多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备

摘要

本发明涉及光学元件加工技术领域，具体提供了一种多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备，通过获取参考去除函数和参考束流分布函数；测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；从而，可有效抑制拼痕的产生，且可减小工作量，提高工作效率。

权利要求

1.一种多离子源协同加工拼痕抑制方法，用于控制多个离子源协同对光学元件进行抛光处理，其特征在于，包括步骤：A1.获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子源的预先测得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；

A2.测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；

A3.根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；

A4.根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；

A5.根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；

所述参考束流分布函数通过法拉第杯扫描得到；

步骤A2中，通过法拉第杯扫描得到各离子源的实测束流分布函数；

所述参考去除函数、参考束流分布函数分别为：；

；

其中，x为光学元件表面待加工点的坐标位置， 为坐标位置x处的去除效率，为参考去除函数的最大去除效率， 为参考去除函数的半值全宽， 为坐标位置x处的束流电流， 为参考束流分布函数的最大束流电流， 为参考束流分布函数的半值全宽；

所述实测束流分布函数为：；

其中， 为第j个离子源的坐标位置x处的束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的最大束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的半值全宽，j=1~

n，其中n为离子源的总数；

步骤A3包括：

根据以下公式计算各离子源的估计去除函数的最大去除效率和半值全宽：；

；

其中， 为第j个离子源的估计去除函数的最大去除效率， 为第j个离子源的估计去除函数的半值全宽，j=1 n，其中n为离子源的总数；

~

从而得到各离子源的估计去除函数为：；

其中， 为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率。

2.根据权利要求1所述的多离子源协同加工拼痕抑制方法，其特征在于，步骤A4包括：根据各离子源的估计去除函数，利用反卷积算法计算各离子源的留驻时间分布数据。

3.一种多离子源协同加工拼痕抑制装置，用于控制多个离子源协同对光学元件进行抛光处理，其特征在于，包括：获取模块，用于获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子源的预先测得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；

测定模块，用于测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；

第一计算模块，用于根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；

第二计算模块，用于根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；

执行模块，用于根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；

所述参考束流分布函数通过法拉第杯扫描得到；

所述测定模块用于在测定各离子源的离子束束流分布函数以得到多个实测束流分布函数的时候：

通过法拉第杯扫描得到各离子源的实测束流分布函数；

所述参考去除函数、参考束流分布函数分别为：；

；

其中，x为光学元件表面待加工点的坐标位置， 为坐标位置x处的去除效率，为参考去除函数的最大去除效率， 为参考去除函数的半值全宽， 为坐标位置x处的束流电流， 为参考束流分布函数的最大束流电流， 为参考束流分布函数的半值全宽；

所述实测束流分布函数为：；

其中， 为第j个离子源的坐标位置x处的束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的最大束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的半值全宽，j=1~

n，其中n为离子源的总数；

第一计算模块用于在根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数的时候：根据以下公式计算各离子源的估计去除函数的最大去除效率和半值全宽：；

；

其中， 为第j个离子源的估计去除函数的最大去除效率， 为第j个离子源的估计去除函数的半值全宽，j=1 n，其中n为离子源的总数；

~

从而得到各离子源的估计去除函数为：；

其中， 为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率。

4.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行如权利要求1‑2任一项所述的多离子源协同加工拼痕抑制方法的步骤。

说明书

多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备

技术领域

[0001] 本发明涉及光学元件加工技术领域，尤其涉及一种多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备。

背景技术

[0002] 对光学元件（如反射镜）进行精抛光处理时，一般是使用离子束进行抛光处理，对于大口径光学元件，只用一个离子源进行加工，加工效率低，且随着加工时间的延长，离子
源的稳定性会下降，最终难以得到所需的加工精度。

[0003] 为此，可采用多个离子源协同加工，加工时，各离子源分别负责不同加工区域的加工处理，从而提高加工效率。一般地，在进行离子源在对应加工区域的驻留时间分布规划
时，一般是采用仿真得到的去除函数进行各位置点的驻留时间的计算的，从而使各加工区
域的交界处高低一致；但是，实际工作时离子源的去除函数与仿真得到的去除函数是有差
异的，从而导致在根据规划的驻留时间进行加工后，各加工区域的交界处会出现高低不一
致的情况，交界处高低不一致而形成的痕迹称为“拼痕”，拼痕的存在会影响使用该光学元
件的成像系统的成像质量，因此需要对多离子源协同加工拼痕进行抑制。

[0004] 传统的抑制方法中，是在每次加工前，通过去除函数实验测定各离子源的实测去除函数（用离子源对与待加工元件同质的平板进行预设时间的照射，进而测量刻蚀深度的
分布数据，再根据该刻蚀深度的分布数据计算得到实测去除函数），再根据实测去除函数进
行面形误差多高斯型去除函数的反卷积计算各离子源的驻留时间分布 ，最后根据各离子
源的驻留时间分布控制各离子源进行协同加工。由于每次加工前均需要进行去除函数实验
测定各离子源的实测去除函数，工作量大，影响工作效率，而且进行去除函数实验时的离子
束加工的状态与实际加工时的状态并不完全一致，测得的实测去除函数与加工时真实的去
除函数之间存在误差，对拼痕的抑制效果欠佳。

发明内容

[0005] 鉴于上述现有技术的不足之处，本申请实施例的目的在于提供一种多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备，可有效抑制拼痕的产生，且工作量较小。

[0006] 第一方面，本申请实施例提供一种多离子源协同加工拼痕抑制方法，用于控制多个离子源协同对光学元件进行抛光处理，包括步骤：

[0007] A1.获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子源的预先测得的离子束
束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；

[0008] A2.测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；

[0009] A3.根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；

[0010] A4.根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；

[0011] A5.根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工。

[0012] 本申请实施例的多离子源协同加工拼痕抑制方法，由于离子束束流分布与去除函数之间的相对关系是固定的，因此，事先测得参考去除函数和参考束流分布函数之间的相
对关系与各离子源的实际除函数和实测束流分布函数之间的相对关系是相同的，从而可根
据参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数估算各离子源的去
除函数，虽然估算得到的去除函数与实际去除函数之间可能具有偏差，但各离子束的估计
去除函数的偏差之间是相对一致的，从而在各自加工区域处加工的偏差之间也是相对一致
的，进而可保证各加工区域在交界处的高低一致，可有效抑制拼痕的产生；此外，由于只需
要事先测定一次参考去除函数和参考束流分布函数，在后续无需每次加工前都通过去除函
数实验测定各离子源的去除函数，可大大地减小工作量，提高工作效率。

[0013] 优选地，所述参考束流分布函数通过法拉第杯扫描得到；

[0014] 步骤A2中，通过法拉第杯扫描得到各离子源的实测束流分布函数。

[0015] 优选地，所述参考去除函数、参考束流分布函数分别为：

[0016] ；

[0017] ；

[0018] 其中，x为光学元件表面待加工点的坐标位置， 为坐标位置x处的去除效率，为参考去除函数的最大去除效率， 为参考去除函数的半值全宽， 为坐标位
置x处的束流电流， 为参考束流分布函数的最大束流电流， 为参考束流分布函数
的半值全宽；

[0019] 所述实测束流分布函数为：

[0020] ；

[0021] 其中， 为第j个离子源的坐标位置x处的束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的最大束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的半值全宽，j=1
n，其中n为离子源的总数。
~

[0022] 优选地，步骤A3包括：

[0023] 根据以下公式计算各离子源的估计去除函数的最大去除效率和半值全宽：

[0024] ；

[0025] ；

[0026] 其中， 为第j个离子源的估计去除函数的最大去除效率， 为第j个离子源的估计去除函数的半值全宽，j=1 n，其中n为离子源的总数；
~

[0027] 从而得到各离子源的估计去除函数为：

[0028] ；

[0029] 其中， 为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率。

[0030] 优选地，步骤A4包括：

[0031] 根据各离子源的估计去除函数，利用反卷积算法计算各离子源的留驻时间分布数据。

[0032] 第二方面，本申请实施例提供一种多离子源协同加工拼痕抑制装置，用于控制多个离子源协同对光学元件进行抛光处理，包括：

[0033] 获取模块，用于获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子源的预先测
得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；

[0034] 测定模块，用于测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；

[0035] 第一计算模块，用于根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；

[0036] 第二计算模块，用于根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；

[0037] 执行模块，用于根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工。

[0038] 优选地，所述参考束流分布函数通过法拉第杯扫描得到；

[0039] 所述测定模块用于在测定各离子源的离子束束流分布函数以得到多个实测束流分布函数的时候：

[0040] 通过法拉第杯扫描得到各离子源的实测束流分布函数。

[0041] 优选地，所述参考去除函数、参考束流分布函数分别为：

[0042] ；

[0043] ；

[0044] 其中，x为光学元件表面待加工点的坐标位置， 为坐标位置x处的去除效率，为参考去除函数的最大去除效率， 为参考去除函数的半值全宽， 为坐标位
置x处的束流电流， 为参考束流分布函数的最大束流电流， 为参考束流分布函数
的半值全宽；

[0045] 所述实测束流分布函数为：

[0046] ；

[0047] 其中， 为第j个离子源的坐标位置x处的束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的最大束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的半值全宽，
j=1 n，其中n为离子源的总数。
~

[0048] 优选地，第一计算模块用于在根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数的时候：

[0049] 根据以下公式计算各离子源的估计去除函数的最大去除效率和半值全宽：

[0050] ；

[0051] ；

[0052] 其中， 为第j个离子源的估计去除函数的最大去除效率， 为第j个离子源的估计去除函数的半值全宽，j=1 n，其中n为离子源的总数；
~

[0053] 从而得到各离子源的估计去除函数为：

[0054] ；

[0055] 其中， 为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率。

[0056] 第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行
如前文所述的多离子源协同加工拼痕抑制方法的步骤。

[0057] 有益效果：

[0058] 本申请实施例提供的多离子源协同加工拼痕抑制方法、装置和电子设备，通过获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测
去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子源的预先测得的离子束束流分布函数；
所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；测定各离子源的离子束束流分布函数，得
到多个实测束流分布函数；根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实
测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；根据各离子源的估计去除函数计算各离
子源的留驻时间分布数据；根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加
工；从而，使各离子源在各自加工区域处加工的偏差之间相对一致，可保证各加工区域在交
界处的高低一致，可有效抑制拼痕的产生；此外，由于只需要事先测定一次参考去除函数和
参考束流分布函数，在后续无需每次加工前都通过去除函数实验测定各离子源的去除函
数，可大大地减小工作量，提高工作效率。

附图说明

[0059] 图1为本申请实施例提供的多离子源协同加工拼痕抑制方法的流程图。

[0060] 图2为本申请实施例提供的多离子源协同加工拼痕抑制装置的结构示意图。

[0061] 图3为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

[0062] 下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参
考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0063] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时
针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于
描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特
定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于
描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

[0064] 下文的公开提供的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在
于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是
为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，
本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他
工艺的应用和/或其他材料的使用。

[0065] 请参阅图1，本申请实施例提供的一种多离子源协同加工拼痕抑制方法，用于控制多个离子源协同对光学元件进行抛光处理，包括步骤：

[0066] A1.获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子源的预先测得的离子束
束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；

[0067] A2.测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；

[0068] A3.根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；

[0069] A4.根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；

[0070] A5.根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工。

[0071] 其中，光学元件可以是反射镜、透镜等。

[0072] 由于离子束束流分布与去除函数之间的相对关系是固定的，因此，事先测得参考去除函数和参考束流分布函数之间的相对关系与各离子源的实际除函数和实测束流分布
函数之间的相对关系是相同的，从而可根据参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述
多个实测束流分布函数估算各离子源的去除函数（即估计去除函数），虽然估算得到的去除
函数与实际去除函数之间可能具有偏差，但各离子束的估计去除函数的偏差之间是相对一
致的，从而在各自加工区域处加工的偏差之间也是相对一致的，进而可保证各加工区域在
交界处的高低一致，可有效抑制拼痕的产生（即，即使计算得到的估计去除函数与实际去除
函数的误差会最终导致光学元件厚度的误差，但能够保证各区域的厚度误差相对一致，从
而可有效抑制拼痕的产生）；此外，由于只需要事先测定一次参考去除函数和参考束流分布
函数，在后续无需每次加工前都通过去除函数实验测定各离子源的去除函数，可大大地减
小工作量，提高工作效率。

[0073] 其中，所述参考去除函数可通过去除函数实验测定。具体地，用参考离子源对与待加工元件同质的平板进行预设时间（如100s，但不限于此）的照射，进而测量刻蚀深度的分
布数据，再用所述刻蚀深度的分布数据除以所述预设时间得到去除效率分布数据，再根据
该去除效率分布数据计算得到参考去除函数。

[0074] 在一些优选实施方式中，所述参考束流分布函数通过法拉第杯扫描得到；

[0075] 步骤A2中，通过法拉第杯扫描得到各离子源的实测束流分布函数。

[0076] 通过法拉第杯扫描得到束流分布函数，效率高且测定结果准确性高；由于在加工前均需要测定每个离子源的实测束流分布函数，而通过法拉第杯扫描方式进行测定的效率
高，当需要对大批量的光学元件进行加工时，可大大地提高工作效率。

[0077] 具体地，所述参考去除函数、参考束流分布函数分别为：

[0078] ；

[0079] ；

[0080] 其中，x为光学元件表面待加工点的坐标位置， 为坐标位置x处的去除效率，为参考去除函数的最大去除效率， 为参考去除函数的半值全宽， 为坐标位
置x处的束流电流， 为参考束流分布函数的最大束流电流， 为参考束流分布函数
的半值全宽；其中，半值全宽是高斯型去除函数峰值一半处的宽度（函数值为峰值一半的位
置点有两个，该两个位置点之间的间隔即为所述宽度），其中，参考去除函数和参考束流分
布函数均属于高斯型去除函数；

[0081] 所述实测束流分布函数为：

[0082] ；

[0083] 其中， 为第j个离子源的坐标位置x处的束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的最大束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的半值全宽，j=1
n，其中n为离子源的总数。
~

[0084] 实际上，同一离子源的最大去除效率 与最大束流电流 之间成正比，即，对于每个离子源， 和 之间的比例均是相同的；其去除函数的半值全宽
与束流分布函数的半值全宽 之间成正比，  ，对于每个离子源， 和 之
间的比例均是相同的；利用该规律，只需要根据参考去除函数的最大去除效率 和半值
全宽 、参考束流分布函数的最大束流电流 和半值全宽 ，在测得各离子源的实
测束流分布函数的最大束流电流 和半值全宽 的条件下，可快速地计算得到各离子
源的估计去除函数的最大去除效率和半值全宽。从而，在一些实施方式中，步骤A3包括：

[0085] 根据以下公式计算各离子源的估计去除函数的最大去除效率和半值全宽：

[0086] ；

[0087] ；

[0088] 其中， 为第j个离子源的估计去除函数的最大去除效率， 为第j个离子源的估计去除函数的半值全宽，j=1 n，其中n为离子源的总数；
~

[0089] 从而得到各离子源的估计去除函数为：

[0090] ；

[0091] 其中， 为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率。

[0092] 通过上述方式进行各离子源的估计去除函数的计算，处理效率高。

[0093] 进一步地，步骤A4包括：

[0094] 根据各离子源的估计去除函数，利用反卷积算法计算各离子源的留驻时间分布数据。

[0095] 具体地，利用反卷积算法求解以下方程，即得到离子源的留驻时间分布T(x)：

[0096]

[0097] 其中R(x)为去除函数分布（ ，为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率），E(x)为初始面形误差分布（可预先测得）。

[0098] 由上可知，该多离子源协同加工拼痕抑制方法，通过获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流
分布函数为所述参考离子源的预先测得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述
多个离子源中的一个；测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；
根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离
子源的估计去除函数；根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；
根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；从而，使各离子源在各自
加工区域处加工的偏差之间相对一致，可保证各加工区域在交界处的高低一致，可有效抑
制拼痕的产生；此外，由于只需要事先测定一次参考去除函数和参考束流分布函数，在后续
无需每次加工前都通过去除函数实验测定各离子源的去除函数，可大大地减小工作量，提
高工作效率。

[0099] 请参考图2，本申请实施例提供一种多离子源协同加工拼痕抑制装置，用于控制多个离子源协同对光学元件进行抛光处理，包括：

[0100] 获取模块1，用于获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子源的预先测
得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；

[0101] 测定模块2，用于测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；

[0102] 第一计算模块3，用于根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；

[0103] 第二计算模块4，用于根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；

[0104] 执行模块5，用于根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工。

[0105] 其中，光学元件可以是反射镜、透镜等。

[0106] 其中，所述参考去除函数可通过去除函数实验测定。具体地，用参考离子源对与待加工元件同质的平板进行预设时间（如100s，但不限于此）的照射，进而测量刻蚀深度的分
布数据，再用所述刻蚀深度的分布数据除以所述预设时间得到去除效率分布数据，再根据
该去除效率分布数据计算得到参考去除函数。

[0107] 在一些优选实施方式中，所述参考束流分布函数通过法拉第杯扫描得到；

[0108] 所述测定模块2用于在测定各离子源的离子束束流分布函数以得到多个实测束流分布函数的时候：

[0109] 通过法拉第杯扫描得到各离子源的实测束流分布函数。

[0110] 具体地，所述参考去除函数、参考束流分布函数分别为：

[0111] ；

[0112] ；

[0113] 其中，x为光学元件表面待加工点的坐标位置， 为坐标位置x处的去除效率，为参考去除函数的最大去除效率， 为参考去除函数的半值全宽， 为坐标位
置x处的束流电流， 为参考束流分布函数的最大束流电流， 为参考束流分布函数
的半值全宽；其中，半值全宽是高斯型去除函数峰值一半处的宽度（函数值为峰值一半的位
置点有两个，该两个位置点之间的间隔即为所述宽度），其中，参考去除函数和参考束流分
布函数均属于高斯型去除函数；

[0114] 所述实测束流分布函数为：

[0115] ；

[0116] 其中， 为第j个离子源的坐标位置x处的束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的最大束流电流， 为第j个离子源的实测束流分布函数的半值全宽，
j=1 n，其中n为离子源的总数。
~

[0117] 实际上，同一离子源的最大去除效率 与最大束流电流 之间成正比，即，对于每个离子源， 和 之间的比例均是相同的；其去除函数的半值全
宽 与束流分布函数的半值全宽 之间成正比， ，对于每个离子源， 和 之间
的比例均是相同的；利用该规律，只需要根据参考去除函数的最大去除效率 和半值全
宽 、参考束流分布函数的最大束流电流 和半值全宽 ，在测得各离子源的实测
束流分布函数的最大束流电流和半值全宽的条件下，可快速地计算得到各离子源的估计去
除函数的最大去除效率和半值全宽。从而，在一些实施方式中，第一计算模块3在根据所述
参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估
计去除函数的时候：

[0118] 根据以下公式计算各离子源的估计去除函数的最大去除效率和半值全宽：

[0119] ；

[0120] ；

[0121] 其中， 为第j个离子源的估计去除函数的最大去除效率， 为第j个离子源的估计去除函数的半值全宽，j=1 n，其中n为离子源的总数；
~

[0122] 从而得到各离子源的估计去除函数为：

[0123] ；

[0124] 其中， 为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率。

[0125] 通过上述方式进行各离子源的估计去除函数的计算，处理效率高。

[0126] 进一步地，第二计算模块4用于在根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据的时候：

[0127] 根据各离子源的估计去除函数，利用反卷积算法计算各离子源的留驻时间分布数据。

[0128] 具体地，利用反卷积算法求解以下方程，即得到离子源的留驻时间分布T(x)：

[0129]

[0130] 其中R(x)为去除函数分布（ ，为第j个离子源的在坐标位置x处的去除效率），E(x)为初始面形误差分布（可预先测得）。

[0131] 由上可知，该多离子源协同加工拼痕抑制装置，通过获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流
分布函数为所述参考离子源的预先测得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述
多个离子源中的一个；测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；
根据所述参考去除函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离
子源的估计去除函数；根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；
根据各离子源的留驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工；从而，使各离子源在各自
加工区域处加工的偏差之间相对一致，可保证各加工区域在交界处的高低一致，可有效抑
制拼痕的产生；此外，由于只需要事先测定一次参考去除函数和参考束流分布函数，在后续
无需每次加工前都通过去除函数实验测定各离子源的去除函数，可大大地减小工作量，提
高工作效率。

[0132] 请参阅图3，本申请实施例还提供一种电子设备100，包括处理器101和存储器102，存储器102中存储有计算机程序，处理器101通过调用存储器102中存储的计算机程序，用于
执行如上所述的多离子源协同加工拼痕抑制方法的步骤。

[0133] 其中，处理器101与存储器102电性连接。处理器101是电子设备100的控制中心，利用各种接口和线路连接整个电子设备的各个部分，通过运行或调用存储在存储器102内的
计算机程序，以及调用存储在存储器102内的数据，执行电子设备的各种功能和处理数据，
从而对电子设备进行整体监控。

[0134] 存储器102可用于存储计算机程序和数据。存储器102存储的计算机程序中包含有可在处理器101中执行的指令。计算机程序可以组成各种功能模块。处理器101通过调用存
储在存储器102的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。

[0135] 在本实施例中，电子设备100中的处理器101会按照如下的步骤，将一个或一个以上的计算机程序的进程对应的指令加载到存储器102中，并由处理器101来运行存储在存储
器102中的计算机程序，从而实现各种功能：获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述
参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参
考离子源的预先测得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一
个；测定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；根据所述参考去除
函数、所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函
数；根据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；根据各离子源的留
驻时间分布数据控制各离子源进行协同加工。

[0136] 由上可知，该电子设备，通过获取参考去除函数和参考束流分布函数；所述参考去除函数为参考离子源的预先测得的实测去除函数；所述参考束流分布函数为所述参考离子
源的预先测得的离子束束流分布函数；所述参考离子源是指所述多个离子源中的一个；测
定各离子源的离子束束流分布函数，得到多个实测束流分布函数；根据所述参考去除函数、
所述参考束流分布函数和所述多个实测束流分布函数，计算各离子源的估计去除函数；根
据各离子源的估计去除函数计算各离子源的留驻时间分布数据；根据各离子源的留驻时间
分布数据控制各离子源进行协同加工；从而，使各离子源在各自加工区域处加工的偏差之
间相对一致，可保证各加工区域在交界处的高低一致，可有效抑制拼痕的产生；此外，由于
只需要事先测定一次参考去除函数和参考束流分布函数，在后续无需每次加工前都通过去
除函数实验测定各离子源的去除函数，可大大地减小工作量，提高工作效率。

[0137] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润
饰，其方案与本发明实质上相同。