一种晶圆的修调方法

摘要

本发明提供了一种晶圆的修调方法。在所述修调方法中，一方面对修调电路进行了优化设计，使其内部的修调电阻的阻值按照2的幂进行分布，在同样的修调范围内一定程度上节约了修调电阻的数量，并能够与所述修调方法结合；另一方面通过循环条件的判断，分步多次熔断可熔导丝，兼顾了效率和精度，以多次尝试的方式接近预期的修调目标值，并通过结束条件加速了修调过程。修调电路的方案优化、循环条件和结束条件的设置，解决了现有技术中的修调方法存在熔丝只能一次性熔断以及熔丝熔断操作后得到的测量电阻值和理想阻值相差较大而导致的精度较低的问题，并兼顾了修调过程的效率和实现成本，取得了较优的效果。

权利要求

1.一种晶圆的修调方法，其特征在于，所述晶圆包括修调电路，所述修调电路包括n个依次串联的修调段，第i个所述修调段包括：两个串联的修调单元，所述修调单元包括并联i‑2

的修调电阻和可熔导丝，所述修调电阻的理想电阻值为2 R；所述修调电阻的实际电阻值与理想电阻值的比值在0.95 1.05之间；其中，n为大于1的整数，i的取值为[1,n]区间内的~

所有整数，R表示基础电阻值；所述修调方法包括：获取所述晶圆的基准电压偏差值V；

若所述基准电压偏差值V小于预设值H，结束修调；

若所述基准电压偏差值V大于或者等于所述预设值H，计算floor(log2(V/H) )得到最大指数j，计算floor(V/H)得到修调区间值T，其中 “floor(·)”表示向下取整计算；

若工况参数符合结束条件中的任意一条，得到并熔断所述修调单元的第一组合，结束修调；若所述工况参数符合循环条件中的任意一条，得到并熔断所述修调单元的第二组合，并重新获取所述基准电压偏差值V；所述工况参数包括所述最大指数j、所述修调区间值T和所述修调单元当前的熔断状态；

所述结束条件包括第一结束条件；所述第一结束条件为：当前未有所述修调单元熔断，且j=0；

所述工况参数符合所述第一结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段的两个所述修调单元；

所述结束条件包括第二结束条件；所述第二结束条件为：当前已有所述修调单元熔断，j=0，且第2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；

所述工况参数符合所述第二结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段的两个所述修调单元；

所述循环条件包括第一循环条件；所述第一循环条件为：当前未有所述修调单元熔断，且j≠0；

所述工况参数符合所述第一循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段的任意一个所述修调单元以及第j个所述修调段的任意一个所述修调单元；

所述循环条件包括第二循环条件；所述第二循环条件为：当前已有所述修调单元熔断，j=0，且第2个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；

所述工况参数符合所述第二循环条件时的所述第二组合为第2个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个。

2.根据权利要求1所述的修调方法，其特征在于，所述结束条件包括第三结束条件；所j j

述第三结束条件为：当前已有所述修调单元熔断，j≠0，T≠2 ，T≠2 +1，j≠n‑1，第j+2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断，且第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；

所述工况参数符合所述第三结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段至第j个所述修调段的所有未熔断的所述修调单元。

3.根据权利要求2所述的修调方法，其特征在于，所述循环条件包括第三循环条件和第四循环条件；所述第三循环条件和所述第四循环条件均包括：当前已有所述修调单元熔断，j j

j≠0，T≠2，T≠2+1，j≠n‑1；所述第三循环条件还包括：第j+2个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；所述第四循环条件还包括：第j+2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断，且第j+1个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；

所述工况参数符合所述第三循环条件时的所述第二组合为第j+2个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个；所述工况参数符合所述第四循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段中所有未熔断的所述修调单元。

4.根据权利要求1所述的修调方法，其特征在于，所述结束条件包括第四结束条件和第j j

五结束条件；所述第四结束条件为：当前已有所述修调单元熔断，j≠0，T=2||T=2+1，j≠n‑

1，第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断，且第j+2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；所述第五结束条件为：当前已有所述修调单元熔断，j=n‑1，第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；其中，“||”表示逻辑运算或；

所述工况参数符合所述第四结束条件或所述第五结束条件时的所述第一组合均为第1个所述修调段至第j个所述修调段的所有未熔断的所述修调单元。

5.根据权利要求4所述的修调方法，其特征在于，所述循环条件包括第五循环条件；所j j

述第五循环条件为：当前已有所述修调单元熔断，j≠0，T=2||T=2+1，j≠n‑1，第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断，且第j+2个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；

所述工况参数符合所述第五循环条件时的所述第二组合为第j+2个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个。

6.根据权利要求5所述的修调方法，其特征在于，所述循环条件包括第六循环条件和第七循环条件；所述第六循环条件和所述第七循环条件均包括：当前已有所述修调单元熔断，j j

j≠0，T=2||T=2 +1||j=n‑1，第j+1个所述修调段的至少一个尚未熔断；所述第六循环条件还包括：第j个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；所述第七循环条件还包括：第j个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；

所述工况参数符合所述第六循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个；所述工况参数符合所述第七循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个以及第j个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个。

说明书

一种晶圆的修调方法

技术领域

[0001] 本发明涉及晶圆设计及测试领域，特别涉及一种晶圆的修调方法。

背景技术

[0002] 晶圆在制造过程中，由于制造工艺的限制，客观上存在晶圆实际参数与设计参数存在差异的现象，因此需要在晶圆内部预留修调手段，对制造完成的成品晶圆进行修调。

[0003] 目前广泛使用的晶圆修调方法对晶圆参数精度的提升精度有限，通过晶圆参数设计值与未修调晶圆参数实际值的偏差确定修调阻值，然后将修调阻值对应的熔丝一次性熔
断。由于晶圆调试区间的计算都是基于理想阻值，实际常规的晶圆制程工艺或者修调过程
会造成此阻值精度存在较大偏差，一旦出现电阻阻值存在偏差过大的情况，就会遗留以下
问题：

[0004] 1.由于熔丝是一次性熔断，无法干预修调进程，导致修调后的基准电压偏差范围较大；

[0005] 2.在较大的修调偏差范围内，基准电压分布也比较分散，无法满足实际使用对精度的要求。

[0006] 总之，现有技术中的修调方法存在熔丝只能一次性熔断以及熔丝熔断操作后得到的测量电阻值和理想阻值相差较大而导致的精度较低的问题。

发明内容

[0007] 本发明的目的在于提供一种晶圆的修调方法，以解决现有技术中的修调方法存在熔丝只能一次性熔断以及熔丝熔断操作后得到的测量电阻值和理想阻值相差较大而导致
的精度较低的问题。

[0008] 为了解决上述技术问题，本发明提供了一种晶圆的修调方法，所述晶圆包括修调电路，所述修调电路包括n个依次串联的修调段，第i个所述修调段包括：两个串联的修调单
i‑2
元，所述修调单元包括并联的修调电阻和可熔导丝，所述修调电阻的理想电阻值为2 R；所
述修调电阻的实际电阻值与理想电阻值的比值在0.95 1.05之间；其中，n为大于1的整数，i
~
的取值为[1,n]区间内的所有整数，R表示基础电阻值；所述修调方法包括：

[0009] 获取所述晶圆的基准电压偏差值V；

[0010] 若所述基准电压偏差值V小于预设值H，结束修调；

[0011] 若所述基准电压偏差值V大于或者等于所述预设值H，计算floor(log2(V/H))得到最大指数j，计算floor(V/H)得到修调区间值T，其中 “floor(·)”表示向下取整计算；

[0012] 若工况参数符合结束条件中的任意一条，得到并熔断所述修调单元的第一组合，结束修调；若所述工况参数符合循环条件中的任意一条，得到并熔断所述修调单元的第二
组合，并重新获取所述基准电压偏差值V；所述工况参数包括所述最大指数j、所述修调区间
值T和所述修调单元当前的熔断状态。

[0013] 可选的，所述结束条件包括第一结束条件；所述第一结束条件为：当前未有所述修调单元熔断，且j=0；

[0014] 所述工况参数符合所述第一结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段的两个所述修调单元。

[0015] 可选的，所述循环条件包括第一循环条件；所述第一循环条件为：当前未有所述修调单元熔断，且j≠0；

[0016] 所述工况参数符合所述第一循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段的任意一个所述修调单元以及第j个所述修调段的任意一个所述修调单元。

[0017] 可选的，所述结束条件包括第二结束条件；所述第二结束条件为：当前已有所述修调单元熔断，j=0，且第2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；

[0018] 所述工况参数符合所述第二结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段的两个所述修调单元。

[0019] 可选的，所述循环条件包括第二循环条件；所述第二循环条件为：当前已有所述修调单元熔断，j=0，且第2个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；

[0020] 所述工况参数符合所述第二循环条件时的所述第二组合为第2个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个。

[0021] 可选的，所述结束条件包括第三结束条件；所述第三结束条件为：当前已有所述修j j
调单元熔断，j≠0，T≠2 ，T≠2+1，j≠n‑1，第j+2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔
断，且第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；

[0022] 所述工况参数符合所述第三结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段至第j个所述修调段的所有未熔断的所述修调单元。

[0023] 可选的，所述循环条件包括第三循环条件和第四循环条件；所述第三循环条件和j j
所述第四循环条件均包括：当前已有所述修调单元熔断，j≠0，T≠2 ，T≠2+1，j≠n‑1；所述
第三循环条件还包括：第j+2个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；所述第
四循环条件还包括：第j+2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断，且第j+1个所述修
调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；

[0024] 所述工况参数符合所述第三循环条件时的所述第二组合为第j+2个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个；所述工况参数符合所述第四循环条件时的所述第二组
合为第j+1个所述修调段中所有未熔断的所述修调单元。

[0025] 可选的，所述结束条件包括第四结束条件和第五结束条件；所述第四结束条件为：j j
当前已有所述修调单元熔断，j≠0，T=2 ||T=2+1，j≠n‑1，第j+1个所述修调段的两个所述
修调单元均已熔断，且第j+2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；所述第五结束条
件为：当前已有所述修调单元熔断，j=n‑1，第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔
断；其中，“||”表示逻辑运算或；

[0026] 所述工况参数符合所述第四结束条件或所述第五结束条件时的所述第一组合均为第1个所述修调段至第j个所述修调段的所有未熔断的所述修调单元。

[0027] 可选的，所述循环条件包括第五循环条件；所述第五循环条件为：当前已有所述修j j
调单元熔断，j≠0，T=2 ||T=2+1，j≠n‑1，第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔
断，且第j+2个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；

[0028] 所述工况参数符合所述第五循环条件时的所述第二组合为第j+2个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个。

[0029] 可选的，所述循环条件包括第六循环条件和第七循环条件；所述第六循环条件和j j
所述第七循环条件均包括：当前已有所述修调单元熔断，j≠0，T=2||T=2+1||j=n‑1，第j+1
个所述修调段的至少一个尚未熔断；所述第六循环条件还包括：第j个所述修调段的两个所
述修调单元均已熔断；所述第七循环条件还包括：第j个所述修调段的所述修调单元中的至
少一个尚未熔断；

[0030] 所述工况参数符合所述第六循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个；所述工况参数符合所述第七循环条件时的所述第二组
合为第j+1个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个以及第j个所述修调段的所
述修调单元中未熔断的任意一个。

[0031] 与现有技术相比，本发明提供的晶圆的修调方法，一方面对修调电路进行了优化设计，使其内部的修调电阻的阻值按照2的幂进行分布，在同样的修调范围内一定程度上节
约了修调电阻的数量，并能够与所述修调方法结合；另一方面通过循环条件的判断，分步多
次熔断可熔导丝，兼顾了效率和精度，以多次尝试的方式接近预期的修调目标值，并通过结
束条件加速了修调过程。修调电路的方案优化、循环条件和结束条件的设置，解决了现有技
术中的修调方法存在熔丝只能一次性熔断以及熔丝熔断操作后得到的测量电阻值和理想
阻值相差较大而导致的精度较低的问题，并兼顾了修调过程的效率和实现成本，取得了较
优的效果。

附图说明

[0032] 本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本发明，而不对本发明的范围构成任何限定。其中：

[0033] 图1是本发明一实施例的修调方法的流程示意图；

[0034] 图2是本发明一实施例的基准电压生成电路的示意图；

[0035] 图3是本发明一实施例的修调电路的示意图；

[0036] 图4是本发明一实施例的修调方法的又一流程示意图；

[0037] 图5是本发明又一实施例的修调电路的示意图。

具体实施方式

[0038] 为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方
便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部
分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。

[0039] 如在本发明中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义
而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此
外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或
者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明
示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，“一端”与“另一端”以及“近端”与“远端”通常
是指相对应的两部分，其不仅包括端点，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，
可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以
是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相
互作用关系。此外，如在本发明中所使用的，一元件设置于另一元件，通常仅表示两元件之
间存在连接、耦合、配合或传动关系，且两元件之间可以是直接的或通过中间元件间接的连
接、耦合、配合或传动，而不能理解为指示或暗示两元件之间的空间位置关系，即一元件可
以在另一元件的内部、外部、上方、下方或一侧等任意方位，除非内容另外明确指出外。对于
本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0040] 本发明的核心思想在于提供一种晶圆的修调方法，以解决现有技术中的修调方法存在熔丝只能一次性熔断以及熔丝熔断操作后得到的测量电阻值和理想阻值相差较大而
导致的精度较低的问题。

[0041] 以下参考附图进行描述。

[0042] 请参考图1至图5，其中，图1是本发明一实施例的修调方法的流程示意图；图2是本发明一实施例的基准电压生成电路的示意图；图3是本发明一实施例的修调电路的示意图；
图4是本发明一实施例的修调方法的又一流程示意图；图5是本发明又一实施例的修调电路
的示意图。

[0043] 如图1所示，本实施例提供了一种晶圆的修调方法，所述晶圆包括基准电压生成电路，所述基准电压生成电路包括修调电路Rt，所述修调电路Rt包括n个依次串联的修调段，
第i个所述修调段包括：两个串联的修调单元，所述修调单元包括并联的修调电阻和可熔导
i‑2
丝，所述修调电阻的理想电阻值为2 R；所述修调电阻的实际电阻值与理想电阻值的比值
在0.95 1.05之间；其中，n为大于1的整数，i的取值为[1,n]区间内的所有整数，R表示基础
~
电阻值；所述修调方法包括：

[0044] S10获取所述晶圆的基准电压偏差值V；

[0045] S20若所述基准电压偏差值V小于预设值H，结束修调；

[0046] S30若所述基准电压偏差值V大于或者等于所述预设值H，计算floor(log2(V/H))得到最大指数j，计算floor(V/H)得到修调区间值T，其中 “floor(·)”表示向下取整计算；

[0047] S40若工况参数符合结束条件中的任意一条，得到并熔断所述修调单元的第一组合，结束修调；

[0048] S50若所述工况参数符合循环条件中的任意一条，得到并熔断所述修调单元的第二组合，并重新获取所述基准电压偏差值V；

[0049] 所述工况参数包括所述最大指数j、所述修调区间值T和所述修调单元当前的熔断状态。

[0050] 本实施例中的基准电压生成电路可以参考图2进行理解。在图2中，Rt代表所述修调电路Rt。

[0051] 图2中，若先假设Rt不存在。则所述基准电压生成电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第六三极管Q6、第七三极管Q7、第八
三极管Q8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和电容器C1。其中，所述第一三极管Q1的发
射极用于获取晶圆内部电源VCC，所述第一三极管Q1的基极用于获取第一外加控制信号S1，
所述第七三极管的基极用于获取第二外加控制信号S2，所述第八三极管Q8的发射极用于输
出所述基准电压VREF。上述的三极管的具体型号，以及其他未提及的元件之间的连接关系
可以参考图2进行理解。所述第一外加控制信号S1和所述第二外加控制信号S2的具体值可
以根据实际的检测需求进行设置，在此不进行详细描述。Q3、Q4组成1:1电流镜使流过Q5、Q6
的电流相同，Q5、Q6严格按比例匹配他们的基极电流，且发射区面积AQ5、AQ6比为1：N，则△
Vbe= VbeQ5‑VbeQ6= VT*ln(I/IsQ5)‑ VT*ln(I/IsQ6)=VT*ln(N)，（VT=KT/q，其中 K为
Boltzmann常数，q为电荷量，T为热力学温度，I为流经所述第二电阻R2的电流）；因三极管
Q5、Q6的基极电流Ib很小，△Vbe近似为R2两端电压差，即电阻R2的电压VR2, 则流过R2的电
流I近似为VR2/R2= VT*ln(N)/R2，可知基准电压VREF近似等于 (R1+R2+R3)* VT*ln(N)/
R2。

[0052] 由于制造工艺会造成晶圆基准电压与设计值存在偏差，为了提高晶圆基准的一致性，一般使电阻R3的阻值略小于理论值，然后添加所述修调电路Rt，则基准电压VREF=(R1+
R2+R3+Rt)* VT*ln(N)/R2。所述修调电路Rt初始状态均通过熔丝短路，即Rt=0，使得基准电
压VREF天然低于设计值VREFdesgin，然后根据实际值与设计值的偏差大小熔断可熔导丝，增
加所熔断熔丝对应的电阻阻值，从而达到提高VREF使得两者吻合的目的。

[0053] 在修调电路Rt的实际工作中，会遇到下列问题：可熔导丝的熔断过程是一次性的，所述修调电路Rt中的电阻的实际值会与理论值存在偏差，可熔导丝有时并不能完全断开，
从而导致修调电路的总电阻并不总是和理想状态相吻合。若不考虑成本，可以设计足够多
的小电阻和可熔导丝，并依次逐个熔断，从而最终达到修调的目的。但是这样的方案，第一，
制造成本过高，第二，修调过程太长，增加了晶圆的制造成本。

[0054] 因此，请参考图3，本实施例提供了一种特殊的修调电路Rt，用于解决上述的两个i‑1
问题。在所述修调电路Rt中，具有n个所述修调段，第i个所述修调段的理想电阻值为2 R，
其中，编号1 编号n分别对应地表示第1个所述修调段 第n个所述修调段。进一步地，每个所
~ ~
述修调段包括两个电阻值相同的修调电阻和两个可熔导丝，即第i个所述修调段的两个所
i‑2
述修调电阻的理想电阻值为2 R。图3中，F1~F2n分别对应地表示第1个所述可熔导丝~第2n
个所述可熔导丝，符号F1~F2n中的下标即所述可熔导丝的标号，图3中带有2的幂的符号代表
阻值。通过2的幂的阻值的修调段的设计，可以较大限度地兼顾调节精度和电阻总数（即制
造成本）的综合效果，通过在每个修调段中设置两个电阻值相同的修调电阻，可以进一步增
加调节精度。另外这样的设计还能与后续的修调方法相配合加快修调过程。

[0055] 需理解，在本说明书的描述中，修调段的电阻值是指修调段中的电阻的总电阻值，修调单元的电阻值是指修调单元中的电阻的电阻值，熔断修调单元是指熔断修调单元中的
可熔导丝。上述描述是在理解无疑义的前提下进行的简洁表述，以防止说明书内容复杂累
赘。在所述修调电路Rt的工作过程中，一共有三个电阻值，分别为修调电阻的理想电阻值、
修调电阻的实际电阻值，修调单元在可熔导丝熔断后的测量电阻值。修调电阻的实际电阻
值理论上等于理想电阻值，实际由于加工工艺的限制，在理论电阻值的0.95 1.05之间波
~
动，修调单元在可熔导丝熔断后的测量电阻值理论上等于修调电阻的实际电阻值，但是有
时候因为可熔导丝未完全断开或者熔断电流较大，导致测量电阻值会偏离修调电阻的实际
电阻值，且偏离的范围可能较大。在本说明书中，熔断一词，应该被理解为“熔断”这个操作，
或者“曾经被熔断操作过”这个状态。所述修调段的编号仅与自身的阻值有关，与位置无关。
例如，在一实施例中，一共有3个所述的修调段，从左到右依次为4R、1R、2R，那么，它们的编
号从左到右依次为3、1、2，并非是按照从左到右的顺序递减。

[0056] 需理解，图2中的所述基准电压生成电路并非是所述基准电压生成电路的唯一方案，在不同的晶圆中，可能设置不同的所述基准电压生成电路，也可能将所述修调电路Rt设
置于所述基准电压生成电路的不同位置。只要是通过调节修调电路Rt的具体阻值而能够调
节所述晶圆的基准电压的，都应当视为本说明书中所描述的所述基准电压生成电路。

[0057] 请继续参考图1，在步骤S20中，所述基准电压偏差值V的计算方式是基准电压设计值VREFdesign ‑基准电压当前值VREF，两者的位置不能调换。在步骤S20中，所述预设值H为所
述修调电路Rt可以支持的最小调节步进宽度。所述预设值H和所述基础电阻值R之间可以通
过具体的电路连接关系换算，一般而言，所述修调电路Rt每增加一个所述基础电阻值R带来
的基准电压VREF的增加值即为所述预设值H。V小于H应当这样理解，若V为负数，则视为V小
于H，若V为非负数，则V小于H等价于V的绝对值小于H的绝对值。在步骤S30中，“floor(·)”
表示向下取整计算，具体地，若x为整数，则floor(x)= x，若x不为整数，则floor(x) =小于x
的最大整数。在步骤S40和S50中，通过设置所述循环条件逐渐逼近理想的修调参数，一方面
增加了修调精度，另一方面也兼顾了效率；进一步地通过S40中的所述结束条件加快了修调
过程的进度。在步骤S20和步骤S40的结束修调过程中，可以不执行任何操作，也可以执行为
了实现其他目的的操作，例如进行基准电压等参数的测试并记录测试结果等。

[0058] 在一实施例中，所述修调方法的流程示意图如图4所示。为了描述的方便，图4中所述可熔导丝的标号可以参考图3中进行理解，即，第i个修调段的可熔导丝的标号为2i‑1以
及2i。

[0059] 所述修调方法包括：

[0060] S101获取晶圆基准电压VREF；获取时需要的外部测试环境和参数根据现有技术进行设置，在此不进行详细描述。

[0061] S102计算差值V=VREFdesign‑VREF；V即所述基准电压偏差值。

[0062] S103判断V＜H是否成立。

[0063] S129，包括：若步骤S103的判断结果为是，则结束修调。

[0064] S101和S102对应步骤S10，S103和S129对应步骤S20。

[0065] 上述步骤的设计逻辑是，由于最小调节步进宽度H已经大于V，因此不可能再通过熔断可熔导丝进行调节了。此时应当结束修调过程，后续可以通过质检流程决定是保留这
个晶圆还是丢弃这个晶圆。

[0066] 所述修调方法还包括：

[0067] S104若步骤S103的判断结果为否，则计算j和T的值，具体计算方式可以参考步骤S30的描述进行。

[0068] S105判断j=0是否成立。需理解，在一些编程语言中，用j==0来表示逻辑判断而用j=0表示赋值操作，在另外的一些编程语言中用j=0表示逻辑判断。在本说明书中，用j=0来表
示逻辑判断过程，等价于一些编程语言中的j==0。后续的类似的判断过程的描述也应当按
照这样的思路进行理解。

[0069] S108，包括：若步骤S105的判断结果为是，熔断标号分别为1和2的可熔导丝。

[0070] S128，包括：在步骤S108之后，测试并记录基准电压VREF。

[0071] 步骤S129还包括：在步骤S128之后，结束修调。

[0072] S104‑>S105‑>S108‑>S128‑>S129的过程也可以用以下逻辑描述：所述结束条件包括第一结束条件；所述第一结束条件为：当前未有所述修调单元熔断，且j=0。所述工况参数
符合所述第一结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段的两个所述修调单元。其中，
“x‑>y”表示执行完步骤x后执行步骤y，后续内容中的“‑>”符号也可以按照同样的思路进行
理解。

[0073] 上述过程的设计逻辑是，由于V和H比较接近，熔断操作后也不可能再有其他调整的可能，因此熔断操作完成后直接结束修调过程，其中步骤S128是可选的步骤，在其他的一
些实施例中，也可以不进行设置。

[0074] 所述修调方法还包括：

[0075] S106熔断标号分别为2j+2和2(j‑1)+2的可熔导丝。

[0076] S107重新获取晶圆基准电压VREF。

[0077] 在其他实施例中，步骤S106中的2j+2可以替换为2j+1，2(j‑1)+2也可以替换为2(j‑1)+1。

[0078] S104‑>S105‑>S106‑>S107的过程也可以用以下逻辑描述：所述循环条件包括第一循环条件；所述第一循环条件为：当前未有所述修调单元熔断，且j≠0；所述工况参数符合
所述第一循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段的任意一个所述修调单元以及
第j个所述修调段的任意一个所述修调单元。

[0079] 上述过程的设计逻辑是，由于V值相对于H而言较大，因此考虑分步熔断可熔导丝，此时，实际上因为熔断而获得的电阻增加值约处于需要的总电阻值的0.5 0.75之间。如此
~
配置，一方面通过分步熔断提高精度，另一方面熔断的效率也是较高的。

[0080] 步骤S101和步骤S107实际上是相同的操作过程，此处为了使得逻辑更为清晰，拆分为了各自独立的操作。判断当前是否有所述修调单元熔断和判断当前是否是第一次修调
是等价的，在图4所示的流程图中，因为S105必然对应了当前未有所述修调单元熔断，因此
在流程判断过程中未体现这个逻辑，但是事实上这个判断逻辑通过将相同的步骤拆分为
S101和S107实现。

[0081] 所述修调方法还包括：

[0082] S109重新计算差值V=VREFdesign‑VREF。

[0083] S110判断V＜H是否成立。

[0084] 步骤S129还包括：若步骤S110的判断结果为是，结束修调。

[0085] S107‑>S109‑>S110‑>S129的过程对应步骤S10和S20。

[0086] 所述修调方法还包括：

[0087] S111若步骤S110的判断结果为否，计算j和T。

[0088] S112判断j=0是否成立。

[0089] S113若步骤S112的判断结果为是，判断标号为3和4的可熔导丝是否均已熔断。

[0090] 步骤S108还包括：若步骤S113的判断结果为是，熔断标号分别为1和2的可熔导丝。

[0091] S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S113‑>S108‑>S128‑>S129的过程也可以用以下逻辑描述：所述结束条件包括第二结束条件；所述第二结束条件为：当前已有所述修调单
元熔断，j=0，且第2个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；所述工况参数符合所述第
二结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段的两个所述修调单元。

[0092] 上述过程的设计逻辑和所述第一结束条件的设计逻辑类似，在此不再赘述。

[0093] 所述修调方法还包括：

[0094] S114若步骤S113的判断结果为否，熔断标号为3或4的可熔导丝。

[0095] S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S113‑>S114‑>S107的过程也可以按如下逻辑描述：可选的，所述循环条件包括第二循环条件；所述第二循环条件为：当前已有所述修调
单元熔断，j=0，且第2个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；所述工况参数
符合所述第二循环条件时的所述第二组合为第2个所述修调段的所述修调单元中未熔断的
任意一个。

[0096] 上述过程的设计逻辑是，熔断接近修调目标值的电阻进行尝试，并重新进行判断，进一步提高修调精度。修调目标值是指按照理论计算恰好可以让所述基准电压偏差值变为
零的阻值。

[0097] 所述修调方法还包括：

[0098] S115若步骤S112的判断结果为否，判断T=2j||T=2j+1||j=n‑1是否成立。其中，“||”表示逻辑运算或。

[0099] S116若步骤S115的判断结果为否，判断标号为2(j+1)+1和2(j+1)+2的可熔导丝是否均已熔断。

[0100] S118若步骤S116的判断结果为是，判断标号为2j+1和2j+2的可熔导丝是否均已熔断。

[0101] S127，包括：若步骤S118的判断结果为是，熔断标号为2(j‑1)+2及以下所有未熔断的可熔导丝。

[0102] 步骤S128还包括：在步骤S127之后，测试并记录基准电压VREF。

[0103] S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S115‑>S116‑>S118‑>S127‑>S128‑>S129的过程也可以用以下逻辑描述：所述结束条件包括第三结束条件；所述第三结束条件为：当前已
j j
有所述修调单元熔断，j≠0，T≠2 ，T≠2+1，j≠n‑1，第j+2个所述修调段的两个所述修调单
元均已熔断，且第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；所述工况参数符合所述
第三结束条件时的所述第一组合为第1个所述修调段至第j个所述修调段的所有未熔断的
所述修调单元。

[0104] 上述过程的设计逻辑是，当备选的可熔断的所述修调单元的总电阻值较小时，全j j
部熔断备选的所述修调单元并结束修调。由于T=2、T=2+1及j=n‑1的情况较为特殊，因此又
对于上述情况进行特殊处理，处理过程详见本说明书后续内容。

[0105] 所述修调方法还包括：

[0106] S117若步骤S116的判断结果为否，熔断标号为2(j+1)+1或2(j+1)+2的可熔导丝。

[0107] S119若步骤S118的判断结果为否，熔断标号为2j+1和2j+2的未熔断的可熔导丝。

[0108] S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S115‑>S116‑>S117‑>S107的过程以及S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S115‑>S116‑>S118‑>S119‑>S107的过程也可以用如下逻辑描
述：所述循环条件包括第三循环条件（对应前一个过程）和第四循环条件（对应后一个过
程）；所述第三循环条件和所述第四循环条件均包括：当前已有所述修调单元熔断，j≠0，T
j j
≠2，T≠2+1，j≠n‑1；所述第三循环条件还包括：第j+2个所述修调段的所述修调单元中的
至少一个尚未熔断；所述第四循环条件还包括：第j+2个所述修调段的两个所述修调单元均
已熔断，且第j+1个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；所述工况参数符合
所述第三循环条件时的所述第二组合为第j+2个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任
意一个；所述工况参数符合所述第四循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段中
所有未熔断的所述修调单元。

[0109] 上述过程中，所述第三循环条件和所述第四循环条件的思路类似，都是按照所述修调目标值的一部分来选择所述修调单元进行熔断。并且，在这些情况下，认为后续仍然存
在进一步修调的可能，因此重新回到获取基准电压VREF的步骤进行下一次的修调。只是由
于所述第三循环条件和所述第四循环条件对应的所述修调单元的熔断状态不同，因此具体
选择的所述修调单元不同。

[0110] 所述修调方法还包括：

[0111] S120若步骤S115的判断结果为是，判断标号为2j+1和2j+2的可熔导丝是否均已熔断。

[0112] S124若步骤S120的判断结果为是，判断j=n‑1是否成立。

[0113] S125若步骤S124的判断结果为否，判断标号为2(j+1)+1 和2(j+1)+2的可熔导丝是否均已熔断。

[0114] 步骤S127还包括，若步骤S124的判断结果为是或者步骤S125的判断结果为是，熔断标号为2(j‑1)+2及以下所有未熔断的可熔导丝。

[0115] S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S115‑>S120‑>S124‑>S125‑>S127‑>S128‑>S129的过程以及S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S115‑>S120‑>S124‑>S127 ‑>S128‑>
S129的过程也可以用如下逻辑描述：所述结束条件包括第四结束条件（对应前一个过程）和
第五结束条件（对应后一个过程）；所述第四结束条件为：当前已有所述修调单元熔断，j≠
j j
0，T=2 ||T=2+1，j≠n‑1，第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断，且第j+2个所
述修调段的两个所述修调单元均已熔断；所述第五结束条件为：当前已有所述修调单元熔
断，j=n‑1，第j+1个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；所述工况参数符合所述第四
结束条件或所述第五结束条件时的所述第一组合均为第1个所述修调段至第j个所述修调
段的所有未熔断的所述修调单元。

[0116] 上述过程的设计逻辑是，当备选的可熔断的所述修调单元的总电阻值较小时，全部熔断备选的所述修调单元并结束修调。

[0117] 所述修调方法还包括：

[0118] S126若步骤S125的判断结果为否，熔断标号为2(j+1)+1或2(j+1)+2的可熔导丝。

[0119] S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S115‑>S120‑>S124‑>S125‑>S126‑>S107的过程也可以用如下逻辑描述：所述循环条件包括第五循环条件；所述第五循环条件为：当前已
j j
有所述修调单元熔断，j≠0，T=2||T=2+1，j≠n‑1，第j+1个所述修调段的两个所述修调单
元均已熔断，且第j+2个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；所述工况参数
符合所述第五循环条件时的所述第二组合为第j+2个所述修调段的所述修调单元中未熔断
的任意一个。

[0120] 上述过程的设计逻辑仍然是选择接近修调目标值的所述修调单元进行熔断。

[0121] 所述修调方法还包括：

[0122] S121若步骤S120的判断结果为否，熔断标号为2j+1或2j+2的可熔导丝。

[0123] S122判断标号为2(j‑1)+1 和2(j‑1)+2的可熔导丝是否均已熔断。

[0124] S123若步骤S122的判断结果为否，熔断标号为2(j‑1)+1 或2(j‑1)+2的可熔导丝。

[0125] S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S115‑>S120‑>S121‑>S122‑>S107的过程以及S107‑>S109‑>S110‑>S111‑>S112‑>S115‑>S120‑>S121‑>S122‑>S123‑>S107的过程也可以
用如下逻辑描述：所述循环条件包括第六循环条件（对应前一个过程）和第七循环条件（对
应后一个过程）；所述第六循环条件和所述第七循环条件均包括：当前已有所述修调单元熔
j j
断，j≠0，T=2||T=2+1||j=n‑1，第j+1个所述修调段的至少一个尚未熔断；所述第六循环条
件还包括：第j个所述修调段的两个所述修调单元均已熔断；所述第七循环条件还包括：第j
个所述修调段的所述修调单元中的至少一个尚未熔断；所述工况参数符合所述第六循环条
件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个；所述工
况参数符合所述第七循环条件时的所述第二组合为第j+1个所述修调段的所述修调单元中
未熔断的任意一个以及第j个所述修调段的所述修调单元中未熔断的任意一个。可以理解
的，所述第七循环条件对应的所述第二组合，通过步骤S121和S123共同作用得到，S121和
S123分别得到所述第二组合的一部分。

[0126] 上述过程的设计逻辑仍然是选择接近修调目标值的所述修调单元进行熔断。

[0127] 总之，图4所示的修调方法的核心设计思路是：尽量用单个的修调单元进行修调，并且选取的理想电阻值为修调目标值的50% 100%之间。当特殊情况发生时，设计特殊的步
~
骤处理特殊情况，并对于一些可以直接停止修调的情况采用结束修调的方式加速整个的修
调过程。

[0128] 在一示范性的实施例中，所述修调电路Rt包括5个修调段，修调段的理想电阻值分别为16R、8R、4R、2R和R，修调单元的理想电阻值分别为8R、4R、2R、R和0.5R。所述修调电路Rt
的具体结构可以参考图5进行理解。在图5中，编号1 编号5分别对应地表示第1个所述修调
~
段~第5个所述修调段，F1~F10分别对应地表示第1个所述可熔导丝~第10个所述可熔导丝，符
号F1~F10中的下标即所述可熔导丝的标号。图5中带有2的幂的符号代表阻值。所述预设值为
4mV。基准电压设计值VREFdesign为1.25V，晶圆未修调基准电压VREF为1.14V。

[0129] 1.首先测试晶圆的基准电压VREF，本案例中VREF为1.14V，根据计算公式V=VREFdesign‑VREF=1.25V‑1.14V=0.11V，即V为110mV，判断V与H的大小关系，若V小于H，说明未
修调的晶圆参数实际值与设计值偏差较小，在1个步进宽度之内，可以直接结束修调；本案
例中偏差值V=110mV，大于预设值H。进一步计算可知j=4，T=27。此时需要判断j是否等于0，
若j=0，则说明只需要增加第1修调段内的电阻阻值即可使晶圆的基准电压VREF调整至一个
步进内，此时直接熔断第1修调段内标号为1和2的熔丝，即熔断F1和F2。熔断之后测试修调
后的基准电压VREF，然后结束修调。本案例中j≠0，此时需要修调的最高段位为第5段，为避
免直接修调本段位内对应的总电阻阻值后，晶圆的基准电压高于设计值后，无法再进行补
救，需要进行保守修调（保守修调是指实际修调增加的电阻阻值小于理论上应该增加的电
阻阻值），熔断标号分别为2j+2=2*4+2=10和2(j‑1)+2=2(4‑1)+2=8的熔丝，即熔断F10和F8
（F10和F8对应的电阻阻值之和为8R+4R=12R，小于最高段位对应的总电阻16R），然后测试修
调后的基准电压VREF；

[0130] 2.首先讨论电阻阻值没有偏差或偏差可以忽略的情况。若F10和F8对应的电阻阻值没有偏差或偏差小到可以忽略，熔断标号为F10和F8的熔丝后，修调后的偏差值V对应的j
j j j j
=3，T=15，由于T不属于2、2 +1和j=n‑1任意一种情况（判断T是否等于2 或2+1是由于这两
种情况的主要构成模式为高阻值段位（第j+1修调段）或高阻值段位（第j+1修调段）+低阻值
段位（第1修调段），此时起到主要修调作用的是高阻值段位，比如j=3时，一旦将高阻值段位
（第4修调段）对应的电阻阻值修调之后出现由于电阻精度偏差造成的晶圆基准电压偏大问
题，则无法再进一步补救，所以这种情况需要进行保守修调，使熔断的电阻阻值小于需要增
加的电阻阻值，给后续修调留下补偿的机会。判断j是否等于n‑1主要是由于当j等于n‑1时，
j+1为最高修调段，即本案例中的第5修调段，此时没有更高段位的电阻可以修调，只能熔断
本修调段内对应的电阻，这种情况也采用保守修调方法），所以需要判断标号为2(j+1)+1=2
(3+1)+1=9和2(j+1)+2=2(3+1)+2=10的熔丝是否熔断，本案例中F10被熔断，F9未被熔断，所
以熔断F9的熔丝，然后测试修调后的基准电压VREF，由此进入循环。在电阻阻值精度没有偏
差或偏差小到可以忽略的情况下，进入循环后偏差值V对应的T依次变化为7，3，1和0，在T=0
的情况下，基准电压偏差值V小于步进宽度H，然后结束修调。

[0131] 3.其次讨论电阻阻值有偏差的情况，由于精度偏差问题，若F10和F8对应的电阻实际值比理论值偏小，修调后偏差值V对应的T不是理论值15，实际上是16，此时同时满足j=n‑
j
1（j≠0）和T=2两种情况，需要进行保守修调。判断标号为2j+1=2*4+1=9和2j+2=2*4+2=10
的熔丝是否均已熔断，本案例中F10已被熔断，所以熔断F9；为了提高修调效率，此时进一步
判断2(j‑1)+1=2（4‑1）+1=7 和2(j‑1)+2=2（4‑1）+1=8的熔丝是否均已被熔断，由于F8已被
熔断，所以熔断F7，然后测试修调后的基准电压VREF，计算偏差值V，进入循环测试。若熔丝
F9和F7的电阻阻值依旧偏小，修调后的T不是理论值4，实际上是6，此时j=2，且j≠0，不满足
j j
T等于2或2+1和j=n‑1中的任一种情况，需要判断标号为2(j+1)+1=2(2+1)+1=7和2(j+1)+2
=2(2+1)+2=8的熔丝是否均已被熔断，由于F7和F8已先后被熔断，只能继续判断自身段位内
（第3段位）标号为2j+1和2j+2的熔丝是否均已被熔，本案例中，标号为2j+1=2*2+1=5和2j+2
=2*2+2=6的熔丝均未被熔断，此时直接熔断F5和F6的熔丝，然后测试修调后的基准电压
VREF，进入循环。

[0132] 4.若熔丝F5和F6对应的电阻阻值没有偏差或偏差小到可以忽略，则修调后的T为j
2，此时j=1，且j≠0，满足T等于2 ，继续判断标号为2j+1=2*1+1=3和2j+2=2*1+2=4的熔丝是
否均已被熔断，本案例中由于F3和F4的熔丝均未被熔断，为避免直接修调本段位内对用的
总电阻阻值后，晶圆的基准电压高于设计值后，无法载进行补救，此时依旧进行保守修调，
所以只熔断F3和F4中的一个熔丝，假定熔断F4，为提高修调效率，此时进一步判断标号为2
(j‑1)+1 =2(1‑1)+1=1和2(j‑1)+2=2(1‑1)+2=2的熔丝是否均已被熔断，本案例中，由于F1
和F2均未被熔断，此时也仅熔断二者中的一个熔丝，假定熔断F2，然后测试修调后的基准电
压VREF，继续循环。若F4和F2对应的电阻阻值没有偏差或偏差小到可以忽略，则修调后的T
为1，此时满足j=0，判断F4和F3是否均已被熔断，本案例中，F4已熔断，F3未熔断，此时熔断
F3，然后测试修调后的基准电压VREF，继续循环。若F3对应的电阻阻值没有偏差或偏差小到
可以忽略，该晶圆修调后的基准电压就已被控制在一个步进宽度之内，本次修调结束。

[0133] 5.若步骤3中F5和F6的熔丝对应的电阻实际阻值比理论值小，修调后的段位组合不是理论值2，而是4，此时由于F5和F6已被熔断，F7和F8也已被熔断，此时不大于该修调段
对应的阻值只有第一修调段和第二修调段，将第一修调段和第二修调段内的熔丝全部熔断
所增加的电阻阻值也小于直接熔断第三段位的熔丝，相当于已经进行了保守修调，此时就
直接熔断标号为2(j‑1)+2=2(2‑1)+2=4及以下所有熔丝，即直接熔断F4、F3、F2和F1，然后测
试修调后的基准电压VREF并记录后直接结束修调。

[0134] 综上所述，本实施例提供的晶圆的修调方法，一方面对修调电路Rt进行了优化设计，使其内部的修调电阻的阻值按照2的幂进行分布，在同样的修调范围内一定程度上节约
了修调电阻的数量，并能够与所述修调方法结合；另一方面通过循环条件的判断，分步多次
熔断可熔导丝，兼顾了效率和精度，以多次尝试的方式接近预期的修调目标值，并通过结束
条件加速了修调过程。修调电路的方案优化、循环条件和结束条件的设置，解决了现有技术
中的修调方法存在熔丝只能一次性熔断以及熔丝熔断操作后得到的测量电阻值和理想阻
值相差较大而导致的精度较低的问题，并兼顾了修调过程的效率和实现成本，取得了较优
的效果。

[0135] 上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于本发明技术方案的
保护范围。