一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料及其制备方法，该制备方法通过将高导电性金属微纳粉体与低粘度聚合物粉体混合密炼处理后，再经粉碎处理得到金属/低粘度聚合物复合粉体，将其与可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体混合后在模具具有一定倾斜长度和倾斜角度的放置条件下热固化成型，即得具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料。该太赫兹调制材料通过其制备过程中金属微纳粉体的梯度分布密度，从而在同一材料上实现梯度分布的太赫兹调制强度，后期通过测试即可得到所需固定强度的太赫兹调制位点，既实现了太赫兹调制功能，同时具有操作简单、成本较低的特点，所制得太赫兹调制材料可达到强度幅值为0.2～0.8的太赫兹波调制。

权利要求

1.一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，其特征在于按重量份数计包括以下步骤：

(1)备料均粒径为50～500μm的高导电性金属微纳粉体；

(2)将100份高导电性金属微纳粉体和5～50份的低粘度聚合物粉体混合密炼处理，密炼得金属/低粘度聚合物复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间3～10分钟，转速10～40转/分，密炼温度90～150℃；

其中，所述低粘度聚合物选择在140℃环境条件下粘度为10～500CPS的聚合物；

(3)将步骤(2)所得金属/低粘度聚合物复合材料经粉碎处理得到均粒径不低于高导电性金属微纳粉体均粒径，且均粒径不高于600μm的金属/低粘度聚合物复合粉体；

(4)将步骤(3)所得金属/低粘度聚合物复合粉体与可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体以质量比为1：(0.5～3)的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为0.5°～10°的放置条件下热固化成型，且成型的倾斜长度不低于20mm，厚度不高于1cm，即得具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料；

所述热固化成型为平板硫化压板法，且平板硫化压板法的工艺参数为：热压温度140～

180℃，热压压力7～20MPa，热压时间4～15分钟，冷压压力7～20MPa，冷压时间5～20分钟；

其中，所述可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体选择在140℃环境条件下粘度为500～

1000CPS的聚合物。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述高导电性金属包括金、银、铜、镍、钛和铁其中任意一种或是上述金属任意一种合金。

3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述高导电性金属选择为铜时，将市售的铜金属箔先预粉碎处理为不大于2cm×2cm的单片铜金属箔，然后通过高速粉碎机粉碎处理得到高导电性金属微纳粉体，其中，高速粉碎机粉碎处理的工艺参数为：温度

5～25℃，转速200～350转/分，循环碾磨3～7次。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述低粘度聚合物粉体为聚乙烯蜡粉体或固态石蜡粉体。

5.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述低粘度聚合物粉体的添加量为10～30份。

6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，其中，高速粉碎机粉碎处理的工艺参数为：温度5～30℃，转速200～400转/分，循环碾磨1～9次。

7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体选择包括LDPE超细粉体、HDPE超细粉体、PVDF超细粉体其中任意一种。

8.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于按重量份数计其制备方法如下：(1)备料均粒径为50～500μm的铜微纳粉体；

(2)将100份铜微纳粉体和15～30份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜/聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间3～7分钟，转速15～35转/分，密炼温度110～140℃；

(3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工艺参数为：温度10～25℃，转速250转/分，循环碾磨3～7次；

(4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1：(1～2)的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为3°的放置条件下平板硫化压板法成型，且成型的倾斜长度不低于10cm，厚度不高于1cm，即得具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热压温度150～180℃，热压压力7～

15MPa，热压时间4分钟，冷压压力7～15MPa，冷压时间5～20分钟。

9.根据权利要求1～8任一项所述制备方法所制备得到的太赫兹调制材料。

说明书

一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于太赫兹调制技术领域，涉及一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制 材料及其制备方法。

背景技术

[0002] 太赫兹波覆盖了从微波到红外光谱区域(30～3000μm)的宽带宽，在成像、 高带宽通信、雷达等领域具有巨大的应用前景。动态太赫兹器件的发展是应用的 基础，包括开关，
调制以及相移等。这些功能通常而言是通过掺杂半导体、液晶、 二维材料、钙钛矿和相变材
料等具有可控光学或电学参数的功能材料实现。

[0003] 太赫兹强度调制器作为操纵太赫兹信号传输系统的一个关键部件，其相关研 究对太赫兹科学和技术的进一步应用具有重大意义。由于天然材料对太赫兹波段 的电磁响
应非常微弱，难以实际应用于调制太赫兹波，因而相较于太赫兹发射和 探测技术的飞速发
展，太赫兹调制技术却显得进展缓慢。太赫兹波传输过程中需 要的太赫兹滤波器，调制器，
开关等各种功能器件的研究仍然较为薄弱。

[0004] 现已有的太赫兹强度调制器主要有两种，电控调制器和光控调制器。目前基 于硅等半导体，二氧化钒等相变材料等电控和光控太赫兹强度调制器都存在较多 缺点：一、电
控太赫兹强度调制器的谐振回路具有较大的电容和串联电阻，通放 电需要一定的时间延
迟，导致其调制器的调制速度相对较慢；且在电控太赫兹波 调制器的上下表面都需要导电
电极(例如导电硅等)实现电控调制器。电极有自 由电子，会吸收太赫兹波，从而引入插入
损耗，影响太赫兹调制效率；二、硅半 导体和二氧化钒材料中光生载流子的迁移速率慢且
光生载流子寿命时间长(大约 为微秒级量级)，因此，基于硅半导体和二氧化钒材料的电控
和光控调制器限制 了太赫兹波的调制速度，使其调制速度慢；三、硅半导体和二氧化钒等
调制器的 调制带宽窄。综合来看，现有的太赫兹强度调制器的调制速度、调制带宽都不能 
满足太赫兹研究的要求，有待提高。

[0005] 高聚物作为一种广泛应用的基体材料，具有力学性能强，使用寿命长等优点， 通过将金、银、金属或镍等电导率较高的材料填充进入高聚物基材中，改变高聚 物本身的导
电网络，从而导致复合材料的导电性能动态调谐。由于太赫兹波对介 质的电导率非常敏
感，所以这种导电聚合物复合材料的太赫兹传输振幅会被动态 调整。因此，它可以为灵活
的太赫兹智能设备提供巨大的潜力，而不需要集成额 外的金属结构。

[0006] 但是，对于太赫兹强度调制器而言，如何稳定得到所需固定强度的太赫兹调 制波是其根本目的，金属/高聚物基混合材料虽然同样具备太赫兹调制功能，但 其调制强度的
精准度及一致性表现非常差，即便采用同一工艺，不同批次制备出 的金属/高聚物基调制
板的调制强度都会因制备工艺中误差与自然随机因素产生 偏差。另一方面，其调制强度通
常是无法通过制备所得成品的测试数据，从而反 向去推理得到其它调制强度的制备工艺
条件，这就使得为了得到固定强度的太赫 兹调制效果，需要通过大量的重复性工艺条件实
验操作，虽然材料本身成本较低， 但探索工艺条件的成本过高，因而现有技术中未见利用
金属/高聚物基混合材料 制备太赫兹调制材料的相关报道。

[0007] 若能够解决上述问题，可以预料到将大幅降低太赫兹波调制器的生产成本， 极大地推动太赫兹波的相关研究展开。

发明内容

[0008] 本发明针对上述背景技术中的问题，提供一种具有梯度调制幅度的太赫兹调 制材料及其制备方法，该太赫兹调制材料通过其制备过程中金属微纳粉体的梯度 分布密度，
从而在同一材料上实现梯度分布的太赫兹调制强度，后期通过测试即 可得到所需固定强
度的太赫兹调制位点，既实现了太赫兹调制功能，同时具有操 作简单、成本较低的特点，所
制得太赫兹调制材料可达到强度幅值为0.2～0.8的 太赫兹波调制。

[0009] 为实现上述目的，本发明是采用由以下技术措施构成的技术方案来实现的。

[0010] 一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数计包括以 下步骤：

[0011] (1)备料均粒径为50～500μm的高导电性金属微纳粉体；

[0012] (2)将100份高导电性金属微纳粉体和5～50份的低粘度聚合物粉体混合密 炼处理，密炼得金属/低粘度聚合物复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为： 密炼时间3～10分
钟，转速10～40转/分，密炼温度90～150℃；

[0013] 其中，所述低粘度聚合物选择在140℃环境条件下粘度为10～500CPS的聚 合物；

[0014] (3)将步骤(2)所得金属/低粘度聚合物复合材料经粉碎处理得到均粒径 不低于高导电性金属微纳粉体均粒径，且均粒径不高于600μm的金属/低粘度聚 合物复合粉体；

[0015] (4)将步骤(3)所得金属/低粘度聚合物复合粉体与可热塑加工用高粘度 聚合物超细粉体以质量比为1：(0.5～3)的比例充分混合均匀，加入至模具中， 模具于相较水平面
倾斜角度为0.5°～10°的放置条件下热固化成型，且成型的倾斜 长度不低于20mm，厚度不
高于1cm，即得具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料；

[0016] 其中，所述可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体选择在140℃环境条件下粘 度为500～1000CPS的聚合物。

[0017] 通过上述制备方法制备所得具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料，其调制强 度幅度最低为0.2，最高为0.8，其强度幅度差最低为0.1，最高为0.6。

[0018] 将制备所得具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料，经测试将所需固定强度幅 度的位点进行标注，即可通过同一材料的不同位点作为太赫兹强度调试器的材料 或组件。

[0019] 本发明的发明原理在于利用热固化成型过程中，其模具相较于水平面倾斜角 度的设置，使得金属/低粘度聚合物复合粉体在重力因素的影响下，于高粘度聚 合物基体内
呈现梯度型态的分布密度，从而使得制备所得太赫兹调制材料在倾斜 长度上呈现出梯度
调制幅度，并通过后期测试确定所需固定强度幅度的标注位 点，最终获得具备高精准度及
一致性的太赫兹调制材料。

[0020] 通常而言，步骤(1)中所述高导电性金属为本技术领域所公知的高导电性 原料，主要包括金、银、铜、镍、钛和铁其中任意一种或是上述金属任意一种合 金。出于成本考虑，
优选为铜或铜合金。

[0021] 其中，步骤(1)中所述高导电性金属微纳粉体可选择符合均粒径为50～500μm 的市售金属粉体，或通过粉碎处理为均粒径50～500μm的金属微纳粉体。如有必 要，在备料过
程中还包括洗净、干燥等现有技术的预处理。为了更好地说明本发 明，并提供一种可供参
考的技术方案，当所述高导电性金属选择为铜时，将市售 的铜金属箔先预粉碎处理为不大
于2cm×2cm的单片铜金属箔，然后通过高速粉 碎机粉碎处理得到高导电性金属微纳粉体，
其中，高速粉碎机粉碎处理的工艺参 数为：温度5～25℃，转速200～350转/分，循环碾磨3
～7次。

[0022] 值得说明的是，步骤(2)中之所以先将高导电性金属微纳粉体与低粘度聚 合物粉体通过密炼制备为金属/低粘度聚合物复合材料，是为了让高导电性金属 先被低粘度聚合
物包裹，从而具有一定的力学性能，同时改善高导电性金属与后 续加入的高聚物之间的界
面相容性和流动性，使得在倾斜条件下热固化成型时能 够具有均匀的梯度调制幅度分布。

[0023] 其中，步骤(2)中所述低粘度聚合物粉体优选为聚乙烯蜡粉体、固态石蜡 粉体等。

[0024] 进一步地，步骤(2)中所述低粘度聚合物粉体优选为聚乙烯蜡粉体，通常 而言，所述聚乙烯醇为市售来源，且聚乙烯蜡的牌号为RLC‑657。

[0025] 通常而言，步骤(2)中所述低粘度聚合物粉体的粒径可选择与高导电性金 属微纳粉体粒径一致，或是选择市售粒径为0.1～500μm或目数为100～2000目的 低粘度聚合物粉
体，从而保障高导电性金属的分布均匀性。

[0026] 通常而言，步骤(2)中高导电性金属微纳粉体和低粘度聚合物粉体混合， 为将高导电性金属微纳粉体充分分散于低粘度聚合物中即可，为了更好地说明本 发明，并提供一
种可供参考的技术方案：在实验室条件下，所述高导电性金属微 纳粉体的添加量不高于
500g时，所述混合为机械搅拌混合，其中机械搅拌混合 的工艺参数为：搅拌速率30～100r/
min，搅拌5～30min。在实际工业化生产中， 本领域技术人员可根据添加量的大小，在考虑
到工业放大效应下，根据现有技术 对上述混合方式及参数进行调整。

[0027] 值得说明的是，步骤(2)中限定了低粘度聚合物粉体的添加量为5～50份， 是因为若低粘度聚合物的添加量过低，会导致高导电性金属微纳粉体与低粘度聚 合物本身的粘
合性不高，与后续添加的高聚物基材的界面相互作用性差；若低粘 度聚合物的添加量过
高，会导致高导电性金属微纳粉体的浓度降低，从而对于材 料的导电网络的构筑产生影
响，从而影响最终制品的太赫兹调制强度的准确性及 梯度差。在实际操作过程中，可根据
对太赫兹调制材料的性能要求，合理地调整 低粘度聚合物粉体与高导电性金属微纳粉体
的具体比例，以获得所需的太赫兹调 制材料。优选地，所述低粘度聚合物粉体的添加量为
10～30份。

[0028] 其中，步骤(3)所述金属/低粘度聚合物复合材料经粉碎处理得到均粒径不 低于高导电性金属微纳粉体均粒径，且均粒径不高于600μm的金属/低粘度聚合 物复合粉体，可
同样参考采用上述高导电性金属微纳粉体的粉碎处理方式。为了 更好地说明本发明，并提
供一种可供参考的技术方案：所述粉碎处理为通过高速 粉碎机粉碎处理，其中，高速粉碎
机粉碎处理的工艺参数为：温度5～30℃，转 速200～400转/分，循环碾磨1～9次。

[0029] 其中，步骤(4)中所述可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体通常为现有技 术中可进行热塑加工，且在140℃环境条件下粘度为500～1000CPS的聚合物超细 粉体，选择包括
LDPE超细粉体、HDPE超细粉体、PVDF超细粉体等。

[0030] 通常而言，步骤(4)中所述可热塑加工用高粘度聚合物超细粉体是通过粉 碎处理至粒径为50～500μm，或是选择市售粒径为50～500μm或目数为30～300 目的可热塑加工用
高粘度聚合物超细粉体。

[0031] 值得重点说明的是，为了更好地使得太赫兹调制材料具有梯度调制幅度，本 发明发明人基于实验事实发现，步骤(1)中所述高导电性金属微纳粉体的均粒 径选择在50～
500μm时，具有更佳的梯度调制幅度分布效果，若高导电性金属微 纳粉体的粒径低于1μm，
即为纳米级粉体时，由于纳米材料的分散性较好且流动 性较微米级材料更强，故不容易形
成梯度；若高导电性金属微纳粉体的粒径高于 600μm，则形成的材料很容易造成分相，对于
梯度调制的连续性造成较大影响。 本发明的发明人通过对比实验发现，优选地，步骤(1)中
所述高导电性金属微 纳粉体的均粒径选择为50～100μm时，进一步具有更佳的梯度调制幅
度分布效果。

[0032] 同样的，在步骤(2)通过密炼制备为金属/低粘度聚合物复合材料后，高导 电性金属微纳粉体被低粘度聚合物所包裹，均粒径不低于高导电性金属微纳粉体 均粒径，且依照
上述粉碎处理方式，所得金属/低粘度聚合物复合粉体均粒径不 高于600μm。

[0033] 值得说明的是，步骤(4)中限定了成型的厚度不高于1cm，这是因为金属/ 低粘度聚合物复合粉体在高粘度聚合物基体内相容性和流动性都较好，若成型的 厚度太大，则会
导致金属/低粘度聚合物复合粉体富集于模具成型的底部，从而 不能得到调制幅度均匀梯
度分布的制品或材料。但若降低两者之间的相容性和流 动性，又会导致在倾斜条件下无法
形成较为均匀的梯度分布现象。因此本发明基 于实验事实，限定了制备所得的太赫兹调试
材料的成型厚度不高于1cm，在该条 件基础上通常成型为板材。此外，由于该厚度限制，本
领域技术人员在参照传统 工艺的基础上，试图通过厚度呈现梯形变化从而获得调制幅度
的梯度变化模具成 型，例如梯形体、三角形体等异形模具成型的方式，因厚度需大于1cm，
而不会 具备良好的调制幅度梯度分布，或因厚度不大于1cm，使得测试所需固定强度幅 度
困难。但同时，厚度太低会使得模具的精确度要求过高，且制备所得调制材料 的机械性能
受限，影响其实用性，因此厚度优选为1～10mm为宜。

[0034] 其中，步骤(4)中所述热固化成型限定为不伴随剪切作用的热固化成型工 艺，主要包括平板硫化压板法、真空成型、对模热成型等。为了更好地说明本发 明，并提供一种优
选的技术方案，所述热固化成型为平板硫化压板法，且平板硫 化压板法的工艺参数为：热
压温度140～180℃，热压压力7～20MPa，热压时间 4～15分钟，冷压压力7～20MPa，冷压时
间5～20分钟。

[0035] 值得说明的是，上述工艺参数中，热压时间将极大影响到金属/低粘度聚合 物复合粉体于热固化聚合物基体内呈现梯度型态的分布密度，经本发明的发明人 实际对照实
验发现，当模具的倾斜角为3°，倾斜长度为10cm时，热压时间接近 于4分钟时，制备所得太
赫兹调制材料中金属/低粘度聚合物复合粉体的分布梯 度差达到最大。

[0036] 为了更好的说明本发明，并提供一种最为优选的技术方案：

[0037] 为了制备得到调制强度幅度最低为0.2，最高为0.8的具有梯度调制幅度的 太赫兹调制材料，按重量份数计其制备方法如下：

[0038] (1)备料均粒径为50～500μm的铜微纳粉体；

[0039] (2)将100份铜微纳粉体和15～30份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼 得铜/聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间3～7分钟， 转速15～35转/分，密
炼温度110～140℃；

[0040] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
10～25℃，转速250转/分，循环碾磨3～7次；

[0041] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： (1～2)的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为3° 的放置条件下平板
硫化压板法成型，且成型的倾斜长度不低于10cm，厚度不高 于1cm，即得具有梯度调制幅度
的太赫兹调制材料；其中，平板硫化压板法的工 艺参数为：热压温度150～180℃，热压压力
7～15MPa，热压时间4分钟，冷压压 力7～15MPa，冷压时间5～20分钟。

[0042] 本发明的主要创新点在于发明人偶然发现，通过将金属微纳粉末与低粘度聚 合物复合之后，加入聚合物基体中，所制备成的梯度太赫兹调制材料具有良好的 太赫兹调制
性能和机械性能。经发明人研究发现，认为这是因为充分利用了微纳 金属粉末与低粘度聚
合物发生相互作用改善了金属与聚合物基体之间的界面作 用力，后通过在聚合物基体中
高填充金属/低粘度聚合物复合材料以构筑导电网 络，同时利用梯度平板硫化压板的特
点，制备出力学性能优异的新型太赫兹调制 材料。

[0043] 本发明所制备得到的太赫兹调制材料，经本发明的发明人测试，在实验室利 用频率0.5～1.5THz太赫兹波的实验条件下，太赫兹调制能力可以达到幅值 0.2～0.8的调制。

[0044] 本发明具有以下有益效果：

[0045] 1、本发明技术方案首次引入了高分子基材作为太赫兹调制材料的主要原料， 实现了太赫兹的高效调制，并提供一种高分子化合物利用的新途径。

[0046] 2、本发明工艺方法成熟，同时具有操作简单、成本较低的特点，所制得梯 度太赫兹调制材料的调制能力可以达到幅值0.2～0.8的调制。

[0047] 3、本发明通过高聚物基体对梯度太赫兹调制材料提供骨架，可保证材料的 尺寸稳定性、耐冲刷稳定性，延长材料的使用寿命。本发明制备所得梯度太赫兹 调制材料本身
的太赫兹调制特性具有明显的优势，同时梯度结构使得材料很容易 用于其他制品的部件，
可以通过不同模具实现各种各样的制件形状，在成像、高 带宽通信、雷达等领域均具有潜
在的有利应用。

附图说明

[0048] 图1为本发明实施例1制备所得太赫兹调制材料的显微照片。上、中、下三 个点位分别测得其调制幅度为0.2、0.4、0.8。

[0049] 图2为本发明实施例1制备所得太赫兹调制材料的梯度太赫兹调制图。其中 调制太赫兹频率宽度为0.5‑1.5THz；调制幅度为0.2‑0.8。

[0050] 图3为本发明实施例1制备所得太赫兹调制材料的在进行太赫兹测试时的照 片。

具体实施方式

[0051] 下面通过实施例并结合附图对本发明作进一步说明。值得指出的是，给出的 实施例不能理解为对本发明保护范围的限制，该领域的技术人员根据本发明的内 容对本发明
作出的一些非本质的改进和调整仍应属于本发明保护范围。

[0052] 材料样品制作完成后，实施以下实验步骤，对样品进行太赫兹波调制测试：

[0053] 实验设备：太赫兹时域光谱系统(THz‑TDS)透射光路、二维电动位移平台、 电脑(LabVIEW扫描采集程序)、空气干燥压缩机。

[0054] 实验环境：湿度<7.5％。

[0055] 实验内容与步骤：

[0056] 搭建好太赫兹时域光谱系统透射光路，太赫兹波从光导天线发出，经过光学 反射镜和透镜，将太赫兹波聚束在直径2mm的范围内，穿过测试区域后经透镜 和反射镜入射到
光导天线上进行测量，当测试区域为真空或者大气时，传输的太 赫兹光束没有衰减，该数
据作为参考存储与系统中，当测试区域有样品时，太赫 兹波被调制，其幅度被衰减，检测到
的太赫兹波与参考值就差别，又因为太赫兹 波为一个脉冲信号，频域展开后可得0.1～
5THz的超宽频带，因而可以获得样品 在该频段上的吸收特性。

[0057] 为了测量梯度材料样品上不同梯度上的太赫兹波调制特性，在测量区域搭建 位移系统，测量时，位移系统带动样品移动，从而获得不同点的梯度特性。

[0058] 由于水对太赫兹波有较强的吸收作用，使用亚克力保护罩，将整个测试平台 罩住，并使用空气干燥压缩机往罩子中输入干燥空气，保证测试空间的湿度至 7.5％以下。

[0059] 经过对样品的测量，该样品通过特殊的技术手段，实现了在同一块样片上具 有一维线性特性的密度变化，即实现了线性密度梯度变化，由于金属参杂，对太 赫兹波具有一
定的吸收特性，不同的金属参杂密度又有不同的吸收特性，从而 达到了在同一个样片上实
现了对太赫兹波的调制功能。测试所得的结果如说明书 附图图2所示，从空间位置0开始，
不同位置的样片对不同频段的太赫兹波具有 线性变化的吸收特性。

[0060] 聚乙烯蜡选择为市售牌号为RLC‑657。

[0061] LDPE选择为市售牌号为LD615。

[0062] 实施例1

[0063] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0064] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0065] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0066] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0067] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为3°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间4分
钟，冷压压力10MPa，冷压时间 10分钟。

[0068] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0069] 将该太赫兹调制材料作为样品进行太赫兹波调制测试，调制太赫兹频率宽度 为0.5‑1.5THz；调制幅度为0.2‑0.8。

[0070] 实施例2

[0071] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0072] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0073] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0074] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0075] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为3°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间8分
钟，冷压压力10MPa，冷压时间 10分钟。

[0076] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0077] 将该太赫兹调制材料作为样品进行太赫兹波调制测试，调制太赫兹频率宽度 为0.5‑1.5THz；调制幅度为0.2‑0.6。

[0078] 实施例3

[0079] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0080] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0081] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0082] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0083] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为3°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间12
分钟，冷压压力10MPa，冷压时 间10分钟。

[0084] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0085] 将该太赫兹调制材料作为样品进行太赫兹波调制测试，调制太赫兹频率宽度 为0.5‑1.5THz；调制幅度为0.2‑0.5。

[0086] 实施例4

[0087] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0088] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0089] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0090] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0091] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为3°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间15
分钟，冷压压力10MPa，冷压时 间10分钟。

[0092] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0093] 将该太赫兹调制材料作为样品进行太赫兹波调制测试，调制太赫兹频率宽度 为0.5‑1.5THz；调制幅度为0.2‑0.4。

[0094] 实施例5

[0095] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0096] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0097] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0098] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0099] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为5°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间4分
钟，冷压压力10MPa，冷压时间 10分钟。

[0100] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0101] 将该太赫兹调制材料作为样品进行太赫兹波调制测试，调制太赫兹频率宽度 为0.5‑1.5THz；调制幅度为0.2‑0.6。

[0102] 实施例6

[0103] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0104] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0105] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0106] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0107] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为7°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间4分
钟，冷压压力10MPa，冷压时间 10分钟。

[0108] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0109] 将该太赫兹调制材料作为样品进行太赫兹波调制测试，调制太赫兹频率宽度 为0.5‑1.5THz；调制幅度为0.2‑0.4。

[0110] 实施例7

[0111] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0112] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0113] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0114] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0115] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为9°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间4分
钟，冷压压力10MPa，冷压时间 10分钟。

[0116] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0117] 将该太赫兹调制材料作为样品进行太赫兹波调制测试，调制太赫兹频率宽度 为0.5‑1.5THz；调制幅度为0.2‑0.3。

[0118] 实施例8

[0119] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0120] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为5℃，转速为350转/分，循环 粉碎3次，即得铜微纳
粉体；

[0121] (2)将100份铜微纳粉体和5份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜/ 聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间3分钟，转速40 转/分，密炼温度90℃；

[0122] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速400转/分，循环碾磨1次；

[0123] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 0.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为0.5°的 放置条件下平板硫
化压板法成型，且成型的倾斜长度为5cm，厚度为1mm，即 得具有梯度调制幅度的太赫兹调
制材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为： 热压温度140℃，热压压力7MPa，热压时间10
分钟，冷压压力7MPa，冷压时 间10分钟。

[0124] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格50×50×1(mm)的长方形板材。

[0125] 实施例9

[0126] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0127] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为25℃，转速为200转/分，循 环粉碎7次，即得铜微
纳粉体；

[0128] (2)将100份铜微纳粉体和50份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间10分钟，转速10 转/分，密炼温度150
℃；

[0129] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
30℃，转速200转/分，循环碾磨9次；

[0130] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 3的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为10°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为20cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度180℃，热压压力20MPa，热压时间10
分钟，冷压压力20MPa，冷压时 间10分钟。

[0131] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格200×200×1(mm)的长方形板材。

[0132] 实施例10

[0133] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0134] (1)将市售银箔粉碎至规格为1cm×1cm的单片银箔，然后将单片银箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为15℃，转速为280转/分，循 环粉碎5次，即得银微
纳粉体；

[0135] (2)将100份银微纳粉体和40份的固态石蜡粉体混合密炼处理，密炼得银 /固态石蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间8分钟，转速25 转/分，密炼温度130
℃；

[0136] (3)将步骤(2)所得银/固态石蜡复合材料经粉碎处理得到银/固态石蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
15℃，转速300转/分，循环碾磨6次；

[0137] (4)将步骤(3)所得银/固态石蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 2的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为2°的放 置条件下平板硫化压
板法成型，且成型的倾斜长度为3cm，厚度为5mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制材
料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力15MPa，热压时间12分
钟，冷压压力18MPa，冷压时 间16分钟。

[0138] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格30×30×5(mm)的长方形板材。

[0139] 实施例11

[0140] 本实施例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0141] (1)将市售银箔粉碎至规格为1cm×1cm的单片银箔，然后将单片银箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为15℃，转速为280转/分，循 环粉碎5次，即得银微
纳粉体；

[0142] (2)将100份银微纳粉体和25份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得银 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间8分钟，转速25 转/分，密炼温度130
℃；

[0143] (3)将步骤(2)所得银/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到银/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
15℃，转速300转/分，循环碾磨6次；

[0144] (4)将步骤(3)所得银/聚乙烯蜡复合粉体与HDPE超细粉体以质量比为1： 1的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为4°的放 置条件下平板硫化压
板法成型，且成型的倾斜长度为5cm，厚度为2mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制材
料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度150℃，热压压力12MPa，热压时间10分
钟，冷压压力16MPa，冷压时 间12分钟。

[0145] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格50×50×2(mm)的长方形板材。

[0146] 对比例1

[0147] 本对比例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0148] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0149] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0150] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0151] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为3°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为2cm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间4分
钟，冷压压力10MPa，冷压时间 10分钟。

[0152] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×20(mm)的长方形板材。

[0153] 本对比例制备所得太赫兹调制材料因厚度过大，可直接观察到铜/聚乙烯蜡 复合粉体大量富集于倾斜一端底部，无法得到调制幅度均匀梯度分布的制品。

[0154] 对比例2

[0155] 本对比例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0156] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0157] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0158] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0159] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为15°的 放置条件下平板硫
化压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即 得具有梯度调制幅度的太赫兹调
制材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为： 热压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间4
分钟，冷压压力10MPa，冷压时 间10分钟。

[0160] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0161] 本对比例制备所得太赫兹调制材料因倾斜角度过大，可直接观察到铜/聚乙 烯蜡复合粉体富集于倾斜一端底部，经测试其调制幅度梯度差小于0.1，不具备 实用性。

[0162] 对比例3

[0163] 本对比例一种具有梯度调制幅度的太赫兹调制材料的制备方法，按重量份数 计包括以下步骤：

[0164] (1)将市售铜箔粉碎至规格为2cm×2cm的单片铜箔，然后将单片铜箔加 入高速粉碎机中进行碾磨，控制高速粉碎机温度为10℃，转速为300转/分，循 环粉碎3次，即得铜微
纳粉体；

[0165] (2)将100份铜微纳粉体和20份的聚乙烯蜡粉体混合密炼处理，密炼得铜 /聚乙烯蜡复合材料；其中，密炼处理的工艺参数为：密炼时间5分钟，转速30 转/分，密炼温度130
℃；

[0166] (3)将步骤(2)所得铜/聚乙烯蜡复合材料经粉碎处理得到铜/聚乙烯蜡复 合粉体；其中，粉碎处理为通过高速粉碎机粉碎处理，高速粉碎机粉碎处理的工 艺参数为：温度
5℃，转速300转/分，循环碾磨5次；

[0167] (4)将步骤(3)所得铜/聚乙烯蜡复合粉体与LDPE超细粉体以质量比为1： 1.5的比例充分混合均匀，加入至模具中，模具于相较水平面倾斜角度为3°的放 置条件下平板硫化
压板法成型，且成型的倾斜长度为10cm，厚度为1mm，即得 具有梯度调制幅度的太赫兹调制
材料；其中，平板硫化压板法的工艺参数为：热 压温度160℃，热压压力10MPa，热压时间20
分钟，冷压压力10MPa，冷压时 间10分钟。

[0168] 最终制备所得的太赫兹调制材料为规格100×100×1(mm)的长方形板材。

[0169] 本对比例制备所得太赫兹调制材料因热压时间过长，可直接观察到铜/聚乙 烯蜡复合粉体富集于倾斜一端底部，经测试其调制幅度梯度差小于0.1，不具备 实用性。