显示面板及显示装置

摘要

本发明公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括常规显示区以及邻接于常规显示区的传感显示区；显示面板还包括像素定义层以及设置于像素定义层上的阴极层，像素定义层包括位于传感显示区内的多个第一像素开口；阴极层包括多个阴电极以及导通层，每一第一像素开口对应设有一阴电极，且导通层至少位于传感显示区内并与各阴电极电性连接；其中，导通层的透光率大于各阴电极的透光率。本发明可以有效提高显示面板的传感显示区的透光率，进一步实现了全面屏显示以及屏下传感功能。

权利要求

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括常规显示区以及邻接于所述常规显示区的传感显示区；

所述显示面板还包括：

像素定义层，包括位于所述传感显示区内的多个第一像素开口；以及

阴极层，设置于所述像素定义层上，所述阴极层包括多个阴电极以及导通层，多个所述阴电极相间隔设置，每一所述第一像素开口对应设有一所述阴电极，且所述导通层至少位于所述传感显示区内并与各所述阴电极电性连接，各所述阴电极在所述像素定义层上的正投影位于对应的所述第一像素开口在所述像素定义层上的正投影的覆盖范围以内；

其中，所述导通层的透光率大于各所述阴电极的透光率，且所述导通层连续地覆盖于所述像素定义层上，并覆盖于多个所述阴电极上，多个所述阴电极包括第一阴电极以及与所述第一阴电极相邻的至少一第二阴电极，且所述第一阴电极在所述像素定义层上的正投影的形状与所述第二阴电极在所述像素定义层上的正投影的形状相异。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，各所述阴电极在所述像素定义层上的正投影的形状独立选自圆形或多边形。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于各所述第一像素开口内的阳电极、设置于所述阳电极上的发光层以及设置于所述显示面板的非显示区内的信号端子，且所述阴电极设置于所述发光层上，所述导通层电性连接于各所述阴电极与所述信号端子之间。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述像素定义层上并位于所述常规显示区内的面阴极层，所述像素定义层还包括位于所述常规显示区内的多个第二像素开口，且所述面阴极层覆盖多个所述第二像素开口并电性连接于所述导通层与所述信号端子之间。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴电极的功函数小于所述导通层的功函数。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴电极的材料包括镁银合金，所述导通层的材料包括氧化铟锌或氧化铟锡。

7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至6任一项所述的显示面板以及传感器组件，且所述传感器组件对应所述传感显示区设置于所述显示面板的一侧。

说明书

显示面板及显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。

背景技术

[0002] 有机发光二极管(Organic Light‑Emitting Diode，OLED)显示是20世纪中期发展起来的一种新型显示技术，OLED显示装置具有超轻薄、全固态、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、工作温度范围宽、低功耗、低成本、抗震能力强及可实现柔性显示等诸多优点，将成为下一代最理想的平面显示装置，其优越性能和巨大的市场潜力，吸引全世界众多厂家和科研机构投入到OLED显示面板的生产和研发中。

[0003] 随着全面屏技术的发展，屏下摄像头技术即把摄像头放置在显示屏的下方，同时摄像头区域的显示屏仍然可以显示，此为真正意义上的全面屏显示技术。但是，在OLED显示面板中的阴极的材料大多为合金材料制成，且整面覆盖于OLED器件上，其透光率较低，进而会影响屏下摄像头的光线传播和成像。

发明内容

[0004] 本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，能够有效提高显示面板的传感器区的透光率，以改善现有的OLED显示面板由于阴电极而导致透光率较低的技术问题。

[0005] 本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括常规显示区以及邻接于所述常规显示区的传感显示区；

[0006] 所述显示面板还包括：

[0007] 像素定义层，包括位于所述传感显示区内的多个第一像素开口；以及[0008] 阴极层，设置于所述像素定义层上，所述阴极层包括多个阴电极以及导通层，每一所述第一像素开口对应设有一所述阴电极，且所述导通层至少位于所述传感显示区内并与各所述阴电极电性连接；

[0009] 其中，所述导通层的透光率大于各所述阴电极的透光率。

[0010] 在本发明的一种实施例中，各所述阴电极在所述像素定义层上的正投影位于对应的所述第一像素开口在所述像素定义层上的正投影的覆盖范围以内。

[0011] 在本发明的一种实施例中，各所述阴电极在所述像素定义层上的正投影的形状独立选自圆形或多边形。

[0012] 在本发明的一种实施例中，多个所述阴电极包括第一阴电极以及与所述第一阴电极相邻的至少一第二阴电极，且所述第一阴电极在所述像素定义层上的正投影的形状与所述第二阴电极在所述像素定义层上的正投影的形状相异。

[0013] 在本发明的一种实施例中，所述导通层设置于所述像素定义层上，且覆盖于多个所述阴电极上。

[0014] 在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于各所述第一像素开口内的阳电极、设置于所述阳电极上的发光层以及设置于所述显示面板的非显示区内的信号端子，且所述阴电极设置于所述发光层上，所述导通层电性连接于各所述阴电极与所述信号端子之间。

[0015] 在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述像素定义层上并位于所述常规显示区内的面阴极层，所述像素定义层还包括位于所述常规显示区内的多个第二像素开口，且所述面阴极层覆盖多个所述第二像素开口并电性连接于所述导通层与所述信号端子之间。

[0016] 在本发明的一种实施例中，所述阴电极的功函数小于所述导通层的功函数。

[0017] 在本发明的一种实施例中，所述阴电极的材料包括镁银合金，所述导通层的材料包括氧化铟锌或氧化铟锡。

[0018] 根据本发明的上述目的，提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板以及传感器组件，且所述传感器组件对应所述传感显示区设置于所述显示面板的一侧。

[0019] 本发明的有益效果：本发明通过在传感显示区内设置阴极层，且阴极层包括多个阴电极以及导通层，每一第一像素开口对应设置一阴电极，而导通层将多个阴电极之间电性连接，且导通层的透光率大于阴电极的透光率，则对于传感显示区内，第一像素开口以外的区域可仅设置有透光率较大的导通层，而不会受到透光率较小的阴电极的影响，进而可以有效提高显示面板的传感显示区的透光率，进一步实现了全面屏显示以及屏下传感功能。

附图说明

[0020] 下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

[0021] 图1为本发明实施例提供的显示面板的一种结构示意图；

[0022] 图2为本发明实施例提供的显示面板的一种平面分布结构示意图；

[0023] 图3为本发明实施例提供的显示面板的另一种结构示意图；

[0024] 图4为本发明实施例提供的显示面板的另一种结构示意图；

[0025] 图5为本发明实施例提供的阴极层的一种平面分布结构示意图；

[0026] 图6为本发明实施例提供的阴极层的另一种平面分布结构示意图；

[0027] 图7为本发明实施例提供的阴极层的另一种平面分布结构示意图；

[0028] 图8为本发明实施例提供的阴极层的另一种平面分布结构示意图。

具体实施方式

[0029] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0030] 下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

[0031] 本发明实施例提供一种显示面板，请参照图1以及图2，显示面板包括常规显示区A以及邻接于常规显示区A的传感显示区B；

[0032] 显示面板还包括像素定义层10以及设置于像素定义层10上的阴极层20，其中，像素定义层10包括位于传感显示区B内的多个第一像素开口11，阴极层20包括多个阴电极21以及导通层22，且每一第一像素开口11对应设有一阴电极21，导通层22至少位于传感显示区B内并与各阴电极21电性连接。

[0033] 进一步地，导通层22的透光率大于各阴电极21的透光率。

[0034] 在实施应用过程中，本发明实施例通过在传感显示区B内设置阴极层20，且阴极层20包括多个阴电极21以及导通层22，每一第一像素开口11对应设置一阴电极21，而导通层
22将多个阴电极21之间电性连接，且导通层22的透光率大于阴电极21的透光率，则对于传感显示区B内，第一像素开口11以外的区域可仅设置有透光率较大的导通层22，而不会受到透光率较小的阴电极21的影响，进而可以有效提高显示面板的传感显示区B的透光率，进一步实现了全面屏显示以及屏下传感功能。

[0035] 具体地，请继续参照图1以及图2，本发明实施例提供的显示面板包括显示区和非显示区，且显示区包括常规显示区A以及传感显示区B。

[0036] 显示面板还包括基板30、设置于基板30上的薄膜晶体管阵列层40、设置于薄膜晶体管阵列层40上的像素定义层10以及设置于像素定义层10上的阴极层20。

[0037] 其中，基板30包括玻璃刚性基板或柔性基板，且柔性基板的材料可以为有机树脂材料，在此不作限定。

[0038] 薄膜晶体管阵列层40包括设置于基板30上的薄膜晶体管器件以及包覆薄膜晶体管器件的多个绝缘层，其中，薄膜晶体管器件包括有源层、源极、漏极以及栅极，且栅极不限于底栅或顶栅结构，有源层的材料不限于金属氧化物材料或多晶硅材料。

[0039] 像素定义层10设置于薄膜晶体管阵列层40上，像素定义层10限定出多个像素开口，且多个像素开口包括位于传感显示区B内的多个第一像素开口11以及位于常规显示区A内的多个第二像素开口(图中并未示出)。

[0040] 显示面板还包括设置各像素开口内的阳电极50、设置于阳电极50上的发光层60，且阴极层20设置于像素定义层10上，并至少连续地覆盖于各第一像素开口11内的发光层60上，其中，阳电极50向发光层60注入空穴，而阴极层20向发光层60注入电子，且电子与空穴在发光层60中重组，以实现发光功能。

[0041] 在本发明的一种实施例中，请继续参照图1以及图2，阴极层20设置于像素定义层10上，且阴极层20包括多个阴电极21以及导通层22，其中，多个阴电极21与导通层22皆至少位于传感显示区B内，且每一第一像素开口11对应设有一阴电极21，导通层22电性连接于各阴电极21之间。

[0042] 在本实施例中，每一阴电极21设置于对应的第一像素开口11的底部以及侧壁上，由于每一第一像素开口11的底部设置有层叠的阳电极50与发光层60，则阴电极21位于对应的第一像素开口11内的发光层60上以及第一像素开口11的侧壁上，且每一阴电极21在像素定义层10上的正投影位于对应的第一像素开口11在像素定义层10上的正投影的覆盖范围以内。

[0043] 需要说明的是，在本实施例中，导通层22的透光率大于阴电极21的透光率，进而在显示面板的传感显示区B内，除了第一像素开口11以外的区域，仅设置有透光率较大的导通层22，而透光率较小的阴电极21仅设置于对应第一像素开口11内，进而可以有效的提高传感显示区B内的透光率，在实施应用过程中，则可以提高传感器的传感效率和准确性。

[0044] 此外，阴电极21的功函数小于导通层22的功函数，进而阴电极21的电子注入性能大于导通层22的电子注入性能，且阴电极21与发光层60搭接，进而可以提高显示面板的发光效率，即本发明实施例在提高传感显示区B内的透光率的基础上，还可以保证阴极层20的电子注入性能不受影响，以提高显示面板的发光效率。

[0045] 可选的，阴电极21的材料包括镁银合金，导通层22的材料包括氧化铟锌或氧化铟锡。

[0046] 在本发明的另一种实施例中，请继续参照图2以及图3，阴极层20设置于像素定义层10上，且阴极层20包括多个阴电极21以及导通层22，其中，多个阴电极21与导通层22皆至少位于传感显示区B内，且每一第一像素开口11对应设有一阴电极21，导通层22电性连接于各阴电极21之间。

[0047] 在本实施例中，每一阴电极21仅设置于对应的第一像素开口11的底部，由于每一第一像素开口11的底部设置有层叠的阳电极50与发光层60，则阴电极21位于对应的第一像素开口11内的发光层60上，且每一阴电极21在像素定义层10上的正投影位于对应的第一像素开口11在像素定义层10上的正投影的覆盖范围以内。

[0048] 需要说明的是，在本实施例中，导通层22的透光率大于阴电极21的透光率，进而在显示面板的传感显示区B内，除了第一像素开口11以外的区域，仅设置有透光率较大的导通层22，而透光率较小的阴电极21仅设置于对应第一像素开口11内，进而可以有效的提高传感显示区B内的透光率，在实施应用过程中，则可以提高传感器的传感效率和准确性。

[0049] 此外，阴电极21的功函数小于导通层22的功函数，进而阴电极21的电子注入性能大于导通层22的电子注入性能，且阴电极21与发光层60搭接，进而可以提高显示面板的发光效率，即本发明实施例在提高传感显示区B内的透光率的基础上，还可以保证阴极层20的电子注入性能不受影响，以提高显示面板的发光效率。

[0050] 可选的，阴电极21的材料包括镁银合金，导通层22的材料包括氧化铟锌或氧化铟锡。

[0051] 在本发明的另一种实施例中，请继续参照图2以及图4，阴极层20设置于像素定义层10上，且阴极层20包括多个阴电极21以及导通层22，其中，多个阴电极21与导通层22皆至少位于传感显示区B内，且每一第一像素开口11对应设有一阴电极21，导通层22电性连接于各阴电极21之间。

[0052] 在本实施例中，每一阴电极21设置于对应的第一像素开口11的底部以及侧壁上，同时，阴电极21还延伸至第一像素开口11的边缘，由于每一第一像素开口11的底部设置有层叠的阳电极50与发光层60，则阴电极21位于对应的第一像素开口11内的发光层60上、第一像素开口11的侧壁上以及第一像素开口11的边缘，则在本实施例中，每一阴电极21在像素定义层10上的正投影涵盖对应的第一像素开口11在像素定义层10上的正投影。

[0053] 在本实施例中，导通层22的透光率大于阴电极21的透光率。

[0054] 承上，多个阴电极21为间隔分布于像素定义层10上，且阴电极21延伸至第一像素开口11以外的部分应该尽可能少，进而在显示面板的传感显示区B内，仅设置有透光率较大的导通层22的区域的面积就更大，进而可以有效的提高传感显示区B内的透光率，在实施应用过程中，则可以提高传感器的传感效率和准确性。

[0055] 此外，阴电极21的功函数小于导通层22的功函数，进而阴电极21的电子注入性能大于导通层22的电子注入性能，且阴电极21与发光层60搭接，进而可以提高显示面板的发光效率，即本发明实施例在提高传感显示区B内的透光率的基础上，还可以保证阴极层20的电子注入性能不受影响，以提高显示面板的发光效率。

[0056] 可选的，阴电极21的材料包括镁银合金，导通层22的材料包括氧化铟锌或氧化铟锡。

[0057] 需要说明是，显示面板还包括位于非显示区内的信号端子，且导通层22连接于各阴电极21与信号端子之间，而阳电极50连接于薄膜晶体管阵列层40中的薄膜晶体管器件，以同时向阳电极50与阴电极21传输电信号。

[0058] 在本发明的一种实施例中，阴极层20除了设置于传感显示区B内，还设置于常规显示区A内，即阴极层20整面设置于像素定义层10上，每一第一像素开口11对应设有一阴电极21，每一第二像素开口也对应设有一阴电极21，而导通层22连续地覆盖于像素定义层10上，并与多个阴电极21电性连接，同时，导通层22还延伸至非显示区内与信号端子电性连接，以为多个阴电极21传输电信号。

[0059] 在本发明的另一种实施例中，多个阴电极21仅设置于传感显示区B内，即仅各第一像素开口11对应设有一阴电极21，而导通层22同时位于常规显示区A以及传感显示区B，即导通层22连续覆盖多个第一像素开口11内的阴电极21以及多个第二像素开口，且导通层22覆盖于多个第二像素开口内的发光层60上，可直接作为常规显示区A内的阴电极向发光层60注入电子，同时，导通层22还延伸至非显示区内与信号端子电性连接，以为多个阴电极21传输电信号。

[0060] 在本发明的另一种实施例中，阴极层20仅设置于传感显示区B内，且显示面板还包括设置于常规显示区A内的面阴极层(图中为示出)，且面阴极层覆盖多个第二像素开口，并与各第二像素开口内的发光层60搭接，此外，面阴极层还电性连接于导通层22与信号端子之间。可选的，面阴极层的材料包括镁银合金或其他金属材料，在此不作限定。

[0061] 在本发明实施例中，各阴电极21在像素定义层10上的正投影的形状独立选自圆形或多边形。且各第一像素开口11在像素定义层10上的正投影的形状同样各自独立选自圆形或多边形，且各阴电极21与对应的第一像素开口11的形状可相同或不相同，且本发明实施例中以第一像素开口11的形状与阴电极21的形状相同为例，进行说明。

[0062] 请参照图5，阴电极21在像素定义层10上正投影的形状为圆形，且多个阴电极21的排布方式可呈矩形阵列排布或环形阵列排布，在此不作限定。

[0063] 本发明实施例将阴电极21设置为圆形排布，进而可以削弱张应力，提高阴电极21的排布稳定性，当显示面板进行弯曲或弯折时，可以降低阴电极21发生剥离或损坏的概率。

[0064] 请参照图6，阴电极21在像素定义层10上正投影的形状为T形，且多个阴电极21的排布方式可呈矩形阵列排布或环形阵列排布，在此不作限定。

[0065] 本发明实施例将阴电极21设置为T形，则第一像素开口11的形状也为T形，且该T形像素开口的排列方式在显示面板具有相同分辨率的情况下，可以减少单色像素的数量，进而可以减少第一像素开口11的数量以及阴电极21的数量，增加了透光面积，从而可以进一步地提高透光率。

[0066] 请参照图7，阴电极21在像素定义层10上正投影的形状为矩形，且多个阴电极21的排布方式可呈矩形阵列排布或环形阵列排布，在此不作限定。

[0067] 本发明实施例将阴电极21设置为矩形，则第一像素开口11的形状也为矩形，且该矩形像素开口的排列方式在显示面板具有相同分辨率的情况下，可以减少单色像素的数量，进而可以减少第一像素开口11的数量以及阴电极21的数量，增加了透光面积，从而可以进一步地提高透光率。

[0068] 请参照图8，各阴电极21在像素定义层10上正投影的形状独立选自圆形、T形或矩形，即多个阴电极21中包括圆形阴电极21、T形阴电极21以及矩形阴电极21。且多个阴电极21的排布方式可呈矩形阵列排布或环形阵列排布，在此不作限定。

[0069] 其中，多个阴电极21包括第一阴电极以及与第一阴电极相邻的至少一第二阴电极，且第一阴电极在像素定义层10上的正投影的形状与第二阴电极在像素定义层10上的正投影的形状相异。即多个阴电极21中的一者在像素定义层10上的正投影的形状为圆形、T形或矩形，而与该阴电极21相邻的至少一个阴电极21在像素定义层10上的正投影的形状与该阴电极21相异。例如，多个阴电极21呈行列排布，而同一行相邻两个阴电极21在像素定义层10上的正投影的形状相异。

[0070] 本发明实施例中的多个阴电极21包括圆形阴电极21、T形阴电极21以及矩形阴电极21，则对于多个阴电极21的排布中，阴电极21的边界呈不规则分布，进而改善传感显示区B内光线传播过程中发生的衍射现象，在实施应用过程中，以提高传感器的传感效果。

[0071] 综上，本发明实施例通过在传感显示区B内设置阴极层20，且阴极层20包括多个阴电极21以及导通层22，每一第一像素开口11对应设置一阴电极21，而导通层22将多个阴电极21之间电性连接，且导通层22的透光率大于阴电极21的透光率，则对于传感显示区B内，第一像素开口11以外的区域可仅设置有透光率较大的导通层22，而不会受到透光率较小的阴电极21的影响，进而可以有效提高显示面板的传感显示区B的透光率，进一步实现了全面屏显示以及屏下传感功能。

[0072] 另外，本发明实施例还提供一种显示装置，且显示装置包括上述实施例中所述的显示面板以及传感器组件，且传感器组件对应传感显示区B设置于显示面板的一侧。

[0073] 本发明实施例通过在显示面板中设置阴极层20以提高传感显示区B中的透光率，进而可以提高传感器组件的光线传感效果和效率。例如当传感器组件为摄像头时，可以提高摄像头的成像清晰度和拍照效果；当传感器组件为触控模组时，可以提高触控准确率以及成功率。

[0074] 在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

[0075] 以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。