一种定向传热的半导体发热薄膜及其制备方法转让专利
申请号 : CN202111030643.7
文献号 : CN113473657B
文献日 : 2021-11-30
发明人 : 张伟 , 赵莉
申请人 : 中熵科技(北京)有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种定向传热的半导体发热薄膜,其特征在于,包括:基底、发热层和红外反射层;
所述发热层设置于所述基底的第一表面,用于产生热量;
所述发热层的发热材质为金属氧化物半导体制热材料;
所述红外反射层设置于所述基底的第二表面,用于将传输至所述基底的所述热量定向反射至所述发热层;
所述红外反射层包括第一薄膜和第二薄膜;
所述第一薄膜设置在所述基底的第二表面;
所述第二薄膜设置在所述第一薄膜的另一表面上;
所述第一薄膜的折射率大于所述第二薄膜的折射率;
所述第一薄膜的材质为硅或者硅铝;
所述第二薄膜的材质为氟化镁或者氟化钡。
2.根据权利要求1所述的定向传热的半导体发热薄膜,其特征在于,还包括阻挡层;
所述阻挡层设置于所述发热层与所述基底之间,用于阻挡所述基底产生的杂质及水汽进入所述发热层。
3.根据权利要求2所述的定向传热的半导体发热薄膜,其特征在于,还包括平滑层;
所述平滑层设置于所述基底与所述阻挡层之间,用于降低所述基底的粗糙度。
4.根据权利要求3所述的定向传热的半导体发热薄膜,其特征在于,还包括耐温层;
所述耐温层设置于所述平滑层与所述阻挡层之间,用于减小所述基底的热膨胀系数。
5.一种定向传热的半导体发热薄膜的制备方法,其特征在于,包括:将金属氧化物半导体制热材料镀设在基底的第一表面,形成发热层;
在所述基底的第二表面镀设红外反射层,所述红外反射层用于将传输至所述基底的热量反射至所述发热层;
在所述基底的第二表面镀设红外反射层,具体为:在所述基底的第二表面镀设第一薄膜;
在所述第一薄膜的另一表面镀设第二薄膜;
所述第一薄膜的折射率大于所述第二薄膜的折射率;
所述第一薄膜的材质为硅或者硅铝;
所述第二薄膜的材质为氟化镁或者氟化钡。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在所述基底的第二表面镀设第一薄膜,具体为:
利用磁控溅射方法在所述基底的第二表面镀设第一薄膜;
在所述第一薄膜的另一表面镀设第二薄膜,具体为:利用电子束蒸镀方法在所述第一薄膜的另一表面镀设第二薄膜。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在将金属氧化物半导体制热材料镀设在基底的第一表面,形成发热层之前,还包括:将IVA族元素的氧化物镀设在所述基底的第一表面,形成阻挡层;
相应的,将金属氧化物半导体制热材料镀设在基底的第一表面,形成发热层,具体为:将金属氧化物半导体制热材料镀设在阻挡层上,形成发热层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在将IVA族元素的氧化物镀设在所述基底的第一表面,形成阻挡层之前,还包括:将丙烯酸酯涂覆于所述基底的第一表面,形成耐温层;
相应的,将IVA族元素的氧化物镀设在所述基底的第一表面,形成阻挡层,具体为:将IVA族元素的氧化物镀设在所述耐温层上,形成阻挡层。
说明书 :
一种定向传热的半导体发热薄膜及其制备方法
技术领域
背景技术
由于其有部分电能会被转化为光能,因而电能转换效率也较低,仅为60%左右。
电热丝。但是碳基电热膜在制备过程中需要使用大量的有机物,有机物会导致碳基电热膜
的功率衰减严重,同时制备及使用过程中,也会污染环境及影响人体健康。另外,由于碳基
电热膜的是双面散热的,而远离受热面一侧的热量利用率较低,造成了资源的浪费。
发明内容
等。
种或多种;
稳定,长期受热结构不会改变,具有高均匀性,使得利用其制备的半导体发热薄膜发热均
匀,低温辐射偏差为±1℃。另外,金属氧化物半导体制热材料(MOSH)还具有电阻低、透过率
高的优点,因此利用其制备的发热薄膜具有高效的电热转换性能并且其透过率高达80%以
上。本发明使用的半导体发热薄膜的材质为无机物,制备过程不会污染环境,使用过程也不
会散发异味导致影响人体健康,同时也不存在碳基电热膜使用有机物导致功率衰减严重的
问题。
流失率降低、利用率大幅提高,从而避免了资源的浪费。
附图说明
具体实施方式
细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中,省略对众所周知的系统、装置、电
路以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
的材质厚度可以做到500nm。
高的优点,因此利用其制备的半导体发热薄膜具有高效的电热转换性能并且其透过率高达
80%以上。本发明使用的半导体发热薄膜的材质为无机物,制备过程不会污染环境,使用过
程也不会散发异味导致影响人体健康,同时也不存在碳基电热膜使用有机物导致功率衰减
严重的问题。
费。
材料的使用,特别适合于汽车玻璃等需要高透过且不具备保温性的应用场景。同时,使用双
层折射膜的半导体发热薄膜,其膜层较薄,占用空间小,实用性更强。
为硅或者硅铝,厚度为30‑50nm,具体可为30nm、40nm、50nm,优选为40nm,折射率为2.6‑
3.69,具体可为2.6、2.7、2.87、3.1、3.5、3.69,优选为2.87;第二薄膜4为低折射率反射膜,
其材质为氟化镁或者氟化钡,厚度为50‑120nm,具体可为50nm、70nm、80nm、90nm、120nm,优
选为80nm,折射率为1.3‑1.4,具体可为:1.31、1.33、1.36、1.38、1.40,优选为1.38。
作限制,只要能达到红外反射的效果即可。
例的阻挡层5为IVA族元素的氧化物,例如可为含硅氧化物或者含锡氧化物等,本发明实施
例具体以阻挡层5的材质为二氧化硅,厚度为15nm‑30nm为例进行说明。其中阻挡层的厚度
具体可为:15nm、18nm、22nm、24nm、25nm、28nm、30nm,优选为25nm。
寿命。
粗糙度。具体地,在基底1上辊涂聚氨酯材质的平滑层6,聚氨酯呈液态,通过流平作用实现
基底1平滑性处理,辊涂聚氨酯之后基底1的粗糙度降低有利于阻挡层5的附着。同时聚氨酯
也有阻隔杂质的效果,能结合阻挡层5进一步阻止基底1中的杂质及水汽扩散至发热层。本
发明实施例中聚氨酯可以是聚酯型,也可以是聚醚型,本发明实施例对平滑层6的具体材质
不作限定,只要能达到降低基底粗糙度的材质均可。平滑层的厚度为2‑5μm,具体可为2μm、3
μm、4μm、5μm,优选为3μm。
体表现在中心部位应力最集中,薄膜表面出现“凹陷”现象;而发热层2本身的膨胀系数小,
如果基底1膨胀系数大,两者不匹配,整个薄膜的形变向附着发热层的这一面弯曲变形,这
种变形破坏薄膜的表面结构。
数,改善基底1性能。本发明实施例中丙烯酸酯可以是丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯
等任一种化合物,本发明实施例对耐温层7的具体材质不作限定,只能要耐高温且减小基底
1材料的热膨胀系数即可。耐温层的厚度为2‑5μm,具体可为2μm、3μm、4μm、5μm,优选为4μm。
服了现有技术中碳基电热膜存在的有机物导致功率衰减、寿命短、使用过程中散发味道严
重、影响人体健康等问题。同时,由于本发明实施例中还设置了红外反射层,其可将发热层
传输至基底侧的热量定向反射至发热层侧,使热量集中于发热层一侧而非两侧,使得热量
流失率降低、利用率大幅提高,从而避免了资源的浪费。
积速度快、基底温升低、对发热层的损伤小、发热层与基底结合较好、发热层纯度高、致密性
好、成膜均匀性好等优点,因此,本实施例优选使用磁控溅射的方法在基底的第一表面上镀
设发热层。
‑3 2
真空度< 1×10 Pa,基底温度为常温,溅射功率面密度为0.7‑2.5W/cm ,具体可为:0.7W/
2 2 2 2 2 2 2 2
cm、0.9W/cm、1.0W/cm 、1.2W/cm 、1.6W/cm 、2.0W/cm 、2.5W/cm ,优选为1W/cm ,在溅射过
程中通入氩气作为保护气体,氧气作为反应气,氩气和氧气的气体流量均为800‑1200ml/
min,具体可为:800ml/min、900ml/min、1000ml/min、1100ml/min、1200ml/min,优选地,氩气
的气流流量为1200ml/min,氧气的气体流量也为1200ml/min,氩气和氧气的气体流量也可
不同。本实施例溅射所得发热层的厚度为15‑500nm。
溅射使用的靶材为硅或硅铝,形成的第一薄膜的材质为二氧化硅。溅射过程中通入氧气作
为反应气体,通入氩气作为保护气体,常温溅射形成第一薄膜。
2 2 2 2 2 2 2
率面密度为7‑12W/cm,具体可为7W/cm 、8W/cm、8.5W/cm、9.5W/cm 、11W/cm或者12W/cm ,
2
优选为8.5W/cm。在溅射过程中通入氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,氩气和氧气的
质量比为5:1‑15:1,具体可为:5:1、8:1、10:1、11:1、13:1、15:1,优选为10:1,氩气和氧气的
总气体流量为100‑500ml/min,具体可为100ml/min、200ml/min、300ml/min、400ml/min或者
‑3
500ml/min,优选为500ml/min,本底真空度< 1×10 Pa,基底温度为常温,在基底表面制备
厚度为30nm‑50nm的第一薄膜,具体可为30nm、40nm或者50nm,优选为40nm,第一薄膜的材质
为 SiO2,薄膜折射率为2.6‑3.69,具体可为2.6、2.7、2.87、3.1、 3.5、3.69,优选为2.87。
‑3
10 Pa,沉积速率为1Å/s‑3Å/s,具体可为1Å/s、1.5Å/s、2Å/s、2.5Å/s或者3Å/s,优选为2.5Å/
s,基底温度80℃‑150℃,具体可为80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃或者150
℃,优选为150℃,在第一薄膜上镀设厚度为50nm‑120nm的MgF2薄膜,具体可为:50nm、70nm、
80nm、90nm或者120nm,优选为80nm,薄膜折射率为1.3‑1.4,具体可为:1.31、1.33、1.36、
1.38、1.40,优选为1.38。
1.5W/cm、2W/cm 、2.5W/cm、3W/cm 、3.5W/cm、4W/cm 、4.5W/cm、5W/cm 、5.5W/cm、6W/cm 、
2 2 2 2 2
6.5W/cm、7W/cm、7.5W/cm或者8W/cm优选为1.5W/cm。在溅射过程中通入氧气作为反应气
体,氩气作为保护气体,氩气和氧气的质量比为10:1‑20:1,具体可为:10:1、11:1、12:1、13:
1、14:1、15:1、16:1、17:1、18:1、19:1、20:1,优选为13:1,氧气的气体流量为50‑100ml/min,
具体可为:50ml/min、60ml/min、70ml/min、80ml/min、90ml/min或者100ml/min,优选为
80ml/min;氩气的气体流量为300‑800ml/min,具体可为300ml/min、400ml/min、500ml/min、
‑3
600ml/min、700ml/min或者800ml/min,优选为800ml/min,本底真空度< 1×10 Pa,基底温
度为常温,在基底表面镀设厚度为15nm‑30nm,具体可为15nm、18nm、22nm、24nm、25nm、28nm、
30nm,优选为23nm的 SiO2层即为阻挡层。
40min,具体可为20min、30min或者40min,优选为30min,然后吹干备用。
120℃、130℃、140℃或者150℃,优选为100℃;烘干时间为30‑50min,具体可为30min、40min
或者50min,优选为30min。
℃,具体可为:90℃、100℃或者110℃,优选为100℃。烘干后进行紫外线照射固化,固化时间
为15min‑30min,具体可为15min、20min、25min或者30min,优选为20min,曝光能量为400mJ‑
600mJ,具体可为400mJ、450mJ、500mJ、550mJ或者600mJ,优选为500mJ。
固化,曝光能量为500mJ。
靶材进行磁控溅射,制备厚度为35nm、折射率为3.07的第一薄膜,制备得到的第一薄膜为
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SiO2薄膜。磁控溅射时,本底真空度< 1×10 Pa,基底温度为常温,硅铝靶材中铝掺杂量为
2
0.5wt%,溅射功率面密度为8.5W/cm ,在溅射过程中通入氧气作为反应气体,氩气作为保护
气体,气体流量为300ml/min,氩气和氧气的质量比为10:1。
第二薄膜,第二薄膜的材质为氟化镁。电子束蒸发时,本底真空度< 1×10 Pa,沉积速率为2
Å/s,基底温度为150℃。
(SiO2)阻挡层;溅射采用4N的硅靶材,溅射功率面密度为1.5W/cm ,在溅射过程中通入氧气
作为反应气体,气体流量为80ml/min;通入氩气作为保护气体,气体流量为800ml/min,氩气
和氧气的质量比为20:1。
2
(英文简称ITO),溅射功率面密度为1W/cm ,在溅射过程中通入氩气作为保护气体,气体流
量为1200ml/min。
安全等优点。
时也不存在碳基电热膜使用有机物导致功率衰减严重的问题。
离本申请技术方案的范围内,利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等
效实施案例,均属于技术方案范围内。