对准标记数获取方法和装置

摘要

本申请提供一种对准标记数获取方法和装置，该方法包括：获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；当晶圆位于曝光平台时定义晶圆为第一晶圆，第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台时定义晶圆为第二晶圆，第二晶圆具有对准标记数；当第一时间小于第二时间时，获取第二时间和第一时间之间的第一时间差；当第一时间差大于预设值时，根据第一晶圆的曝光参数和对应关系确定第二晶圆的目标对准标记数，其中对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系，对应关系用于使得第一时间差小于或等于预设值；输出目标对准标记数。本申请可以提高曝光机的光刻曝光效率，提高半导体制品的制作效率。

权利要求

1.一种对准标记数获取方法，其特征在于，包括：获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；其中，所述曝光机包括对准平台和曝光平台，当晶圆位于曝光平台时定义所述晶圆为所述第一晶圆，所述第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台时定义所述晶圆为所述第二晶圆，所述第二晶圆具有对准标记数；同一晶圆依次经过对准平台和曝光平台以完成曝光工艺；

当所述第一时间小于所述第二时间时，获取所述第二时间和所述第一时间之间的第一时间差；

当所述第一时间差大于预设值时，根据所述第一晶圆的曝光参数和对应关系确定所述第二晶圆的目标对准标记数，其中所述对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系，所述对应关系用于使得所述第一时间差小于或等于所述预设值；

输出所述目标对准标记数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：当历史第一时间差小于或等于所述预设值时，获取与所述历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数；其中，所述历史第一时间差是历史第一时间和历史第二时间之间的差值，所述历史第一时间为所述曝光机在进行所述第一晶圆的历史曝光时的时间，所述历史第二时间为所述曝光机在进行所述第二晶圆的历史对准时的时间；

根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆曝光参数包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对应关系包括第一对应关系和第二对应关系，所述根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系包括：

根据多个所述第一晶圆曝光能量和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述第一对应关系；

根据多个所述第一晶圆曝光区域数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述第二对应关系。

5.根据权利要求1‑4任一项所述的方法，其特征在于，还包括：当所述第一时间大于或等于所述第二时间时，输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

6.根据权利要求1‑4任一项所述的方法，其特征在于，还包括：当所述第一时间差小于或等于所述预设值时，输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

7.一种对准标记数获取装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；其中，所述曝光机包括对准平台和曝光平台，当晶圆位于曝光平台时定义所述晶圆为所述第一晶圆，所述第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台时定义所述晶圆为所述第二晶圆，所述第二晶圆具有对准标记数；同一晶圆依次经过对准平台和曝光平台以完成曝光工艺；

所述获取模块还用于当所述第一时间小于所述第二时间时，获取所述第二时间和所述第一时间之间的第一时间差；

处理模块，用于当所述第一时间差大于预设值时，根据所述第一晶圆的曝光参数和对应关系确定所述第二晶圆的目标对准标记数，其中所述对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系，所述对应关系用于使得所述第一时间差小于或等于所述预设值；

输出模块，用于输出所述目标对准标记数。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述获取模块还用于：当历史第一时间差小于或等于所述预设值时，获取与所述历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数；其中，所述历史第一时间差是历史第一时间和历史第二时间之间的差值，所述历史第一时间为所述曝光机在进行所述第一晶圆的历史曝光时的时间，所述历史第二时间为所述曝光机在进行所述第二晶圆的历史对准时的时间；

根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一晶圆曝光参数包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述对应关系包括第一对应关系和第二对应关系，所述获取模块具体用于：根据多个所述第一晶圆曝光能量和所述第二晶圆的多个所述对准标记数获取所述第一对应关系；

根据多个所述第一晶圆曝光区域数和所述第二晶圆的多个所述对准标记数获取所述第二对应关系。

11.根据权利要求7‑10任一项所述的装置，其特征在于，所述输出模块还用于：当所述第一时间大于或等于所述第二时间时，输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

12.根据权利要求7‑10任一项所述的装置，其特征在于，所述输出模块还用于：当所述第一时间差小于或等于所述预设值时，输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

13.一种终端设备，其特征在于，包括存储器，处理器和收发器，所述存储器用于存储指令，所述收发器用于和其他设备通信，所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以使所述终端设备执行如权利要求1‑6任一项所述的对准标记数获取方法。

14.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当所述指令被执行时，使得计算机执行如权利要求1‑6任一项所述的对准标记数获取方法。

15.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1‑6任一项所述的对准标记数获取方法。

说明书

对准标记数获取方法和装置

技术领域

[0001] 本申请涉及半导体光刻曝光技术，尤其涉及一种对准标记数获取方法和装置。

背景技术

[0002] 曝光机是指通过开启灯光发出紫外线，将胶片和其他透体上的图像信息转移到涂有感光物质的表面上的设备。在对半导体进行光刻曝光制作产品时，先在基板上涂覆一层
感光材料(如液态感光胶、光敏抗蚀干膜等)，然后对涂覆在基材上的光敏性物质进行光辐
射，使其溶解性发生变化，在显影液作用下，未感光部分的感光材料溶解，感光部分的感光
材料留在基材上形成图像。

[0003] 在对半导体进行光刻曝光时，曝光机上设置有对准平台和曝光平台，一个晶圆的光刻曝光要依次完成对准过程和曝光过程。在曝光机的实际使用中，一般需要连续对多个
晶圆进行光刻曝光，即基于曝光平台对一个晶圆进行曝光过程，同时基于对准平台对另一
个晶圆进行对准过程。如果在完成对一个晶圆的曝光过程时，另一个晶圆还未完成对准过
程，则需要等对准过程完成后才能进行曝光；这部分等待时间就会降低曝光机的光刻曝光
效率。即，缩短该一个晶圆的曝光时间和该下一个晶圆的对准时间之间的差值，可以有效得
提高曝光机的光刻曝光效率，从而提高半导体制品的制作效率。

[0004] 而晶圆在进行对准时的对准时间又与晶圆的对准标记数有关，对准标记数越多则对准时间越长，因此，如何确定合适的对准标记数，以提高曝光机的光刻曝光效率，提高半
导体制品的制作效率，仍然是需要考虑的问题。

发明内容

[0005] 本申请提供一种对准标记数获取方法和装置，用以提高半导体制品的制作效率。

[0006] 一方面，本申请提供一种对准标记数获取方法，包括：

[0007] 获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；其中，所述曝光机包括对准平台和曝光平台，当晶圆位于曝光平台时定
义所述晶圆为所述第一晶圆，所述第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台时定义所
述晶圆为所述第二晶圆，所述第二晶圆具有对准标记数；同一晶圆依次经过对准平台和曝
光平台以完成曝光工艺；

[0008] 当所述第一时间小于所述第二时间时，获取所述第二时间和所述第一时间之间的第一时间差；

[0009] 当所述第一时间差大于预设值时，根据所述第一晶圆的曝光参数和对应关系确定所述第二晶圆的目标对准标记数，其中所述对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关
系，所述对应关系用于使得所述第一时间差小于或等于所述预设值；

[0010] 输出所述目标对准标记数。

[0011] 其中一个实施例中，还包括：

[0012] 当历史第一时间差小于或等于所述预设值时，获取与所述历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数；其中，所述历史第一时间差是历史第一时间和
历史第二时间之间的差值，所述历史第一时间为所述曝光机在进行所述第一晶圆的历史曝
光时的时间，所述历史第二时间为所述曝光机在进行所述第二晶圆的历史对准时的时间；

[0013] 根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系。

[0014] 其中一个实施例中，所述第一晶圆曝光参数包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数。

[0015] 其中一个实施例中，所述对应关系包括第一对应关系和第二对应关系，所述根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系包括：

[0016] 根据多个所述第一晶圆曝光能量和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述第一对应关系；

[0017] 根据多个所述第一晶圆曝光区域数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述第二对应关系。

[0018] 其中一个实施例中，还包括：

[0019] 当所述第一时间大于或等于所述第二时间时，输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

[0020] 其中一个实施例中，还包括：

[0021] 当所述第一时间差小于或等于所述预设值时，输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

[0022] 另一方面，本申请提供一种对准标记数获取装置，包括：

[0023] 获取模块，用于获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；其中，所述曝光机包括对准平台和曝光平台，当晶圆位
于曝光平台时定义所述晶圆为所述第一晶圆，所述第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对
准平台时定义所述晶圆为所述第二晶圆，所述第二晶圆具有对准标记数；同一晶圆依次经
过对准平台和曝光平台以完成曝光工艺；

[0024] 所述获取模块还用于当所述第一时间小于所述第二时间时，获取所述第二时间和所述第一时间之间的第一时间差；

[0025] 处理模块，用于当所述第一时间差大于预设值时，根据所述第一晶圆的曝光参数和对应关系确定所述第二晶圆的目标对准标记数，其中所述对应关系是曝光参数和对准标
记数之间的关系，所述对应关系用于使得所述第一时间差小于或等于所述预设值；

[0026] 输出模块，用于输出所述目标对准标记数。

[0027] 其中一个实施例中，所述获取模块还用于：

[0028] 当历史第一时间差小于或等于所述预设值时，获取与所述历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数；其中，所述历史第一时间差是历史第一时间和
历史第二时间之间的差值，所述历史第一时间为所述曝光机在进行所述第一晶圆的历史曝
光时的时间，所述历史第二时间为所述曝光机在进行所述第二晶圆的历史对准时的时间；

[0029] 根据多个所述第一晶圆曝光参数和多个所述第二晶圆对准标记数获取所述对应关系。

[0030] 其中一个实施例中，所述第一晶圆曝光参数包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数。

[0031] 其中一个实施例中，所述对应关系包括第一对应关系和第二对应关系，所述获取模块具体用于：

[0032] 根据多个所述第一晶圆曝光能量和所述第二晶圆的多个所述对准标记数获取所述第一对应关系；

[0033] 根据多个所述第一晶圆曝光区域数和所述第二晶圆的多个所述对准标记数获取所述第二对应关系。

[0034] 其中一个实施例中，所述输出模块还用于：

[0035] 当所述第一时间大于或等于所述第二时间时，输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

[0036] 其中一个实施例中，所述输出模块还用于：

[0037] 当所述第一时间差小于或等于所述预设值时，输出所述第二晶圆的对准标记数为所述第二晶圆的目标对准标记数。

[0038] 另一方面，本申请提供一种终端设备，包括存储器，处理器和收发器，所述存储器用于存储指令，所述收发器用于和其他设备通信，所述处理器用于执行所述存储器中存储
的指令，以使所述终端设备执行如第一方面所述的对准标记数获取方法。

[0039] 另一方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当所述指令被执行时，使得计算机执行如第一方面所述
的对准标记数获取方法。

[0040] 另一方面，本申请提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如第一方面所述的对准标记数获取方法。

[0041] 本申请提供的该对准标记数获取方法中，该终端设备接收该曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间、该曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间和该第一晶圆的曝光参
数。当该第二时间和该第一时间之间的第一时间差小于预设值时，该终端设备根据该第一
晶圆的曝光参数和该对应关系确定并输出该第二晶圆的目标对准标记数。根据该目标对准
标记数设定该第二晶圆在进行对准时的对准标记数可以将该第一时间和该第二时间之间
的时间差控制在小于或等于该预设值，从而提高曝光机光刻曝光的效率，进而提高半导体
制品的制作效率。

附图说明

[0042] 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

[0043] 图1为本申请提供的对准标记数获取方法的一种应用场景示意图。

[0044] 图2为本申请实施例一提供的对准标记数获取方法的流程示意图。

[0045] 图3为本申请实施例二提供的对准标记数获取方法的流程示意图。

[0046] 图4为本申请的实施例二提供的第一对应关系的示意图。

[0047] 图5为本申请的实施例二提供的第二对应关系的示意图。

[0048] 图6为本申请实施例三提供的对准标记数获取装置的示意图。

[0049] 图7为本申请的一个实施例提供的计算机设备的示意图。

[0050] 通过上述附图，已示出本公开明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为
本领域技术人员说明本公开的概念。

具体实施方式

[0051] 这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例
中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附
权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

[0052] 曝光机是指通过开启灯光发出紫外线，将胶片和其他透体上的图像信息转移到涂有感光物质的表面上的设备，曝光机上设置有对准平台和曝光平台，在曝光机对半导体进
行光刻曝光制作产品时，一个晶圆的光刻曝光要依次完成对准过程和曝光过程。在曝光机
的实际使用中，一般需要连续对多个晶圆进行光刻曝光，即在一个晶圆已经完成对准过程
进入曝光过程后，此时需要基于对准平台对另一个晶圆进行对准。如果在完成对一个晶圆
的曝光时，下一个要进行曝光的晶圆还没有完成对准，则需要等待较长的时间才可以进行
该下一个晶圆的曝光，这就会降低曝光机的光刻曝光效率。晶圆在进行对准时的对准时间
与晶圆的对准标记数有关，对准标记数越多则对准时间越长，因此，如果可以确定合适的对
准标记数，就可以很大程度上缩短晶圆光刻曝光过程中的等待时间，从而提高曝光机的光
刻曝光效率，提高半导体制品的制作效率。

[0053] 基于此，本申请提供一种对准标记数获取方法和装置，该对准标记数获取方法获取了处于曝光平台的晶圆的曝光时间，还获取了处于对准平台的晶圆的对准时间，并计算
对准时间和曝光时间之间的时间差，如果时间差超过预设值，则基于对应关系确定出处于
对准平台的晶圆的最佳对准标记数(目标对准标记数)。其中该对应关系是曝光参数和对准
标记数之间的关系，该对应关系用于使得该时间差小于或等于该预设值，因此基于该对应
关系确定的该目标对准标记数可以使得该时间差小于或等于该预设值。将处于对准平台的
晶圆的对准标记数设置为该目标对准标记数可以将该时间差控制在小于或等于该预设值，
从而达到提高曝光机的光刻曝光效率和提高半导体制品的制作效率的效果。

[0054] 请参见图1，本申请提供的该对准标记数获取方法应用于终端设备，该终端设备例如实验室专用的服务器、个人电脑等。图1为本申请提供的对准标记数获取方法的应用示意
图，图中，该终端设备中存储有曝光参数和对准标记数之间的对应关系，该终端设备还接收
该曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间、该曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间
和该第一晶圆的曝光参数。当该第二时间和该第一时间之间的时间差小于预设值时，该终
端设备根据该第一晶圆的曝光参数和该对应关系确定并输出该第二晶圆的目标对准标记
数。根据该目标对准标记数设定该第二晶圆在进行对准时的对准标记数可以将该第一时间
和该第二时间之间的时间差控制在小于或等于该预设值，从而提高曝光机光刻曝光的效
率。

[0055] 请参见图2，本申请实施例一提供一种对准标记数获取方法，包括：

[0056] S201，获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的时间，其中，该曝光机包括对准平台和曝光平台，当晶圆位于曝光平台时定
义该晶圆为该第一晶圆，该第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台时定义该晶圆为
该第二晶圆，该第二晶圆具有对准标记数；同一晶圆依次经过对准平台和曝光平台以完成
曝光工艺。

[0057] 请参考以上关于曝光机进行光刻曝光过程的描述，该第一晶圆已经完成了对准过程进入了曝光过程，该第二晶圆此时处于对准过程中。该第一时间和该第二时间可以由工
作人员记录后输入至该终端设备。该第一时间和该第二时间的单位可以为秒(second，简称
s)。

[0058] 该第一晶圆的曝光参数例如为该曝光机在进行第一晶圆曝光时的曝光能量、该第一晶圆上的曝光区域数(该第一晶圆上的shot counts)。

[0059] S202，当该第一时间小于该第二时间时，获取该第二时间和该第一时间之间的第一时间差。

[0060] 当该第一时间小于该第二时间时，说明在该曝光机完成该第一晶圆的曝光时，该第二晶圆还没有完成对准，此时就需要等待该第二晶圆完成对准才可以执行对该第二晶圆
的曝光。该第一时间和该第二时间可以理解为时刻，该第一时间差可以理解为该第二晶圆
的对准结束时刻和该第一晶圆的曝光结束时刻之间的差值，即该第一时间差为结束该第一
晶圆的曝光时，需要等待该第二晶圆完成对准的时长。

[0061] 该第一时间差的单位与该第一时间和该第二时间的单位保持一致，例如该第一时间和第二时间的单位为s，则该第一时间差的单位也为s。

[0062] S203，当该第一时间差大于预设值时，根据该第一晶圆的曝光参数和对应关系确定该第二晶圆的目标对准标记数，其中该对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系，
该对应关系用于使得该第一时间差小于或等于该预设值。

[0063] 为了提高曝光机进行光刻曝光的效率，该预设值可以设置为大于0但无限接近于0的数字，例如，该预设值可以为0.17，或0.03，该预设值也可以设置为0。

[0064] 该对应关系是该第一晶圆的曝光参数和该第二晶圆的对准标记数之间的关系，准确的说，该对应关系是该第一晶圆的曝光参数包含的每个参数与该对准标记数之间的关
系。如上描述的，该第一晶圆的曝光参数例如该曝光机在进行第一晶圆曝光时的曝光能量、
该第一晶圆上的曝光区域数，则该对应关系包括该曝光能量和该对准标记数之间的关系，
还包括该曝光区域数和该对准标记数之间的关系。

[0065] 该对应关系是基于该第一晶圆的曝光过程和该第二晶圆的对准过程几乎基于同一时间结束而设立的关系，即该对应关系是基于该第二晶圆的对准时间与该第一晶圆的曝
光时间之间的差值小于或等于该预设值而设立的关系。因此，根据该第一晶圆的曝光参数
和该对应关系确定该第二晶圆的目标对准标记数之后，该第二晶圆基于该目标对准标记数
进行对准的时间无限接近于该第一晶圆进行曝光的时间，即该第一时间差小于或等于该预
设值。此时完成该第一晶圆的曝光过程后便可以不用等待太长的时间，可以直接进行该第
二晶圆的曝光。

[0066] S204，输出该目标对准标记数。

[0067] 该终端设备可以显示该目标对准标记数，以供工作人员进行该第二晶圆的对准过程的设置。该终端设备还可以将该目标对准标记数发送至工作人员的手机、个人电脑、平板
电脑等终端设备上。

[0068] 可选的，当该第一时间大于或等于该第二时间时，输出该第二晶圆的对准标记数为该第二晶圆的目标对准标记数。或者，当该第一时间差小于或等于该预设值时，输出该第
二晶圆的对准标记数为该第二晶圆的目标对准标记数。因为无论是该第一时间大于或等于
该第二时间的情况，还是该第一时间差小于或等于该预设值的情况，都符合针对该曝光机
的光刻曝光效率的要求，因此可以直接输出此时该第二晶圆的对准标记数为该第二晶圆的
目标对准标记数。

[0069] 本实施例提供的该对准标记数获取方法中，该终端设备接收该曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间、该曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间和该第一晶圆的曝光
参数。当该第二时间和该第一时间之间的第一时间差大于预设值时，该终端设备根据该第
一晶圆的曝光参数和该对应关系确定并输出该第二晶圆的目标对准标记数。根据该目标对
准标记数设定该第二晶圆在进行对准时的对准标记数之后，可以将该第一时间和该第二时
间之间的时间差控制在小于或等于该预设值，从而提高曝光机光刻曝光的效率，进而提高
半导体制品的制作效率。

[0070] 请参见图3，本申请实施例二提供的该对准标记数获取方法在实施例一的基础上对该对应关系的获取进行进一步的描述，在本实施例中，该对准标记数获取方法包括：

[0071] S301，当历史第一时间差小于或等于该预设值时，获取与该历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数；其中，该历史第一时间差是历史第一时间和
历史第二时间之间的差值，该历史第一时间为该曝光机在进行该第一晶圆的历史曝光时的
时间，该历史第二时间为该曝光机在进行该第二晶圆的历史对准时的时间。

[0072] 该历史曝光指的是该曝光机在之前某一次进行的该第一晶圆的曝光，该历史第一时间指的是该曝光机在该之前某一次进行该第一晶圆的曝光时的曝光时间。同样的，该历
史对准指的是该曝光机在该之前某一次进行的该第二晶圆的对准，该历史第二时间指的是
该曝光机在该之前某一次进行该第二晶圆的对准时的对准时间。即，本步骤中所提及的该
历史第一时间差、该历史第一时间和该历史第二时间均是该曝光机在该之前某一次进行该
第一晶圆和该第二晶圆光刻曝光时的时间参数，该历史第一时间差、该历史第一时间和该
历史第二时间之间是相对应存在的。

[0073] 在确定该历史第一时间差小于或等于该预设值后，获取该第一晶圆曝光参数和该第二晶圆对准标记数，该第一晶圆曝光参数指的是与该历史第一时间差对应的该第一晶圆
的曝光参数，该第二晶圆对准标记数指的是与该历史第一时间差对应的该第二晶圆的对准
标记数。

[0074] S302，根据多个该第一晶圆曝光参数和多个该第二晶圆对准标记数获取该对应关系。

[0075] 该第一晶圆曝光参数和该第二晶圆对准标记数指的是该历史第一时间差小于或等于该预设值时获取的该第一晶圆的曝光参数和该第二晶圆的对准标记数。

[0076] 可选的，该第一晶圆曝光参数包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数，该对应关系包括第一对应关系和第二对应关系。该第一对应关系指的是该第一晶圆曝光能量
与该第二晶圆对准标记数之间的关系，该第二对应关系指的是该第一晶圆曝光区域数与该
第二晶圆对准标记数之间的关系。

[0077] 在获取该第一对应关系时，该终端设备根据多个该第一晶圆曝光能量和多个该第二晶圆对准标记数获取该第一对应关系。

[0078] 以机型为KRF的曝光机为例，该KRF曝光机在晶圆曝光时的极限曝光能量为 50mj/2
cm。当设定该预设值为0.18～0.2范围时，获取到该KRF曝光机的历史第一时间差小于或等
于该预设值时的多个该第一晶圆曝光能量。如下表1所示，当该历史第一时间差 (buffer 
2
time)为0.18s时，获取到的该第一晶圆曝光能量(DOSE)为24mj/cm 、获取到的该第二晶圆
对准标记数(mark counts)为16.9。当该历史第一时间差为0.17s时，获取到的该第一晶圆
2
曝光能量为36mj/cm ，获取到的该第二晶圆对准标记数为17。依次类推，表1中共获取了7组
数据作为获取该第一对应关系的依据，该7组数据中，获取到的多个该第一晶圆曝光能量包
2 2 2 2 2 2 2
括24mj/cm 、36mj/cm、45mj/cm 、50mj/cm、55mj/cm、60mj/cm 和65mj/cm ，对应的，获取到
的多个该第二晶圆对准标记数包括16.9、17、17.1、17.1、 18.6、22.2和28.2。

[0079] 表1：

[0080]

[0081] 根据表1中的数据对该第一晶圆曝光能量和该第二晶圆对准标记数之间的关系进行模拟，最终得到的该第一对应关系的示意图如图4所示。

[0082] 该第一对应关系即为：

[0083] 当该第一晶圆曝光能量小于或等于50mj/cm2(DOSE<50mj/cm2)时，该第一晶圆曝光能量的增大对该第二晶圆对准标记数(mark counts)几乎没有影响。当该第一晶圆曝光能
2
量大于50mj/cm 时，DOSE和mark counts呈现y＝0.048X2‑4.8X+120+Z的关系。其中，x代表
所述第一晶圆曝光能量，y代表所述第二晶圆对准标记数，Z代表常数。

[0084] 在获取该第二对应关系时，该终端设备根据多个该第一晶圆曝光区域数和多个该第二晶圆对准标记数获取该第二对应关系。

[0085] 以机型为KRF的曝光机为例，该KRF曝光机在晶圆曝光时的极限曝光能量为 50mj/2 2
cm。此时将该第一晶圆曝光能量的最大值设定为50mj/cm ，获取当历史第一时间差小于或
等于该预设值时的该第二晶圆对准标记数。如下表2所示，共获取了6组数据作为获取该第
二对应关系的依据，该6组数据中，获取到的多个该第一晶圆曝光区域数(shot count)包括
101、106、108、113、121和130，对应的，获取到的该第二晶圆对准标记数 (mark counts)包
括14、17、18.5、22、28和34。

[0086] 表2：

[0087]shot count 101 106 108 113 121 130
Mark counts 14 17 18.5 22 28 34

[0088] 根据表2中的数据对该第一晶圆曝光区域数和该第二晶圆对准标记数之间的关系进行模拟，最终得到的该第二对应关系的示意图如图5所示。

[0089] 该第二对应关系即为Y＝0.7012X‑57.099，其中X代表该第一晶圆曝光区域数，Y代表该第二晶圆对准标记数。

[0090] S303，获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；其中，该曝光机包括对准平台和曝光平台，当晶圆位于曝光平台
时定义该晶圆为该第一晶圆，该第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台时定义该晶
圆为该第二晶圆，该第二晶圆具有对准标记数；同一晶圆依次经过对准平台和曝光平台以
完成曝光工艺。

[0091] S304，当该第一时间小于该第二时间时，获取该第二时间和该第一时间之间的第一时间差。

[0092] S305，当该第一时间差大于预设值时，根据该第一晶圆的曝光参数和对应关系确定该第二晶圆的目标对准标记数，其中该对应关系是曝光参数和对准标记数之间的关系，
该对应关系用于使得该第一时间差小于或等于该预设值。

[0093] S306，输出该目标对准标记数。

[0094] 关于步骤S303～步骤S306的相关描述可以参考实施例一中关于步骤S201～步骤S204 的相关描述，此处不再赘述。

[0095] 步骤S301～步骤S302可以在步骤S303之前执行，也可以在步骤S305之前执行，步骤S301～步骤S302只执行一次，该终端设备在获取到该对应关系后将该对应关系进行存
储，需要使用的时候再调取该对应关系即可。

[0096] 本实施例提供的该对准标记数获取方法在实施例一的基础上描述了如何获取该对应关系，在获取该对应关系时，需要基于该历史第一时间差小于或等于该预设值的情况
下获取大量的第一晶圆曝光参数和大量的第二晶圆对准标记数，再根据大量的该第一晶圆
曝光参数和大量的该第二晶圆对准标记数获取到该对应关系。其中，该第一晶圆曝光参数
包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数，通过该第一晶圆曝光能量和该第二晶圆对
准标记数可以获取到该对应关系中的该第一对应关系，通过该第一晶圆曝光区域数和该第
二晶圆对准标记数可以获取到该对应关系中的该第二对应关系。

[0097] 经过实验验证，无论是根据该第一对应关系还是该第二对应关系确定该目标对准标记数，得到的结果都是一致的，因此在步骤S305中，可以根据该第一对应关系和/或该第
二对应关系确定该第二晶圆的目标对准标记数。

[0098] 请参见图6，本申请实施例三提供一种对准标记数获取装置10，该对准标记获取装置 10包括：

[0099] 获取模块11，用于获取曝光机在进行第一晶圆曝光时的第一时间，以及获取曝光机在进行第二晶圆对准时的第二时间；其中，该曝光机包括对准平台和曝光平台，当晶圆位
于曝光平台时定义该晶圆为该第一晶圆，该第一晶圆具有曝光参数，当晶圆位于对准平台
时定义该晶圆为该第二晶圆，该第二晶圆具有对准标记数；同一晶圆依次经过对准平台和
曝光平台以完成曝光工艺。

[0100] 该获取模块11还用于当该第一时间小于该第二时间时，获取该第二时间和该第一时间之间的第一时间差。

[0101] 处理模块12，用于当该第一时间差大于预设值时，根据该第一晶圆的曝光参数和对应关系确定该第二晶圆的目标对准标记数，其中该对应关系是曝光参数和对准标记数之
间的关系，该对应关系用于使得该第一时间差小于或等于该预设值。

[0102] 输出模块13，用于输出该目标对准标记数。

[0103] 该获取模块11还用于当历史第一时间差小于或等于该预设值时，获取与该历史第一时间差对应的第一晶圆曝光参数和第二晶圆对准标记数；其中，该历史第一时间差是历
史第一时间和历史第二时间之间的差值，该历史第一时间为该曝光机在进行该第一晶圆的
历史曝光时的时间，该历史第二时间为该曝光机在进行该第二晶圆的历史对准时的时间；
根据多个该第一晶圆曝光参数和多个该第二晶圆对准标记数获取该对应关系。

[0104] 该第一晶圆曝光参数包括第一晶圆曝光能量和第一晶圆曝光区域数，该对应关系包括第一对应关系和第二对应关系，该获取模块11具体用于：根据多个该第一晶圆曝光能
量和该第二晶圆的多个该对准标记数获取该第一对应关系；根据多个该第一晶圆曝光区域
数和该第二晶圆的多个该对准标记数获取该第二对应关系。

[0105] 该输出模块13还用于当该第一时间大于或等于该第二时间时，输出该第二晶圆的对准标记数为该第二晶圆的目标对准标记数。

[0106] 该输出模块13还用于当该第一时间差小于或等于该预设值时，输出该第二晶圆的对准标记数为该第二晶圆的目标对准标记数。

[0107] 本实施例提供的对准标记数获取装置，可用于执行如上实施例一至实施例二提供的对准标记数获取方法，具体实现方式和技术效果类似，这里不再赘述。

[0108] 请参见图7，本申请实施例四还提供一种终端设备20，包括存储器21，处理器22和收发器23，该存储器21用于存储指令，该收发器23用于和其他设备通信，该处理器22 用于
执行该存储器21中存储的指令，以使该终端设备执行如上实施例一至实施例二提供的对准
标记获取方法，具体实现方式和技术效果类似，这里不再赘述。

[0109] 本申请还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当该指令被执行时，使得计算机执行指令被处理器执行时用于实现如上实施例
一至实施例二提供的该对准标记获取方法，具体实现方式和技术效果类似，这里不再赘述。

[0110] 本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现如上实施例一至实施例二提供的对准标记获取方法，具体实现方式和技术效
果类似，这里不再赘述。

[0111] 需要说明的是，上述计算机可读存储介质可以是只读存储器(Read Only Memory， ROM)、可编程只读存储器(Programmable Read‑Only Memory，PROM)、可擦除可编程只读存
储器(Erasable Programmable Read‑Only Memory，EPROM)、电可擦除可编程只读存储器
(Electrically Erasable Programmable Read‑Only Memory，EEPROM)、磁性随机存取存储
器(Ferromagnetic Random Access Memory，FRAM)、快闪存储器(Flash Memory)、磁表面存
储器、光盘、或只读光盘(Compact Disc Read‑Only Memory，CD‑ROM) 等存储器。也可以是
包括上述存储器之一或任意组合的各种电子设备，如移动电话、计算机、平板设备、个人数
字助理等。

[0112] 需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而
且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有
的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该
要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

[0113] 上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

[0114] 通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下
前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做
出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质
(如 ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，
服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所描述的方法。

[0115] 本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流
程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序
指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产
生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实
现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

[0116] 这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指
令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或
多个方框中指定的功能。

[0117] 这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或
其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一
个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

[0118] 以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技
术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。