用于MOCVD设备反应腔的测量装置

摘要

本发明公开了用于MOCVD设备反应腔的测量装置。该测量装置包括环形底座、活动架杆和测量组件，环形底座包括开口朝上的第一凹槽和开口朝下的第二凹槽，第一凹槽包括上下设置的第一环腔和第二环腔，第二凹槽与MOCVD设备反应腔的环形壁固定；活动架杆的滚轮设在第二环腔内，连接杆设在第一环腔内，刻度杆的两端通过连接杆与滚轮相连；测量组件包括垂直相连的千分表和深度尺，深度尺测杆可沿第一固定组件上下移动且可通过第一固定组件沿刻度杆水平移动，千分表可通过水平固定杆和第二固定组件随深度尺测杆上下移动。该装置将深度尺与千分尺固定于可平面360度自由旋转的活动架杆上，能实现反应腔内任何位置的数据测量并保证测量位置一致性及测量精度。

权利要求

1.一种用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，包括：环形底座，所述环形底座的内周壁和外周壁之间形成有沿所述环形底座周向布置的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽上下布置，且所述第一凹槽开口朝上，所述第二凹槽开口朝下，所述第一凹槽包括上下设置的第一环腔和第二环腔，所述第二环腔内周壁半径小于所述第一环腔内周壁半径，所述第二环腔外周壁半径大于所述第一环腔外周壁半径，所述环形底座上表面上靠近其内周壁和/或外周壁的区域标刻有沿所述环形底座周向分布的刻度，所述环形底座适于通过所述第二凹槽固定在所述MOCVD设备反应腔的环形壁上端，其中，所述第二凹槽的内表面设有弹性垫，所述第二凹槽通过所述弹性垫套设在所述MOCVD设备反应腔的环形壁上端；

活动架杆，所述活动架杆包括刻度杆、连接杆和滚轮，所述滚轮设在所述第二环腔内，所述连接杆设在所述第一环腔内，所述刻度杆的两端通过所述连接杆与所述滚轮相连且可通过所述滚轮沿所述环形底座的周向旋转；

测量组件，所述测量组件包括千分表和深度尺，所述千分表包括千分表表盘和与所述千分表表盘相连的千分表测杆，所述深度尺包括深度尺测杆和设在所述深度尺测杆上的深度显示屏，所述深度尺测杆上设有第一固定组件和第二固定组件，所述第一固定组件与所述刻度杆相连，所述深度尺测杆可沿所述第一固定组件上下移动且可通过所述第一固定组件沿所述刻度杆水平移动，所述千分表通过水平固定杆与所述第二固定组件相连，所述水平固定杆可沿所述第二固定组件水平移动，所述第二固定组件可随所述深度尺测杆上下移动。

2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述第一环腔、所述第二环腔和所述第二凹槽同轴设置；和/或，所述环形底座上表面上靠近其内周壁的区域标刻有沿所述环形底座周向分布的刻度。

3.根据权利要求2所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述第一环腔、所述第二环腔和所述第二凹槽的中心轴与所述环形底座的内周壁和外周壁之间的中心面重合。

4.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述MOCVD设备反应腔包括一个大盘和设在所述大盘上的8个小盘，8个所述小盘沿所述MOCVD设备反应腔的周向均匀分布，所述大盘上沿其周向形成有8个凸起的三角区，所述小盘与所述三角区交替布置，所述环形底座上表面形成的刻度中，0度和180度的刻度分别与相对设置的两个所述小盘的中心位置对应。

5.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述环形底座外周壁上设有固定件，所述固定件与所述MOCVD设备反应腔外周壁可拆卸相连。

6.根据权利要求5所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述MOCVD设备反应腔的外周壁上设有锁具，所述锁具上设有与其配套相连的锁具保护罩，所述环形底座外周壁上设有与所述锁具保护罩匹配相连的金属扣板，所述金属扣板通过铰链与所述环形底座外周壁相连。

7.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述环形底座为金属底座，所述活动架杆的刻度杆和连接杆分别独立地为金属杆；和/或，所述第二凹槽的内表面设有氟橡胶弹性垫，所述第二凹槽通过所述弹性垫套设在所述MOCVD设备反应腔的环形壁上端。

8.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述滚轮与所述连接杆的总宽度大于所述第一环腔的宽度且小于所述第二环腔的宽度；和/或，所述连接杆上设有锁扣和与所述锁扣匹配的固定部，所述锁扣一端通过铰链与所述连接杆相连，所述固定部设在所述铰链上部并适于与所述锁扣的另一端相连，所述锁扣的另一端适于通过铰链旋转并与所述固定部相连或通过铰链旋转并止抵于所述第一凹槽的底部。

9.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述第一固定组件包括第一固定块、第一固定旋钮和第二固定旋钮，所述刻度杆水平贯穿所述第一固定块并通过所述第一固定旋钮调节所述第一固定块与所述刻度杆的固定松紧度，所述深度尺测杆竖直贯穿所述第一固定块并通过所述第二固定旋钮调节所述第一固定块与所述深度尺测杆的固定松紧度；和/或，

所述第二固定组件包括第二固定块和第三固定旋钮，所述第二固定块与所述深度尺测杆可拆卸相连，所述水平固定杆水平贯穿所述第二固定块并通过所述第三固定旋钮调节所述水平固定杆与所述第二固定块的固定松紧度；和/或，所述水平固定杆上标刻有刻度。

说明书

用于MOCVD设备反应腔的测量装置

技术领域

[0001] 本发明属于芯片领域，具体而言，涉及用于MOCVD设备反应腔的测量装置。

背景技术

[0002] 金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)是一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术，能够
在生长过程中精确控制外延厚度，在半导体生长和芯片制造领域具有重要意义。随着金属
有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)设备在半
导体行业的广泛应用，MOCVD设备（如G3或G4机型）的反应腔内配件安装之后的测量也越来
越多。其中，MOCVD设备反应腔内大盘（susceptor）的水平度和偏心度是影响外延薄膜质量
的重要因素，在进行气相外延生长之前，需要严格控制并测量大盘（susceptor）的水平度和
偏心度是否符合要求，以确保外延层均匀生长。

[0003] 然而，目前涉及使用最多的测量工具为千分尺及深度尺两种，而这两种测量工具大多都是手动固定，尤其是深度尺需要按住测量基座才能进行测量，很难保持同一测量位
置且精度难以保证；而测量偏心度千分尺固定及调试较为繁琐。此外，需要测量反应腔内中
间配件的数据时，还需要借助诸如铝棒之类的工具架在反应腔顶壁（Lid）上才能测量，此类
工具较重，且频繁操作容易刮花Lid表面，造成密封性降低，且无形中增加了与其它石墨配
件磕碰的几率。

发明内容

[0004] 本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出用于MOCVD设备反应腔的测量装置，以解决现有MOCVD设备（如G3或G4机
型）测量工具需要手动固定、反应腔中部需借助其它工具测量等问题，实现深度、偏心度的
同步测量。

[0005] 根据本发明的一个方面，本发明提出了一种用于MOCVD设备反应腔的测量装置。根据本发明的实施例，该测量装置包括：

[0006] 环形底座，所述环形底座的内周壁和外周壁之间形成有沿所述环形底座周向布置的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽上下布置，且所述第一凹槽开口朝
上，所述第二凹槽开口朝下，所述第一凹槽包括上下设置的第一环腔和第二环腔，所述第二
环腔内周壁半径小于所述第一环腔内周壁半径，所述第二环腔外周壁半径大于所述第一环
腔外周壁半径，所述环形底座上表面上靠近其内周壁和/或外周壁的区域标刻有沿所述环
形底座周向分布的刻度，所述环形底座适于通过所述第二凹槽固定在所述MOCVD设备反应
腔的环形壁上端；

[0007] 活动架杆，所述活动架杆包括刻度杆、连接杆和滚轮，所述滚轮设在所述第二环腔内，所述连接杆设在所述第一环腔内，所述刻度杆的两端通过所述连接杆与所述滚轮相连
且可通过所述滚轮沿所述环形底座的周向旋转；

[0008] 测量组件，所述测量组件包括千分表和深度尺，所述千分表包括千分表表盘和与所述千分表表盘相连的千分表测杆，所述深度尺包括深度尺测杆和设在所述深度尺测杆上
的深度显示屏，所述深度尺测杆上设有第一固定组件和第二固定组件，所述第一固定组件
与所述刻度杆相连，所述深度尺测杆可沿所述第一固定组件上下移动且可通过所述第一固
定组件沿所述刻度杆水平移动，所述千分表通过水平固定杆与所述第二固定组件相连，所
述水平固定杆可沿所述第二固定组件水平移动，所述第二固定组件可随所述深度尺测杆上
下移动。

[0009] 本发明上述实施例的用于MOCVD设备反应腔的测量装置至少具有以下优点：1、该测量装置根据MOCVD设备反应腔体的自身构造设计，且集偏心测量及深度测量于一体，不仅
易于通过第二凹槽与MOCVD设备固定相连或拆卸，还可以利用该测量装置同时完成深度和
偏心度的测量；2、该测量装置在使用过程中是与反应腔相对固定的，测量组件可以沿活动
架杆的刻度杆水平移动，活动架杆可以沿环形底座360度旋转，由此不仅可以测得反应腔里
面任何位置的深度数据，还能够根据刻度杆和环形底座上的各项刻度来保证测量位置的一
致性，测量精度较高；3、可以通过固定组件将深度尺及千分尺牢牢固定在活动架杆之上，能
够杜绝因人为手动固定带来的测试精度难以保证的问题，可以进一步提高测量精度。

[0010] 另外，根据本发明上述实施例的用于MOCVD设备反应腔的测量装置还可以具有如下附加的技术特征：

[0011] 在本发明的一些实施例中，所述第一环腔、所述第二环腔和和所述第二凹槽同轴设置；和/或，所述环形底座上表面上靠近其内周壁的区域标刻有沿所述环形底座周向分布
的刻度。

[0012] 在本发明的一些实施例中，所述第一环腔、所述第二环腔和和所述第二凹槽的中心轴与所述环形底座的内周壁和外周壁之间的中心面重合。

[0013] 在本发明的一些实施例中，所述MOCVD设备反应腔包括一个大盘和设在所述大盘上的8个小盘，8个所述小盘沿所述MOCVD设备反应腔的周向均匀分布，所述大盘上沿其周向
形成有8个凸起的三角区，所述小盘与所述三角区交替布置，所述环形底座上表面形成的刻
度中，0度和180度的刻度分别与相对设置的两个所述小盘的中心位置对应。

[0014] 在本发明的一些实施例中，所述环形底座外周壁上设有固定件，所述固定件与所述MOCVD设备反应腔外周壁可拆卸相连。

[0015] 在本发明的一些实施例中，所述MOCVD设备反应腔的外周壁上设有锁具，所述锁具上设有与其配套相连的锁具保护罩，所述环形底座外周壁上设有与所述锁具保护罩匹配相
连的金属扣板，所述金属扣板通过铰链与所述环形底座外周壁相连。

[0016] 在本发明的一些实施例中，所述第二凹槽的内表面设有弹性垫，所述第二凹槽通过所述弹性垫套设在所述MOCVD设备反应腔的环形壁上端。

[0017] 在本发明的一些实施例中，所述环形底座为金属底座，所述活动架杆的刻度杆和连接杆分别独立地为金属杆；和/或，

[0018] 所述第二凹槽的内表面设有氟橡胶弹性垫，所述第二凹槽通过所述弹性垫套设在所述MOCVD设备反应腔的环形壁上端。

[0019] 在本发明的一些实施例中，所述滚轮与所述连接杆的总宽度大于所述第一环腔的宽度且小于所述第二环腔的宽度；和/或，所述连接杆上设有锁扣和与所述锁扣匹配的固定
部，所述锁扣一端通过铰链与所述连接杆相连，所述固定部设在所述铰链上部并适于与所
述锁扣的另一端相连，所述锁扣的另一端适于通过铰链旋转并与所述固定部相连或通过铰
链旋转并止抵于所述第一凹槽的底部。

[0020] 在本发明的一些实施例中，所述第一固定组件包括第一固定块、第一固定旋钮和第二固定旋钮，所述刻度杆水平贯穿所述第一固定块并通过所述第一固定旋钮调节所述第
一固定块与所述刻度杆的固定松紧度，所述深度尺测杆竖直贯穿所述第一固定块并通过所
述第二固定旋钮调节所述第一固定块与所述深度尺测杆的固定松紧度；和/或，所述第二固
定组件包括第二固定块和第三固定旋钮，所述第二固定块与所述深度尺测杆可拆卸相连，
所述水平固定杆水平贯穿所述第二固定块并通过所述第三固定旋钮调节所述水平固定杆
与所述第二固定块的固定松紧度；和/或，所述水平固定杆上标刻有刻度。

[0021] 本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

[0022] 本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

[0023] 图1是根据本发明一个实施例的用于MOCVD设备反应腔的测量装置与MOCVD设备反应腔固定后的结构示意图。

[0024] 图2是根据本发明一个实施例的环形底座的截面图。

[0025] 图3是根据本发明一个实施例的环形底座的俯视图。

[0026] 图4是根据本发明一个实施例的环形底座的仰视图。

[0027] 图5是根据本发明再一个实施例的环形底座的俯视图。

[0028] 图6是一个MOCVD设备反应腔的俯视图。

[0029] 图7是将本发明一个实施例的环形底座的固定于图6的MOCVD设备反应腔的俯视图。

[0030] 图8是根据本发明一个实施例的活动架杆的正面图。

[0031] 图9是根据本发明一个实施例的活动架杆的侧面图。

[0032] 图10是根据本发明一个实施例的活动架杆与环形底座连接后的截面图。

[0033] 图11是根据本发明一个实施例的测量组件的正面图。

[0034] 图12是根据本发明一个实施例的测量组件的背面图。

[0035] 图13是根据本发明一个实施例的第一固定组件的侧面图。

[0036] 图14是根据本发明一个实施例的第二固定组件的侧面图。

[0037] 图15是将本发明一个实施例的测量装置固定于MOCVD设备反应腔后的侧视图。

具体实施方式

[0038] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附
图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0039] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径
向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描
述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定
的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描
述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由
此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描
述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

[0040] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，
也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的
连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，
可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0041] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在
第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示
第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第
一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

[0042] 根据本发明的一个方面，本发明提出了一种用于MOCVD设备反应腔的测量装置。根据本发明的实施例，参考图1 2、图8和图11所示，该测量装置包括：环形底座100、活动架杆
~
200和测量组件300。该测量装置根据MOCVD设备反应腔体的自身构造设计，且集偏心测量及
深度测量于一体，不仅使用方便，测量操作简单，而且可以测得反应腔里面任何位置的深度
数据和偏心度，并能根据刻度杆和环形底座上的各项刻度来保证测量位置的一致性，测量
精度较高。需要说明的是，MOCVD设备（如AIXTRON行星式反应器）内部构造虽有区别（例如G3
和G4机型），但腔体本身构造基本相同，均能采用该用于MOCVD设备反应腔的测量装置测量
深度和偏心度，本发明中以AIXTRON G4机型（装载8块小盘）来举例说明。

[0043] 下面参考图1 15对本发明上述实施例的用于MOCVD设备反应腔的测量装置进行详~
细描述。

[0044] 环形底座100

[0045] 根据本发明的实施例，结合图1 4理解，环形底座100的内周壁和外周壁之间形成~
有沿环形底座100周向布置的第一凹槽110和第二凹槽120，第一凹槽110和第二凹槽120上
下布置，且第一凹槽110开口朝上，第二凹槽120开口朝下，第一凹槽110包括上下设置的第
一环腔111和第二环腔112，第二环腔112内周壁半径小于第一环腔111内周壁半径，第二环
腔112外周壁半径大于第一环腔111外周壁半径，环形底座100上表面上靠近其内周壁和/或
外周壁的区域标刻有沿环形底座周向分布的刻度130，环形底座100适于通过第二凹槽120
固定在MOCVD设备反应腔400的环形壁410上端。其中，如图3所示，可以在环形底座100上表
面上靠近其内周壁的区域标刻沿其周向分布的刻度130。该环形底座是根据MOCVD设备反应
腔体的自身构造设计的，通过第二凹槽可以将环形底座固定在MOCVD设备反应腔体的环形
壁（Reactor Lid）上端，以便在测量操作中保持环形底座与MOCVD设备反应腔体环形壁的相
对固定；进一步地，还可以将环形底座上表面的刻度起点/中点与MOCVD设备反应腔体中的
基准点或其它特定位置相对应，以便保证测量装置在使用过程中测量位置的一致性，从而
提高测量结果的精度和可靠性。

[0046] 根据本发明的一个具体实施例，第一环腔111、第二环腔112和和第二凹槽120可以同轴设置，更优选地，第一环腔111、第二环腔112和和第二凹槽120的中心轴可以与环形底
座100的内周壁和外周壁之间的中心面重合，由此可以进一步提高环形底座相对于MOCVD设
备反应腔体的稳定性，避免出现因环形底座重心偏移可能导致的环形底座安装或拆卸困
难、环形底座易刮花或磕碰反应腔体的外周壁等的问题。

[0047] 根据本发明的再一个具体实施例，参考图6和图7理解，MOCVD设备的反应腔400内是包括一个大盘（Susceptor）420和设在大盘420上的8个小盘（Satellites）430的，8个小盘
430沿MOCVD设备反应腔400的周向均匀分布，大盘420上沿其周向形成有8个凸起的三角区
440，小盘430与三角区440交替布置，针对环形底座100上表面形成的刻度130，可以使0度和
180度的刻度分别与相对设置的两个小盘430的中心位置对应，即使0刻度和45的正整数倍
数刻度从小到大沿顺时针方向与8个小盘的中心位置一一对应。此外，8个凸起的三角区是
沿大盘的周向均匀分布的，8个三角区的形状和面积均相同，且其中一个三角区的中心位置
是形成有定位标记（如图6中460所示）的，可以以该定位标记为基准点与环形底座上表面形
成的某一固定刻度（如22.5度）对应来提高环形底座的定位精度；进一步地，大盘上还可以
形成有辅助定位点，辅助定位点和定位标记460位于同一径向上，可以利用辅助定位点辅助
定位标记来提高定位的精准度，例如可以使环形底座上表面形成的刻度中22.5度的奇数倍
刻度从小到大沿顺时针方向与8个三角区的中心位置一一对应。在实际测量过程中，固定底
座是不动的，且要大盘停止自动转动，但为了实现不同区域的深度和偏心度测量，可以通过
预先设定的程序踩控制踏板使大盘旋转固定角度，每踩一次大盘控制踏板，大盘便会顺时
针旋转1/8圈来实现。

[0048] 根据本发明的又一个具体实施例，如图5所示，环形底座100的外周壁上可以设有固定件140，固定件140可以与MOCVD设备反应腔400外周壁可拆卸相连，由此可以进一步提
高环形底座和MOCVD设备反应腔的相对固定效果，避免出现环形底座与反应腔外周壁因固
定不稳导致测量精度和测量准确性变差的问题。需要说明的是，本发明中固定件140的个数
并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，固定件140的个数可
以为1个或多个，其中，多个固定件140可以沿环形底座100的周向在其外周壁上间隔分布或
均匀分布，优选地，固定件140的个数可以为2个或4个，由此可以在保证环形底座和MOCVD设
备反应腔具有较好固定效果的前提下进一步简化环形底座结构。

[0049] 根据本发明的又一个具体实施例，如图7所示，MOCVD设备反应腔400的外周壁上是设有锁具（clamp）450的，每个锁具上还设有与其配套相连的锁具保护罩470，可以在环形底
座100外周壁上设置可以与锁具保护罩470匹配相连的金属扣板作为固定件140，使金属扣
板与锁具保护罩扣合实现固定，即借助MOCVD设备反应腔的自身结构来进一步提高环形底
座与MOCVD设备反应腔的相对固定效果，其中，金属扣板可以通过铰链150与环形底座100外
周壁相连，金属扣板的设置位置与锁具保护罩470对应。

[0050] 根据本发明的又一个具体实施例，参考图10，第二凹槽120的内表面可以设有弹性垫160，第二凹槽120可以通过弹性垫160套设在MOCVD设备反应腔400的环形壁410上端，发
明人发现，通过借助弹性垫，一方面可以进一步提高环形底座与MOCVD设备反应腔环形壁的
固定效果，另一方面还可以避免环形底座与反应腔环形壁上端直接接触，大大降低了反应
腔环形壁可能被环形底座刮花的风险。另外，需要说明的是，本发明中弹性垫160的材质并
不受特别限制，本领域技术人员可以根据需要进行选择，只要弹性垫能够满足可耐高温、不
易变形和掉渣，且清洁度较高的优点即可，考虑到反应器对洁净度要求较高，弹性垫可以优
选采用氟橡胶弹性垫，由此可以有效避免弹性垫的使用可能对外延生长带来的负面影响。

[0051] 根据本发明的又一个具体实施例，环形底座100可以为金属底座，由此可以进一步保证环形底座的结构稳定性。需要说明的是，金属底座的材质并不受特别限制，本领域技术
人员可以根据实际需要进行选择，只要金属底座能够满足可耐高温、不易变形和清洁度较
高的特点即可，例如金属底座可以采用不锈钢、铝合金等材料形成，由此可以进一步地避免
环形底座的使用可能对外延生长带来的负面影响。

[0052] 活动架杆200

[0053] 根据本发明的实施例，结合图8 10理解，活动架杆200包括刻度杆210、连接杆220~
和滚轮230，滚轮230设在第二环腔112内，连接杆220设在第一环腔111内，刻度杆210的两端
通过连接杆220与滚轮230相连且可通过滚轮230沿环形底座100的周向旋转。其中，采用上
述活动架杆连接测量组件，通过使刻度杆沿环形底座周向旋转，可以测得同一周向上各个
点的深度和同一周向上各个点的偏心度；另外，可以通过刻度杆上的刻度结合环形底座上
的刻度定位大盘任意位置，以测量大盘任意位置的深度数据，同时还能根据刻度杆和环形
底座上的各项刻度来保证测量位置的一致性，提高测量精度。

[0054] 根据本发明的一个具体实施例，滚轮230的种类并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，优选地，滚轮230可以为万向轮，由此可以更有利于刻度杆的
360度旋转。

[0055] 根据本发明的再一个具体实施例，结合图2和图8理解，滚轮230与连接杆220的总宽度L1可以大于第一环腔111的宽度L2且小于第二环腔112的宽度L3，由此可以避免活动架
杆在使用过程中脱落。进一步地，连接杆220下端与滚轮230的设置方式和所连接的滚轮230
的个数并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，结合图8和图9
所示，每根连接杆下端可以连接有4个滚轮，其中2个滚轮可以靠近第二环腔的内周壁设置，
另2个滚轮可以靠近第二环腔的外周壁设置。

[0056] 根据本发明的又一个具体实施例，为避免在测量过程中滚轮过于灵活导致活动架杆位置难以保持不变，可以在连接杆220上设置锁扣（未示出）和与锁扣匹配的固定部（未示
出），使锁扣一端通过铰链（未示出）与连接杆220相连，使固定部设在铰链上方并可以与锁
扣的另一端相连，同时使锁扣可以通过铰链旋转并止抵于第一凹槽的底部，由此，当在转动
活动架杆时，可以使锁扣向上旋转并通过固定部固定在连接杆上，当在测量过程中时，可以
使锁扣向下旋转并止抵于第一凹槽的底部，利用锁扣与第一凹槽底部的摩擦实现活动支架
的固定，由此可以进一步保证测量结果的准确性和可靠性。需要说明的是，锁扣、铰链和固
定件的设置不会影响活动架杆的旋转。

[0057] 根据本发明的又一个具体实施例，活动架杆200的刻度杆210和连接杆220可以分别独立地为金属杆，由此可以使活动架杆具有较好的刚度和强度，从而能够进一步确保测
量结果的准确度和可靠度。其中，金属杆的材质并不受特别限制，本领域技术人员可以根据
实际需要进行选择，只要金属杆能够满足可耐高温、不易变形和清洁度较高的特点即可，例
如金属杆可以采用不锈钢、铝合金等材料形成，由此可以进一步地避免活动架杆的使用可
能对外延生长带来的负面影响。

[0058] 测量组件300

[0059] 根据本发明的实施例，结合图11 14理解，测量组件300包括千分表310和深度尺~
320，千分表310包括千分表表盘311和与千分表表盘311相连的千分表测杆312，深度尺320
包括深度尺测杆321和设在深度尺测杆321上的深度显示屏322，深度尺测杆321上设有第一
固定组件330和第二固定组件340，第一固定组件330与刻度杆210相连，深度尺测杆321可沿
第一固定组件330上下移动且可通过第一固定组件330沿刻度杆210水平移动，千分表310通
过水平固定杆350与第二固定组件340相连，水平固定杆350可沿第二固定组件340水平移
动，第二固定组件340可随深度尺测杆321上下移动。在测量过程中，可以利用第一固定组件
确保深度尺测杆与刻度杆的相对位置不变，通过旋转活动架杆测得同一周向内各个位置的
深度和同一周向内各个位置的偏心度；或保持活动架杆固定，利用第一固定组件带动深度
尺测杆沿刻度杆移动，测得同一径向上不同位置的深度和偏心度。另外，在测量偏心度时，
还可以进一步结合水平固定杆控制千分表与反应腔内周壁或大盘边缘的距离，其中，水平
固定杆350上可以标刻有刻度，由此可以进一步精确控制千分表的位置。

[0060] 根据本发明的一个具体实施例，结合图13理解，第一固定组件330可以包括第一固定块331、第一固定旋钮333和第二固定旋钮332，刻度杆210可以通过刻度杆安装孔334水平
贯穿第一固定块331并通过第一固定旋钮333调节第一固定块331与刻度杆210的固定松紧
度，深度尺测杆321可以通过深度尺测杆安装孔335竖直贯穿第一固定块331并通过第二固
定旋钮332调节第一固定块331与深度尺测杆321的固定松紧度，由此不仅可以实现测量组
件与活动架杆的可拆卸相连，还更有利于测量大盘不同位置的深度。

[0061] 根据本发明的再一个具体实施例，结合图14理解，第二固定组件340可以包括第二固定块341和第三固定旋钮342，第二固定块341可以与深度尺测杆321可拆卸相连，水平固
定杆350可以通过水平固定杆安装孔344水平贯穿第二固定块341并通过第三固定旋钮342
调节水平固定杆350与第二固定块341的固定松紧度；进一步地，深度尺测杆321还可以通过
又一个深度尺测杆安装孔345竖直贯穿第二固定块341，并通过第四固定旋钮343调节第二
固定块341与深度尺测杆321的固定松紧度，由此可以更有利于实现千分表与深度尺的安装
和拆卸。

[0062] 根据本发明的又一个具体实施例，水平固定杆350可以与千分表310的连接方式并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如水平固定杆350可以与千
分表310固定相连，也可以通过第三固定组件360与千分表可拆卸相连（如图12所示）。

[0063] 根据本发明的又一个具体实施例，设在深度尺测杆321上的深度显示屏322还可以包括开关键、归零键、电池仓和单位转换键，由此可以更有利于准确读取深度值。

[0064] 综上所述，本发明上述实施例的用于MOCVD设备反应腔的测量装置至少具有以下优点：1、该测量装置根据MOCVD设备（G3或G4机型）反应腔体的自身构造设计，且集偏心测量
及深度测量于一体，不仅易于通过第二凹槽与MOCVD设备固定相连或拆卸，还可以利用该测
量装置同时完成深度和偏心度的测量；2、该测量装置在使用过程中是与反应腔相对固定
的，测量组件可以沿活动架杆的刻度杆水平移动，活动架杆可以沿环形底座360度旋转，由
此不仅可以测得反应腔里面任何位置的深度数据，还能够根据刻度杆和环形底座上的各项
刻度来保证测量位置的一致性，测量精度较高；3、可以通过固定组件将深度尺及千分尺牢
牢固定在活动架杆之上，能够杜绝因人为手动固定带来的测试精度难以保证的问题，可以
进一步提高测量精度。

[0065] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特
点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不
必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任
一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技
术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结
合和组合。

[0066] 尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述
实施例进行变化、修改、替换和变型。