硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质

摘要

本申请实施例提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质，涉及微机电传感器技术领域，采用本申请提供的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法，按照晶向角优化步长增加谐振式传感器的晶向角进行搜索，对于每一次搜索，在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，搜索完成后汇总谐振频率温度变化量找到最优晶向角。本申请可以高效、便捷地确定使硅谐振式传感器频率温度漂移最小的加工晶向，提升传感器的温度稳定性。

权利要求

1.一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法，所述硅基谐振式传感器包括至少一个谐振式传感器，其特征在于，所述方法包括：执行搜索步骤，所述搜索步骤具体包括：按照晶向角优化步长增加所述谐振式传感器的晶向角；

判断所述谐振式传感器的晶向角是否大于预设阈值；

若所述谐振式传感器的晶向角不大于所述预设阈值，将所述谐振式传感器的振动轴向与所述晶向角对齐；

在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，汇总每个测试温度点的模态仿真结果，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量；

重复执行所述搜索步骤直到所述谐振式传感器的晶向角小于预设阈值；

选取谐振频率温度变化量的最小值所对应的晶向角作为最优晶向角，根据所述最优晶向角加工所述谐振式传感器；

当所述硅基谐振式传感器包括多个谐振式传感器时，所述方法还包括：在确定出所述多个谐振式传感器中的任一谐振式传感器对应的最优晶向角时，根据最优晶向角确定所述多个谐振式传感器的工作振动模态；

其中，所述根据最优晶向角确定所述多个谐振式传感器的工作振动模态，包括：将所述多个谐振式传感器的工作振动模态加工为轴向共线，其中，所述轴向共线表征所述多个谐振式传感器共用同一个最优晶向角；

或者，将所述多个谐振式传感器的工作振动模态加工为正交，其中，所述正交表征所述多个谐振式传感器中的部分谐振式传感器共用同一个最优晶向角，其余谐振式传感器与所述部分谐振式传感器呈正交。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述硅基谐振式传感器采用{100}规格或{110}规格的硅片。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述方法还包括：沿硅片切边的晶向沿方向定义起始的晶向角，所述起始的晶向角为0°。

4.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述硅基谐振式传感器采用{100}规格的硅片时，所述预设阈值为45°；

当所述硅基谐振式传感器采用{110}规格的硅片时，所述预设阈值为90°。

5.根据权利要求1所述方法，其特征在于，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，包括：

遍历每个测试温度点的模态仿真结果，获取所述谐振式传感器在该晶向角下谐振频率的最大值和最小值；

计算所述谐振频率的最大值和最小值之差，将所述差作为所述谐振频率温度变化量。

6.一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升系统，所述硅基谐振式传感器包括至少一个谐振式传感器，其特征在于，所述系统包括：搜索模块，用于执行搜索步骤，所述搜索步骤具体包括：按照晶向角优化步长增加所述谐振式传感器的晶向角；

判断所述谐振式传感器的晶向角是否大于预设阈值；

若所述谐振式传感器的晶向角不大于所述预设阈值，将所述谐振式传感器的振动轴向与所述晶向角对齐；

在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，汇总每个测试温度点的模态仿真结果，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量；

重复执行所述搜索步骤直到所述谐振式传感器的晶向角小于预设阈值；

加工模块，用于选取谐振频率温度变化量的最小值所对应的晶向角作为最优晶向角，根据所述最优晶向角加工所述谐振式传感器；

当所述硅基谐振式传感器包括多个谐振式传感器时，所述系统用于在确定出所述多个谐振式传感器中的任一谐振式传感器对应的最优晶向角时，根据最优晶向角确定所述多个谐振式传感器的工作振动模态；

其中，所述根据最优晶向角确定所述多个谐振式传感器的工作振动模态，包括：将所述多个谐振式传感器的工作振动模态加工为轴向共线，其中，所述轴向共线表征所述多个谐振式传感器共用同一个最优晶向角；

或者，将所述多个谐振式传感器的工作振动模态加工为正交，其中，所述正交表征所述多个谐振式传感器中的部分谐振式传感器共用同一个最优晶向角，其余谐振式传感器与所述部分谐振式传感器呈正交。

7.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时，实现如权利要求1至5任一所述的方法中的步骤。

8.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时，实现如权利要求1至5任一所述的方法的步骤。

说明书

硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储

介质

技术领域

[0001] 本申请实施例涉及微机电传感器技术领域，具体而言，涉及一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质。

背景技术

[0002] 微谐振式传感器是用微纳工艺加工的特征尺寸在微米量级的谐振式器件，包括微谐振式陀螺、微谐振加速度计、微谐振磁力计、微谐振压力计、等重要传感器。以硅为基础加
工材料的谐振式传感器，更以其体积小、成本低、适于批量加工，易于与CMOS电路集成等优
点，已逐渐成为主流技术，广泛应用在各个领域。

[0003] 硅基谐振式传感器的主要结构为硅微谐振器，工作原理通常是把某一待测物理量或化学量通过刚度变化或者质量变化转换为谐振器本身的谐振频率的变化，再通过检测谐
振频率的变化获取待测量的大小。因此谐振器的频率稳定性，尤其是温变环境下的频率稳
定性直接影响着传感器的性能指标。

[0004] 为了提升硅基谐振式传感器的温度性能，通常将传感器设计成双谐振器差分模式，通过差分减小因单个谐振器带来的频率温度漂移。但由于加工误差，两谐振器参数并不
完全一致，仍然会带来温度漂移。

发明内容

[0005] 本申请实施例提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质，旨在解决现有硅基谐振式传感器在温变环境下的频率稳定性差的问题。

[0006] 本申请实施例第一方面提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法，所述硅基谐振式传感器包括至少一个谐振式传感器，所述方法包括：

[0007] 执行搜索步骤，所述搜索步骤具体包括：

[0008] 按照晶向角优化步长增加所述谐振式传感器的晶向角；

[0009] 判断所述谐振式传感器的晶向角是否大于所述预设阈值；

[0010] 若所述谐振式传感器的晶向角不大于所述预设阈值，将所述谐振式传感器的振动轴向与所述晶向角对齐；

[0011] 在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，汇总每个测试温度点的模态仿真结果，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量；

[0012] 重复执行所述搜索步骤直到所述谐振式传感器的晶向角小于预设阈值；

[0013] 选取谐振频率温度变化量的最小值所对应的晶向角作为最优晶向角，根据所述最优晶向角加工谐振传感器。

[0014] 可选地，所述硅基谐振式传感器采用{100}规格或{110}规格的硅片。

[0015] 可选地，所述方法还包括：

[0016] 沿硅片切边的晶向沿方向定义起始的晶向角，所述起始的晶向角为0°。

[0017] 可选地，所述方法还包括：

[0018] 当所述硅基谐振式传感器采用{100}规格的硅片时，所述预设阈值为45°；

[0019] 当所述硅基谐振式传感器采用{110}规格的硅片时，所述预设阈值为90°。

[0020] 可选地，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，包括：

[0021] 遍历每个测试温度点的模态仿真结果，获取所述谐振式传感器在该晶向角下谐振频率的最大值和最小值；

[0022] 计算所述谐振频率的最大值和最小值之差，将所述差作为所述谐振频率温度变化量。

[0023] 可选地，包括多个谐振式传感器，所述方法还包括：

[0024] 在确定出所述多个硅基谐振式传感器中的任一硅基谐振式传感器对应的最优晶向角时，根据最优晶向角确定所述多个硅基谐振式传感器的工作振动模态。

[0025] 可选地，所述根据目标最优晶向角确定所述多个硅基谐振式传感器的工作振动模态，包括：

[0026] 将所述多个谐振式传感器的工作振动模态加工为轴向共线，其中，所述轴向共线表征所述多个谐振式传感器共用同一个最优晶向角；

[0027] 或者，将所述多个谐振式传感器的工作振动模态加工为正交，其中，所述正交表征所述多个谐振式传感器中的部分谐振式传感器共用同一个目标最优晶向角，其余谐振式传
感器与所述部分谐振式传感器呈正交。

[0028] 本申请实施例第二方面提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升系统，所述硅基谐振式传感器包括至少一个谐振式传感器，所述系统包括：

[0029] 搜索模块，用于执行搜索步骤，所述搜索步骤具体包括：

[0030] 按照晶向角优化步长增加所述谐振式传感器的晶向角；

[0031] 判断所述谐振式传感器的晶向角是否大于所述预设阈值；

[0032] 若所述谐振式传感器的晶向角不大于所述预设阈值，将所述谐振式传感器的振动轴向与所述晶向角对齐；

[0033] 在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，汇总每个测试温度点的模态仿真结果，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量；

[0034] 重复执行所述搜索步骤直到所述谐振式传感器的晶向角小于预设阈值；

[0035] 加工模块，用于选取谐振频率温度变化量的最小值所对应的晶向角作为最优晶向角，根据所述最优晶向角加工谐振传感器。

[0036] 本申请实施例第三方面提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，实现如本申请第一方面所述的方法中的步骤。

[0037] 本申请实施例第四方面提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现本申请第
一方面所述的方法的步骤。

[0038] 采用本申请提供的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法，按照晶向角优化步长增加谐振式传感器的晶向角进行搜索，对于每一次搜索，在多个测试温度下对所述谐振式
传感器进行模态仿真，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，搜索完成后汇总谐振频
率温度变化量找到最优晶向角。本申请可以高效、便捷地确定使硅谐振式传感器频率温度
漂移最小的加工晶向，提升传感器的温度稳定性。

附图说明

[0039] 为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施
例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图
获得其他的附图。

[0040] 图1是本申请一实施例提出的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法的流程图；

[0041] 图2是本申请一实施例提出的硅基谐振式传感器最优晶向角确定的示意图；

[0042] 图3是本申请一实施例提出的硅基谐振式传感器温度稳定性提升装置的示意图。

具体实施方式

[0043] 下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申
请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本申请保护的范围。

[0044] 针对硅基谐振式传感器的频率温度漂移的问题，业界提出了若干方法来补偿其温度漂移，主要可分为两大类。一类是利用温度传感器测温，然后对测温输出和传感器输出进
行数学拟合补偿。该方法本质上属于后补偿方法，其补偿精度取决于传感器温度漂移的重
复性。此外，由于外加温度传感器同谐振传感器之间存在温度梯度等差异，会降低补偿精
度。另一大类是控温补偿，即通过外加控温装置，通过预设的控温点，实时调整传感器所在
环境温度以减小温度漂移。该方法的缺点是一般要使传感器工作在高温状态，会增加传感
器的热噪声，增加电路复杂度和系统成本等。上述两类目前常用的温度补偿方法仅从数据
处理和温度控制方面减小温度漂移，都没有从根本上抑制谐振式传感器频率输出的温度漂
移量。

[0045] 发明人观察到微谐振式传感器谐振频率随温度变化关系可近似描述为下式。

[0046] f(T)＝f0[1+TCF1(T‑T0)+TCF2(T‑T0)2]  (1)

[0047] 其中，f0为参考温度点T0下的谐振频率，TCF1和TCF2分别为频率温度变化的一阶和二阶系数。该温度系数通常由硅材料弹性模量的温变系数以及热膨胀系数所决定。而弹性
模量的温度系数与晶向相关。发明人认为可以通过优化晶向方向，以降低一阶及二阶系数，
从而减小谐振频率的温度变化量，提升传感器的输出温度稳定性，例如微谐振式传感器的
振动轴向沿硅片的<110>晶向进行加工时，一阶系数起主导作用，频率与温度的变化关系近
似线性。

[0048] 参考图1，图1是本申请一实施例提出的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：

[0049] 步骤S110、执行搜索步骤，所述搜索步骤具体包括：按照晶向角优化步长增加所述谐振式传感器的晶向角；判断所述谐振式传感器的晶向角是否大于所述预设阈值；若所述
谐振式传感器的晶向角不大于所述预设阈值，将所述谐振式传感器的振动轴向与所述晶向
角对齐；在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，汇总每个测试温度点的模
态仿真结果，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量；重复执行所述搜索步骤直到所述
谐振式传感器的晶向角小于预设阈值。

[0050] 本申请实施例的方法应用于硅基谐振式传感器，所述硅基谐振式传感器应当包括至少一个微谐振式传感器，微谐振式传感器一般是在硅片上通过各向异性腐蚀或者体硅深
刻蚀等方式加工得到的，硅基谐振式传感器通过设置的微谐振式敏感结构可感受如刚度变
化或者质量变化等外部变化。优选的，所述硅基谐振式传感器采用{100}规格或{110}规格
的硅片。本申请的方法适用于基于{100}规格或{110}规格硅片的硅基谐振式传感器，以上
100、110、是按照晶向对硅片进行的分类。

[0051] 本申请的目的是为了找到谐振式传感器的最优晶向角，为了达到这一目的，本申请通过逐步搜索策略来实现，设置晶向角搜索的起始点，从起始点出发按照一定步长进行
搜索找到最优晶向角。所述步长可以预先按照自身需要设置，例如设置为1°。所述步长应根
据实际需求进行设置，应当注意步长不能设置太大或者太小，如果步长设置太大，容易错过
最优晶向角，如果步长设置太小，会导致搜索时间过长。

[0052] 在本申请的一个实施例中，所述方法还包括：

[0053] 沿硅片切边的晶向沿方向定义起始的晶向角，所述起始的晶向角为0°。

[0054] 对于起始点的设置，本申请实施例中，将硅片的切边的晶向沿方向作为谐振式传感器的起始晶向角，如图2所示，图2中硅片1采用100硅片，其切边4的晶向沿方向5为<110>
晶向，将晶向沿方向5定义为起始晶向角，数值为0°，按照起始晶向角得到谐振式传感器2，
谐振式传感器2的工作模态振动轴向与0°晶向重合。谐振式传感器的振动轴向为该传感器
正常工作模态下的振动方向。

[0055] 在谐振式传感器的设置的起始晶向角上按照晶向角优化步长增加，得到新的晶向角，实际执行中可如图2所示在硅片1上通过整体旋转谐振式传感器2增加晶向角，增加晶向
角后谐振式传感器2则变为谐振式传感器3所示，使得谐振式传感器3的工作模态振动轴向
与晶向6重合，其晶向角为7。

[0056] 判断新的晶向角是否大于所述预设阈值，如果大于预设阈值应当退出搜索，如果晶向角并未大于预设阈值则对当前晶向角进行模态仿真。在本申请的一个实施例中，

[0057] 当所述硅基谐振式传感器采用{100}规格的硅片时，所述预设阈值为45°；

[0058] 当所述硅基谐振式传感器采用{110}规格的硅片时，所述预设阈值为90°。

[0059] 申请人发现当搜索范围超过某一阈值如图2所示的100硅片超过45°时，晶向角对频率温度变化关系影响与小于45°的范围时的影响出现重复，因此，当搜索范围超过45°时，
是无效搜索，不会出现新的最优晶向角。例如图2所示，当晶向角为7为45°时，停止搜索，晶
向角45°时为<100>晶向。

[0060] 弹性模量值由晶向和温度决定。获得的新的晶向角后，需要测试在这个晶向角下的频率温度变化关系。对于当前晶向角下谐振频率随温度的变化关系，可以根据硅谐振式
传感器的工作温度范围选取若干温度点，并设定每个温度点的弹性模量值和热膨胀系数，
通过模态仿真来得到。对于温度点，可以根据实际需要选择，例如如果需要详细的变化数据
可设置温度点设置得较密集。模态仿真可在有限元仿真软件如Ansys或者Comsol中进行，应
根据所述仿真软件的具体需求，在仿真软件中设置好传感器在每个晶向角下不同温度点下
的弹性模量值和热膨胀系数。将谐振式传感器的振动轴向与新晶向角对齐，在每一个选取
的温度点下进行模态仿真，并遍历所需求的温度范围，获得全温范围内的所有谐振频率值。

[0061] 汇总每个测试温度点的模态仿真结果，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量。在本申请一个实施例中，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，包括：

[0062] 遍历每个测试温度点的模态仿真结果，获取所述谐振式传感器在该晶向角下谐振频率的最大值和最小值；

[0063] 计算所述谐振频率的最大值和最小值之差，将所述差作为所述谐振频率温度变化量。

[0064] 对一个晶向角下的模态仿真结果，遍历每个测试温度点的模态仿真结果，找到全部温度测试范围内谐振式传感器的谐振频率最大值与最小值，将最大值与最小值之差作为
该晶向角的谐振频率的温度变化量。

[0065] 步骤S120、选取谐振频率温度变化量的最小值所对应的晶向角作为最优晶向角，根据所述最优晶向角加工谐振传感器。

[0066] 谐振频率的变化量最小的晶向角即为最优晶向角，选取该最优晶向角作为谐振式传感器加工的晶向角，根据最优晶向角加工谐振传感器，即可得到温度漂移最小的谐振器。

[0067] 本申请对硅基微谐振式传感器的加工晶向进行寻优，通过得到的最优晶向角进行加工，可减小硅材料杨氏模量的温度系数，进而小了谐振式器件的频率温度系数，提升了传
感器的温度稳定性。

[0068] 在本申请的一个实施例中，包括多个谐振式传感器，所述方法还包括：

[0069] 在确定出所述多个硅基谐振式传感器中的任一硅基谐振式传感器对应的最优晶向角时，根据最优晶向角确定所述多个硅基谐振式传感器的工作振动模态。

[0070] 优选的，所述根据目标最优晶向角确定所述多个硅基谐振式传感器的工作振动模态，包括：

[0071] 将所述多个谐振式传感器的工作振动模态加工为轴向共线，其中，所述轴向共线表征所述多个谐振式传感器共用同一个最优晶向角；

[0072] 或者，将所述多个谐振式传感器的工作振动模态加工为正交，其中，所述正交表征所述多个谐振式传感器中的部分谐振式传感器共用同一个目标最优晶向角，其余谐振式传
感器与所述部分谐振式传感器呈正交。

[0073] 所述硅谐振式传感器包含一个以上的谐振器结构时，所含谐振器的工作振动模态轴向共线或者正交。如图2所示，假设内有谐振式传感器2、3，所寻得的最优晶向角为7；当加
工方式为轴向共线时，那么所有的谐振式传感器(2和3)都被为加工晶向角7、振动轴向6；当
加工方式为正交时，部分谐振式传感器(如3)被加工为晶向角为7、振动轴向为6，对于其余
的谐振式传感器(如传感器2)应当将振动轴向设置为于6垂直正交。

[0074] 采用本申请提供的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法，按照晶向角优化步长增加谐振式传感器的晶向角进行搜索，对于每一次搜索，在多个测试温度下对所述谐振式
传感器进行模态仿真，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量，搜索完成后汇总谐振频
率温度变化量找到最优晶向角。本申请可以高效、便捷地确定使硅谐振式传感器频率温度
漂移最小的加工晶向，提升传感器的温度稳定性。

[0075] 基于同一发明构思，本申请一实施例提供一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升系统。参考图3，图3是本申请一实施例提出的硅基谐振式传感器温度稳定性提升系统的示
意图。如图3所示，该系统包括：

[0076] 搜索模块310，用于执行搜索步骤，所述搜索步骤具体包括：

[0077] 按照晶向角优化步长增加所述谐振式传感器的晶向角；

[0078] 判断所述谐振式传感器的晶向角是否大于所述预设阈值；

[0079] 若所述谐振式传感器的晶向角不大于所述预设阈值，将所述谐振式传感器的振动轴向与所述晶向角对齐；

[0080] 在多个测试温度下对所述谐振式传感器进行模态仿真，汇总每个测试温度点的模态仿真结果，获取在该晶向角下的谐振频率温度变化量；

[0081] 重复执行所述搜索步骤直到所述谐振式传感器的晶向角小于预设阈值；

[0082] 加工模块320，用于选取谐振频率温度变化量的最小值所对应的晶向角作为最优晶向角，根据所述最优晶向角加工谐振传感器。

[0083] 基于同一发明构思，本申请另一实施例提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现如本申请上述任一实施例所述的硅基谐振式传感器温
度稳定性提升方法中的步骤。

[0084] 基于同一发明构思，本申请另一实施例提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行时实现本申请上述任
一实施例所述的硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法中的步骤。

[0085] 对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

[0086] 本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

[0087] 本领域内的技术人员应明白，本申请实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本申请实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和
硬件方面的实施例的形式。而且，本申请实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可
用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD‑ROM、光学存储器等)上
实施的计算机程序产品的形式。

[0088] 本申请实施例是参照根据本申请实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图
中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些
计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设
备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执
行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中
指定的功能的装置。

[0089] 这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包
括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方
框或多个方框中指定的功能。

[0090] 这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在
计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程
和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

[0091] 尽管已描述了本申请实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为
包括优选实施例以及落入本申请实施例范围的所有变更和修改。

[0092] 最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作
之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意
在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包
括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品
或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要
素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

[0093] 以上对本申请所提供的一种硅基谐振式传感器温度稳定性提升方法、系统、设备及存储介质，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了
阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域
的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上
所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。