集成电路及其操作方法

摘要

一种用于驱动多个流体致动设备的集成电路包括多个第一非易失性存储器单元和控制逻辑。每个第一非易失性存储器单元存储定制位。所述控制逻辑基于所述定制位来配置所述集成电路的操作。

权利要求

1.一种用于包括多个流体致动设备的流体喷射设备的集成电路，所述集成电路包括：多个第一非易失性存储器单元，每个第一非易失性存储器单元存储定制位；

多个第二非易失性存储器单元；以及

控制逻辑，所述控制逻辑用于基于所述定制位来配置所述集成电路的操作，其中，所述操作用于基于所述定制位来修改输入到所述集成电路的地址，以及其中，所述控制逻辑用于基于经修改的地址对第二非易失性存储器单元进行访问。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述控制逻辑用于基于经修改的地址来激发流体致动设备。

3.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述操作包括以下至少一项：阻止或允许对所述集成电路的另外的存储器单元进行访问、对由所述集成电路接收的数据流的至少部分进行反相、或者修改存储在所述集成电路的配置寄存器中的位的行为。

4.如权利要求1或2所述的集成电路，其中，所述多个第一非易失性存储器单元包括四个存储器单元，并且其中，所述定制位将所述集成电路限定为16个单独的集成电路之一。

5.如权利要求1或2所述的集成电路，其中，一旦所述定制位被写入到所述第一非易失性存储器单元，就禁用对所述多个第一非易失性存储器单元的写入访问。

6.如权利要求1或2所述的集成电路，其中，所述控制逻辑阻止对所述多个第一非易失性存储器单元的外部读取访问。

7.一种用于操作用于驱动多个流体致动设备的集成电路的方法，所述方法包括：读取存储在对应的多个第一非易失性存储器单元中的多个定制位；

从喷嘴数据流接收地址；

对所述定制位和所述地址进行求和以生成经修改的地址；以及基于所述经修改的地址对多个第二非易失性存储器单元中的第二非易失性存储器单元进行访问。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：

基于所述经修改的地址来激发流体致动设备。

9.如权利要求7或8所述的方法，其中，所述多个定制位包括四个定制位，并且所述地址包括四个位，并且其中，对所述定制位和所述地址进行求和包括对所述定制位和所述地址进行求和以生成包括四个位的经修改的地址，其中，求和所得的最高有效位被弃用。

说明书

集成电路及其操作方法

技术领域

[0001] 本公开总体上涉及包括定制位的集成电路。

背景技术

[0002] 作为流体喷射系统的一个示例的喷墨打印系统可以包括打印头、向打印头供应液体墨水的墨水供应器和控制打印头的电子控制器。作为流体喷射设备的一个示例的打印头通过多个喷嘴或孔口并向打印介质(如一张纸)喷射墨滴，以在打印介质上进行打印。在一些示例中，孔口被布置成至少一个列或阵列，使得当打印头和打印介质相对于彼此移动时，从孔口进行的适当顺序的墨水喷射使得字符或其他图像被打印在打印介质上。

发明内容

[0003] 根据本公开的一方面，提供了一种用于包括多个流体致动设备的流体喷射设备的集成电路，所述集成电路包括：多个第一非易失性存储器单元，每个第一非易失性存储器单元存储定制位；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于基于所述定制位来配置所述集成电路的操作，其中，所述操作用于基于所述定制位来修改输入到所述集成电路的地址。

[0004] 根据本公开的另一方面，提供了一种用于操作用于驱动多个流体致动设备的集成电路的方法，所述方法包括：读取存储在对应的多个第一非易失性存储器单元中的多个定制位；从喷嘴数据流接收地址；以及对所述定制位和所述地址进行求和以生成经修改的地址。

附图说明

[0005] 图1A是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路的一个示例的框图。

[0006] 图1B是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路的另一个示例的框图。

[0007] 图2图示了地址修改器的一个示例。

[0008] 图3是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路的另一个示例的框图。

[0009] 图4A是图示了用于对存储定制位的存储器单元进行访问的电路的一个示例的示意图。

[0010] 图4B是图示了用于对存储锁定位的存储器单元进行访问的电路的一个示例的示意图。

[0011] 图5图示了流体喷射设备的一个示例。

[0012] 图6A和图6B图示了流体喷射裸片的一个示例。

[0013] 图7是图示了流体喷射系统的一个示例的框图。

[0014] 图8A至图8C是图示了用于操作用于驱动多个流体致动设备的集成电路的方法的示例的流程图。

具体实施方式

[0015] 在以下具体实施方式中，对附图进行了参考，这些附图形成具体实施方式的一部分，并且在附图中通过说明的方式示出了可以实践本公开的具体示例。应当理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他示例并且可以做出结构或逻辑变化。因此以下具体实施方式不应当被理解为限制性的意义，并且本公开的范围由所附权利要求限定。应当理解的是，除非另外特别指出，否则本文所描述的各种示例的特征可以部分地或全部地彼此组合。

[0016] 对于不同的地理区域、对于订阅或非订阅客户或出于其他原因，让集成电路(例如，半导体裸片)有不同的表现可能具有优势。相比于制作被设计成具有不同表现的多个物理集成电路(这可能必须单独地跟踪或分开管理)，可能更容易的是将一些非易失性存储器位写入到集成电路(例如，在制造期间)以改变集成电路的行为。

[0017] 因此，本文公开了包括各自存储定制位的多个存储器单元的集成电路(例如，流体喷射裸片)。在一个示例中，定制位可以用于通过将定制位与来自喷嘴数据流的地址求和以生成经修改的地址来修改输入到裸片的地址。经修改的地址可以用于基于经修改的地址来激发流体致动设备或对与流体致动设备相对应的存储器单元进行访问。在其他示例中，定制位可以用于配置集成电路的其他操作，如下文将描述的。

[0018] 如本文所使用的，“逻辑高”信号是逻辑“1”或“导通”信号或具有约等于供应到集成电路的逻辑电力的电压(例如，在约1.8V与15V之间，如5.6V)的信号。如本文所使用的，“逻辑低”信号是逻辑“0”或“关断”信号或具有约等于供应到集成电路的逻辑电力的逻辑电力接地回路的电压(例如，约0V)的信号。

[0019] 图1A是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路100的一个示例的框图。集成电路100包括多个存储器单元1020到102N，其中，“N”是任何合适的存储器单元数量(例如，四个存储器单元)。集成电路100还包括控制逻辑106。控制逻辑106分别通过信号路径1010到101N电耦接到每个存储器单元1020到102N。

[0020] 每个第一存储器单元1020到102N存储定制位。每个第一存储器单元1020到102N可以包括非易失性存储器单元(例如，浮栅晶体管、可编程熔丝、一次写入的存储器单元等)。控制逻辑106可以包括微处理器、专用集成电路(ASIC)或用于控制集成电路100的操作的其他合适的逻辑电路。控制逻辑106可以阻止对多个存储器单元1020到102N的外部读取访问。
一旦定制位被写入到存储器单元1020到102N，如通过写入锁定位，就可以禁用对多个存储器单元1020到102N的写入访问，如下文将参考图3所描述的。

[0021] 控制逻辑106可以基于定制位来配置集成电路100的操作。在一个示例中，所述操作可以用于基于定制位来修改输入到集成电路100的地址。在另一个示例中，可以基于定制位阻止或允许对集成电路的另外的存储器单元(例如，下文要参考图1B描述的存储器单元130)或所述另外的存储器单元的子集的读取和/或写入访问。在又另一个示例中，由集成电路100接收的数据流(例如，喷嘴数据流)或数据流的至少部分可以基于定制位被反相。数据流或数据流的部分可以沿数据流路径在任何地方被反相。多个定制位可以用于多个反相点。

[0022] 在又另一个示例中，可以基于定制位来修改存储在集成电路100的配置寄存器(未示出)中的位的行为。例如，配置寄存器中用于设置集成电路100的功能的延迟的延迟位可以基于定制位被反转和/或编码。在任何情况下，单个定制位或定制位的子集可以用于配置集成电路100的单个操作。因此，定制位可以用于配置集成电路100的多个操作，其中，每个操作基于不同的定制位来配置。

[0023] 图1B是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路120的另一个示例的框图。集成电路120包括多个第一存储器单元1020到1023和控制逻辑106。另外，集成电路120包括流体致动设备128和多个第二存储器单元130。在此示例中，控制逻辑106包括地址修改器
122。地址修改器122电耦接到地址信号路径124，分别通过信号路径1010到1013电耦接到每个第一存储器单元1020到1023，并且通过经修改的地址信号路径126电耦接到流体致动设备
128和多个第二存储器单元130。多个第二存储器单元130中的每一个包括非易失性存储器单元(例如，浮栅晶体管、可编程熔丝等)。在一个示例中，流体致动设备128包括用于喷射液滴的喷嘴或流体泵。

[0024] 在此示例中，存在四个存储器单元1020到1023来存储四个定制位。定制位将集成电路120限定为16个单独的集成电路之一。由于所存储的定制位，16个单独的集成电路中的每一个都不同地进行操作。

[0025] 地址修改器122通过地址信号路径124接收地址。在一个示例中，地址是从主机打印装置输入到集成电路120的喷嘴数据流的一部分，如下文要参考图7描述的流体喷射系统700。地址修改器122还从每个第一存储器单元1020到1023接收所存储的定制位。地址修改器
122基于定制位修改输入到集成电路120的地址以在信号路径126上提供经修改的地址。在一个示例中，控制逻辑106基于经修改的地址激发流体致动设备128。在另一个示例中，控制逻辑106基于经修改的地址对第二存储器单元130进行访问。

[0026] 图2图示了地址修改器122的一个示例。在此示例中，地址修改器122是四位加法器。四位加法器122的第一输入通过信号路径124接收四个地址位(ADDR0、ADDR1、ADDR2和ADDR3)。四位加法器122的第二输入分别通过信号路径1010到1013接收四个定制位(CUST0、CUST1、CUST2和CUST3)。四位加法器122将四个地址位和四个定制位相加以生成包括信号路径126上的四个位的经修改的地址。在一个示例中，求和所得的最高有效位被弃用。

[0027] 图3是图示了用于驱动多个流体致动设备的集成电路200的另一个示例的框图。集成电路200包括多个第一存储器单元2020到202N、多个第一存储元件2040到204N和控制逻辑206。另外，集成电路200包括第二存储器单元222、第二存储元件224、写入电路230和读取电路232。控制逻辑206分别通过信号路径2010到201N电耦接到每个第一存储器单元2020到
202N，分别通过信号路径2030到203N电耦接到每个第一存储元件2040到204N，并且电耦接到复位信号路径210。每个第一存储器单元2020到202N分别通过信号路径2080到208N电耦接到对应的第一存储元件2040到204N。

[0028] 控制逻辑206还通过信号路径221电耦接到第二存储器单元222并且通过信号路径223电耦接到存储元件224。第二存储器单元222通过信号路径228电耦接到存储元件224。每个第一存储器单元2020到202N、第二存储器单元222、写入电路230和读取电路232电耦接到单个接口(例如，单个导线)234。读取电路232电耦接到接口(例如，感测接口)236。

[0029] 复位信号路径210可以电耦接到复位接口，所述复位接口可以是接触焊盘、引脚、凸块、导线或用于向和/或从集成电路200传输信号的其他合适的电接口。复位接口可以电耦接到流体喷射系统(例如，主机打印装置，如下文将参考图7所描述的流体喷射系统700)。感测接口236可以是接触焊盘、引脚、凸块、导线或用于向和/或从集成电路200传输信号的其他合适的电接口。感测接口236可以电耦接到流体喷射系统(例如，主机打印装置，如图7的流体喷射系统700)。

[0030] 每个第一存储器单元2020到202N存储定制位。每个第一存储器单元2020到202N包括非易失性存储器单元(例如，浮栅晶体管、可编程熔丝等)。每个第一存储元件2040到204N包括锁存器或输出可以由数字逻辑直接使用的逻辑信号(即，逻辑高信号或逻辑低信号)的另外的合适电路。控制逻辑206可以包括微处理器、专用集成电路(ASIC)或用于控制集成电路200的操作的其他合适的逻辑电路。

[0031] 响应于复位信号路径210上的复位信号，控制逻辑206读取(例如，响应于复位信号的第一边沿)存储在每个第一存储器单元2020到202N中的定制位并且将每个定制位锁存(例如，响应于复位信号的第二边沿)在对应的第一存储元件2040到204N中。在一个示例中，控制逻辑206基于锁存的定制位来配置集成电路200的操作。在一个示例中，所述操作可以基于锁存的定制位来修改输入到集成电路200的地址。在其他示例中，可以基于锁存的定制位来修改集成电路200的其他操作，如上文先前所描述的。

[0032] 第二存储器单元222存储锁定位。第二存储器单元222包括非易失性存储器单元(例如，浮栅晶体管、可编程熔丝等)。第二存储元件到224包括锁存器或输出可以由数字逻辑直接使用的逻辑信号(即，逻辑高信号或逻辑低信号)的另外的合适电路。响应于复位信号，控制逻辑206读取(例如，响应于复位信号的第一边沿)存储在第二存储器单元222中的锁定位并且将锁定位锁存(例如，响应于复位信号的第二边沿)在第二存储元件224中。另外，控制逻辑206基于锁存的锁定位允许或阻止写入到多个第一存储器单元2020到202N。在一个示例中，控制逻辑206还基于锁存的锁定位允许或阻止写入到第二存储器单元222。例如，如果“0”锁定位存储在第二存储器单元222中，则可以修改存储在第一存储器单元2020到202N中的定制位。一旦“1”锁定位被写入到第二存储器单元222，就无法修改存储在第一存储器单元2020到202N中的定制位并且无法修改存储在第二存储器单元222中的锁定位。

[0033] 写入电路230通过单个接口234将对应的定制位写入到多个第一存储器单元2020到202N中的每一个。写入电路230还可以通过单个接口234将锁定位写入到第二存储器单元222。在一个示例中，写入电路230可以包括电压调节器和/或用于将定制位写入到第一存储器单元2020到202N并且将锁定位写入到第二存储器单元222的其他合适的逻辑电路。

[0034] 读取电路232启用外部访问(例如，经由感测接口236)以通过单个接口234读取多个第一存储器单元2020到202N中的每一个的定制位。读取电路232还可以启用外部访问(例如，经由感测接口236)以通过单个接口234读取第二存储器单元222的锁定位。在一个示例中，读取电路232可以包括晶体管开关或用于通过感测接口236启用对第一存储器单元2020到202N和第二存储器单元222的外部读取访问的其他合适的逻辑电路。在一个示例中，控制逻辑206基于锁存的锁定位允许或阻止对多个第一存储器单元2020到202N和第二存储器单元222的外部读取访问。例如，如果“0”锁定位存储在第二存储器单元222中，则存储在第一存储器单元2020到202N中的定制位和存储在第二存储器单元222中的锁定位可以通过读取电路232读取。一旦“1”锁定位被写入到第二存储器单元222，存储在第一存储器单元2020到202N中的定制位和存储在第二存储器单元222中的锁定位就无法通过读取电路232读取。

[0035] 图4A是图示了用于对存储定制位的存储器单元进行访问的电路300的一个示例的示意图。在一个示例中，电路300是图1A的集成电路100、图1B的集成电路120或图3的集成电路200的一部分。电路300包括存储器单元302、锁存器304、内部(复位)读取电压调节器306、写入电压调节器308、反相器310、与门312和316、或门314和318、晶体管320和322以及感测焊盘324。存储器单元302包括浮栅晶体管330和晶体管332、334和336。

[0036] 反相器310的输入电耦接到锁定信号路径340。反相器310的输出通过信号路径311电耦接到与门312的第一输入。与门312的第二输入电耦接到定制位使能信号路径338。与门312的第三输入电耦接到选择信号(ADDR[X]，其对应于来自喷嘴数据流的Y个地址位之一，其中，“Y”是任何合适的位数量(例如，4))路径342。与门312的输出通过信号路径313电耦接到或门314的第一输入。或门314的第二输入电耦接到复位信号路径344。或门314的输出通过信号路径315电耦接到存储器单元302的晶体管332的栅极和锁存器304的栅极(G)输入。

[0037] 与门316的第一输入电耦接到写入使能信号路径346。与门316的第二输入电耦接到激发信号路径(fire signal path)348。与门316的输出通过信号路径317电耦接到存储器单元302的晶体管334的栅极。或门318的第一输入电耦接到激发信号路径348。或门318的第二输入电耦接到复位信号路径344。或门318的输出通过信号路径319电耦接到存储器单元302的晶体管336的栅极。

[0038] 内部(复位)读取电压调节器306的输入电耦接到复位信号路径344。内部(复位)读取电压调节器306的输出通过信号路径323电耦接到存储器单元302的浮栅晶体管330的源极‑漏极路径的一侧。写入电压调节器308的输入电耦接到存储器写入信号路径350。写入电压调节器308的输出通过信号路径323电耦接到存储器单元302的浮栅晶体管330的源极‑漏极路径的一侧。感测焊盘324电耦接到晶体管320的源极‑漏极路径的一侧。晶体管320的栅极和晶体管322的栅极电耦接到读取使能信号路径352。晶体管320的源极‑漏极路径的另一侧通过信号路径321电耦接到晶体管322的源极‑漏极路径的一侧。晶体管322的源极‑漏极路径的另一侧通过信号路径323电耦接到存储器302的浮栅晶体管330的源极‑漏极路径的一侧。

[0039] 浮栅晶体管330的源极‑漏极路径的另一侧通过信号路径331电耦接到晶体管332的源极‑漏极路径的一侧和锁存器304的数据(D)输入。锁存器304的另一个输入电耦接到预设信号路径354。锁存器304的输出(Q)电耦接到定制位信号路径356。晶体管332的源极‑漏极路径的另一侧通过信号路径333电耦接到晶体管334的源极‑漏极路径的一侧和晶体管336的源极‑漏极路径的一侧。晶体管334的源极‑漏极路径的另一侧电耦接到公共或接地节点335。晶体管336的源极‑漏极路径的另一侧电耦接到公共或接地节点335。

[0040] 尽管电路300包括用于存储定制位的一个存储器单元302和一个对应的锁存器304，但是电路300可以包括用于存储期望数量的定制位的任何合适数量的存储器单元302和对应的锁存器304。对于每个定制位，每个存储器单元和对应的锁存器将以与针对存储器单元302和锁存器304所描述的方式类似的方式进行访问。

[0041] 电路300接收定制使能信号路径338上的定制使能信号、锁定信号路径340上的锁定信号、选择信号路径342上的地址或选择信号、复位信号路径344上的复位信号、写入使能信号路径346上的写入使能信号、激发信号路径348上的激发信号、存储器写入信号路径350上的存储器写入信号、读取使能信号路径352上的读取使能信号以及预设信号路径354上的预设信号。预设信号可以用于在测试期间对锁存器304进行覆写，以从锁存器304输出期望的逻辑电平。定制使能信号和锁定信号可以用于启用或禁用对存储定制位的存储器单元的写入访问和外部读取访问。地址信号可以用于选择存储定制位的存储器单元之一。定制使能信号、写入使能信号、存储器写入信号、读取使能信号和预设信号可以是基于存储在配置寄存器(未示出)中的数据，或者基于从主机打印装置接收的数据。锁定信号是从锁存器输出的内部信号，如图3的存储元件224。

[0042] 地址信号是(如通过数据接口)从主机打印装置接收的。复位信号可以通过复位接口从主机打印装置接收。激发信号可以通过激发接口从主机打印装置接收。数据接口、复位接口和激发接口中的每一个可以包括接触焊盘、引脚、凸块、导线或用于向和/或从电路300传输信号的其他合适的电接口。数据接口、复位接口、激发接口和感测焊盘324中的每一个可以电耦接到流体喷射系统(例如，主机打印装置，如图7的流体喷射系统700)。

[0043] 反相器310接收锁定信号并且在信号路径311上输出反相锁定信号。响应于逻辑高定制使能信号、逻辑高反相锁定信号和逻辑高选择信号，与门312在信号路径313上输出逻辑高信号。响应于逻辑低定制使能信号、逻辑低反相锁定信号或逻辑低选择信号，与门312在信号路径313上输出逻辑低信号。

[0044] 响应于信号路径313上的逻辑高信号或逻辑高复位信号，或门314在信号路径315上输出逻辑高信号。响应于信号路径313上的逻辑低信号和逻辑低复位信号，或门314在信号路径315上输出逻辑低信号。响应于逻辑高写入使能信号和逻辑高激发信号，与门316在信号路径317上输出逻辑高信号。响应于逻辑低写入使能信号或逻辑低激发信号，与门316在信号路径317上输出逻辑低信号。响应于逻辑高激发信号或逻辑高复位信号，或门318在信号路径319上输出逻辑高信号。响应于逻辑低激发信号和逻辑低复位信号，或门318在信号路径319上输出逻辑低信号。

[0045] 响应于信号路径315上的逻辑高信号，晶体管332导通(即，传导)以启用对存储器单元302进行访问。响应于信号路径315上的逻辑低信号，晶体管332关断以禁用对存储器单元302进行访问。响应于信号路径317上的逻辑高信号，晶体管334导通以启用对存储器单元302的写入访问。响应于信号路径317上的逻辑低信号，晶体管334关断以禁用对存储器单元
302的写入访问。响应于信号路径319上的逻辑高信号，晶体管336导通以启用对存储器单元
302的读取访问。响应于信号路径319上的逻辑低信号，晶体管336关断以禁用对存储器单元
302的读取访问。在一个示例中，晶体管334是较强的设备，并且晶体管336是较弱的设备。因此，较强的设备可以用于启用写入访问，并且较弱的设备可以用于启用读取访问以改善用于锁存信号路径331上的电压的裕量。

[0046] 响应于逻辑高复位信号，启用内部(复位)读取电压调节器306以将读取电压偏置输出到信号路径323。响应于逻辑低复位信号，禁用内部(复位)读取电压调节器306。因此，响应于从逻辑低转变到逻辑高的复位信号，晶体管332和336导通并且内部(复位)读取电压调节器306被启用以读取浮栅晶体管330的状态(即，表示所存储的定制位的电阻)。浮栅晶体管330的状态被传递到锁存器304的数据(D)输入(即，作为表示所存储的定制位的电压)。响应于从逻辑高转变到逻辑低的复位信号，存储在浮栅晶体管330中的定制位被锁存器304锁存，晶体管332和336关断，并且内部(复位)读取电压调节器306被禁用。因此，定制位然后在锁存器304的输出(Q)上可用，并且因此在定制位信号路径356上可用于其他数字逻辑。

[0047] 响应于逻辑高读取使能信号，晶体管320和322导通以通过感测焊盘324启用对存储器单元302的外部访问。响应于逻辑低读取使能信号，晶体管320和322关断以通过感测焊盘324来禁用对存储器单元302的外部访问。因此，响应于逻辑高定制使能信号、逻辑低锁定信号、逻辑高地址信号、逻辑高读取使能信号和逻辑高激发信号，晶体管320、322、332和336导通以允许浮栅晶体管330由外部电路通过感测焊盘324读取。

[0048] 响应于逻辑高存储器写入信号，启用写入电压调节器308以将写入电压施加到信号路径323。响应于逻辑低存储器写入信号，禁用写入电压调节器308。因此，响应于逻辑高定制使能信号、逻辑低锁定信号、逻辑高地址信号、逻辑高写入使能信号、逻辑高存储器写入信号和逻辑高激发信号，晶体管332、334和336导通以允许浮栅晶体管330由写入电压调节器308写入。

[0049] 图4B是图示了用于对存储锁定位的存储器单元进行访问的电路370的一个示例的示意图。在一个示例中，电路370是图3的集成电路200的一部分。电路370类似于先前参考图4A所描述和图示的电路300，除了在电路370中，存储器单元302用存储器单元372替换，并且锁存器304用锁存器374替换。存储器单元372存储锁定位并且锁存器374响应于复位信号锁存锁定位。

[0050] 存储器单元372类似于先前描述的存储器单元302。锁存器374类似于先前描述的锁存器304，除了锁存器374不包括预设信号输入。锁存器374的输出(Q)在锁定信号路径340上提供锁定信号，所述锁定信号是对反相器310的输入(还参见图4A的反相器310)。代替输入到与门312的选择信号，喷嘴数据锁定位信号通过喷嘴数据锁定位信号路径376输入到与门312。喷嘴数据锁定位信号可以用于选择存储器单元372。喷嘴数据锁定位信号可以基于如通过数据接口从主机打印装置接收的数据。如先前所描述的，类似于图4A的存储器单元302，可以启用存储器单元372以进行写入或读取访问。

[0051] 图5图示了流体喷射设备500的一个示例。流体喷射设备500包括感测接口502、第一流体喷射组件504和第二流体喷射组件506。第一流体喷射组件504包括载体508和多个长型衬底510、512和514(例如，流体喷射裸片，其将在下文参考图6进行描述)。载体508包括电布线516，该电布线516耦接到每个长型衬底510、512和514的接口(例如，感测接口)并且耦接到感测接口502。第二流体喷射组件506包括载体520和长型衬底522(例如，流体喷射裸片)。载体520包括电布线524，该电布线524耦接到长型衬底522的接口(例如，感测接口)并且耦接到感测接口502。在一个示例中，第一流体喷射组件504是彩色(例如，青色、品红色和黄色)喷墨或流体喷射打印墨盒或笔，并且第二流体喷射组件506是黑色喷墨或流体喷射打印墨盒或笔。

[0052] 在一个示例中，每个长型衬底510、512、514和522包括图1A的集成电路100、图1B的集成电路120、图3的集成电路200或图4A和图4B的电路300和/或370。因此，感测接口502可以电耦接到每个长型衬底的感测接口236(图3)或感测焊盘324(图4A和图4B)。每个长型衬底510、512、514和522的存储器单元可以通过感测接口502和电布线516和524进行访问。

[0053] 在一个示例中，第一流体喷射组件504的每个长型衬底510、512和514的定制位在每个长型衬底之间变化。在一个示例中，每个长型衬底510、512、514和522包括用于存储四个定制位的四个非易失性存储器单元。因此，定制位可以将流体喷射组件504限定为4096个单独的流体喷射设备之一，并且将流体喷射组件506限定为16个单独的流体喷射设备之一。

[0054] 图6A图示了流体喷射裸片600的一个示例，并且图6B图示了流体喷射裸片600的端部的放大视图。在一个示例中，流体喷射裸片600包括图1A的集成电路100、图1B的集成电路120、图3的集成电路200或图4A和图4B的电路300和/或370。裸片600包括第一列接触焊盘
602、第二列接触焊盘604和流体致动设备608的列606。

[0055] 第二列接触焊盘604与第一列接触焊盘602对齐并且与第一列接触焊盘602相距一定距离(即，沿Y轴)。所述流体致动设备608的列606相对于第一列接触焊盘602和第二列接触焊盘604纵向布置。所述流体致动设备608的列606也布置在第一列接触焊盘602与第二列接触焊盘604之间。在一个示例中，流体致动设备608是用于喷射液滴的喷嘴或流体泵。

[0056] 在一个示例中，第一列接触焊盘602包括六个接触焊盘。第一列接触焊盘602可以依次包括以下接触焊盘：数据接触焊盘610、时钟接触焊盘612、逻辑电力接地回路接触焊盘614、多用途输入/输出接触(例如，感测)焊盘616、第一高压电力供应接触焊盘618和第一高压电力供应接地回路接触焊盘620。因此，第一列接触焊盘602包括处于第一列602顶部的数据接触焊盘610、处于第一列602底部的第一高压电力接地回路接触焊盘620以及第一高压电力接地回路接触焊盘620正上方的第一高压电力供应接触焊盘618。尽管以特定顺序图示了接触焊盘610、612、614、616、618和620，但在其他示例中，接触焊盘可以以不同顺序布置。

[0057] 在一个示例中，第二列接触焊盘604包括六个接触焊盘。第二列接触焊盘604可以依次包括以下接触焊盘：第二高压电力接地回路接触焊盘622、第二高压电力供应接触焊盘624、逻辑复位接触焊盘626、逻辑电力供应接触焊盘628、模式接触焊盘630和激发接触焊盘
632。因此，第二列接触焊盘604包括处于第二列604顶部的第二高压电力接地回路接触焊盘
622、第二高压电力接地回路接触焊盘622正下方的第二高压电力供应接触焊盘624以及处于第二列604底部的激发接触焊盘632。尽管以特定顺序图示了接触焊盘622、624、626、628、
630和632，但在其他示例中，接触焊盘可以以不同顺序布置。

[0058] 数据接触焊盘610可以用于将串行数据输入到裸片600以用于选择流体致动设备、存储器位、热传感器、配置模式(例如经由配置寄存器)等。数据接触焊盘610还可以用于从裸片600输出串行数据以用于读取存储器位、配置模式、状态信息(例如，经由状态寄存器)等。时钟接触焊盘612可以用于将时钟信号输入到裸片600以将数据接触焊盘610上的串行数据移位到裸片中或将串行数据移位出裸片到数据接触焊盘610。逻辑电力接地回路接触焊盘614为供应到裸片600的逻辑电力(例如，约0V)提供接地回路路径。在一个示例中，逻辑电力接地回路接触焊盘614电耦接到裸片600的半导体(例如，硅)衬底640。多用途输入/输出接触焊盘616可以用于裸片600的模拟感测和/或数字测试模式。在一个示例中，多用途输入/输出接触(例如，感测)焊盘616可以提供图3的感测接口236或图4A和图4B的感测焊盘324。

[0059] 第一高压电力供应接触焊盘618和第二高压电力供应接触焊盘624可以用于将高压(例如，约32V)供应到裸片600。第一高压电力接地回路接触焊盘620和第二高压电力接地回路接触焊盘622可以用于为高压电力供应提供电力接地回路(例如，约0V)。高压电力接地回路接触焊盘620和622不直接电连接到裸片600的半导体衬底640。将高压电力供应接触焊盘618和624以及高压电力接地回路接触焊盘620和622作为最里面的接触焊盘的特定接触焊盘顺序可以改善到达裸片600的电力输送。分别在第一列602的底部和第二列604的顶部具有高压电力接地回路接触焊盘620和622可以改善制造的可靠性并且可以改善墨水短路保护。

[0060] 逻辑复位接触焊盘626可以用作逻辑复位输入以控制裸片600的操作状态。在一个示例中，逻辑复位接触焊盘626可以电耦接到图3的复位信号路径210或图4A和图4B的复位信号路径344。逻辑电力供应接触焊盘628可以用于将逻辑电力(例如，在约1.8V与15V之间，如5.6V)供应到裸片600。模式接触焊盘630可以用作逻辑输入以控制访问从而启用/禁用裸片600的配置模式(即，功能模式)。激发接触焊盘632可以用作逻辑输入以锁存来自数据接触焊盘610的经加载数据并且启用裸片600的流体致动设备或存储器元件。在一个示例中，激发接触焊盘632可以电耦接到图4A和图4B的激发信号路径348。

[0061] 裸片600包括具有长度642(沿Y轴)、厚度644(沿Z轴)和宽度646(沿X轴)的长型衬底640。在一个示例中，长度642是宽度646的至少二十倍。宽度646可以是1mm或更小并且厚度644可以小于500微米。流体致动设备608(例如，流体致动逻辑)和接触焊盘610至632提供在长型衬底640上并且沿长型衬底的长度642布置。流体致动设备608具有小于长型衬底640的长度642的条带长度652。在一个示例中，条带长度652为至少1.2cm。接触焊盘610至632可以电耦接到流体致动逻辑。第一列接触焊盘602可以布置在长型衬底640的第一纵向端部648附近。第二列接触焊盘604可以布置在长型衬底640的与第一纵向端部648相对的第二纵向端部650附近。

[0062] 图7是图示了流体喷射系统700的一个示例的框图。流体喷射系统700包括流体喷射组件，如打印头组件702，以及流体供应组件，如墨水供应组件710。在所图示的示例中，流体喷射系统700还包括服务站组件704、托架组件716、打印介质传输组件718和电子控制器720。尽管以下描述提供了用于关于墨水进行流体处理的系统和组件的示例，但是所公开的系统和组件也适用于处理除墨水之外的流体。

[0063] 打印头组件702包括先前参考图6A和图6B所描述和图示的至少一个打印头或流体喷射裸片600，其通过多个孔口或喷嘴608喷射墨滴或液滴。在一个示例中，液滴被引导朝向介质，如打印介质724，以打印到打印介质724上。在一个示例中，打印介质724包括任何类型的合适的片材，如纸、卡片纸、透明胶片、聚酯薄膜(Mylar)、织物等。在另一个示例中，打印介质724包括用于三维(3D)打印的介质，如粉末床，或用于生物打印和/或药物发现测试的介质，如储液器或容器。在一个示例中，喷嘴608布置成至少一个列或阵列，使得墨水从喷嘴608进行的适当顺序的喷射引起字符、符号和/或其他图形或图像在打印头组件702和打印介质724相对于彼此移动时被打印在打印介质724上。

[0064] 墨水供应组件710向打印头组件702供应墨水并且包括用于储存墨水的储液器712。因此，在一个示例中，墨水从储液器712流动到打印头组件702。在一个示例中，打印头组件702和墨水供应组件710一起容纳在喷墨或流体喷射打印墨盒或笔中。在另一个示例中，墨水供应组件710与打印头组件702分开并且通过接口连接713(如供应管和/或阀)将墨水供应到打印头组件702。

[0065] 托架组件716相对于打印介质传输组件718定位打印头组件702，并且打印介质传输组件718相对于打印头组件702定位打印介质724。因此，打印区726被限定成在打印头组件702与打印介质724之间的区域中与喷嘴608相邻。在一个示例中，打印头组件702是扫描型打印头组件，使得托架组件716相对于打印介质传输组件718移动打印头组件702。在另一个示例中，打印头组件702是非扫描型打印头组件，使得托架组件716相对于打印介质传输组件718将打印头组件702固定在规定的位置处。

[0066] 服务站组件704提供打印头组件702的喷射、擦拭、加盖和/或灌注以维持打印头组件702、并且更具体地喷嘴608的功能。例如，服务站组件704可以包括橡胶刀片或擦拭器，所述橡胶刀片或擦拭器周期性地经过打印头组件702以擦拭和清洁喷嘴608上的过量墨水。另外，服务站组件704可以包括覆盖打印头组件702的盖，用于在不使用时段期间保护喷嘴608免于变干。另外，服务站组件704可以包括墨盂，打印头组件702在吐出期间将墨水喷射到所述墨盂中以确保储液器712维持适当水平的压力和流动性，并且确保喷嘴608不会堵塞或渗漏。服务站组件704的功能可以包括服务站组件704与打印头组件702之间的相对运动。

[0067] 电子控制器720通过通信路径703与打印头组件702通信，通过通信路径705与服务站组件704通信，通过通信路径717与托架组件716通信，并且通过通信路径719与打印介质传输组件718通信。在一个示例中，当打印头组件702安装在托架组件716中时，电子控制器720和打印头组件702可以通过通信路径701经由托架组件716进行通信。电子控制器720还可以与墨水供应组件710通信，使得在一种实施方式中，可以检测到新的(或使用过的)墨水供应器。

[0068] 电子控制器720从如计算机等主机系统接收数据728，并且可以包括用于临时存储数据728的存储器。数据728可以沿电子、红外、光学或其他信息传递路径发送到流体喷射系统700。数据728表示例如要打印的文档和/或文件。因此，数据728形成流体喷射系统700的打印作业并且包括至少一个打印作业命令和/或命令参数。

[0069] 在一个示例中，电子控制器720提供对打印头组件702的控制，包括用于从喷嘴608喷射墨滴的定时控制。因此，电子控制器720限定喷射的墨滴的图案，所述喷射的墨滴在打印介质724上形成字符、符号和/或其他图形或图像。定时控制以及因此喷射的墨滴的图案由打印作业命令和/或命令参数确定。在一个示例中，形成电子控制器720的一部分的逻辑和驱动电路定位于打印头组件702上。在另一个示例中，形成电子控制器720的一部分的逻辑和驱动电路定位于打印头组件702之外。

[0070] 图8A至图8C是图示了用于操作用于驱动多个流体致动设备的集成电路的方法800的示例的流程图。在一个示例中，方法800可以由图1A的集成电路100、图1B的集成电路120、图3的集成电路200、图4A的电路300和/或图4B的电路370实施。如图8A所图示的，在802处，方法800包括读取存储在对应的多个第一非易失性存储器单元中的多个定制位。在804处，方法800包括从喷嘴数据流接收地址。在806处，方法800包括对所述定制位和所述地址进行求和以生成经修改的地址。

[0071] 在一个示例中，所述多个定制位包括四个定制位，并且所述地址包括四个位。在这种情况下，对所述定制位和所述地址进行求和可以包括对所述定制位和所述地址进行求和以生成包括四个位的经修改的地址，其中，求和所得的最高有效位被弃用。如图8B所图示的，在808处，方法800可以进一步包括基于经修改的地址激发流体致动设备。如图8C所图示的，在810处，方法800可以进一步包括基于经修改的地址对多个第二非易失性存储器单元中的第二非易失性存储器单元进行访问。

[0072] 尽管本文已经图示和描述了特定示例，但是在不脱离本公开的范围的情况下，各种各样的替代和/或等效实施方式可以代替所示出和描述的特定示例。本申请旨在覆盖本文所讨论的特定示例的任何修改或变化。因此，本公开旨在仅由权利要求及其等效物限制。