柔性电路基板及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种柔性电路基板的制备方法，包括：提供液晶聚合物薄膜和导电层，并于大气压下对液晶聚合物薄膜的至少一表面和导电层的至少一表面分别进行表面活化处理；于液晶聚合物薄膜的表面上层叠设置导电层，且液晶聚合物薄膜经过表面活化处理后的表面与导电层经过表面活化处理后的表面贴合，并进行冷压处理，得到预制板；以及对预制板进行热压处理，得到柔性电路基板，其中柔性电路基板中液晶聚合物薄膜和导电层的接触面处形成过渡连接层。本发明还涉及一种由所述制备方法得到的柔性电路基板以及柔性电路基板在印刷线路板中的应用。本发明柔性电路基板的制备方法能够在降低成本的基础上进一步提高柔性电路基板的剥离强度。

权利要求

1.一种柔性电路基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供液晶聚合物薄膜和导电层，并于大气压下对所述液晶聚合物薄膜的至少一表面和所述导电层的至少一表面分别进行表面活化处理；

于所述液晶聚合物薄膜的表面上层叠设置所述导电层，且所述液晶聚合物薄膜经过表面活化处理后的表面与所述导电层经过表面活化处理后的表面贴合，并进行冷压处理，得到预制板；以及对所述预制板进行热压处理，得到柔性电路基板；其中所述柔性电路基板中所述液晶聚合物薄膜和所述导电层的接触面处形成过渡连接层，所述对所述预制板进行热压处理的步骤中，压力为0.1MPa‑10MPa，温度为150℃‑350℃，时间为1h‑5h。

2.根据权利要求1所述的柔性电路基板的制备方法，其特征在于，于大气压下对所述液晶聚合物薄膜的两个表面分别进行表面活化处理，并于表面活化处理后的所述液晶聚合物薄膜的两个表面上均层叠设置表面活化处理后的所述导电层，并进行冷压处理，得到预制板。

3.根据权利要求1或2所述的柔性电路基板的制备方法，其特征在于，所述进行冷压处理的步骤中，压力为0.1MPa‑5MPa，时间5s‑15min。

4.根据权利要求1或2所述的柔性电路基板的制备方法，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的厚度为5μm‑50μm，所述导电层的厚度为1.5μm‑70μm。

5.根据权利要求1或2所述的柔性电路基板的制备方法，其特征在于，所述导电层包括铜箔，所述导电层的表面粗糙度Ra<0.2μm，Rz<1μm。

6.根据权利要求1或2所述的柔性电路基板的制备方法，其特征在于，于大气压下对所述液晶聚合物薄膜进行表面活化处理的方法包括：于大气压下，采用等离子气体对所述液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中所述等离子表面活化处理的步骤中，所述等离子气体包括氧气、氩气、氢气、空气中的至少一种，活化时间为15s‑300s，射频功率为50W‑

720W。

7.根据权利要求1或2所述的柔性电路基板的制备方法，其特征在于，于大气压下对所述导电层进行表面活化处理的方法包括：于大气压下，采用等离子气体对所述导电层进行等离子表面活化处理，其中所述等离子表面活化处理的步骤中，所述等离子气体包括氧气、氩气、氢气、空气中的至少一种，活化时间为12s‑300s，射频功率为50W‑720W。

8.一种柔性电路基板，其特征在于，所述柔性电路基板由权利要求1‑7任一项所述制备方法得到，包括液晶聚合物薄膜和依次层叠设置于所述液晶聚合物薄膜至少一表面上的过渡连接层和导电层。

9.一种如权利要求8所述的柔性电路基板在印刷线路板中的应用。

说明书

柔性电路基板及其制备方法和应用

技术领域

[0001] 本发明涉及电路基板技术领域，特别是涉及柔性电路基板及其制备方法和应用。

背景技术

[0002] 液晶聚合物(LCP)薄膜电路基板的传统生产方式主要为卷对卷(Roll to roll) 高温辊热压，且为一次热压成型。该种生产方式将铜箔等导电层与LCP薄膜直接送入高温辊热压，此时高温辊的温度要求控制在LCP薄膜的热变形温度与熔点温度之间，对高温辊的温度精度要求较高。

[0003] 另外，为了保证电路基板的厚度均一性，其对高温辊压合过程中的温度和压力均有严苛的要求，尤其针对有效宽幅大于或等于500mm的电路基板的生产，不仅要求高温辊的宽幅至少达到750mm以上，且宽幅范围内的辊与辊之间的平行度误差要控制在10μm以内，辊的温度误差要控制在±5℃以内。

[0004] 因此，多种因素导致该种生产工艺下的设备造价提高，制备工艺成本增加，且由于较大的精度控制难度导致产品良率也受限。

发明内容

[0005] 基于此，有必要针对上问题，提供一种柔性电路基板及其制备方法和应用，所述柔性电路基板的制备方法能够在降低成本的基础上进一步提高柔性电路基板的剥离强度，更加适用于工业化生产和应用。

[0006] 一种柔性电路基板的制备方法，其特征在于，包括：

[0007] 提供液晶聚合物薄膜和导电层，并于大气压下对所述液晶聚合物薄膜的至少一表面和所述导电层的至少一表面分别进行表面活化处理；

[0008] 于所述液晶聚合物薄膜的表面上层叠设置所述导电层，且所述液晶聚合物薄膜经过表面活化处理后的表面与所述导电层经过表面活化处理后的表面贴合，并进行冷压处理，得到预制板；以及

[0009] 对所述预制板进行热压处理，得到柔性电路基板，其中所述柔性电路基板中所述液晶聚合物薄膜和所述导电层的接触面处形成过渡连接层。

[0010] 在其中一个实施例中，于大气压下对所述液晶聚合物薄膜的两个表面分别进行表面活化处理，并于表面活化处理后的所述液晶聚合物薄膜的两个表面上均层叠设置表面活化处理后的所述导电层，并进行冷压处理，得到预制板。

[0011] 在其中一个实施例中，所述进行冷压处理的步骤中，压力为0.1MPa‑5MPa，时间5s‑15min。

[0012] 在其中一个实施例中，所述对所述预制板进行热压处理的步骤中，压力为 0.1MPa‑10MPa，温度为150℃‑350℃，时间为1h‑5h。

[0013] 在其中一个实施例中，所述液晶聚合物薄膜的厚度为5μm‑50μm，所述导电层的厚度为1.5μm‑70μm。

[0014] 在其中一个实施例中，所述导电层包括铜箔，所述导电层的表面粗糙度 Ra<0.2μm，Rz<1μm。

[0015] 在其中一个实施例中，于大气压下对所述液晶聚合物薄膜进行表面活化处理的方法包括：于大气压下，采用等离子气体对所述液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中所述等离子表面活化处理的步骤中，所述等离子气体包括氧气、氩气、氢气、空气中的至少一种，活化时间为15s‑300s，射频功率为 50W‑720W。

[0016] 在其中一个实施例中，于大气压下对所述导电层进行表面活化处理的方法包括：于大气压下，采用等离子气体对所述导电层进行等离子表面活化处理，其中所述等离子表面活化处理的步骤中，所述等离子气体包括氧气、氩气、氢气、空气中的至少一种，活化时间为12s‑300s，射频功率为50W‑720W。

[0017] 一种柔性电路基板，所述柔性电路基板由如上所述制备方法得到，包括液晶聚合物薄膜和依次层叠设置于所述液晶聚合物薄膜至少一表面上的过渡连接层和导电层。

[0018] 一种如上所述的柔性电路基板在印刷线路板中的应用。

[0019] 本发明柔性电路基板的制备在大气压下分别对液晶聚合物薄膜和导电层进行表面活化处理，无需进行抽真空等处理，因而可以大幅降低成本。

[0020] 同时，表面活化处理可使液晶聚合物薄膜和导电层的表面均具有羟基等活性基团，所以在冷压处理过程中，液晶聚合物薄膜和导电层会在接触面处形成氢键，进一步地，在热压处理过程中，氢键能够脱水形成过渡连接层，使得液晶聚合物薄膜、过渡连接层和导电层形成液晶聚合物薄膜‑O‑C‑导电层的连接方式，能够有效提高液晶聚合物薄膜与导电层的结合强度，进而，可以有效提高本发明获得的柔性电路基板的剥离强度。因此，本发明的制备方法更加适用于工业化生产和应用。

附图说明

[0021] 图1为本发明一实施方式的柔性电路基板的结构示意图。

[0022] 图中：100、液晶聚合物薄膜；101、过渡连接层；102、导电层。

具体实施方式

[0023] 以下将对本发明提供的柔性电路基板及其制备方法和应用作进一步说明。

[0024] 本发明提供的柔性电路基板的制备方法，包括：

[0025] S1，提供液晶聚合物薄膜和导电层，并于大气压下对所述液晶聚合物薄膜的至少一表面和所述导电层的至少一表面分别进行表面活化处理；

[0026] S2，于表面活化处理后的所述液晶聚合物薄膜的经表面活化处理后的至少一表面上层叠设置表面活化处理后的所述导电层，且所述液晶聚合物薄膜经过表面活化处理后的表面与所述导电层经过经表面活化处理后的表面贴合，并进行冷压处理，得到预制板；

[0027] S3，对所述预制板进行热压处理，得到柔性电路基板，其中所述柔性电路基板中所述液晶聚合物薄膜和所述导电层的接触面处形成过渡连接层。

[0028] 为了保证柔性电路基板的基本性能以及柔性，步骤S1中，所述液晶聚合物薄膜的厚度优选为5μm‑50μm，进一步优选为15μm‑35μm，更优选为25μm；所述导电层的厚度优选为1.5μm‑70μm，进一步优选为20μm‑50μm，更优选为35μm。

[0029] 趋肤效应公式为： 式中，δ为集肤深度，σ为导电层的电导率， f为信号频率，μ为导电层的磁导率。

[0030] 根据趋肤效应公式可知，在高频传输下，电路基板的介电常数主要取决于导电层的表面粗糙度，所以，为了保证柔性电路基板在高频传输下的信号完整性和稳定性，所述导电层优选为超低轮廓导电层，所述导电层的表面粗糙度 Ra<0.2μm，Rz<1μm。

[0031] 导电层可以采用铜箔、铝箔等金属箔，在一实施方式种，所述导电层优选为铜箔，所述铜箔的表面粗糙度Ra<0.2μm，Rz<1μm。

[0032] 由于超低轮廓导电层的表面光滑，无法通过导电层与液晶聚合物薄膜进行嵌合和机械互锁，导致柔性电路基板的剥离强度低。所以，本发明步骤S1中，同时对液晶聚合物薄膜的至少一表面和导电层的至少一表面进行表面活化处理，以使液晶聚合物薄膜和导电层经过表面活化处理后的表面均具有羟基等活性基团，进而，再将液晶聚合物薄膜经过表面活化处理后的表面与导电层经过表面活化处理后的表面贴合进行层叠设置时，可使液晶聚合物薄膜和导电层之间能够通过化学键结合，提高剥离强度。

[0033] 应予说明的是，液晶聚合物薄膜和导电层的表面有杂质、天然氧化物和污染物的惰性层，将液晶聚合物薄膜和导电层进行表面活化处理可以去除该惰性层，如去除导电层表面的天然氧化铜层。

[0034] 在一实施方式中，在将导电层和液晶聚合物薄膜进行表面活化处理的步骤之前，还可以采用丙酮等对导电层和液晶聚合物薄膜进行清洗，以先去除部分杂质等。

[0035] 为了使液晶聚合物薄膜和导电层的表面具有更多的活化点，即，具有更多的羟基等活性基团，步骤S1中，液晶聚合物薄膜和导电层的表面活化处理于大气压下进行。可以理解，于大气压下进行表面活化处理时，无需进行抽真空等处理，因此，可以大幅降低成本。

[0036] 另外，导电层的表面对温度较为敏感，如果在高温下进行表面活化处理，导电层容易与空气中的氧分子结合形成氧化物层，反而不利于导电层与液晶聚合物薄膜的键合。所以，在一实施方式中，液晶聚合物薄膜和导电层的表面活化处理于大气压和室温下进行，可以维持导电层的表面活化处理效果，同时，使得表面活化处理也不需要进行加热或冷却等处理，可进一步降低成本。

[0037] 具体地，于大气压下对所述液晶聚合物薄膜进行表面活化处理的方法包括：于大气压下，采用等离子气体对所述液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中所述等离子表面活化处理的步骤中，所述等离子气体包括氧气、氩气、氢气、空气中的至少一种，优选为氧气，活化时间为15s‑300s，优选为50s‑230s，射频功率为50W‑720W，优选为150W‑500W。聚合物薄膜的等离子表面活化，可根据活化功率和活化时间进行调整，适当参数的活化处理有利于提高剥离强度，活化功率过小或活化时间过短则体现不出活化效果；活化功率过大或活化时间过长会引起聚合物表面碳化形成小分子不利于贴合。

[0038] 具体地，于大气压下对所述导电层进行表面活化处理的方法包括：于大气压下，采用等离子气体对所述导电层进行等离子表面活化处理，其中所述等离子表面活化处理的步骤中，所述等离子气体包括氧气、氩气、氢气、空气中的至少一种，优选为氧气和氩气，活化时间为12s‑300s，优选为60s‑230s，射频功率为50W‑720W，优选为60W‑300W。使用大气等离子对导电层的进行表面活化处理，一方面是去除表面的一层氧化物，活化功率过小或活化时间过短则体现不出活化效果；活化功率过大或活化时间过长活化能量过高引起导电层再次氧化导致表面不平整影响贴合。

[0039] 本申请人经过长期而深入的研究发现，在对液晶聚合物薄膜和导电层分别进行表面活化处理后，液晶聚合物薄膜和导电层的表面均具有羟基等活性基团，此时，如果将表面活化处理后的液晶聚合物薄膜和表面活化处理后的导电层直接进行热压处理，会使形成于液晶聚合物薄膜和导电层的表面的羟基等活性基团与空气中的氧分子结合，在高温下迅速脱水，导致表面活化处理失效，液晶聚合物薄膜与导电层的剥离强度低。

[0040] 为此，步骤S2中，本发明于于所述液晶聚合物薄膜的表面上层叠设置所述导电层时，将所述液晶聚合物薄膜经过表面活化处理后的表面与所述导电层经过表面活化处理后的表面贴合，然后进行冷压处理，在冷压处理的过程中，液晶聚合物薄膜和导电层会在接触面处形成氢键。然后，将冷压处理后得到的预制板进行步骤S3的热压处理，在热压处理的过程中，氢键能够脱水形成过渡连接层，使得液晶聚合物薄膜、过渡连接层和导电层形成液晶聚合物薄膜‑O‑C‑导电层的连接方式，能够有效提高液晶聚合物薄膜与导电层的结合强度，进而，可以有效提高所获得的柔性电路基板的剥离强度。

[0041] 重要的是，所述过渡连接层厚度为纳米级，优选为5nm‑20nm，不会影响柔性电路基板的介电性能和柔韧性。

[0042] 在一实施方式中，可对液晶聚合物薄膜的两个表面均进行表面活化处理，然后与两个表面分别层叠设置经过表面活化处理后的导电层，从而可以得到剥离强度高的双面覆导电层的ABA型的柔性电路基板。

[0043] 在冷压处理的步骤中，如果压力过大会很使预制板发生弯曲，影响表面平整度，过小则形不成键结，所以，在一实施方式中，所述进行冷压处理的步骤中，压力优选为0.1MPa‑5MPa，进一步优选为0.1MPa‑3MPa，时间优选为 5s‑15min，进一步优选为5s‑5min，更优选为
5s‑60s，在室温条件下进行，以排除液晶聚合物薄膜和导电层的界面处的空气并形成键合，同时避免导电层变形，影响贴合效果。

[0044] 在一实施方式中，所述冷压处理过程在无尘环境中进行，因为空气中存在的水分子会更有利于形成氢键键结，同时降低在真空状态压合成本。

[0045] 在热压处理的步骤中，如果压力过小或热压时间过短则体现不出热压效果，另外，如果热压压力过大时，若液晶聚合物薄膜内部含水率太高则会引起液晶聚合物薄膜内部发生水解，有机酸类分解物增多，引起表面鼓泡，如果热压温度过高超过其玻璃化转变温度时会发生熔解变性，从而失去原有特性。所以，在一实施方式中，所述对所述预制板进行热压处理的步骤中，压力优选为 0.1MPa‑10MPa，进一步优选为2MPa‑7MPa；温度低于液晶聚合物薄膜的玻璃化转变温度，可选的，温度为150℃‑350℃，进一步优选为200℃‑280℃；时间优选为1h‑5h，进一步优选为2h‑3h。

[0046] 因此，本发明柔性电路基板的制备方法能够在降低成本的基础上进一步提高柔性电路基板的剥离强度，更加适用于工业化生产和应用。

[0047] 如图1所示，为本发明提供的一实施方式的柔性电路基板，所述柔性电路基板由所述制备方法得到，包括液晶聚合物薄膜100和依次层叠设置于所述液晶聚合物薄膜100至少一表面上的过渡连接层101和导电层102。

[0048] 该实施方式中，液晶聚合物薄膜100的两个表面上均依次层叠设置有过渡连接层101和导电层102。

[0049] 具体地，所述过渡连接层101的厚度为5nm‑20nm，该过渡连接层101能够有效提高液晶聚合物薄膜100与导电层102的结合强度，同时，不会影响柔性电路基板的介电性能和柔韧性。

[0050] 因此，本发明还提供所述柔性电路基板在印刷线路板中的应用。由所述柔性电路基板制成的印刷线路板适用于智能手机、手表、平板电脑等可穿戴、便携式智能设备中，可减小设备的体积与重量，并能够满足设备多功能化、信号传输高速化的要求。

[0051] 以下，将通过以下具体实施例对所述柔性电路基板及其制备方法和应用做进一步的说明。

[0052] 实施例1

[0053] 提供厚度为35μm的液晶聚合物薄膜，在室温和大气压下，对液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为100s，射频功率为300W。

[0054] 提供厚度为25μm的铜箔，铜箔的表面粗糙度为Ra为0.1μm，Rz为0.95μm，在室温和大气压下，对铜箔进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为150s，射频功率为100W。

[0055] 在表面活化处理后的铜箔的一表面上层叠设置表面活化处理后的液晶聚合物薄膜，并于无尘环境下进行冷压处理，得到预制板，其中，压力为0.1MPa，温度为室温，时间为30s。

[0056] 然后，将上述预制板在压力为6MPa的粘结压头下加热到230℃，进行热压处理，保持2.5h，随后冷却到室温，得到柔性覆铜板。

[0057] 经验证，该实施例的柔性覆铜板中液晶聚合物薄膜和铜箔的接触面处形成有过渡连接层，过渡连接层主要元素为碳和氧，过渡连接层的厚度为10nm。

[0058] 实施例2

[0059] 提供厚度为35μm的液晶聚合物薄膜，在室温和大气压下，对液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为100s，射频功率为300W。

[0060] 提供厚度为25μm的铜箔，铜箔的表面粗糙度为Ra为0.1μm，Rz为0.95μm，在室温和大气压下，对铜箔进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为150s，射频功率为100W。

[0061] 在表面活化处理后的铜箔的一表面上层叠设置表面活化处理后的液晶聚合物薄膜，并于无尘环境下进行冷压处理，得到预制板，其中，压力为2.5MPa，温度为室温，时间为30s。

[0062] 然后，将上述预制板在压力为6MPa的粘结压头下加热到230℃，进行热压处理，保持2.5h，随后冷却到室温，得到柔性覆铜板。

[0063] 经验证，该实施例的柔性覆铜板中液晶聚合物薄膜和铜箔的接触面处形成有过渡连接层，过渡连接层主要元素为碳和氧，过渡连接层的厚度为18nm。

[0064] 实施例3

[0065] 提供厚度为35μm的液晶聚合物薄膜，在室温和大气压下，对液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为100s，射频功率为300W。

[0066] 提供厚度为25μm的铜箔，铜箔的表面粗糙度为Ra为0.1μm，Rz为0.95μm，在室温和大气压下，对铜箔进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为150s，射频功率为100W。

[0067] 在表面活化处理后的液晶聚合物薄膜的两个表面上均层叠设置表面活化处理后的铜箔，并于无尘环境下进行冷压处理，得到预制板，其中，压力为5MPa，温度为室温，时间为30s。

[0068] 然后，将上述预制板在压力为6MPa的粘结压头下加热到230℃，进行热压处理，保持2.5h，随后冷却到室温，得到柔性覆铜板。

[0069] 经验证，该实施例的柔性覆铜板中液晶聚合物薄膜和铜箔的接触面处形成有过渡连接层，过渡连接层主要元素为碳和氧，过渡连接层的厚度为16nm。

[0070] 实施例4

[0071] 提供厚度为35μm的液晶聚合物薄膜，在室温和大气压下，对液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为100s，射频功率为300W。

[0072] 提供厚度为25μm的铜箔，铜箔的表面粗糙度为Ra为0.1μm，Rz为0.95μm，在室温和大气压下，对铜箔进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为150s，射频功率为100W。

[0073] 在表面活化处理后的液晶聚合物薄膜的两个表面上均层叠设置表面活化处理后的铜箔，并于无尘环境下进行冷压处理，得到预制板，其中，压力为2.5MPa，温度为室温，时间为30s。

[0074] 然后，将上述预制板在压力为0.1MPa的粘结压头下加热到230℃，进行热压处理，保持2.5h，随后冷却到室温，得到柔性覆铜板。

[0075] 经验证，该实施例的柔性覆铜板中液晶聚合物薄膜和铜箔的接触面处形成有过渡连接层，过渡连接层主要元素为碳和氧，过渡连接层的厚度为12nm。

[0076] 实施例5

[0077] 提供厚度为35μm的液晶聚合物薄膜，在室温和大气压下，对液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为100s，射频功率为300W。

[0078] 提供厚度为25μm的铜箔，铜箔的表面粗糙度为Ra为0.1μm，Rz为0.95μm，在室温和大气压下，对铜箔进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为150s，射频功率为100W。

[0079] 在表面活化处理后的液晶聚合物薄膜的两个表面上均层叠设置表面活化处理后的铜箔，并于无尘环境下进行冷压处理，得到预制板，其中，压力为2.5MPa，温度为室温，时间为30s。

[0080] 然后，将上述预制板在压力为6MPa的粘结压头下加热到50℃，进行热压处理，保持2.5h，随后冷却到室温，得到柔性覆铜板。

[0081] 经验证，该实施例的柔性覆铜板中液晶聚合物薄膜和铜箔的接触面处形成有过渡连接层，过渡连接层主要元素为碳和氧，过渡连接层的厚度为7nm。

[0082] 实施例6

[0083] 提供厚度为35μm的液晶聚合物薄膜，在室温和大气压下，对液晶聚合物薄膜进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为100s，射频功率为300W。

[0084] 提供厚度为25μm的铜箔，铜箔的表面粗糙度为Ra为0.1μm，Rz为0.95μm，在室温和大气压下，对铜箔进行等离子表面活化处理，其中，等离子气体为氧气，活化时间为150s，射频功率为100W。

[0085] 在表面活化处理后的液晶聚合物薄膜的两个表面上均层叠设置表面活化处理后的铜箔，并于无尘环境下进行冷压处理，得到预制板，其中，压力为2.5MPa，温度为室温，时间为30s。

[0086] 然后，将上述预制板在压力为6MPa的粘结压头下加热到350℃，进行热压处理，保持2.5h，随后冷却到室温，得到柔性覆铜板。

[0087] 经验证，该实施例的柔性电路基板中液晶聚合物薄膜和铜箔的接触面处形成有过渡连接层，过渡连接层主要元素为碳和氧，过渡连接层的厚度为14nm。

[0088] 对比例1

[0089] 对比例1与实施例2的区别仅在于，液晶聚合物薄膜与铜箔没有进行等离子表面活化处理，直接叠合后进行冷压处理和热压处理，得到柔性覆铜板。

[0090] 对比例2

[0091] 对比例2与实施例2的区别仅在于，在表面活化处理后的铜箔的一表面上层叠设置表面活化处理后的液晶聚合物薄膜后，直接进行热压处理，得到柔性覆铜板。

[0092] 将本发明实施例1‑6以及对比例1‑2获得的柔性覆铜板进行剥离强度的测试，结果如表1所示。

[0093] 表1

[0094]

[0095]

[0096] 表1中，由对比例1和实施例2对比可知，未经活化的液晶聚合物薄膜和铜箔所对应的剥离强度有所下降，由对比例2和实施例2对比可知，未经过冷压处理的覆铜板剥离强度显著降低。

[0097] 由此可知，将液晶聚合物薄膜和铜箔进行等离子表面活化处理后再进行冷压处理，可有效提高两者之间的界面结合强度，提高层压后的剥离强度，而只进行等离子表面活化处理或者只进行冷压处理，仍然对剥离强度的影响较大。

[0098] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

[0099] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。