一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置

摘要

本发明公开了一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置，该去毛刺装置包括底座、套环、衔接板，所述套环设置在底座上，所述衔接板设置在底座中部，所述衔接板位于套环内部，所述套环抵在压铸件上，所述衔接板抵在毛刺顶端，所述套环及衔接板均与控制电路电连接。底座为套环以及衔接板的安装提供支撑，套环套设在毛刺根部的外侧，套环内侧设置有第一N型半导体，衔接板抵在毛刺的顶部，衔接板底部设置有第一P型半导体，套环与衔接板相互配合使毛刺接入电路，通过珀尔帖效应使毛刺从外界吸收热量，使毛刺自身温度下降，在毛刺降温之前，衔接板使套环内部温度降低，使毛刺吸收自身内部的热量，加速毛刺降温的速度，提高毛刺冷冻的效率。

权利要求

1.一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置 ，其特征在于：该去毛刺装置包括底座（1）、套环（2）、衔接板（4），所述套环（2）设置在底座（1）上，所述衔接板（4）设置在底座（1）中部，所述衔接板（4）位于套环（2）内部，所述套环（2）抵在压铸件上，所述衔接板（4）一端抵在毛刺顶端，所述套环（2）及衔接板（4）均与控制电路电连接；

所述衔接板（4）远离底座（1）一端的中部设置有第一P型半导体（4‑2）；

所述衔接板（4）的两端分别设置有第二P型半导体（4‑4）和第二N型半导体（4‑5），衔接板（4）的外侧设置有若干组翅片（4‑3），每组所述翅片（4‑3）之间设置有干燥绵（4‑6），若干组所述翅片（4‑3）的一端设置有顶板（4‑1），所述第二P型半导体（4‑4）和第二N型半导体（4‑

5）均与控制电路电连接；

所述顶板（4‑1）远离翅片（4‑3）的一端开设有呈圆台状的凹槽，所述第一P型半导体（4‑

2）位于凹槽的中部，凹槽的侧端面上设置有第二压电陶瓷，所述第一P型半导体（4‑2）及第二压电陶瓷均与控制电路电连接；

所述套环（2）远离底座（1）的一端设置有底环（6），所述底环（6）的内侧设置有若干组伸缩板（6‑1），每组所述伸缩板（6‑1）上均设置有第一N型半导体（6‑2），每组所述第一N型半导体（6‑2）上均倾斜设置有第一压电陶瓷（6‑3），所述第一N型半导体（6‑2）及第一压电陶瓷（6‑3）均与控制电路电连接；

所述底座（1）内部设置有伸缩件（1‑2），所述伸缩件（1‑2）上设置有承载板（1‑1），底座（1）内部设置有抽取组件（1‑3），若干组所述翅片（4‑3）的一端与承载板（1‑1）固定；

所述底座（1）上在套环（2）的外侧设置有密封膜（3），所述密封膜（3）上设置有气流环（3‑1），所述气流环（3‑1）与底环（6）的外侧连接，气流环（3‑1）上设置有气流孔，每组所述气流孔中均设置有橡胶，所述橡胶中部均开设有气孔，所述密封膜（3）与套环（2）之间形成密封腔，所述密封腔与抽取组件（1‑3）管道连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置 ，其特征在于：每组所述伸缩板（6‑1）均为波纹管结构，每组伸缩板（6‑1）上端内部均设置有收缩管（6‑

4），所述伸缩板（6‑1）及收缩管（6‑4）均与抽取组件（1‑3）管道连接。

3.根据权利要求2所述的一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置 ，其特征在于：该去毛刺装置还包括图像采集系统和图像处理系统，所述图像采集系统对压铸件进行图像采集，所述图像处理系统通过图像处理获取毛刺在压铸件上的位置以及毛刺长度。

说明书

一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置

技术领域

[0001] 本发明涉及压铸件表面处理技术领域，具体为一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置。

背景技术

[0002] 压铸件的使用范围随着电子产品金属化趋势大潮的到来而变得更加广泛，压铸过程涉及合金的熔化、压射以及在模具中凝固成型等工艺过程，导致压铸得到的各种压铸件
表面存在气孔、砂眼以及毛刺等外观缺陷，进而影响到压铸件作为高端外观件的使用。

[0003] 为解决上述缺陷，通常会根据处理需要采用合适的方法进行处理，如去除压铸件表面毛刺的方法，其中包括如下的方法：1、冷喷涂法，但冷喷涂设备和粉体材料的成本较
高，同时对工装冶具也有着较高要求，而且冷喷涂压力容易导致产品变形；2、人工处理，通
过人工拿去工具对压铸件表面的毛刺进行处理，但此方式不仅费时费力，而且在毛刺数量
多且尺寸较小的情况下，不易操作，同时也容易导致产品出现加工不合格的现象。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置 ，以解决上述背景技术中提出的问题。

[0005] 为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置，该去毛刺装置包括底座、套环、衔接板，所述套环设置在底座上，所述
衔接板设置在底座中部，所述衔接板位于套环内部，所述套环抵在压铸件上，所述衔接板一
端抵在毛刺顶端，所述套环及衔接板均与控制电路电连接；

[0006] 所述套环远离底座一端的内侧设置有第一N型半导体；

[0007] 所述衔接板远离底座一端的中部设置有第一P型半导体。

[0008] 底座为套环以及衔接板的安装提供支撑，套环套设在毛刺根部的外侧，第一N型半导体抵在毛刺根部的外侧，第一P型半导体在衔接板的带动下抵在毛刺的顶部，套环与衔接
板相互配合使毛刺接入电路，电流从毛刺中流过，通过珀尔帖效应使毛刺从外界吸收热量，
使毛刺自身温度下降，在毛刺降温之前，衔接板使套环内部温度降低，使毛刺周围的温度降
低，迫使毛刺吸收自身内部的热量，加速毛刺降温的速度，使毛刺从内向外进行冷冻，提高
毛刺冷冻的效率。

[0009] 所述衔接板的两端分别设置有第二P型半导体和第二N型半导体，衔接板的外侧设置有若干组翅片，每组所述翅片之间设置有干燥绵，若干组所述翅片的一端设置有顶板，所
述第二P型半导体和第二N型半导体均与控制电路电连接。翅片增加衔接板与空气的接触面
积，空气中的水分在翅片外表凝结成水，干燥绵对翅片上滑落的水进行吸收，保持套环内部
的干燥，防止水滴落在毛刺上，第二P型半导体和第二N型半导体均与控制电路电连接，使电
流从第二N型半导体经过衔接板流向第二P型半导体，使衔接板通过翅片对套环内部的空间
进行降温，使毛刺周围的温度降低，迫使毛刺吸收自身的热量。

[0010] 所述顶板远离翅片的一端开设有呈圆台状的凹槽，所述第一P型半导体位于凹槽的中部，凹槽的侧端面上设置有第二压电陶瓷，所述第一P型半导体及第二压电陶瓷均与控
制电路电连接。第二压电陶瓷在通入交流电之后产生超声波，通过超声波使冷冻后的毛刺
进行震动，从而使毛刺自身崩裂、粉碎，从而实现对压铸件表面缺陷进行精准的处理，圆台
状的凹槽使压电陶瓷以倾斜的角度朝向毛刺，使超声波的传播角度变大，从而充分利用超
声波。

[0011] 所述套环远离底座的一端设置有底环，所述底环的内侧设置有若干组伸缩板，每组所述伸缩板的一端均设置有第一N型半导体，每组所述第一N型半导体上均倾斜设置有第
一压电陶瓷，所述第一N型半导体及第一压电陶瓷均与控制电路电连接。第一压电陶瓷朝向
毛刺，第一压电陶瓷通入交流电，第一压电陶瓷朝着毛刺产生超声波，若干组第一压电陶瓷
围绕在毛刺的周围，使毛刺从多个方向受到超声波的冲击，加快毛刺的粉碎速度，提高去毛
刺效率以及压铸件表面的处理速度，第一压电陶瓷产生超声波的同时，将振动的能量传递
到第一N型半导体上，使第一N型半导体对振动能进行传递，使毛刺在受到第一N型半导体传
递的振动能的影响下进行震动。

[0012] 所述底座内部设置有伸缩件，所述伸缩件上设置有承载板，底座内部设置有抽取组件，若干组所述翅片的一端与承载板固定。伸缩件通过承载板及翅片带动衔接板进行移
动，使衔接板在套环中往复运动，通过伸缩件的设置，调节第一P型半导体与毛刺之间的距
离，使第一P型半导体适应不同长度的毛刺。

[0013] 所述底座上在套环的外侧设置有密封膜，所述密封膜的一端设置有气流环，所述气流环与底环的外侧连接，气流环上设置有气流孔，每组所述气流孔中均设置有橡胶，所述
橡胶中部均开设有气孔，所述密封膜与套环之间形成密封腔，所述密封腔与抽取组件管道
连接。密封膜为一层橡胶膜，当套环抵在压铸件表面并被压缩时，密封膜覆盖在压铸件上，
抽取组件抽取密封腔中的空气，使密封膜与套环外表面贴合，使覆盖在压铸件上的两层密
封膜之间的空气被抽取干净，使两侧密封膜在外界空气的挤压下贴合在一起，同时，外界的
空气将密封膜挤压在压铸件的表面上，使密封膜填补压铸件上的坑槽，气流孔中安装有橡
胶，橡胶在自身弹性的作用下对气孔进行封堵，当密封腔中的空气被抽取干净之后，橡胶在
气压的作用下发生形变，使气孔被打开，密封膜贴合在压铸件上，密封膜、压铸件以及气流
环三者形成负压腔，气孔被打开后连通负压腔，抽取组件通过气孔抽取负压腔中的空气，使
密封膜与压铸件之间的空气被抽走，进一步的增强密封膜与压铸件之间贴合效果，提高套
环与压铸件之间的密封效果，从而防止衔接板对套环内部进行降温后，由于气压降低导致
外界空气进入到套环内而影响降温效果。

[0014] 每组所述伸缩板均为波纹管结构，每组伸缩板上端内部均设置有收缩管，所述伸缩板及收缩管均与抽取组件管道连接。伸缩板在抽取组件的控制下进行伸展和收缩，伸缩
板伸展时将第一N型半导体抵在毛刺上，收缩管与抽取组件连通，收缩管内部的空气被抽取
组件抽取时，伸缩板受到收缩管的影响进行弯曲，使带有第一N型半导体的一端翘起，当毛
刺被粉碎后，伸缩板在抽取组件的控制进行再次进行伸展，若干组第一N型半导体抵在一起
将毛刺的残渣铲起，之后，伸缩板在收缩管的影响下进行上翘，使残渣滑道伸缩板上，通过
伸缩板的反复运动，将残渣从压铸件上被清理干净。

[0015] 该去毛刺装置还包括图像采集系统和图像处理系统，所述图像采集系统对压铸件进行图像采集，所述图像处理系统通过图像处理获取毛刺在压铸件上的位置以及毛刺长
度。通过位置数据将套环套设在毛刺外侧，通过毛刺长度数据控制衔接板在套环中的位置。

[0016] 与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：本发明在毛刺的周围套设套环，并对套环内的温度进行降低，第一N型半导体抵在毛刺根部的外侧，第一P型半导体在衔接板
的带动下抵在毛刺的顶部，被迫吸收自身内部的热量，电流从毛刺中流过，通过珀尔帖效应
使毛刺从外界吸收热量，使毛刺自身温度下降，在毛刺降温之前，由于衔接板使套环内部温
度降低，使毛刺无法吸收外界的热量，迫使毛刺吸收自身内部的热量，加速毛刺降温的速
度，使毛刺从内向外进行冷冻，提高毛刺冷冻的效率，相对于对整个压铸件进行降温的方
式，本发明对压铸件进行降温的方式更快捷、更准确，成本也相对较低。

附图说明

[0017] 附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

[0018] 图1是本发明的整体结构示意图；

[0019] 图2是本发明的套环套设在压铸件上的状态示意图；

[0020] 图3是本发明的套环与密封膜之间的俯视示意图；

[0021] 图4是本发明的衔接板半剖示意图；

[0022] 图5是本发明的底环与伸缩板之间的结构示意图；

[0023] 图6是本发明的伸缩板的变化示意图；

[0024] 图7是本发明的伸缩板的结构示意图；

[0025] 图8是本发明的图2中A区域的结构示意图；

[0026] 图9是本发明的毛刺冷冻的模拟示意图。

[0027] 图中：1、底座；2、套环；3、密封膜；4、衔接板；5、压铸件；6、底环；1‑1、承载板；1‑2、伸缩件；1‑3、抽取组件；3‑1、气流环；4‑1、顶板；4‑2、第一P型半导体；4‑3、翅片；4‑4、第二P
型半导体；4‑5、第二N型半导体；4‑6、干燥绵；6‑1、伸缩板；6‑2、第一N型半导体；6‑3、第一压
电陶瓷；6‑4、收缩管。

具体实施方式

[0028] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他
实施例，都属于本发明保护的范围。

[0029] 请参阅图1‑9，本发明提供技术方案：一种具有压铸件打磨边缘测量功能的去毛刺装置，该去毛刺装置包括底座1、套环2、衔接板4，套环2设置在底座1上，衔接板4设置在底座
1中部，衔接板4位于套环2内部，套环2抵在压铸件5上，衔接板4抵在毛刺顶端，套环2及衔接
板4均与控制电路电连接。

[0030] 底座1内部安装有伸缩件1‑2，伸缩件1‑2为可以进行伸缩的设备，如气缸、液压缸等，伸缩件1‑2上安装有承载板1‑1，底座1内部设置有抽取组件1‑3，抽取组件1‑3由风机、管
路、电磁阀组成。

[0031] 底座1上在套环2的外侧套设有密封膜3，密封膜3为一层橡胶膜，密封膜3的一端固定有气流环3‑1，气流环3‑1通过呈环形的板与底环6的外侧连接，气流环3‑1上开设有气流
孔，每组气流孔中均设置有橡胶，橡胶中部均开设有气孔，密封膜3与套环2之间形成密封
腔，密封腔与抽取组件1‑3管道连接。

[0032] 当套环2抵在压铸件5表面并被压缩时，密封膜3覆盖在压铸件5上，抽取组件1‑3抽取密封腔中的空气，使密封膜3与套环2外表面贴合，使覆盖在压铸件5上的两层密封膜3之
间的空气被抽取干净，使两侧密封膜3在外界空气的挤压下贴合在一起，同时，外界的空气
将密封膜3挤压在压铸件5的表面上，使密封膜3填补压铸件5上的坑槽，气流孔中安装有橡
胶，橡胶在自身弹性的作用下对气孔进行封堵，当密封腔中的空气被抽取干净之后，橡胶在
气压的作用下发生形变，使气孔被打开，密封膜贴合在压铸件上，密封膜3、压铸件5以及气
流环3‑1三者形成负压腔，气孔被打开后连通负压腔，抽取组件1‑3通过气孔抽取负压腔中
的空气，使密封膜3与压铸件5之间的空气被抽走，进一步的增强密封膜3与压铸件5之间贴
合效果，提高套环2与压铸件5之间的密封效果，从而防止衔接板4对套环2内部进行降温后，
由于气压降低导致外界空气进入到套环2内而影响降温效果。

[0033] 套环2为波纹管结构，套环2远离底座1的一端安装有底环6，底环6的内侧设置有若干组伸缩板6‑1，每组伸缩板6‑1的一端均设置有第一N型半导体6‑2，每组第一N型半导体6‑
2上均倾斜设置有第一压电陶瓷6‑3，第一N型半导体6‑2及第一压电陶瓷6‑3均与控制电路
电连接。

[0034] 每组伸缩板6‑1均为波纹管结构，每组伸缩板6‑1上端内部均设置有收缩管6‑4，伸缩板6‑1及收缩管6‑4均与抽取组件1‑3管道连接。

[0035] 套环2套设在毛刺根部的外侧，第一N型半导体6‑2抵在毛刺根部的外侧，第一P型半导体4‑2在衔接板4的带动下抵在毛刺的顶部，套环2与衔接板4相互配合使毛刺接入电
路，电流从毛刺中流过，通过珀尔帖效应使毛刺从外界吸收热量，使毛刺自身温度下降，在
毛刺降温之前，衔接板4使套环2内部温度降低，使毛刺周围的温度降低，迫使毛刺吸收自身
内部的热量，加速毛刺降温的速度，使毛刺从内向外进行冷冻，提高毛刺冷冻的效率。

[0036] 伸缩板6‑1在抽取组件1‑3的控制下进行伸展和收缩，伸缩板6‑1伸展时将第一N型半导体6‑2抵在毛刺上，收缩管6‑4与抽取组件1‑3连通，收缩管6‑4内部的空气被抽取组件
抽取时，伸缩板受到收缩管的影响进行弯曲，使带有第一N型半导体的一端翘起，当毛刺被
粉碎后，伸缩板在抽取组件的控制进行再次进行伸展，若干组第一N型半导体抵在一起将毛
刺的残渣铲起，之后，伸缩板在收缩管的影响下进行上翘，使残渣滑道伸缩板上，通过伸缩
板的反复运动，将残渣从压铸件上被清理干净。

[0037] 第一压电陶瓷朝向毛刺，第一压电陶瓷通入交流电，第一压电陶瓷朝着毛刺产生超声波，若干组第一压电陶瓷围绕在毛刺的周围，使毛刺从多个方向受到超声波的冲击，加
快毛刺的粉碎速度，提高去毛刺效率以及压铸件表面的处理速度，第一压电陶瓷产生超声
波的同时，将振动的能量传递到第一N型半导体上，使第一N型半导体对振动能进行传递，使
毛刺在受到第一N型半导体传递的振动能的影响下进行震动。

[0038] 衔接板4呈环形机构，衔接板4的上下两端分别安装有第二P型半导体4‑4和第二N型半导体4‑5，衔接板4的外侧安装有若干组翅片4‑3，每组翅片4‑3之间设置有干燥绵4‑6，
若干组翅片4‑3的下端安装有顶板4‑1，第二P型半导体4‑4和第二N型半导体4‑5均与控制电
路电连接。

[0039] 空气中的水分在翅片4‑3外表凝结成水，干燥绵4‑6对翅片4‑3上滑落的水进行吸收，保持套环2内部的干燥，防止水滴落在毛刺上，第二P型半导体4‑4和第二N型半导体4‑5
均与控制电路电连接，使电流从第二N型半导体4‑5经过衔接板流向第二P型半导体4‑4，使
衔接板4通过翅片4‑3对套环2内部的空间进行降温，使毛刺周围的温度降低，迫使毛刺吸收
自身的热量。

[0040] 顶板4‑1远离翅片4‑3的一端开设有呈圆台状的凹槽，第一P型半导体4‑2位于凹槽的中部，凹槽的侧端面上设置有第二压电陶瓷（图中未画出），第一P型半导体4‑2及第二压
电陶瓷均与控制电路电连接。

[0041] 第二压电陶瓷在通入交流电之后产生超声波，通过超声波使冷冻后的毛刺进行震动，从而使毛刺自身崩裂、粉碎，圆台状的凹槽使第二压电陶瓷以倾斜的角度朝向毛刺，使
超声波的传播角度变大，从而充分利用超声波。

[0042] 若干组翅片4‑3的一端与承载板1‑1固定。伸缩件通过承载板及翅片带动衔接板进行移动，使衔接板在套环中往复运动，通过伸缩件1‑2的设置，调节第一P型半导体与毛刺之
间的距离，使第一P型半导体适应不同长度的毛刺，使第一P型半导体4‑2抵在毛刺上。

[0043] 该去毛刺装置还包括图像采集系统（图中未画出）和图像处理系统（图中未画出），图像采集系统对压铸件进行图像采集，图像处理系统通过图像处理获取毛刺在压铸件上的
位置以及毛刺长度。通过位置数据将套环套设在毛刺外侧，通过毛刺长度数据控制衔接板
在套环中的位置。

[0044] 本发明的工作原理：

[0045] 将压铸件5放置在工作台上，图像采集系统和图像处理系统先对压铸件5进行图像数据处理，获取毛刺在压铸件5上的位置信息和长度数据。

[0046] 底座1被移动设备（如：机械手、模组等）带动并移动到毛刺上方，套环2套设在毛刺外侧，之后，抽取组件1‑3抽取密封腔中的空气，使密封膜3贴合在压铸件5的表面，抽取组件
1‑3继续抽取空气，使气流孔中橡胶上的气孔打开，抽取组件1‑3抽取负压腔中的空气，使密
封膜3贴紧在压铸件5的表面。

[0047] 伸缩件1‑2通过承载板1‑1推动衔接板4，使第一P型半导体4‑2抵在毛刺的顶部，同时，电流在控制电路的控制下从第二N型半导体经过衔接板流向第二P型半导体，使衔接板4
通过翅片4‑3对套环2内部的空间进行降温。

[0048] 若干组伸缩板6‑1同时伸展并将第一N型半导体6‑2抵在毛刺根部的外侧，第一N型半导体6‑2围绕在毛刺的周围，第一P型半导体4‑2在衔接板4的带动下抵在毛刺的顶部，电
流从第一N型半导体6‑2经过毛刺流到第一P型半导体4‑2中，通过珀尔帖效应使毛刺从外界
吸收热量，使毛刺自身温度下降，在毛刺降温之前，由于衔接板4对套环2内部进行降温，使
毛刺周围的温度降低，迫使毛刺吸收自身内部的热量，使毛刺从内向外进行冷冻。

[0049] 毛刺冷冻之后，第一压电陶瓷6‑3通入交流电，第一压电陶瓷6‑3朝着毛刺产生超声波，若干组第一压电陶瓷6‑3围绕在毛刺的周围，使毛刺从多个方向受到超声波的冲击，
加快毛刺的粉碎速度，第一压电陶瓷6‑3产生超声波的同时，将振动的能量传递到第一N型
半导体6‑2上，使第一N型半导体6‑2对振动能进行传递，使毛刺在受到第一N型半导体6‑2传
递的振动能的影响下进行震动。

[0050] 第二压电陶瓷在通入交流电之后产生超声波，通过超声波使冷冻后的毛刺进行震动，毛刺在第一压电陶瓷6‑3及第二压电陶瓷产生的超声波的作用下发生崩裂、粉碎，粉碎
之后的残渣落在第一N型半导体6‑2上，进而实现对压铸件5表面的处理。

[0051] 当毛刺被粉碎后，伸缩板6‑1在抽取组件1‑3的控制进行再次进行伸展，若干组第一N型半导体6‑2抵在一起将毛刺的残渣铲起，之后，收缩管6‑4内部的空气被抽取组件1‑3
抽取时，伸缩板6‑1受到收缩管6‑4的影响进行弯曲，使带有第一N型半导体6‑2的一端翘起，
伸缩板在收缩管的影响下进行上翘，使残渣滑道伸缩板上，通过伸缩板6‑1的反复弯曲，将
残渣从压铸件5上被清理干净，进而实现对残渣的清理工作。

[0052] 需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存
在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖
非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要
素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备
所固有的要素。

[0053] 最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可
以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。
凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的
保护范围之内。