复合材料及其制备方法、量子点发光二极管

摘要

本发明涉及一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管。复合材料包括半导体材料和掺杂于半导体材料中的p型掺杂剂，p型掺杂剂为全氟烷基硅烷。上述复合材料中，作为p型掺杂剂的全氟烷基硅烷具有很强的吸电子能力，可以将电子从半导体材料中吸走，从而留下空穴，提高半导体材料的空穴浓度，继而提高半导体材料的导电率，从而提高空穴传输效率，增加半导体材料的空穴传输性能。此外，本发明还涉及一种复合材料的制备方法以及包括上述复合材料的量子点发光二极管。

权利要求

1.一种用于量子点发光二极管空穴传输层的复合材料，其特征在于，所述复合材料包括半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的p型掺杂剂，所述半导体材料选自过渡金属硒化物，所述p型掺杂剂为全氟烷基硅烷，所述全氟烷基硅烷选自全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷与全氟辛基三氯硅烷中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述半导体材料的平均粒径范围为

1nm 100nm。

~

3.根据权利要求1~2任一项所述的复合材料，其特征在于，所述半导体材料选自MoSe2与WSe2中的至少一种。

4.一种用于量子点发光二极管空穴传输层的复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成半导体材料；

在所述半导体材料的表面注入p型掺杂剂或者p型掺杂剂溶液，热处理后得到复合材料；

所述半导体材料选自过渡金属硒化物，所述p型掺杂剂为全氟烷基硅烷，所述全氟烷基硅烷选自全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷与全氟辛基三氯硅烷中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为60℃

80℃，所述热处理的时间为1h 2h。

~ ~

6.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管包括空穴传输层，所述空穴传输层包括权利要求1 3中任一项所述的复合材料或权利要求4 5任一项所述的制备~ ~方法制备的复合材料。

7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述复合材料中半导体材料的价带顶能级为5电子伏特 8电子伏特；和/或，~

所述空穴传输层的厚度为10nm 100nm。

~

8.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为

20nm 50nm。

~

说明书

复合材料及其制备方法、量子点发光二极管

技术领域

[0001] 本发明涉及量子点发光二极管技术领域，特别是涉及一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管。

背景技术

[0002] 量子点(quantum dot)是在把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构。由于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高和稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。同时，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。

[0003] 经过二十多年的发展，QLED的性能得到了很大的提高，但同时也面临着巨大的挑战。其中，由于量子点自身较大的价带顶能级(一般为6eV～7eV)，使得能级与量子点匹配的复合材料较为匮乏，制约着QLED的发展。

[0004] 以MoS2、WS2、MoSe2和WSe2为代表的过渡金属硫化物/硒化物是一类特别的二维层状半导体材料，它们具有优异的导电能力、稳定性，而且其能级会随厚度、尺寸而变化，例如，当前厚度为单层时，或者尺寸很小时(量子点)，其价带顶能级可以达到6eV～6.5eV，非常适合用作QLED的复合材料。然而，这类材料的空穴导电性较差，不利于空穴传输，导致空穴传输效率低的问题。

发明内容

[0005] 基于此，本发明旨在提高半导体材料的导电率，增加半导体材料的空穴传输性能。

[0006] 为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

[0007] 一种复合材料，所述复合材料包括半导体材料和掺杂于所述半导体材料中的p型掺杂剂，所述p型掺杂剂为全氟烷基硅烷。

[0008] 上述复合材料中，作为p型掺杂剂的全氟烷基硅烷具有很强的吸电子能力，可以将电子从半导体材料中吸走，从而留下空穴，提高半导体材料的空穴浓度，继而提高半导体材料的导电率，从而提高空穴传输效率，增加半导体材料的空穴传输性能。

[0009] 在其中一个实施例中，所述半导体材料的平均粒径范围为1nm～100nm。

[0010] 在其中一个实施例中，所述半导体材料选自过渡金属硫化物与过渡金属硒化物中的至少一种。

[0011] 在其中一个实施例中，所述半导体材料选自MoS2、WS2、MoSe2与WSe2中的至少一种。

[0012] 在其中一个实施例中，所述全氟烷基硅烷中的烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基与癸基中的至少一种；所述全氟烷基硅烷中的硅烷选自三氯硅烷、三甲氧基硅烷与三乙氧基硅烷中的至少一种。

[0013] 在其中一个实施例中，所述全氟烷基硅烷选自全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷与全氟辛基三氯硅烷中的至少一种。

[0014] 一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：

[0015] 在基板上形成半导体材料；

[0016] 在所述半导体材料的表面注入p型掺杂剂或者p型掺杂剂溶液，热处理后得到复合材料。

[0017] 上述复合材料的制备方法工艺简单，经试验证明，采用上述制备方法得到的复合材料能够提高半导体材料的导电率，以及增加半导体材料的空穴传输性能。

[0018] 在其中一个实施例中，所述热处理的温度为60℃～80℃，所述热处理的时间为1h～2h。

[0019] 一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括空穴传输层，所述空穴传输层包括上述的复合材料，或上述制备方法制备的复合材料。

[0020] 上述量子点发光二极管结构简单，因其空穴传输层中含有本申请所述的复合材料，空穴浓度以及空穴导电性均得到提升，显著提高空穴传输效率，促进电荷平衡，提升电光转化效率。

[0021] 在其中一个实施例中，所述复合材料中半导体材料的价带顶能级为5电子伏特～8电子伏特；和/或，

[0022] 在其中一个实施例中，所述空穴传输层的厚度为10nm～100nm。

附图说明

[0023] 图1为本发明一实施方式的量子点发光二极管的示意图。

具体实施方式

[0024] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

[0025] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

[0026] 一实施方式的复合材料包括半导体材料和掺杂于半导体材料中的p型掺杂剂，p型掺杂剂为全氟烷基硅烷。

[0027] 其中，半导体材料指的是可用作空穴传输材料的一类材料。其中，p型掺杂剂的主要作用是增强半导体材料的空穴传输能力。具体的，作为p型掺杂剂的全氟烷基硅烷具有很强的吸电子能力，可以将电子从半导体材料中吸走，从而留下空穴，提高半导体材料的空穴浓度，继而提高半导体材料的导电率，从而提高空穴传输效率，增加半导体材料的空穴传输性能。

[0028] 进一步地，半导体材料为量子点材料。基于量子点材料的自身性质，当半导体材料为量子点材料时，更易于调控其能级，使其与相邻层材料能级匹配，因而更利于空穴传输效率的提升。

[0029] 进一步地，半导体材料的平均粒径范围为1nm～100nm。复合材料的价带顶能级除了与量子点材料自身性质有关外，其粒径尺寸也是影响其价带顶能级的关键因素。本申请的发明人发现，当量子点材料的平均粒径范围为1nm～100nm时，能够使本申请的半导体材料的价带顶能级达到6eV～6.5eV，从而能够与量子点发光层中的量子点发光材料的价带顶能级很好匹配。在一些实施例中，量子点材料的平均粒径为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm或10nm。

[0030] 此外，半导体材料呈层状分布，例如，可以为单层或者多层层叠叠加。

[0031] 进一步地，半导体材料选自过渡金属硫化物与过渡金属硒化物中的至少一种。发明人发现，过渡金属硫化物与过渡金属硒化物是一类二维层状半导体材料，此类材料的价带顶能级可以达到6eV～6.5eV之间(即大于或等于6电子伏特并且小于或等于6.5电子伏特)，具有优异的导电性能和稳定性，进而能够与量子点发光层中的量子点发光材料的价带顶能级很好匹配，因此非常适合用作QLED的复合材料。

[0032] 进一步地，半导体材料选自MoS2、WS2、MoSe2与WSe2中的至少一种。这些种类的材料尤其是量子点的价带顶能级可以达到6eV～6.5eV，与量子点发光材料的价带顶能级具有很好的匹配性。此外，此类材料的带隙介于2eV～4eV之间，在可见光波段具有优异的透光率，尤其适合用作量子点发光二极管的复合材料。

[0033] 通过对MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等半导体材料进行p型掺杂，增大了这些材料的功函数和空穴导电率，同时保证了这些材料的能级以及透光性等性质不受影响，并将其复合材料应用到QLED中，推动QLED的发展。

[0034] 进一步地，全氟烷基硅烷中的烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基与癸基中的至少一种；全氟烷基硅烷中的硅烷选自三氯硅烷、三甲氧基硅烷与三乙氧基硅烷中的至少一种。

[0035] 进一步地，全氟烷基硅烷选自全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷与全氟辛基三氯硅烷中的至少一种。

[0036] 上述种类的p型掺杂剂中的全氟烷基具有很强的吸电子能力，可以将电子从半导体材料中吸走，从而留下空穴，提高半导体材料的空穴浓度，继而提高其空穴导电性。

[0037] 本发明的复合材料中，作为p型掺杂剂的全氟烷基硅烷具有很强的吸电子能力，可以将电子从半导体材料中吸走，从而留下空穴，提高半导体材料的空穴浓度，继而提高半导体材料的导电率，从而提高空穴传输效率，增加半导体材料的空穴传输性能。

[0038] 一实施方式的复合材料的制备方法，包括如下步骤：

[0039] S10、在基板上形成半导体材料。

[0040] 其中，基板起到承载半导体材料的作用。此处的基板不限于传统意义上的QLED的基板，例如，当QLED为正置结构时，阳极可以作为基板使用；当QLED为倒置结构时，有机发光层可作为基板使用。

[0041] 可以采用溶液沉积法在基板上形成半导体材料。

[0042] 进一步地，半导体材料的平均粒径范围为1nm～100nm。

[0043] 进一步地，半导体材料选自过渡金属硫化物与过渡金属硒化物中的至少一种。

[0044] 进一步地，半导体材料选自MoS2、WS2、MoSe2与WSe2中的至少一种。

[0045] 进一步地，全氟烷基硅烷中的烷基选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基与癸基中的至少一种；所述全氟烷基硅烷中的硅烷选自三氯硅烷、三甲氧基硅烷与三乙氧基硅烷中的至少一种。

[0046] 进一步地，全氟烷基硅烷选自全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷与全氟辛基三氯硅烷中的至少一种。

[0047] S20、在半导体材料的表面注入p型掺杂剂或者p型掺杂剂溶液，热处理后得到空穴传输层。

[0048] 其中，当p型掺杂剂本身为液态时，可以注入纯的p型掺杂剂，亦可将其配制成溶液使用；当p型掺杂剂本身为固态时，需要将其加水配制成溶液使用。

[0049] 其中，热处理的目的是：第一、加速p型掺杂剂与半导体材料的作用；第二、加速未与半导体材料发生作用的多余的p型掺杂剂溶液的挥发。

[0050] 进一步地，热处理的温度为60℃～80℃，热处理的时间为1h～2h。

[0051] 进一步地，在热处理之后还可以包括以下步骤：冷却之后用有机溶剂清洗表面，以去除多余的p型掺杂剂。其中，有机溶剂可以为甲苯或者其他能够溶解p型掺杂剂的溶剂。

[0052] 上述复合材料的制备方法工艺简单，经试验证明，采用上述制备方法得到的复合材料能够提高半导体材料的导电率，以及增加半导体材料的空穴传输性能。

[0053] 一实施方式的量子点发光二极管，量子点发光二极管包括空穴传输层，空穴传输层包括上述的复合材料或包括上述制备方法制备的复合材料。

[0054] 进一步地，复合材料中半导体材料的价带顶能级为5电子伏特～8电子伏特。此时，半导体材料的价带顶能级与发光层材料的价带顶能级具有良好的匹配性。

[0055] 进一步地，空穴传输层的厚度为10nm～100nm。更优地，空穴传输层的厚度为20nm～50nm。

[0056] 进一步地，量子点发光二极管还包括阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，量子点发光层设于阳极与阴极之间，空穴传输层设于阳极与量子点发光层之间，电子传输层设于量子点发光层与阴极之间。

[0057] 需要说明的是，本发明的量子点发光二极管可以为正置结构或者倒置结构。

[0058] 当量子点发光二极管可以为正置结构时，请参见图1，一实施方式的量子点发光二极管100包括依次层叠设置的基板101、阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、量子点发光层105、电子传输层106以及阴极107。

[0059] 其中，阳极102位于空穴传输层104的下方。

[0060] 其中，空穴注入层103的材料可以是导电聚合物，例如：PEDOT:PSS；也可以是高功函数的n型半导体，例如：HAT‑CN、MoO3、WO3、V2O5、Rb2O等。可以理解的是，亦可以不设置空穴注入层103。

[0061] 其中，空穴传输层104含有本发明任一实施方式所述的复合材料，复合材料包括半导体材料和掺杂于半导体材料中的p型掺杂剂；半导体材料的价带顶能级为5电子伏特～8电子伏特，p型掺杂剂为全氟烷基硅烷。

[0062] 其中，量子点发光层105位于空穴传输层104的上方。量子点发光层105的材料选自II‑VI族化合物、III‑V族化合物、I‑III‑VI族化合物、IV族单质与钙钛矿量子点中的至少一种。

[0063] 其中，II‑VI族化合物半导体包括但不限于ZnCdSeS、CdSe/ZnSe、CdSeS/CdS、CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS和ZnCdSeS/ZnS。III‑V族化合物半导体包括但不限于InP和InP/ZnS。I‑III‑VI族化合物半导体包括但不限于CuInS、AgInS、CuInS/ZnS和AnInS/ZnS。IV族单质半导体包括但不限于Si、C和Graphene。

[0064] 其中，电子传输层106位于量子点发光层105的上方。电子传输材料可以是n型有机半导体或者n型金属氧化物。其中，n型有机半导体包括但不限于TPBi、TmPyPb、BCP、Bphen、TmPyTz、B3PYMPM、3TPYMB和PO‑T2T。n型金属氧化物包括但不限于ZnO、ZnMgO、ZnAlO、TiO2和SnO2。

[0065] 其中，阴极107位于电子传输层106的上方。

[0066] 可以理解的是，量子点发光二极管100还可以包括电子注入层，且电子注入层位于电子传输层106与阴极107之间。电子注入层的材料可以是碱金属盐，例如：LiF、NaF、CsF、Cs2CO3等；可以是低功函数金属，例如：Yb、Ba等。

[0067] 当然，本发明的量子点发光二极管不限于上述实施方式，还可以为倒置结构，此时，基板位于阴极的一侧。

[0068] 上述量子点发光二极管结构简单，因其空穴传输层中含有本申请所述的复合材料，空穴浓度以及空穴导电性均得到提升，显著提高空穴传输效率，促进电荷平衡，提升电光转化效率。

[0069] 为了使本申请的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

[0070] 实施例1

[0071] 以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极；

[0072] 在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层；

[0073] 在空穴注入层上利用溶液法沉积MoS2量子点，形成厚度为30nm的空穴传输层前体；

[0074] 在空穴传输层前体上滴满全氟辛基三甲氧基硅烷溶液，然后70℃烘烤1.5h，随后用甲苯清洗表面，形成空穴传输层；

[0075] 在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层；

[0076] 在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO，形成厚度为40nm的电子传输层；

[0077] 在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag，形成厚度为100nm的阴极。

[0078] 实施例2

[0079] 以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极；

[0080] 在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层；

[0081] 在空穴注入层上利用溶液法沉积MoS2量子点，形成厚度为30nm的空穴传输层前体；

[0082] 在空穴传输层前体上滴满全氟辛基三乙氧基硅烷溶液，然后70℃烘烤1.5h，随后用甲苯清洗表面，形成空穴传输层；

[0083] 在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层；

[0084] 在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO，形成厚度为40nm的电子传输层；

[0085] 在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag，形成厚度为100nm的阴极。

[0086] 实施例3

[0087] 以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极；

[0088] 在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层；

[0089] 在空穴注入层上利用溶液法沉积MoS2量子点，形成厚度为30nm的空穴传输层前体；

[0090] 在空穴传输层前体上滴满全氟辛基三氯硅烷溶液，然后70℃烘烤1.5h，随后用甲苯清洗表面，形成空穴传输层；

[0091] 在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层；

[0092] 在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO，形成厚度为30nm的电子传输层；

[0093] 在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag，形成厚度为100nm的阴极。

[0094] 实施例4

[0095] 以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极；

[0096] 在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层；

[0097] 在空穴注入层上利用溶液法沉积WS2量子点，形成厚度为30nm的空穴传输层前体；

[0098] 在空穴传输层前体上滴满全氟辛基三甲氧基硅烷溶液，然后70℃烘烤1.5h，随后用甲苯清洗表面，形成空穴传输层；

[0099] 在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层；

[0100] 在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnAlO，形成厚度为50nm的电子传输层；

[0101] 在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al，形成厚度为100nm的阴极。

[0102] 实施例5

[0103] 以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极；

[0104] 在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层；

[0105] 在空穴注入层上利用溶液法沉积MoSe2量子点，形成厚度为30nm的空穴传输层前体；

[0106] 在空穴传输层前体上滴满全氟辛基三甲氧基硅烷溶液，然后70℃烘烤1.5h，随后用甲苯清洗表面，形成空穴传输层；

[0107] 在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层；

[0108] 在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnAlO，形成厚度为50nm的电子传输层；

[0109] 在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al，形成厚度为100nm的阴极。

[0110] 实施例6

[0111] 以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极；

[0112] 在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层；

[0113] 在空穴注入层上利用溶液法沉积WS2量子点，形成厚度为30nm的空穴传输层前体；

[0114] 在空穴传输层前体上滴满全氟辛基三甲氧基硅烷溶液，然后70℃烘烤1.5h，随后用甲苯清洗表面，形成空穴传输层；

[0115] 在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层；

[0116] 在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnAlO，形成厚度为50nm的电子传输层；

[0117] 在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al，形成厚度为100nm的阴极。

[0118] 对比例1

[0119] 以厚度为50nm的透明导电薄膜ITO作为阳极；

[0120] 在阳极上利用溶液法沉积PEDOT:PSS，形成厚度为30nm的空穴注入层；

[0121] 在空穴注入层上利用溶液法沉积MoS2量子点，形成厚度为30nm的空穴传输层；

[0122] 在空穴传输层上利用溶液法沉积ZnCdS/ZnS量子点，形成厚度为30nm的量子点发光层；

[0123] 在量子点发光层上利用溶液法沉积ZnMgO，形成厚度为40nm的电子传输层；

[0124] 在电子传输层上利用蒸镀法沉积Ag，形成厚度为100nm的阴极。

[0125] 测试：

[0126] (1)检测未掺杂和p型掺杂后的空穴传输层的材料的功函数，得到表1：

[0127] 表1

[0128]物质 功函数(eV)
MoS2量子点 4.4
WS2量子点 4.6
MoSe2量子点 4.2
WSe2量子点 4.5
全氟辛基三甲氧基硅烷掺杂的MoS2量子点 5.1
全氟辛基三乙氧基硅烷掺杂的MoS2量子点 4.9
全氟辛基三氯硅烷掺杂的MoS2量子点 5.0
全氟辛基三甲氧基硅烷掺杂的WS2量子点 5.2
全氟辛基三甲氧基硅烷掺杂的MoSe2量子点 4.7
全氟辛基三甲氧基硅烷掺杂的WSe2量子点 5.2

[0129] 从表1可以看出，p型掺杂的MoS2量子点、WS2量子点、MoSe2量子点和WSe2量子点的功函数相较未掺杂的同类材料有明显的增大，表明经过全氟烷基硅烷处理的MoS2量子点、WS2量子点、MoSe2量子点和WSe2量子点的空穴浓度有了显著的提高。

[0130] (2)检测实施例1～实施例6和对比例1的量子点发光二极管的驱动电压、最大外量子效率和寿命，得到表2：

[0131] 表2

[0132]

[0133]

[0134] 其中，驱动电压@10mA/cm2表示QLED的电流密度达到10mA/cm2时所需要的电压；

[0135] 外量子效率(％)表示QLED的电光转换效率，理论上等于出射的光子数比上注入的电子数，一般根据器件的电流(I)‑电压(V)‑亮度(L)数据计算得来；

[0136] T50(h)@1000cd/m2是表征QLED寿命的物理量，它表示QLED以1000cd/m2为初始亮度持续点亮，直至亮度衰减至初始亮度的50％时所经历的时间。

[0137] 从表2可以看出，与对比例1相比，实施例1～实施例6的量子点发光二极管的驱动电压、最大外量子效率和寿命均较高，表明经过全氟烷基硅烷处理的MoS2量子点、WS2量子点、MoSe2量子点和WSe2量子点的空穴浓度有了显著的提高，从而提高了量子点发光二极管的驱动电压、最大外量子效率和寿命。

[0138] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

[0139] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。