MOM电容器及集成电路装置转让专利
申请号 : CN202111118330.7
文献号 : CN113571637B
文献日 : 2022-02-11
发明人 : 熊谷裕弘
申请人 : 晶芯成(北京)科技有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种MOM电容器,其具有在衬底上层叠设置多层电容单元,其特征在于,所述MOM电容器还包括设置在所述多层电容单元与所述衬底之间的第一虚拟电极和设置在所述多层电容单元上方的第二虚拟电极,所述第一虚拟电极和所述第二虚拟电极均为具有若干指状电极和至少一个汇流电极的梳状结构,所述衬底的表面上依次层叠有第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一虚拟电极形成在所述第一绝缘层中且未贯穿所述第一绝缘层,以通过第一绝缘层与衬底绝缘隔离,所述第一虚拟电极还通过最底层的第二绝缘层与所述多层电容单元绝缘隔离;所述的MOM电容器还包括层叠在所述多层电容单元上方的第三绝缘层,所述第二虚拟电极形成在所述第三绝缘层中且未贯穿所述第三绝缘层,以通过所述第三绝缘层与所述多层电容单元绝缘隔离,所述第二虚拟电极还通过第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层与所述衬底绝缘隔离;其中,所述第一虚拟电极的指状电极和所述第二虚拟电极的指状电极正交。
2.如权利要求1所述的MOM电容器,其特征在于,每层所述电容单元均具有第二绝缘层以及形成在所述第二绝缘层中的第一电极和第二电极,且第一电极和第二电极均为具有若干指状电极和至少一个汇流电极的梳状结构,第一电极和第二电极的指状电极相互交叉并以预设间距并排设置。
3.如权利要求2所述的MOM电容器,其特征在于,所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向平行或者相交。
4.如权利要求3所述的MOM电容器,其特征在于,当所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向平行时,所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极分别与所述第一电极的指状电极对准,或者,所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极分别与一层电容单元中所述第一电极和第二电极的指状电极在组合状态下的间隔对准。
5.如权利要求3所述的MOM电容器,其特征在于,当所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极与所述第一电极的指状电极的长度延伸方向相交时,所述第一虚拟电极或所述第二虚拟电极的指状电极分别与任意一层电容单元中所述第一电极和第二电极的所有指状电极均异面垂直。
6.如权利要求2所述的MOM电容器,其特征在于,所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的间距为一层电容单元中所述第一电极和第二电极的指状电极在组合状态下的间距的n倍,n为大于等于1的自然数。
7.如权利要求2所述的MOM电容器,其特征在于,所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的电极宽度等于或大于所述第一电极的指状电极的电极宽度。
8.如权利要求2所述的MOM电容器,其特征在于,所述第一虚拟电极和/或所述第二虚拟电极的指状电极的电极宽度大于等于所述第一电极的宽度与紧挨的所述第一电极与第二电极之间的间隙宽度之和,且小于等于所述第一电极的宽度、所述第二电极的宽度与紧挨的所述第一电极与第二电极之间的间隙宽度之和。
9.一种集成电路装置,其特征在于,包括权利要求1‑8中任一项所述的MOM电容器。
说明书 :
MOM电容器及集成电路装置
技术领域
背景技术
模块等中。这些应用中均需要MOM电容器件的设计满足以下两个要求:(1)尽可能地改善单
位电容的匹配精度,该匹配精度会直接影响整个模块的线性度、速度、面积、功耗等因素;
(2)尽可能地抑制MOM电容器和与其接近的信号线之间的耦合电容所引入的噪声,因为该噪
声会影响集成电路器件的性能。
的研究热点之一。
发明内容
声,以提高器件性能。
和/或设置在所述多层电容单元上方的第二虚拟电极,所述第一虚拟电极和所述第二虚拟
电极均为具有若干指状电极和至少一个汇流电极的梳状结构,所述第一虚拟电极通过第一
绝缘层与衬底绝缘隔离并通过最底层的第二绝缘层与所述多层电容单元绝缘隔离。
梳状结构,第一电极和第二电极的指状电极相互交叉并以预设间距并排设置。
电极分别与所述第一电极的指状电极对准。
电极分别与一层电容单元中所述第一电极和第二电极的指状电极在组合状态下的间隔对
准。
电极分别与任意一层电容单元中所述第一电极和第二电极的所有指状电极均异面垂直。
的自然数。
等于所述第一电极的宽度、所述第二电极的宽度与紧挨的所述第一电极与第二电极之间的
间隙宽度之和。
过所述第三绝缘层与所述多层电容单元绝缘隔离。
拟电极表面产生的碟陷问题,进而避免该碟陷问题影响噪声屏蔽效果的问题。
附图说明
电极;18:第二电极;18a:第二电极的指状电极;18b:第二电极的汇流电极;20:第二绝缘层;
22:第二虚拟电极;24:第三绝缘层;30:绝缘层;32:导电层;34:绝缘层;36:导电层;100:MOM
电容器;200:MOM电容器;202:MOM电容器;300:MOM电容器;A:截面线;B:截面线;C:截面线;
R:光刻胶;W1:第一实施例的指状电极12a的电极宽度;W4:第二实施例的指状电极12a的电
极宽度;W2:指状电极16a的电极宽度;W3:指状电极18a的电极宽度;P1:第一实施例的指状
电极12a的间距;P5:第二实施例的指状电极12a的间距;P6:第三实施例的指状电极12a的间
距;P2: 指状电极16a的周期或间距;P3:指状电极18a的周期或间距;P4:指状电极16a和指
状电极18a组合状态下的周期或间距;T1:沟槽;T2:沟槽;T3:沟槽;G1: 第一电极和第二电
极组合状态下紧挨的指状电极16a和指状电极18a之间的间距;X:水平轴;Y:垂直于X轴的水
平轴;Z:垂直于X轴和Y轴的方向轴。
具体实施方式
实施。在其他的例子中,为了避免与本发明发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进
行描述。应当理解的是,本发明能够以不同形式实施,而不应当解释为局限于这里提出的实
施例。相反地,提供这些实施例将使公开彻底和完全,并且将本发明的范围完全地传递给本
领域技术人员。在附图中,为了清楚,层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相
同附图标记表示相同的元件。应当明白,当元件或层被称为"在…上"、"连接到"其它元件或
层时,其可以直接地在其它元件或层上、连接其它元件或层,或者可以存在居间的元件或
层。相反,当元件被称为"直接在…上"、"直接连接到"其它元件或层时,则不存在居间的元
件或层。尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元
件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、
区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此,在不脱离本发明教导之下,下面讨论
的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如
“在……之下”、“在下面”、“下面的”、“在……之上”、“在上面”、“上面的”等,在这里可为了
方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明
白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。
例如,如果附图中的器件翻转,然后,描述为“在……之下”、“在下面”、“下面的”元件或特征
将取向为在其它元件或特征“上”。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使
用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为
本发明的限制。在此使用时,单数形式的"一"、"一个"和"所述/该"也意图包括复数形式,除
非上下文清楚的指出另外的方式。还应明白术语“包括”用于确定可以特征、步骤、操作、元
件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、步骤、操作、元件、部件和/或组的存
在或添加。在此使用时,术语"和/或"包括相关所列项目的任何及所有组合。
非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
称为第一屏蔽电极)12,第一绝缘层14,第一电极16,第二电极18,第二绝缘层20,第二虚拟
电极(又可以称为第二屏蔽电极)22以及第三绝缘层24。
意图(即为图1中A线处的XY平面结构示意图)。另外,为了更为清楚地描述本发明,本申请附
图中所示各部分的尺寸可能与实际尺寸不同。
电极12、第一绝缘层14、第一电极16、第二电极18、第二绝缘层20、第二虚拟电极22以及第三
绝缘层24,从而构成MOM电容器100。
构成。第一虚拟电极12的厚度(即其在图1中的Z向上)优选为0.1μm以上且0.5μm以下。
W1。多个指状电极12a以P1为间距(周期)分别间隔且平行设置。每一个汇流电极12b与多个
指状电极12a相互连接。作为一种示例,第一虚拟电极12为包括若干指状电极12a和一个汇
流电极12b的梳状结构,该汇流电极12b连接所有的指状电极12a同侧的端部。
例中,还允许有多个汇流电极12b分布在所有指状电极12a的两侧,并采用类似同一侧的第
一电极16和第二电极18的设置方式实现与指状电极12a的连接,例如一部分指状电极12a与
一侧的汇流电极12b连接,另一部分指状电极12a与另一侧的汇流电极12b连接。
Mechanical Polishing,CMP,)形成第一虚拟电极12的过程中不产生碟陷(Dishing)。在第
一虚拟电极12采用铜(Cu)的情形中,所述电极宽度W1的设置范围优选依设计规则,例如设
置W1为12μm以下。
倍数,即P1=n* P4,n为大于等于1的自然数。在本实施例的MOM电容器100中,间距P1等于间
距P4。此外,在本说明书中,所谓“等于”,可以包含相差±20%的情形。间距P1也可等于间距
P4的2倍或4倍。
依设计规则设为:不产生碟陷(Dishing)的最大宽度以下,以及,使得相邻指状电极12a之间
的间隔符合设计规则的最小宽度以上。
绝缘层。第一绝缘层14形成于衬底10表面上,第一虚拟电极12的厚度不足以在Z向上贯穿第
一绝缘层14,以使得第一虚拟电极12与衬底10之间通过第一虚拟电极12底部的第一绝缘层
14实现绝缘隔离。衬底10表面上各处的第一绝缘层14的厚度优选为0.2μm以上且1.0μm以
下。
容单元的电极,相邻两层电容单元的电极之间以及底层的电容单元与第一虚拟电极12之间
均通过第二绝缘层20绝缘隔离。也就是说,一层第二绝缘层20以及位于该层第二绝缘层20
中的第一电极16和第二电极18构成一层电容单元。
的厚度优选分别为0.1μm以上且0.5μm以下。
以P2为间距(周期)分别间隔且平行设置。每个汇流电极16b与其同层的多个指状电极16a相
互连接。作为一种示例,每一层的第一电极16可以为包括若干指状电极16a和一个汇流电极
16b的梳状结构,该汇流电极16b连接其同层的所有指状电极16a的同侧端部。
流电极16b相交但不正交。
以P3为间距(周期)分别间隔且平行设置。每个汇流电极18b与其同层的多个指状电极18a相
互连接。作为一种示例,每一层的第二电极18可以为包括若干指状电极18a和一个汇流电极
18b的梳状结构,且该汇流电极18b连接其同层的多个指状电极18a的同侧端部。
流电极18b相交但不正交。
电极18由铜(Cu)构成的情形中,电极宽度W2和电极宽度W3优选为5nm以上且0.5μm以下。此
外,间距P2和间距P3优选为20nm以上且2.0μm以下。
18的指状电极18a在组合状态下的间距(周期)P4优选遵照MOM电容器100的设计规则设置。
在第一电极16和第二电极18由铜(Cu)构成的情形中,间距P4优选为10nm以上且1.0μm以下。
作为一种示例,第二绝缘层20为多层绝缘层堆叠而成的结构,其层数与MOM电容器的电容单
元层数相同,且每一层第二绝缘层20为其内填充有第一电极16和第二电极18的绝缘层。各
层第二绝缘层20可由绝缘性材料构成,例如由氧化硅(SiOX)膜构成。此外,第二绝缘层20还
可以为氮化硅(SiN)膜等其他绝缘层。底层的第二绝缘层20形成于第一虚拟电极12和第一
绝缘层14表面上。本实施例中,对于每一层电容单元而言,第一电极16和第二电极18的厚度
均不足以在Z向上贯穿该层的第二绝缘层20,以使得第一电极16和第二电极18分别与下方
的电极之间通过第一绝缘层20实现绝缘隔离。作为一种示例,各层第二绝缘层20的厚度优
选为0.2μm以上且1.0μm以下。
第二绝缘层20沿厚度方向(Z方向)三次交替循环层叠为例。
构成。第二虚拟电极22的厚度优选为0.1μm以上且0.5μm以下。
与指状电极12a的电极宽度W1和间距P1相等,第二虚拟电极22的一个汇流电极连接多个第
二虚拟电极22的指状电极的同侧端部。此外,间距P1可以为间距P4的自然数倍,即P1=n*P4,
n为大于等于1的自然数,例如n=1、2或4等等。
缘层。第三绝缘层24形成于第一电极16、第二电极18以及第二绝缘层20表面上。第二虚拟电
极22的厚度不足以在Z向上贯穿第二绝缘层24,以使得第二虚拟电极22与下方的第一电极
16和第二电极180之间通过第二绝缘层24实现绝缘隔离。第二虚拟电极22底部及其外围的
第三绝缘层24的厚度优选为0.2μm以上且1.0μm以下。
22相互对准,第一虚拟电极12的指状电极12a的长度延伸方向与各层的第一电极16的指状
电极16a的长度延伸方向均平行,指状电极12a、16a、18a、22a的长度延伸方向均为Y向,且各
层电容单元中的第一电极16和第二电极18组合状态下的各个指状电极16a、18a均与第一虚
拟电极12相应的指状电极12a一一对准。
于第一虚拟电极12和第二虚拟电极22的电极宽度W1和间距P1分别设置为与第一电极16和
第二电极18的电极宽度W2、W3和间距P4相对应的值,因此可易于控制第一虚拟电极12和第
二虚拟电极22与第一电极16和第二电极18之间的寄生电容,抑制噪声。
的过程。图6所示为通过执行步骤S20、S22、S24、S26以在第一虚拟电极12和第一绝缘层14的
表面上形成最底层电容单元(即包括第一电极16、第二电极18以及第二绝缘层20)的过程。
硅(SiOX)或氮化硅膜(SiN)。绝缘层30的形成厚度优选为0.2μm以上且1.0μm以下。
随后,以光刻胶R为掩膜,刻蚀绝缘层30,以形成沟槽T1。其中,与第一虚拟电极12的指状电
极12a对应部分的沟槽T1宽度设为与第一虚拟电极12的电极宽度W1相等。此外,与第一虚拟
电极12的指状电极12a对应部分的沟槽T1的设置间距(周期)设为与第一虚拟电极12的间距
P1相等。另外,沟槽T1的深度优选设为与第一虚拟电极12的厚度相对应的深度,例如优选设
为0.1μm以上且0.5μm以下。在形成沟槽T1之后,去除光刻胶R。形成沟槽T1后的绝缘层30构
成MOM电容器100中的第一绝缘层14。
成的第一虚拟电极12的图案与一层第一电极16的图案和第二电极18的图案的组合相同。由
此可以避免增加掩膜版成本。
充形成用于构成第一虚拟电极12的导电层32。
绝缘层14顶面上的导电层32,形成填充于沟槽T1内的呈梳状结构的第一虚拟电极12。
的产生。例如,在第一虚拟电极12为铜(Cu)的情形中,通过将电极宽度W1设为12μm以下,可
以减少碟陷(Dishing)的产生。
法形成作为绝缘层34的氧化硅(SiOX)或氮化硅膜(SiN)。绝缘层34的形成厚度优选为0.2μm
以上且1.0μm以下。
该图案内的光刻胶。随后,以光刻胶R为掩膜,刻蚀绝缘层34,以形成沟槽T2和沟槽T3。其中,
与第一电极16的指状电极16a对应部分的沟槽T2宽度设为与第一电极16的指状电极16a的
电极宽度W2相等。与第二电极18的指状电极18a对应部分的沟槽T3宽度设为与第二电极18
的指状电极18a的电极宽度W3相等。此外,与第一电极16的指状电极16a对应部分的沟槽T2
的间距(周期)设为与第一电极16的指状电极16a的间距P2相等。与第二电极18的指状电极
18a对应部分的沟槽T3的设置间距(周期)设为与第二电极18的指状电极18a的间距P3相等。
另外,沟槽T2内填充的第一电极16的指状电极16a与沟槽T3内填充的第二电极18的指状电
极18a在组合状态下的间距为P4。
光刻胶R。形成沟槽T2和沟槽T3后的绝缘层34构成MOM电容器100中的最底层的第二绝缘层
20。
过电镀法在沟槽T2和沟槽T3中同步填充形成用于分别构成第一电极16和第二电极18的导
电层36。
形成填充于沟槽T2内的呈梳状结构的第一电极16和填充于沟槽T3内的呈梳状结构的第二
电极18。
则的值,可以减少研磨时碟陷(Dishing)的产生。例如,在第一电极16和第二电极18为铜
(Cu)的情形中,通过将电极宽度W2和电极宽度W3设为12μm以下,可以减少碟陷(Dishing)的
产生。
~ ~
按照与第一虚拟电极12和第一绝缘层14类似的方式形成第二虚拟电极22和第三绝缘层24。
容引入的噪声的同时,还能避免虚拟电极制程中的最低铜密度违规等问题。此外,第一虚拟
电极12、第二虚拟电极22的图案可以分别是一层第一电极16和第二电极18的图案组合,由
此简化工艺,降低成本。
电极22对准设置且宽度均为电极宽度W4,且电极宽度W4等于一个指状电极16a的电极宽度
W2、一个指状电极18a的电极宽度W3以及紧挨的指状电极16a与指状电极18a之间间隙宽度
G1之和,即W4=W2+W3+ G1。与此同时,电极宽度W4处于符合使得化学机械研磨(CMP)过程中
不产生碟陷(Dishing)的设计规则的范围内。在第一虚拟电极12为铜(Cu)的情形中,依照设
计规则,电极宽度W4优选为12μm以下。作为一种示例,第一虚拟电极12与第二虚拟电极22的
间距P5等于MOM电容器100间距P1的4倍,即P5=4* P1。
极22相互对准且两者的指状电极12a、22a的宽度相同,第一虚拟电极12的指状电极12a的长
度延伸方向与各层的第一电极16的指状电极16a的长度延伸方向均平行,指状电极12a、
16a、18a、22a的长度延伸方向均为Y向,且第一电极16和第二电极18组合状态下的相应的紧
挨的两个指状电极16a、18a及其间隙与第一虚拟电极12相应的一个指状电极12a对准,第一
虚拟电极12的指状电极12a间的间隙也与第一电极16和第二电极18组合状态下的相应的紧
挨的两个指状电极16a、18a及相应的三个电极间隙对准。
拟电极22与第一电极16和第二电极18之间的寄生电容。
电极22对准设置且电极宽度均为W4,且W4等于指状电极16a的电极宽度W2、指状电极18a的
电极宽度W3以及指状电极16a与指状电极18a之间间隙宽度G1之和,即W4=W2+W3+G1。与此同
时,电极宽度W4处于符合使得化学机械研磨(CMP)过程中不产生碟陷(Dishing)的设计规则
的范围内。在第一虚拟电极12为铜(Cu)的情形中,依照设计规则,电极宽度W4优选为12μm以
下。此外,第一虚拟电极12与第二虚拟电极22的间距P5等于MOM电容器100间距P1的2倍,即
P5=2* P1。
极22相互对准且两者的指状电极12a、22a的宽度相同,第一虚拟电极12的指状电极12a的长
度延伸方向与第一电极16的指状电极16a的长度延伸方向平行,即指状电极12a、16a、18a、
22a的长度延伸方向均为Y向,且各层的第一电极16和第二电极18组合状态下的相应的紧挨
的两个指状电极16a、18a及其间隙与第一虚拟电极12相应的一个指状电极12a对准,第一虚
拟电极12的指状电极12a间的间隙与第一电极16和第二电极18组合状态下的相应的紧挨的
两个指状电极16a、18a之间的间隙对准。
拟电极22与第一电极16和第二电极18之间的寄生电容。
MOM电容器300的横向剖面结构示意图。图10为沿图9中线C处的纵向剖面结构示意图。
(即Y方向)正交的方向延伸。类似地,第二虚拟电极22的指状电极的长度延伸方向也沿与第
一电极16的指状电极16a和第二电极18的指状电极18a的长度延伸方向正交的方向延伸。
的指状电极12a的间距和第二虚拟电极22的指状电极22a的间距均为P1,且P1分别与一层指
状电极16a和指状电极18a在组合状态下的间距P4相等。此外,间距P1也可以为间距P4的1
部、2倍或4倍等等,即P1=n* P4,n为大于等于1的自然数。
12a的间距(周期)和第二虚拟电极22中指状电极22a的间距分别改为P5。也就是说,电极宽
度W4也可为指状电极16a的电极宽度W2、指状电极18a的电极宽度W3以及指状电极16a与指
状电极18a之间间隙宽度G1之和,而且间距P5也可设为等于MOM电容器100的间距P1的4倍。
和指状电极22a的间距均改为P6。也就是说,电极宽度W4也可为指状电极16a的电极宽度W2、
指状电极18a的电极宽度W3以及指状电极16a与指状电极18a之间间隙宽度G1之和,而且间
距P5也可设为等于MOM电容器100的间距P1的2倍。
伸方向均为Y方向,第一虚拟电极12和第二虚拟电极22相互对准且两者的指状电极的宽度
相同,第一虚拟电极12的指状电极12a的长度延伸方向与各层第一电极16的指状电极16a的
长度延伸方向均异面垂直。
拟电极22与第一电极16和第二电极18之间的寄生电容。
12和第二虚拟电极22的汇流电极与第一电极16的汇流电极16b和第二电极18的汇流电极
18b在平面上不相互重叠。如此,可以容易地引出从第一虚拟电极12、第一电极16、第二电极
18以及第二虚拟电极22延伸出的线路。
度地减小第一虚拟电极12和第二虚拟电极22分别与第一电极16和第二电极18之间产生的
寄生电容,从而能获得更高的噪声抑制性能;另一方面,由于第一虚拟电极12的各个指状电
极均与最底层的第一电极16的指状电极16a和第二电极18的指状电极18a正交,第二虚拟电
极22的各个指状电极均与最顶层的第一电极16的指状电极16a和第二电极18的指状电极
18a正交,因此能够在堆叠的电容单元的上下两侧均形成类似金属罩的结构,起到更好的电
磁屏蔽效果。
极和第二虚拟电极22的各个指状电极均以一一对应的方式对准任意一层第一电极16和第
二电极18组合状态下的指状电极间的间隔。进一步地,第一虚拟电极12的各个指状电极的
电极宽度(即上述的W1)和第二虚拟电极22的各个指状电极的电极宽度可以分别大于或小
于或等于一层第一电极16和第二电极18组合状态下的指状电极间的间距(即上述的P4)。
极22的指状电极按照相同方向布设,但是两者的指状电极不对准。作为一种示例,本实施例
是第一实施例的MOM电容器的变形,其第一虚拟电极12的各个指状电极均以一一对应的方
式对准任意一层第一电极16和第二电极18组合状态下的指状电极间的间隔,第二虚拟电极
22的各个指状电极均以一一对应的方式对准任意一层第一电极16和第二电极18组合状态
下的各个指状电极。
12和第二虚拟电极22的指状电极采用不同的方向设置。例如本实施例是基于第一实施例和
第四实施例的MOM电容器的变形,第一虚拟电极12的各个指状电极沿X方向延伸,第二虚拟
电极22的各个指状电极沿Y方向延伸,且第二虚拟电极22的各个指状电极以一一对应的方
式对准任意一层第一电极16和第二电极18组合状态下的各个指状电极。在该实施例中,第
一虚拟电极12和第二虚拟电极22正交,能够在堆叠的电容单元的上方或者下方设置类似金
属罩的结构,以提高电磁屏蔽效果。
电极22择一设置。例如本实施例是基于第一实施例的MOM电容器的变形,其设置有第二虚拟
电极22,但是省略了第一虚拟电极12以及第一绝缘层14。
明的技术方案并不仅仅限定于此,在本发明的其他实施例中,还允许第一虚拟电极12的指
状电极的电极宽度和第二虚拟电极22的指状电极的电极宽度不相同,和/或,允许第一电极
16和第二电极18的指状电极的电极宽度不相同。
通信模块等等功能模组。
范围。