一种卷对卷铜箔微蚀方法转让专利
申请号 : CN202110461731.6
文献号 : CN113316322B
文献日 : 2022-05-06
发明人 : 谢安 , 孙东亚 , 李月婵 , 曹春燕 , 卢向军 , 杨亮
申请人 : 厦门理工学院
摘要 :
权利要求 :
1.一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:提供一卷对卷生产装置,卷带包括依次相连接的第一牵引带(L1)、电路板带(L2),以及第二牵引带(L3);
S2:驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)进行整孔、黑影和定影,并对定影之后的第一牵引带(L1)和第二牵引带(L3)进行抛光;
S3:驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)经过第一微蚀槽(8),同时对电路板带(L2)以频率f1进行超声波震动;
S4:驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)经过第二微蚀槽(10),同时对电路板带(L2)以频率f2进行超声波震动;
S5:驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)经过冲洗槽(12),以对所述电路板带(L2)进行冲洗;
S6:驱动所述卷带向前活动,对所述电路板带(L2)进行吹烘;
S7:驱动所述卷带向前活动,通过检测机构(14)对所述电路板带(L2)的铜箔进行干膜结合力测试;
S8:若铜箔的干膜结合力测试合格,继续驱动所述卷带向前活动,让所述电路板带(L2)分别进行酸洗、电镀和抗氧化处理。
2.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,在上述步骤S8中,若铜箔的干膜结合力测试不合格,逆向驱动卷带活动,让所述电路板带(L2)再次进行经过所述第一微蚀槽(8)和所述第二微蚀槽(10)。
3.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,f2大于f1。
4.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,f1为35~40kHz,f2为
40~45kHz。
5.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,在步骤S5中,通过设置多个冲洗器对所述电路板带(L2)进行冲洗。
6.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,在步骤S6中,通过第二吹烘组件(13)对所述电路板带(L2)进行吹烘,所述第二吹烘组件(13)可活动的支撑于所述电路板带(L2)的上方和/或下方,所述第二吹烘组件(13)设置有多个对着所述电路板带(L2)的风孔(131)。
7.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,所述检测机构(14)包括能够伸缩的检测组件(141),以及对应所述检测组件(141)且贴近所述电路板带(L2)上下表面的支撑组件(142)。
8.根据权利要求1所述的一种卷对卷铜箔微蚀方法,其特征在于,在步骤S7中,检测机构(14)还包括粗糙度检测组件(141),该粗糙度检测组件(141)用以对所述电路板带(L2)的铜箔进行粗糙度测试。
说明书 :
一种卷对卷铜箔微蚀方法
技术领域
背景技术
产率低,而且产品质量的稳定性较难保证。
应用到柔性电路板的生产中。如:对钻孔侧壁进行微蚀,以便剥离铜壁上的石墨层。但是,在
采用卷对卷的生产工艺过程中,微蚀后容易会有一部分石墨颗粒吸附到铜箔壁上,而这些
石墨颗粒会随着卷对卷的生产工艺被带入后续电镀等工艺中,极大影响了柔性电路板的卷
对卷生产。有鉴于此,发明人在研究了现有的技术后特提出本申请。
发明内容
多个对着所述电路板带的风孔。
箔表面,此外还可以保证铜箔和干膜的结合力。具体的,电路板带在经过第一微蚀槽和第二
微蚀槽时,通过铜箔和微蚀剂的反应让铜箔表面的石墨层可以有效剥离,同时通过超声波
震动,可以有效防止剥离后的石墨颗粒再次附着在铜箔表面。且这之后,电路板带再经过冲
洗槽的冲洗,以及吹烘工艺,可以进一步保证石墨颗粒不会附着在铜箔表面。最后,电路板
带还经过检测机构,检测铜箔和干膜的结合力,以保证后续工艺中电路板带和干膜的结合
力满足要求。
烘干和检测铜箔和干膜的结合力。这样可以有效保证铜箔和干膜的结合力。
附图说明
是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根
据这些附图获得其他相关的附图。
10‑第二微蚀槽;11‑第二超声波组件;12‑冲洗槽;13‑第二吹烘组件;131‑风孔;14‑检测机
构;141‑检测组件;142‑支撑组件1;15‑酸洗槽;16‑第二水洗槽;17‑电镀槽;18‑第三水洗
槽;19‑抗氧化槽;20‑第四水洗槽;21‑第三吹烘组件;22‑第一铜箔层;23‑复合层;24‑第二
铜箔层;L1‑第一牵引带;L2‑电路板带;L3‑第二牵引带。
具体实施方式
施方式是本发明一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式,本领
域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本发明
保护的范围。因此,以下对在附图中提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要
求保护的本发明的范围,而是仅仅表示本发明的选定实施方式。基于本发明中的实施方式,
本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本
发明保护的范围。
针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于
描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特
定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,
除非另有明确具体的限定。
接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内
部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情
况理解上述术语在本发明中的具体含义。
们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特
征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在
第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示
第一特征水平高度小于第二特征。
引带L1、电路板带L2,以及第二牵引带L3。如图所示,电路板带L2包括包括位于上表面的第
一铜箔层22、位于下表面的第二铜箔层24,以及用以连接第一铜箔层22和第二铜箔层24的
复合层23。其中,图1中,虚线的卷带表示第一牵引带L1和第二牵引带L3,实现的卷带表示电
路板带L2。此外,电路板带L2钻有在上下方向贯穿电路板带L2的钻孔,电路板带L2的结构属
于本领域现有技术,在此不再赘述。需要说明的是,卷对卷生产装置包括多个用以传送卷带
的滚轮,这些滚轮上下错开布置,不仅把卷带引导需要的位置,同时可以拉紧卷带,保证卷
带的张紧力。
层22、复合层23,以及第二铜箔层24均形成有石墨层Q1。需要说明的是,整孔、黑影和定影工
艺属于本领域现有技术在此不再赘述。
实施例中,f1可以取35~40kHz。在这个步骤过程中,微蚀剂和铜箔发生化学反应,让铜箔上
的石墨层开始剥离,同时第一超声波组件9一方面可以加速石墨层的剥离,同时可以防止剥
离后的石墨颗粒再次附着在铜箔上。
另一实施例中,f1可以取40~45kHz。在这个步骤过程中,微蚀剂和铜箔继续发生化学反应,
让铜箔上的石墨层进一步剥离,同时第二超声波组件11可以防止剥离后的石墨颗粒再次附
着在铜箔上。需要需要的是,在本实施例中,f2大于f1,f1可以防止较大颗粒的石墨颗粒附
着在铜箔上,f2可以防止较小颗粒的石墨颗粒附着在铜箔上。由图6所示,图中,石墨层Q2即
为经过步骤S3和S4微蚀后,石墨层的结构示意图。
电路板带L2进行冲洗,可以进一步防止石墨可盈利吸附在铜箔上。此外,冲洗器属于现有技
术,在此不再赘述。
测组件141,以及贴近电路板带L2上下表面的支撑组件142。其中,检测组件141其头部附有
干膜和拉力检测部件,支撑组件142则贴近于电路板带L2的上下表面,保证在在检测过程中
电路板带L2不会发生破坏。
述。由图7所示,图中为在孔壁上镀上镀铜层Q3的结构示意图,该镀铜层Q3可以起到电连接
第一铜箔层22和第二铜箔层24的作用。
止剥离后的石墨颗粒再次附着在铜箔表面。且这之后,电路板带L2再经过冲洗槽12的冲洗,
以及吹烘工艺,可以进一步保证石墨颗粒不会附着在铜箔表面。最后,电路板带L2还经过检
测机构14,检测铜箔和干膜的结合力,以保证后续工艺中电路板带L2和干膜的结合力满足
要求。
第二吹烘组件13用来在步骤S6中,对电路板带L2进行吹烘。需要说明的是,第二吹烘组件13
可活动的支撑于电路板带L2的上方,且第二吹烘组件13设置有多个对着电路板带L2的风孔
131。这些风孔131可以产生强力吹向电路板带L2的风,且随着第二吹烘组件13的移动,可以
进一步防止石墨颗粒附着于铜箔上。
对第一牵引带L1和第二牵引带L3表面进行抛光,其中抛光机构5包括第一抛光机51和第二
抛光机52,第一抛光机51先对第一牵引带L1和第二牵引带L3进行粗抛,第二抛光机52则对
第一牵引带L1和第二牵引带L3的表面进行进一步地抛光,保证去除其表面的石墨层。
引带L3,可以保证其具有良好的耐磨性,不会因为长期的抛光导致其快速的磨损,延长其使
用寿命。此外,布轮式的抛光装置,可以保证抛光机构5可以恰当好处的对第一牵引带L1和
第二牵引带L3进行抛光。当然在另一实施例中,第一牵引带L1和第二牵引带L3可以改成其
他具有耐磨性质的材质,在此不再赘述。
程中,第一牵引带L1和第二牵引带L3上的石墨颗粒不会被带入其他工艺中。
以对电路板带L2的铜箔进行粗糙度测试。当电路板带L2的粗糙度低于预设值时,也会驱动
卷带逆向活动,让电路板带L2再次进行经过第一微蚀槽8和第二微蚀槽10。
墨颗粒附着在铜箔表面,此外还可以保证铜箔和干膜的结合力。
修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。