一种显示控制方法以及驱动电路

摘要

本发明公开了一种显示控制方法以及驱动电路，驱动电路中发光二极管的阴极连接于第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极接地端，包括：将可变供电端的电压值调节至预设电压，可变供电端用于导通第一晶体管，预设电压高于发光二极管的导通电压与第一晶体管的阈值电压的总和；将第一供电端接入发光二极管的阳极端，同时将可变供电端接入至第一晶体管的门极端，以使发光二极管在导通工作时补偿发光二极管的电流自损耗。由此，通过此方法，使得流过发光二极管的电流只受器件本身的尺寸，迁移率，栅氧化层电容和发光二极管导通电压等自身因素影响。在导通电压是增大的情况下，电流就会变大，以补偿原先电流的损耗，进而改善了发光二极管的显示效果。

权利要求

1.一种显示控制方法，应用于驱动电路，所述驱动电路中发光二极管的阴极连接于第一晶体管的漏极，所述第一晶体管的源极接地端，其特征在于，所述方法包括：通过电压调节模块将可变供电端的电压值调节至预设电压，所述可变供电端用于导通所述第一晶体管，所述预设电压高于所述发光二极管的导通电压与所述第一晶体管的阈值电压的总和；

其中，所述电压调节模块包括充电模块、放电模块和补偿模块；

所述充电模块用于将所述可变供电端的电压充电至第一电压；

所述放电模块用于将所述可变供电端的电压从所述第一电压放电至第二电压；

所述补偿模块用于将所述可变供电端的电压从所述第二电压调节至所述预设电压；

所述放电模块还包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第二电容；

所述第七晶体管的漏极端和门极端相连，源极端连接至所述第一晶体管的门极端；

所述第八晶体管的源极端接地端，漏极端连接至所述第二电容的一端；

所述第二电容的另一端连接于所述可变供电端；

所述第九晶体管的源极端连接至所述可变供电端，漏极端连接至所述发光二极管的阳极端；

所述放电模块仅在所述第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管供电导通时将所述可变供电端的电压值由所述第一电压放电至第二电压。

将第一供电端接入所述发光二极管的阳极端，同时将所述可变供电端接入至所述第一晶体管的门极端，以使所述发光二极管在导通工作时补偿所述发光二极管的电流自损耗。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将可变供电端的电压值调节至预设电压，包括：

对所述可变供电端进行电压一次调节，以将所述可变供电端的电压值调节至第一电压，所述第一电压高于所述第一晶体管的阈值电压和所述发光二极管的导通电压的总和；

将经一次调节后的可变供电端进行电压二次调节，以将所述可变供电端的电压值由所述第一电压调节至第二电压，所述第二电压为所述发光二极管的导通电压与所述第一晶体管的阈值电压的总和；

利用第二供电端对经二次调节后的可变供电端进行电压三次调节，以将所述可变供电端的电压值调节至预设电压，所述预设电压为所述第二供电端的电压、所述发光二极管的导通电压和所述第一晶体管的阈值电压的总和。

3.一种驱动电路，其特征在于，所述电路包括第一晶体管、发光二极管、可变供电端、电压调节模块：

所述第一晶体管的源极端接地端，漏极端连接于所述发光二极管的阴极；

所述可变供电端用于接入所述第一晶体管的门极端，以驱使所述第一晶体管导通；

所述电压调节模块用于将所述可变供电端的电压调节至预设电压，所述预设电压高于所述发光二极管的导通电压与所述第一晶体管的阈值电压的总和；

其中，所述电压调节模块包括充电模块、放电模块和补偿模块；

所述充电模块用于将所述可变供电端的电压充电至第一电压；

所述放电模块用于将所述可变供电端的电压从所述第一电压放电至第二电压；

所述补偿模块用于将所述可变供电端的电压从所述第二电压调节至所述预设电压；

所述放电模块还包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第二电容；

所述第七晶体管的漏极端和门极端相连，源极端连接至所述第一晶体管的门极端；

所述第八晶体管的源极端接地端，漏极端连接至所述第二电容的一端；

所述第二电容的另一端连接于所述可变供电端；

所述第九晶体管的源极端连接至所述可变供电端，漏极端连接至所述发光二极管的阳极端；

所述放电模块仅在所述第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管供电导通时将所述可变供电端的电压值由所述第一电压放电至第二电压；

所述电路在所述发光二极管的阳极端接入第一供电端以及第一晶体管的门极端接入所述可变供电端时补偿所述发光二极管的电流自损耗。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电路还包括第二晶体管、第三晶体管；

所述第二晶体管的漏极端连接于所述可变供电端，源极端连接于所述第一晶体管的门极端；

所述第三晶体管的源极连接于所述发光二极管的阳极端，漏极连接于所述第一供电端；

在所述第二晶体管和第三晶体管均导通时，所述发光二极管和第一晶体管处于导通状态。

5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述补偿模块包括第十晶体管和第三电容；

所述第十晶体管的漏极端连接至第三供电端，源极端连接至所述第三电容的一端；

所述第三电容的另一端连接至所述可变供电端；

所述补偿模块仅在所述可变供电端接入所述第一晶体管的门极端、所述第一供电端接入所述发光二极管的阳极端以及所述第十晶体管供电导通的情况下将所述可变供电端的电压值由所述第二电压调节至所述预设电压。

6.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一电压为所述第一供电端的电压；

所述第二电压为所述发光二极管的导通电压与所述第一晶体管的阈值电压的总和。

7.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述充电模块的充电时长设定在预设时间范围内，以使所述发光二极管在充电时不处于显示状态。

说明书

一种显示控制方法以及驱动电路

[0001] 注：本申请为申请号202010407940.8的分案申请

技术领域

[0002] 本发明涉及图像显示技术领域，尤其涉及一种显示控制方法以及驱动电路。

背景技术

[0003] 对于目前的发光二极管驱动电路，基本上都存在发光二极管自身的损耗导致的性能降低的问题，该问题将引起发光不均匀,严重影响显示效果。

发明内容

[0004] 本发明实施例提供了一种显示控制方法以及驱动电路，具有改善发光二极管显示效果的技术效果。

[0005] 本发明一方面提供一种显示控制方法，应用于驱动电路，所述驱动电路中发光二极管的阴极连接于第一晶体管的漏极，所述第一晶体管的源极接地端，所述方法包括：通过
电压调节模块将可变供电端的电压值调节至预设电压，所述可变供电端用于导通所述第一
晶体管，所述预设电压高于所述发光二极管的导通电压与所述第一晶体管的阈值电压的总
和；其中，所述电压调节模块包括充电模块、放电模块和补偿模块；所述充电模块用于将所
述可变供电端的电压充电至第一电压；所述放电模块用于将所述可变供电端的电压从所述
第一电压放电至第二电压；所述补偿模块用于将所述可变供电端的电压从所述第二电压调
节至所述预设电压。所述放电模块还包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第二电
容；所述第七晶体管的漏极端和门极端相连，源极端连接至所述第一晶体管的门极端；所述
第八晶体管的源极端接地端，漏极端连接至所述第二电容的一端；所述第二电容的另一端
连接于所述可变供电端；所述第九晶体管的源极端连接至所述可变供电端，漏极端连接至
所述发光二极管的阳极端；所述放电模块仅在所述第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管供
电导通时将所述可变供电端的电压值由所述第一电压放电至第二电压。将第一供电端接入
所述发光二极管的阳极端，同时将所述可变供电端接入至所述第一晶体管的门极端，以使
所述发光二极管在导通工作时补偿所述发光二极管的电流自损耗。

[0006] 在一可实施方式中，所述将可变供电端的电压值调节至预设电压，包括：对所述可变供电端进行电压一次调节，以将所述可变供电端的电压值调节至第一电压，所述第一电
压高于所述第一晶体管的阈值电压和所述发光二极管的导通电压的总和；将经一次调节后
的可变供电端进行电压二次调节，以将所述可变供电端的电压值由所述第一电压调节至第
二电压，所述第二电压为所述发光二极管的导通电压与所述第一晶体管的阈值电压的总
和；利用第二供电端对经二次调节后的可变供电端进行电压三次调节，以将所述可变供电
端的电压值调节至预设电压，所述预设电压为所述第二供电端的电压、所述发光二极管的
导通电压和所述第一晶体管的阈值电压的总和。

[0007] 本发明另一方面提供一种驱动电路，所述电路包括第一晶体管、发光二极管、可变供电端、电压调节模块：所述第一晶体管的源极端接地端，漏极端连接于所述发光二极管的
阴极；所述可变供电端用于接入所述第一晶体管的门极端，以驱使所述第一晶体管导通；所
述电压调节模块用于将所述可变供电端的电压调节至预设电压，所述预设电压高于所述发
光二极管的导通电压与所述第一晶体管的阈值电压的总和；其中，所述电压调节模块包括
充电模块、放电模块和补偿模块；所述充电模块用于将所述可变供电端的电压充电至第一
电压；所述放电模块用于将所述可变供电端的电压从所述第一电压放电至第二电压；所述
补偿模块用于将所述可变供电端的电压从所述第二电压调节至所述预设电压。所述放电模
块还包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第二电容；所述第七晶体管的漏极端和门
极端相连，源极端连接至所述第一晶体管的门极端；所述第八晶体管的源极端接地端，漏极
端连接至所述第二电容的一端；所述第二电容的另一端连接于所述可变供电端；所述第九
晶体管的源极端连接至所述可变供电端，漏极端连接至所述发光二极管的阳极端；所述放
电模块仅在所述第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管供电导通时将所述可变供电端的电
压值由所述第一电压放电至第二电压；所述电路在所述发光二极管的阳极端接入第一供电
端以及第一晶体管的门极端接入所述可变供电端时补偿所述发光二极管的电流自损耗。

[0008] 在一可实施方式中，所述电路还包括第二晶体管、第三晶体管；所述第二晶体管的漏极端连接于所述可变供电端，源极端连接于所述第一晶体管的门极端；所述第三晶体管
的源极连接于所述发光二极管的阳极端，漏极连接于所述第一供电端；在所述第二晶体管
和第三晶体管均导通时，所述发光二极管和第一晶体管处于导通状态。

[0009] 在一可实施方式中，所述补偿模块包括第十晶体管和第三电容；所述第十晶体管的漏极端连接至所述第三供电端，源极端连接至所述第三电容的一端；所述第三电容的另
一端连接至所述可变供电端；所述补偿模块仅在所述可变供电端接入所述第一晶体管的门
极端、所述第一供电端接入所述发光二极管的阳极端以及所述第十晶体管供电导通的情况
下将所述可变供电端的电压值由所述第二电压调节至所述预设电压。

[0010] 在一可实施方式中，所述第一电压为所述第一供电端的电压；所述第二电压为所述发光二极管的导通电压与所述第一晶体管的阈值电压的总和。

[0011] 在一可实施方式中，所述充电模块的充电时长设定在预设时间范围内，以使所述发光二极管在充电时不处于显示状态。

[0012] 在本发明实施例中，通过此方法，使得流过发光二极管的电流只受器件本身的尺寸，迁移率，栅氧化层电容和发光二极管导通电压等自身因素影响。在发光二极管在长时间
工作下导致导通电压是增大的情况下，电流就会变大，以补偿原先电流的损耗，进而改善了
发光二极管显示的亮度均一性和显示效果，同时还能延长发光二极管的寿命。

附图说明

[0013] 通过参考附图阅读下文的详细描述，本发明示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本发明的若
干实施方式，其中：

[0014] 在附图中，相同或对应的标号表示相同或对应的部分。

[0015] 图1为本发明实施例一种显示控制方法的实现流程示意图；

[0016] 图2为本发明实施例一种显示控制方法中的部分驱动电路图；

[0017] 图3为本发明实施例驱动电路的整体电路示意图；

[0018] 图4为本发明实施例驱动电路中充电模块的电路示意图；

[0019] 图5为本发明实施例驱动电路中放电模块的电路示意图；

[0020] 图6为本发明实施例驱动电路中补偿模块的电路示意图。

具体实施方式

[0021] 为使本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅
仅是本发明一部分实施例，而非全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没
有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0022] 图1为本发明实施例一种显示控制方法的实现流程示意图；

[0023] 图2为本发明实施例一种显示控制方法中的部分驱动电路图。

[0024] 结合图1和图2所示，本发明实施例一方面提供一种显示控制方法，应用于驱动电路，驱动电路中发光二极管的阴极连接于第一晶体管的漏极，第一晶体管的源极接地端，方
法包括：

[0025] 步骤101，将可变供电端的电压值调节至预设电压，可变供电端用于导通第一晶体管，预设电压高于发光二极管的导通电压与第一晶体管的阈值电压的总和；

[0026] 步骤102，将第一供电端接入发光二极管的阳极端，同时将可变供电端接入至第一晶体管的门极端，以使发光二极管在导通工作时补偿发光二极管的电流自损耗。

[0027] 本实施例中，发光二极管包括LED(Light Emitting Diode，发光二极管)和OLED(Organic Light‑Emitting Diode，有机发光二极管)，在实施例中，发光二极管优选为
OLED。

[0028] 首先将可变供电端A的电压值调节至预设电压，预设电压高于OLED的导通电压与第一晶体管T1的阈值电压的总和。其中，预设电压以Vdata+Vth+Vtholed表示，其中Vth为第
一晶体管T1的阈值电压；Vtholed为OLED的导通电压；Vdata为预设电压除阈值电压和导通
电压之外的电压，一般为定值。

[0029] 接着将第一供电端VDD接入至OLED的阳极端，同时，将可变供电端接入至第一晶体管的门极端，其中第一供电端VDD的电压高于到导通电压和阈值电压的总和。此时，第一晶
体管T1的源极端电压Vs为0v，门极端电压Vg为Vdata+Vth+Vtholed，得到两者电压差为Vgs
＝Vdata+Vth+Vthole，满足第一晶体管T1的导通条件(Vg‑Vs>Vth)，OLED处于导通工作状
态。

[0030] 根据流过发光二极管的电流公式可得：

[0031]

[0032] 其中μ代表发光第一晶体管T1的迁移率，Cox代表第一晶体管T1的栅氧化层电容，W和L分别代表第一晶体管T1的长宽。

[0033] 由此，通过此公式得知，最终流过发光二极管的电流只受器件本身的尺寸，迁移率，栅氧化层电容和OLED导通电压等自身因素影响，与第一供电端和阈值电压无关。常规情
况下，发光二极管在长时间工作下，会导致发光二极管的导通电压Vtholed增大，流过发光
二极管的电流实际上会降低，导致显示效果降低。而通过本方法，在Vtholed是增大的情况
下，按照上面的公式计算，电流就会变大，能够补偿原先电流的损耗，进而改善了发光二极
管显示的亮度均一性和显示效果，同时还能延长发光二极管的寿命。

[0034] 进一步地，将可变供电端A接入至第一晶体管T1的门极端的方式有多种，其中一种具体连接方式可参考图2所示，通过在第一晶体管T1与可变供电端A之间串联一电子开关，
如三极管、晶体管等，本实施例中，电子开关优选第二晶体管T2，将第二晶体管T2的源极连
接至第一晶体管T1的门极，漏极端连接至可变供电端A，门极端连接至供电端SCAN，当供电
端SCAN为高电平，即第二晶体管T2导通时，则将可变供电端A连接至第一晶体管T1的门极
端。

[0035] 第一供电端VDD与OLED的连接方式有多种，其中一种具体连接方式可参考图2所示，通过在OLED与第一供电端VDD之间串联一电子开关，如三极管、晶体管等，本实施例中，
电子开关优选第三晶体管T3，将第三晶体管T3的源极连接至OLED的阳极端，漏极端连接至
第一供电端VDD，门极端连接至供电端EM，当供电端EM为高电平，即第三晶体管T3导通时，则
第一供电端VDD连接至OLED的阳极端。

[0036] 在一可实施方式中，将可变供电端的电压值调节至预设电压，包括：

[0037] 对可变供电端进行电压一次调节，以将可变供电端的电压值调节至第一电压，第一电压高于第一晶体管的阈值电压和发光二极管的导通电压的总和；

[0038] 将经一次调节后的可变供电端进行电压二次调节，以将可变供电端的电压值由第一电压调节至第二电压，第二电压为发光二极管的导通电压与第一晶体管的阈值电压的总
和；

[0039] 利用第二供电端对经二次调节后的可变供电端进行电压三次调节，以将可变供电端的电压值调节至预设电压，预设电压为第二供电端的电压、发光二极管的导通电压和第
一晶体管的阈值电压的总和。

[0040] 本实施例中，将可变供电端的电压值调节至预设电压的具体过程为：

[0041] 将可变供电端先后三次进行电压调节，从而将可变供电端的电压从初始值调节至预设电压。其中电压调节方式不限定，可以是充电调节，也可以是放电调节。

[0042] 图3为本发明实施例驱动电路的整体电路示意图；

[0043] 如图3所示，本发明实施例另一方面提供一种驱动电路，电路包括第一晶体管T1、发光二极管、可变供电端A、电压调节模块：

[0044] 第一晶体管T1的源极端接地端，漏极端连接于发光二极管的阴极；

[0045] 可变供电端A用于接入第一晶体管T1的门极端，以驱使第一晶体管T1导通；

[0046] 电压调节模块用于将可变供电端A的电压调节至预设电压，预设电压高于发光二极管的导通电压与第一晶体管T1的阈值电压的总和；

[0047] 电路在发光二极管的阳极端接入第一供电端VDD以及第一晶体管T1的门极端接入可变供电端A时补偿发光二极管的电流自损耗。

[0048] 本实施例中，发光二极管包括LED(Light Emitting Diode，发光二极管)和OLED(Organic Light‑Emitting Diode，有机发光二极管)，在实施例中，发光二极管优选为
OLED。

[0049] 工作时，将第一供电端VDD接入OLED的阳极端，将可变供电端A接入第一晶体管T1的门极端，此时第一晶体管T1和OLED均处于导通状态，根据上述所描述的工作原理，此时电
路会补偿OLED在长时间工作时的电流自损耗，进而改善了发光二极管显示的亮度均一性和
显示效果，同时还能延长发光二极管的寿命。

[0050] 在一可实施方式中，电路还包括第二晶体管T2、第三晶体管T3；

[0051] 第二晶体管T2的漏极端连接于可变供电端A，源极端连接于第一晶体管T1的门极端；

[0052] 第三晶体管T3的源极连接于发光二极管的阳极端，漏极连接于第一供电端VDD；

[0053] 在第二晶体管T2和第三晶体管T3均导通时，发光二极管和第一晶体管T1处于导通状态。

[0054] 本实施例中，可变供电端A通过第二晶体管T2接入到第一晶体管T1的门极端，具体为：将第二晶体管T2的源极连接至第一晶体管T1的门极，漏极端连接至可变供电端A，门极
端连接至供电端SCAN，当供电端SCAN为高电平，第二晶体管T2导通，可变供电端A则连接至
第一晶体管T1的门极端。

[0055] 第一供电端VDD通过第三晶体管T3接入到OLED的阳极端，具体为：将第三晶体管T3的源极连接至OLED的阳极端，漏极端连接至第一供电端VDD，门极端连接至供电端EM，当供
电端EM为高电平，第三晶体管T3导通，第一供电端VDD则连接至OLED的阳极端。

[0056] 工作时，供电端SCAN和EM调节为高电平，以使对应的第二晶体管T2和第三晶体管T3处于导通状态，进而使发光二极管和第一晶体管T1处于导通状态。

[0057] 在一可实施方式中，电压调节模块包括充电模块、放电模块和补偿模块；

[0058] 充电模块用于将可变供电端A的电压充电至第一电压；

[0059] 放电模块用于将可变供电端A的电压从第一电压放电至第二电压；

[0060] 补偿模块用于将可变供电端A的电压从第二电压调节至预设电压。

[0061] 本实施例中，可变供电端A的电压调节过程中，需依次对可变供电端A的初始电压进行充电、放电以及调节方可得到预设电压。

[0062] 在一可实施方式中，第一电压为第一供电端VDD的电压；

[0063] 第二电压为发光二极管的导通电压与第一晶体管T1的阈值电压的总和。

[0064] 本实施例中，在充电过程中，将可变供电端A的电压充电至于第一供电端VDD的电压一致，该电压相对较高；接着在放电过程中，将第一电压降至第二电压。

[0065] 图4为本发明实施例驱动电路中充电模块的电路示意图。

[0066] 如图4所示，在一可实施方式中，充电模块还包括包括第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第一电容C1；

[0067] 第四晶体管T4的漏极端和门极端相连，源极端连接至第一晶体管T1的门极端；

[0068] 第五晶体管T5的源极端接地端，漏极端连接至第一电容C1的一端；第一电容C1的另一端连接于可变供电端A；

[0069] 第六晶体管T6的源极端连接至可变供电端A，漏极端连接至发光二极管的阳极端；

[0070] 充电模块仅在发光二极管的阳极端接入第一供电端VDD并且第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6均供电导通时将可变供电端A的电压值充电至第一电压。

[0071] 本实施例中，第五晶体管T5的门极连接至供电端SW1，第四晶体管T4和第六晶体管T6的门极端均连接至供电端SW2。仅当供电端SW1、供电端SW2和供电端EM施加高电平时，第
一晶体管T1、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6均导通，此时，对
第一供电电源第一供电端VDD对可变供电端A进行充电，从而将可变供电端A的电压升至第
一电压，并且第一电压大小与第一供电端VDD的电压大小一致。

[0072] 图5为本发明实施例驱动电路中放电模块的电路示意图。

[0073] 如图5所示，在一可实施方式中，放电模块还包括第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管和第二电容；

[0074] 第七晶体管的漏极端和门极端相连，源极端连接至第一晶体管T1的门极端；

[0075] 第八晶体管的源极端接地端，漏极端连接至第二电容的一端；

[0076] 第二电容的另一端连接于可变供电端A；

[0077] 第九晶体管的源极端连接至可变供电端A，漏极端连接至发光二极管的阳极端；

[0078] 放电模块仅在第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管供电导通时将可变供电端A的电压值由第一电压放电至第二电压。

[0079] 本实施例中，第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管分别对应上述实施例中所提到的第四晶体管T4、第五晶体管T5和第六晶体管T6，当然也可以是额外的晶体管；第二电容即
为上述实施例中所提到的第一电容C1，当然也可以是额外的电容。

[0080] 仅当供电端SW1、SW2分别为高电平，供电端EM为低电平时，致使第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第一晶体管T1导通，第三晶体管T3关闭，此时可变供电端A
的电压高于第一晶体管T1的阈值电压，可变供电端A与第六晶体管T6、第一晶体管T1以及地
端构成通路，因此可变供电端A开始放电，直到可变供电端AA的电压等于第一晶体管T1的阈
值电压Vth与OLED的导通电压Vtholed之和时，T1关闭，放电停止之后，V(A)＝Vth+Vtholed。

[0081] 图6为本发明实施例驱动电路中补偿模块的电路示意图。

[0082] 如图6所示，在一可实施方式中，补偿模块包括第十晶体管T10和第三电容；

[0083] 第十晶体管T10的漏极端连接至第三供电端，源极端连接至第三电容的一端；

[0084] 第三电容的另一端连接至可变供电端A；

[0085] 补偿模块仅在可变供电端A接入第一晶体管T1的门极端、第一供电端VDD接入发光二极管的阳极端以及第十晶体管T10供电导通的情况下将可变供电端A的电压值由第二电
压调节至预设电压。

[0086] 本实施例中，第三供电端即为上述实施例中的第二供电端Vdata，第三电容即为上述实施例中所提到的第一电容C1，当然也可以是额外的供电端和电容。第十晶体管T10的门
极端连接至供电端SCAN。

[0087] 仅当供电端SCAN和EM均为高电平时，第二晶体管T2、第三晶体管T3和第十晶体管T10均导通。当第十晶体管T10导通时，根据电容自举特性，可变供电端AA的电压也会跟着
变，由于第一电容C1的压差为△V＝Vth+Vtholed，所以V(A)＝Vdata+△V＝Vdata+Vth+
Vtholed。

[0088] 在一可实施方式中，充电模块的充电时长设定在预设时间范围内，以使发光二极管在充电时不处于显示状态。

[0089] 本实施例中，预设时间范围可根据发光二极管实际的发光时间自由设定，通过将充电时间设定在预设时间范围内，使在充电时，发光二极管不会出现处于发光状态，进而使
由发光二极管所组合的屏幕不会出现瞬闪的情况，提升用户体验感。

[0090] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特
点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点
可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本
领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特
征进行结合和组合。

[0091] 此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐
含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有
明确具体的限定。

[0092] 以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在
本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。