容的差值,确定所述电容变化值;
基于所述电压‑电容特性曲线,确定极板间电容急速变化时对应的电压值为转折电压;
判断模块用于,根据所述第一极板与所述第二极板的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线,判断所述MEMS加速度传感器芯片是否正常;其中,所述根据所述第一极板与所述第二极板的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线,判断所述MEMS加速度传感器芯片是否正常,具体包括:将当前所述MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线,与MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板之间对应的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线的理论设计值,进行对比;
在当前所述基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线中的任意一项或多项,与对应的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线的理论设计值的差值大于预设阈值的情况下,确定所述MEMS加速度传感器芯片不正常。
说明书 :
一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法及装置
技术领域
背景技术
硅微加工技术和半导体集成电路工艺,易于实现批量生产,成本低。MEMS因其微型化、可集
成、成本低、功耗低等优点广泛应用在消费电子、汽车电子、生物医疗等领域,MEMS加速度传
感器便是其中一种。
器元件成本的70~80%。因此,在MEMS加速度传感器芯片加工完成后对MEMS加速度传感器
芯片性能进行初步测试,排除不能正常工作的芯片,筛选出性能良好的MEMS加速度传感器
芯片进行封装,成为目前亟待解决的问题。
发明内容
芯片而导致成本高的技术问题。
二极板朝着第一极板的方向移动;其中,第一极板是固定极板,第二极板是可动极板;将预
设频率的交流电压加在第一极板与第二极板,以获得第一极板与第二极板之间的基础电容
值和加压电容值;其中,基础电容值为直流电压的电压值为零时,第一极板与第二极板之间
的电容值,加压电容值为直流电压的电压值不为零时,第一极板与第二极板之间的电容值;
基于获得的第一极板与第二极板之间的基础电容值和加压电容值,确定MEMS加速度传感器
芯片第一极板与第二极板之间的电压‑电容特性曲线、转折电压以及电容变化值;根据第一
极板与第二极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线,判断
MEMS加速度传感器芯片是否正常。
化值。通过得到的基础电容值、转折电压、电容变化值分析MEMS加速度传感器在加工过程中
是否存在问题,以及确定存在哪些操作或工艺方面的问题,以便后续改进。
速度传感器芯片第二极板与第三极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑
电容特性曲线与MEMS加速度传感器芯片第二极板与第三极板之间对应的基础电容值、转折
电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线的理论设计值进行对比,判断MEMS加速度传感器
芯片是否正常。
MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板;基于预设的步进电压值,调整直流电压值,
以使第二极板朝着第一极板的方向移动;其中,第二极板的移动距离由当前直流电压值决
定。
压值,以使第一极板与第二极板之间获得不同的直流电压值,以基于不同的直流电压值在
第一极板与第二极板之间产生不同大小的静电力,用以克服基于第二极板移动引起弹性梁
形变,所产生的弹性力;其中,弹性梁为连接在MEMS加速度传感器芯片第二极板上的组件。
交流电压加在MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板,以使第一极板与第二极板之
间产生电流;基于所产生的电流信息,计算第一极板与第二极板之间的基础电容值和加压
电容值;其中,电流信息包括电流的幅值及相位。
极板面积,V为加在第一极板与第二极板之间的直流电压值,d为第一极板与第二极板的极
板间距,k为弹性梁的弹性系数。
器芯片第一极板与第二极板之间的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性
曲线,与MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板之间对应的基础电容值、转折电压、电
容变化值以及电压‑电容特性曲线的理论设计值,进行对比;在当前基础电容值、转折电压、
电容变化值以及电压‑电容特性曲线中的任意一项或多项,与对应的基础电容值、转折电
压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线的理论设计值的差值大于预设阈值的情况下,确定
MEMS加速度传感器芯片不正常。
度传感器芯片的第一极板的第一表面的边缘设置第一限位凸点,以及在第三极板的第一表
面的边缘设置第二限位凸点,用以避免在直流电压作用下使得第二极板移动过程中与第一
极板或者第三极板接触。
极板与第二极板,以使第二极板朝着第一极板的方向移动;其中,第一极板是固定极板,第
二极板是可动极板;电压输出模块,还用于将预设频率的交流电压加在第一极板与第二极
板,以获得第一极板与第二极板之间的基础电容值和加压电容值;其中,基础电容值为直流
电压的电压值为零时,第一极板与第二极板之间的电容值,加压电容值为直流电压的电压
值不为零时,第一极板与第二极板之间的电容值;确定模块,用于基于获得的第一极板与第
二极板之间的基础电容值和加压电容值,确定MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板
之间的电压‑电容特性曲线、转折电压以及电容变化值;判断模块用于,根据第一极板与第
二极板的基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲线,判断MEMS加速度传
感器芯片是否正常。
附图说明
具体实施方式
部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做
出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
板是固定极板,在外力作用下不会产生运动。第二极板位于第一极板与第三极板的中间位
置,第二极板是可动的,在本申请实施例中也称第二极板为可动极板。第二极板的第一表面
与第一极板的第一表面形成了一个上下极板面积相等的平板电容器,第二极板的第二表面
与第三极板的第一表面同样形成了一个上下极板面积相等的平板电容器。其中,第二极板
的第一表面与第一极板的第一表面相对设置,以使所述第二极板与第一极板形成第一电
容;第二极板的第二表面与第三极板的第一表面相对设置,以使所述第二极板与第三极板
形成第二电容。
化值。如果实测值与相应的理论设计值的误差在合理范围内,则该MEMS加速度传感器芯片
符合设计要求。否则,可以根据其基础电容值、转折电压、电容变化值以及电压‑电容特性曲
线分析MEMS加速度传感器加工过程中在操作或工艺方面存在哪些问题,以便后续改进。
调节的直流电压,即具有不同电压值的直流电压。
得知,第二极板的第一表面与第一极板的第一表面形成的平板电容器的电容值;其
中,C为第一极板与第二极板间的电容量,ε为第一极板与第二极板间的介电常数,A为第一
极板与第二极板的极板面积,d为第一极板与第二极板的极板间距。
在MEMS加速度传感器芯片的第二极板;也可以将直流电压的负极接在MEMS加速度传感器芯
片的第一极板,将直流电压的正极接在MEMS加速度传感器芯片的第二极板。
在每次调整直流电压值时,均使直流电压值增加1V或者减小1V。在MEMS加速度传感器芯片
的第一极板与第二极板获得电压后(即加在MEMS加速度传感器芯片的第一极板与第二极板
上的电压不为零后),第一极板和第二极板得到充电。
荷,第二极板的第一表面充满负电荷;如果直流电压的负极接在MEMS加速度传感器芯片的
第一极板,直流电压的正极接在MEMS加速度传感器芯片的第二极板,则第一极板的第一表
面充满负电荷,第二极板的第一表面充满正电荷。
二极板的第一表面充满正电荷,第二极板均会由于极板间产生的相互吸引的静电力,从而
使第二极板有朝着第一极板方向运动的趋势。
板所加的电压值为零的情况下,第一极板与第二极板以及第二极板与第三极板之间的距离
均为d0,在第二极板朝向第一极板移动x的情况下,第一极板与第二极板的极板间距为d0‑x,
第二极板与第三极板的极板间距为d0+x。
第三极板,质量块等效为第二极板,固定框架的下表面等效为第三极板或者第一极板。质量
块通过弹性梁连接到框架中。当质量块发生运动时,会使连接到质量块的弹性梁产生形变,
由此产生弹性力,可以等效为一个弹簧结构。
与第二极板距离;x为第二极板朝着第一极板运动的距离;V为加在第一极板与第二极板之
间的直流电压值;k为弹性梁的弹性系数。
动。
MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板在不同直流电压值下的电容值。
流,基于所产生的电流信息,计算第一极板与第二极板之间的基础电容值;其中,所述电流
信息包括电流的幅值及相位。
|Z|cosθZ。
与第二极板在不同直流电压值下的加压电容值。需要说明的是,由于每次改变第一极板和
第二极板间的直流电压值后,第二极板在静电力和弹性力作用下会产生一定距离的运动,
从而引起第一极板与第二极板之间的距离发生变化,由公式 可知,第一极板与第二
极板之间的电容随第一极板与第二极板之间的距离发生变化,因此,第一极板与第二极板
在不同直流电压值下的加压电容值也会随之变化。
流电压峰值两个数量级以上,从而避免交流电压过高而使第二极板的位置产生移动,而影
响电容值测量结果的准确性。
础电容值和加压电容值。
特性曲线(C‑V特性曲线)。
极板之间的加压电容值。需要说明的是,图5中电压所对应的正负半轴为直流电压的正极接
在第一极板,负极接在第二极板,以及直流电压的负极接在第一极板,正极接在第二极板的
两种情况。在本申请的一个实施例中,转折电压为极板间电容开始急速变化时,所对应的电
压值,转折电压的具体计算原理如下:
平衡位置。而当 时, 此时若第二极板位置发生轻微扰动,如产生δd的微
小位移时。在第二极板上所产生的合力和位移是同方向的,因此会进一步将第二极板拉离
平衡位置,从而使极板间距急速变化,对应极板间电容也急速变化。
片的第一极板的第一表面的边缘设置了第一限位凸点,以及在第三极板的第一表面的边缘
设置了第二限位凸点。在第二极板运动碰到限位凸点的情况下,由于限位凸点的限制,第二
极板将无法继续向第一极板的方向运动。此时,如果继续基于步进电压值调整第一极板与
第二极板间的直流电压值,由于第二极板位置不变,因此,第一极板与第二极板间电容值不
发生变化。此时,第一极板与第二极板之间的基础电容值与加压电容值的差值称为电容变
化值。
第三极板之间的转折电压及与电容变化值。方法与确定MEMS加速度传感器芯片第一极板与
第二极板之间的转折电压及电容变化值相同,在此不再赘述。
变化值以及C‑V特性曲线,与对应的对应的基础电容值、转折电压、电容变化值以及C‑V特性
曲线的理论设计值的差值是否大于预设阈值。
度传感器芯片的结构参数与理论设计值存在差别。
速度传感器芯片的结构参数与理论设计值存在差别。
到相应的位置;此种情况下,说明弹性梁的加工过程可能存在问题,使第二极板无法正常运
动。
前C‑V特性曲线的整体形状与对应的C‑V特性曲线的理论设计值的整体形状之间存在超出
合理范围的误差的情况下,确定在加工当前MEMS加速度传感器芯片的过程中存在问题。
具体方法与通过第一极板与第二极板的基础电容值、转折电压、电容变化值方法相同,在此
不再赘述。
C‑V特性曲线与对应的理论设计值误差均在合理范围内时,才可以判定MEMS加速度传感器
芯片正常。
检测。为避免对不能正常工作的MEMS加速度传感器芯片进行封装使成本提升,建议在MEMS
加速度传感器芯片封装前对其进行检测。
加速度传感器芯片生产的70~80%,因此对不能正常工作的MEMS加速度传感器芯片进行封
装使成本提升的问题。本申请实施例提供的一种MEMS加速度传感器芯片的检测方法,实现
了在封装前对MEMS加速度传感器芯片性能的初步测试,能够排除不能正常工作的芯片,筛
选出性能良好的MEMS加速度传感器芯片进行封装,极大的节约了成本。
出模块701、确定模块702、判断模块703。
检测装置可以包括比图7所示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同部件的布
置。
加速度传感器芯片是封装前的芯片,第一极板是固定极板,第二极板是移动极板;电压输出
模块701,还用于将预设频率的交流电压加在第一极板与第二极板,以获得第一极板与第二
极板之间的基础电容值和加压电容值;其中,基础电容值为直流电压的电压值为零时,第一
极板与第二极板之间的电容值,加压电容值为直流电压的电压值不为零时,第一极板与第
二极板之间的电容值;确定模块702,用于基于获得的第一极板与第二极板之间的基础电容
值和加压电容值,确定MEMS加速度传感器芯片第一极板与第二极板之间的转折电压及与电
容变化值;判断模块703,用于根据第一极板与第二极板的基础电容值、转折电压以及电容
变化值,判断MEMS加速度传感器芯片是否正常。
例而言,由于其基本相似于方法实施例,所以描述的比较简单,相关之处参见方法实施例的
部分说明即可。
括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要
素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要
素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
替换、改进等,均应包含在本申请的权利要求范围之内。