一种高消光比宽带线偏振片转让专利
申请号 : CN202110792954.0
文献号 : CN113534306B
文献日 : 2022-04-19
发明人 : 郝翔 , 何欣 , 刘旭
申请人 : 浙江大学
摘要 :
权利要求 :
1.一种高消光比宽带线偏振片,其特征在于,采用双抛的石英玻璃做衬底,所述衬底上设有纳米结构,所述纳米结构由若干阵列式排布的纳米结构单元构成,所述纳米结构单元为长方形金属‑非金属‑金属三明治纳米棒,横向和纵向相邻纳米结构单元的距离分别相同,且所有纳米结构单元的尺寸均相同,每个纳米结构单元中两个金属层的厚度及材料相同;
横向相邻纳米结构单元的距离为90‑110纳米,纵向相邻纳米结构单元的距离为720‑
880纳米,纳米棒宽度为35‑45纳米,长度为660‑810纳米;
所述纳米结构表面覆盖保护层,所述保护层的折射率n2需满足1.38≤n2≤1.42;
在金属与非金属,或金属与空气之间产生等离子体并发生特定波段的共振耦合;在垂直方向的金属‑非金属‑金属三明治结构基于法布里珀罗原理。
2.根据权利要求1所述的一种高消光比宽带线偏振片,其特征在于,每个纳米结构单元中两个金属层的厚度均为30‑50纳米,非金属层的厚度为30‑50纳米。
3.根据权利要求1所述的一种高消光比宽带线偏振片,其特征在于,所述非金属的折射率n1需满足1.45≤n1≤1.55。
4.根据权利要求1所述的一种高消光比宽带线偏振片,其特征在于,所述金属为铝、银、金。
5.根据权利要求1所述的一种高消光比宽带线偏振片,其特征在于,所述纳米结构表面覆盖保护层,所述保护层的厚度为50纳米‑400纳米。
6.根据权利要求1所述的一种高消光比宽带线偏振片,其特征在于,所述线偏振片在可见光波段工作,在可见光范围内的最大消光比大于10000,消光比大于500的波段为460纳米‑660纳米。
7.根据权利要求1所述的一种高消光比宽带线偏振片,其特征在于,所述线偏振片提高TM光下的透射率,同时降低TE光下的透射率,以此产生高消光比,且TM光下的最小透射率大于50%。
说明书 :
一种高消光比宽带线偏振片
技术领域
背景技术
在过去,线偏振片主要用各种有机材料制作而成,如液晶。液晶必须在导电情况下才会产生
偏振效应。也有的偏振片是用纳米光栅的结构制作而成,但是消光比有限,且具有较大消光
比的波段较短,比如在可见光波段内,很少有线偏振片消光比大于500的波段可以达到200
纳米及以上。一般消光比大于500的偏振片才能达到偏振效果。因此,如何设计一种具有宽
广的大消光比波段的线偏振片是光学器件领域的趋势。
发明内容
米结构单元构成,所述纳米结构单元为长方形金属‑非金属‑金属三明治纳米棒,横向和纵
向相邻纳米结构单元的距离分别相同,且所有纳米结构单元的尺寸均相同,每个纳米结构
单元中两个金属层的厚度及材料相同。
理。
高TM光下的透射率,同时降低TE光下的透射率,以此产生高消光比,且TM光下的最小透射率
大于50%。
附图说明
具体实施方式
它实施例,都属于本申请保护的范围。
也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
元为长方形金属‑非金属‑金属三明治纳米棒,横向和纵向相邻纳米结构单元的距离分别相
同,且所有纳米结构单元的尺寸均相同,每个纳米结构单元中两个金属层的厚度及材料相
同。
理。
米结构单元构成,纳米结构单元为长方形金属‑非金属‑金属三明治纳米棒,横向和纵向相
邻纳米结构单元的距离分别相同,横向相邻纳米结构单元的距离为100纳米,纵向相邻纳米
结构单元的距离为800纳米。所有纳米结构单元的尺寸均相同,纳米棒宽度为40纳米,长度
为730纳米。每个纳米结构单元中两个金属层的厚度及材料相同,本实施例中,两个金属层
的厚度均为40纳米,非金属层的厚度为40纳米,金属为铝,非金属为二氧化硅。纳米结构表
面覆盖保护层,保护层为200纳米厚的二氧化硅。图4为本示例线偏振片在TM、TE光下的光谱
曲线,可以看出,该线偏振片提高TM光下的透射率,同时降低TE光下的透射率,以此产生高
消光比,且TM光下的最小透射率大于50%。图5为本示例线偏振片的消光比示意图,图6为图
5消光比的放大图,可以看出,本示例线偏振片在可见光波段工作,在可见光范围内的最大
消光比大于10000,消光比大于500的波段为460纳米‑660纳米。
修改、等同替换、改进等,均应包含在本说明书一个或多个实施例保护的范围内。