本发明涉及一种基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，属于陶瓷制砖技术领域，包括：按照预设配比制备瓷砖坯体；按照预设配比制备釉料；控制数码喷墨机瓷砖坯体上喷制模具图案；自动喷釉柜向瓷砖坯体上进行喷釉；控制干燥装置对瓷砖坯体进行干燥；控制数码喷墨机对瓷砖坯体进行喷墨和喷保护釉；控制烧制装置对瓷砖坯体进行烧制；控制打磨装置瓷砖坯体进行磨边刷抛以制备具有纹理的陶瓷瓷砖。本发明通过控制单元获取实时数据以调节装置的运行，进一步保证了釉料的质量，并进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
1.一种基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，其特征在于，包括：步骤S1，控制单元按照预设配比制备瓷砖坯体；
步骤S3，所述控制单元控制数码喷墨机向所述步骤S1中制备的瓷砖坯体上喷制模具图案；
步骤S4，所述控制单元控制自动喷釉柜向所述步骤S3中的瓷砖坯体上进行喷釉；
步骤S5，所述控制单元控制干燥装置对所述步骤S4中的瓷砖坯体进行干燥；
步骤S6，所述控制单元控制数码喷墨机对所述步骤S5中的瓷砖坯体进行喷墨和喷保护釉；
步骤S7，所述控制单元控制烧制装置对所述步骤S6中的瓷砖坯体进行烧制；
步骤S8，所述控制单元控制打磨装置对所述步骤S7中的瓷砖坯体进行磨边刷抛以制备具有纹理的陶瓷瓷砖；
所述控制单元中预设标准剩余原料质量A0，在所述步骤S2中，所述控制单元获取质量传感器测得的实时剩余原料质量A、将A与预设标准剩余原料质量A0进行比对以判定原料研磨是否符合标准，若所述控制单元判定原料研磨符合标准，所述控制单元获取实时研磨次数Y并根据Y选取对应的搅拌速度和搅拌时间，若所述控制单元判定原料研磨不符合标准，所述控制单元将根据剩余原料质量调节球磨机研磨部转速；
当所述控制单元判定原料研磨不符合标准时，所述控制单元超声波装置测得的剩余原料微粒平均直径R、将R判定与预设剩余原料微粒平均直径R0是否修正所述球磨机研磨部的研磨距离；
当所述原料研磨完成并对釉料进行陈腐时，所述控制单元获取黏度传感器测得的釉料实际黏度变化量△K、将△K与黏度变化量△K0进行比对以判定是否修正陈腐装置的预设搅拌速度。
2.根据权利要求1所述的基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，所述控制单元获取质量传感器测得的实时剩余原料质量A、将A与预设标准剩余原料质量A0进行比对以判定原料研磨是否符合标准；
当A＞A0时，所述控制单元判定原料研磨不符合标准，并进行二次研磨；
3.根据权利要求2所述的基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，其特征在于，当所述控制单元判定原料研磨不符合标准且需进行二次研磨时，所述控制单元判定对球磨机研磨部转速进行修正，所述控制单元将修正后球磨机研磨部转速记为V1,设定V1=V0×（1+A/A0）,其中，V0为预设球磨机研磨部转速。
4.根据权利要求3所述的基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，其特征在于，当所述控制单元判定原料研磨不符合标准且需进行二次研磨时，所述控制单元超声波装置测得的剩余原料微粒平均直径R、将R判定与预设剩余原料微粒平均直径R0是否修正所述球磨机研磨部的研磨距离;
当R＞R0时，所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径不符合标准，并调节球磨机研磨部的研磨距离；
当R≤R0时，所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径符合标准，并以V1的研磨速度进行二次研磨，直至A≤A0。
5.根据权利要求4所述的基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，其特征在于，当所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径不符合标准、并需调节球磨机研磨部的研磨距离时，所述控制单元计算剩余原料微粒平均直径差△R、并根据△R选择对应的研磨距离调节系数α以修正球磨机研磨部的研磨距离，设定，△R=R‑R0；
所述控制单元还设置有第一剩余原料微粒平均直径差△R1、第二剩余原料微粒平均直径差△R2、第三剩余原料微粒平均直径差△R3、第一研磨距离调节系数α1、第二研磨距离调节系数α2、第三研磨距离调节系数α3和第四研磨距离调节系数α4，其中，△R1＜△R2＜△R3，0.1≤α1≤α2＜α3＜α4≤0.4；
当△R＜△R1时，所述控制单元选取第一研磨距离调节系数α1减少研磨距离至对应值；
当△R1≤△R＜△R2时，所述控制单元选取第二研磨距离调节α2系数减少研磨距离至对应值；
当△R2≤△R＜△R3时，所述控制单元选取第三研磨距离调节系数α3减少研磨距离至对应值；
当△R≥△R3时，所述控制单元选取第四研磨距离调节系数α4减少研磨距离至对应值；
当所述控制单元选取第i研磨距离调节系数减小研磨距离时，设定，i=1,2,3,4，所述控制单元将修正后的研磨距离记为E1，设定，E1=E0‑E0×αi，其中，E0为预设研磨距离。
6.根据权利要求5所述的基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，其特征在于，当所述控制单元完成所述研磨距离的修正时，所述控制单元在质量检测周期Ta内检测剩余原料质量变化量△W并与预设剩余原料质量变化量△W0进行对比以判定原料研磨是否完成，设定，△W=W1‑W2,其中，W2为第二时刻剩余原料质量，W1为第一时刻剩余原料质量；
当△W＜△W0时，所述控制单元判定剩余原料为不可研磨的杂质，所述控制单元判定原料研磨完成；
当△W≥△W0时，所述控制单元判定原料研磨未完成，所述控制单元以E1的研磨距离和V1的研磨速度进行二次研磨，直至△W＜△W0。
7.根据权利要求6所述的基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，其特征在于，当所述控制单元判定原料研磨完成时，所述控制单元获取所述球磨机实际研磨次数Y、将Y与预设研磨次数Y0进行比对以选择对应的陈腐装置的预设搅拌速度D0和预设搅拌时间F0；
所述预设研磨次数包括第一预设研磨次数Y1、第一预设研磨次数Y2、第三预设研磨次数Y3、第一预设搅拌速度D1、第二预设搅拌速度D2、第三预设搅拌速度D3、第四预设搅拌速度D4、第一预设搅拌时间F1、第二预设搅拌是时间F2、第三预设搅拌时间F3和第四预设搅拌时间F4，其中，Y1＜Y2＜Y3＜Y4,D1＜D2＜D3＜D4,F1＜F2＜F3＜F4;当Y＜Y1时，所述控制单元将选取第一预设搅拌速度D1和第一预设搅拌时间F1并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
当Y1≤Y＜Y2时，所述控制单元将选取第二预设搅拌速度D2和第二预设搅拌时间F2并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
当Y2≤Y＜Y3时，所述控制单元将选取第三预设搅拌速度D3和第三预设搅拌时间F3并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
当Y≥Y3时，所述控制单元将选取第四预设搅拌速度D4和第四预设搅拌时间F4并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间。
8.根据权利要求7所述的基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，其特征在于，当所述控制单元完成对所述陈腐装置预设搅拌速度和预设搅拌时间选择后，所述控制单元在黏度检测周期Tb内获取黏度传感器测得的釉料实际黏度变化量△K、将△K与黏度变化量△K0进行比对以判定是否修正陈腐装置的搅拌速度，设定，△K=K2‑K1,其中，K2为第二时刻釉料黏度，K1为第一时刻釉料黏度；
当△K≥△K0时，所述控制单元判定釉料黏度变化量符合标准，并不对陈述装置预设搅拌速度进行修正；
当△K＜△K0时，所述控制单元判定釉料黏度变化量不符合标准，并对陈述装置预设搅拌速度进行修正，所述控制单元将修正后的陈述装置预设搅拌速度记为Da，设定，Da=Di×（1+（△K0‑△K）/△K），修正完成后，所述陈腐装置以Da的搅拌速度对釉料进行搅拌，直至，K=K0，其中，K为釉料黏度，K0为标准釉料黏度。
一种基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺
技术领域
[0001] 本发明涉及陶瓷制砖技术领域，尤其涉及一种基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺。
背景技术
[0002] 传统模具技术是利用各种不同的定制模具通过液压成型压制而成，但是换模工序较为繁琐复杂，在如今多工艺转产频繁的大环境下并不匹配，而且对于滚压成型的岩板来
说也是无法实现的。而如今的岩板市场步入多样化的阶段，模具技术对于丰富岩板市场是
不可或缺的，同时，在制备陶瓷釉料时一般以石英、长石、黏土为原料，经过研磨、加水调制
后，涂覆于坯体表面，经过一系列的加工形成陶瓷表面的薄层，可改善陶瓷表面的性能同时
美化陶瓷的外观，但在实际生产过程中，陶瓷制品经常因在使用的釉料质量不达标而影响
陶瓷制品整体的质量，同时，在制备釉料时对制备过程把握不足，导致釉料质量不达标。
发明内容
[0003] 为此，本发明提供一种基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺一种，用以克服现有技术中陶瓷制品经常因在使用的釉料质量不达标而影响陶瓷制品整体的质
量的问题。
[0004] 为实现上述目的，本发明提供一种基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺，包括：
[0005] 步骤S1，控制单元按照预设配比制备瓷砖坯体；
[0006] 步骤S2，所述控制单元按照预设配比制备釉料；
[0007] 步骤S3，所述控制单元控制数码喷墨机向所述步骤S1中制备的瓷砖坯体上喷制模具图案；
[0008] 步骤S4，所述控制单元控制自动喷釉柜向所述步骤S3中的瓷砖坯体上进行喷釉；
[0009] 步骤S5，所述控制单元控制干燥装置对所述步骤S4中的瓷砖坯体进行干燥；
[0010] 步骤S6，所述控制单元控制数码喷墨机对所述步骤S5中的瓷砖坯体进行喷墨和喷保护釉；
[0011] 步骤S7，所述控制单元控制烧制装置对所述步骤S6中的瓷砖坯体进行烧制；
[0012] 步骤S8，所述控制单元控制打磨装置对所述步骤S7中的瓷砖坯体进行磨边刷抛以制备具有纹理的陶瓷瓷砖；
[0013] 所述控制单元中预设标准剩余原料质量A0，在所述步骤S2中，所述控制单元获取所述质量传感器测得的实时剩余原料质量A、将A与预设标准剩余原料质量A0进行比对以判
定原料研磨是否符合标准，若所述控制单元判定原料研磨符合标准，所述控制单元获取实
时研磨次数Y并根据Y选取对应的搅拌速度和搅拌时间，若所述控制单元判定原料研磨不符
合标准，所述控制单元将根据剩余原料质量调节球磨机研磨部转速；
[0014] 当所述控制单元判定原料研磨不符合标准时，所述控制单元超声波装置测得的剩余原料微粒平均直径R、将R判定与预设剩余原料微粒平均直径R0是否修正所述球磨机研磨
部的研磨距离；
[0015] 当所述原料研磨完成并对釉料进行陈腐时，所述控制单元获取黏度传感器测得的釉料实际黏度变化量△K、将△K与黏度变化量△K0进行比对以判定是否修正陈腐装置的预
设搅拌速度。
[0016] 进一步地，在所述步骤S2中，所述控制单元获取质量传感器测得的实时剩余原料质量A、将A与预设标准剩余原料质量A0进行比对以判定原料研磨是否符合标准；
[0017] 当A＞A0时，所述控制单元判定原料研磨不符合标准，并进行二次研磨；
[0018] 当A≤A0时，所述控制单元判定原料研磨符合标准。
[0019] 进一步地，当所述控制单元判定原料研磨不符合标准且需进行二次研磨时，所述控制单元判定对球磨机研磨部转速进行修正，所述控制单元将修正后球磨机研磨部转速记
为V1,设定V1=V0×（1+A/A0）,其中，V0为预设球磨机研磨部转速。
[0020] 进一步地，当所述控制单元判定原料研磨不符合标准且需进行二次研磨时，所述控制单元超声波装置测得的剩余原料微粒平均直径R、将R判定与预设剩余原料微粒平均直
径R0是否修正所述球磨机研磨部的研磨距离;
[0021] 当R＞R0时，所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径不符合标准，并调节球磨机研磨部的研磨距离；
[0022] 当R≤R0时，所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径符合标准，并以V1的研磨速度进行二次研磨，直至A≤A0。
[0023] 进一步地，当所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径不符合标准、并需调节球磨机研磨部的研磨距离时，所述控制单元计算剩余原料微粒平均直径差△R、并根据△R选
择对应的研磨距离调节系数α以修正球磨机研磨部的研磨距离，设定，△R=R‑R0；
[0024] 所述控制单元还设置有第一剩余原料微粒平均直径差△R1、第二剩余原料微粒平均直径差△R2、第三剩余原料微粒平均直径差△R3、第一研磨距离调节系数α1、第二研磨距
离调节系数α2、第三研磨距离调节系数α3和第四研磨距离调节系数α4，其中，△R1＜△R2＜
△R3，0.1≤α1≤α2＜α3＜α4≤0.4；
[0025] 当△R＜△R1时，所述控制单元选取第一研磨距离调节系数α1减少研磨距离至对应值；
[0026] 当△R1≤△R＜△R2时，所述控制单元选取第二研磨距离调节α2系数减少研磨距离至对应值；
[0027] 当△R2≤△R＜△R3时，所述控制单元选取第三研磨距离调节系数α3减少研磨距离至对应值；
[0028] 当△R≥△R3时，所述控制单元选取第四研磨距离调节系数α4减少研磨距离至对应值；
[0029] 当所述控制单元选取第i研磨距离调节系数减小研磨距离时，设定，i=1,2,3,4，所述控制单元将修正后的研磨距离记为E1，设定，E1=E0‑E0×αi，其中，E0为预设研磨距离。
[0030] 进一步地，当所述控制单元完成所述研磨距离的修正时，所述控制单元在质量检测周期Ta内检测剩余原料质量变化量△W并与预设剩余原料质量变化量△W0进行对比以判
定原料研磨是否完成，设定，△W=W1‑W2,其中，W2为第二时刻剩余原料质量，W1为第一时刻
剩余原料质量；
[0031] 当△W＜△W0时，所述控制单元判定剩余原料为不可研磨的杂质，所述控制单元判定原料研磨完成；
[0032] 当△W≥△W0时，所述控制单元判定原料研磨未完成，所述控制单元以E1的研磨距离和V1的研磨速度进行二次研磨，直至△W＜△W0。
[0033] 进一步地，当所述控制单元判定原料研磨完成时，所述控制单元获取所述球磨机实际研磨次数Y、将Y与预设研磨次数Y0进行比对以选择对应的陈腐装置的预设搅拌速度D0
和预设搅拌时间F0；
[0034] 所述预设研磨次数包括第一预设研磨次数Y1、第一预设研磨次数Y2、第三预设研磨次数Y3、第一预设搅拌速度D1、第二预设搅拌速度D2、第三预设搅拌速度D3、第四预设搅
拌速度D4、第一预设搅拌时间F1、第二预设搅拌是时间F2、第三预设搅拌时间F3和第四预设
搅拌时间F4，其中，Y1＜Y2＜Y3＜Y4,D1＜D2＜D3＜D4,F1＜F2＜F3＜F4;
[0035] 当Y＜Y1时，所述控制单元将选取第一预设搅拌速度D1和第一预设搅拌时间F1并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
[0036] 当Y1≤Y＜Y2时，所述控制单元将选取第二预设搅拌速度D2和第二预设搅拌时间F2并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
[0037] 当Y2≤Y＜Y3时，所述控制单元将选取第三预设搅拌速度D3和第三预设搅拌时间F3并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
[0038] 当Y≥Y3时，所述控制单元将选取第四预设搅拌速度D4和第四预设搅拌时间F4并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间。
[0039] 进一步地，当所述控制单元完成对所述陈腐装置预设搅拌速度和预设搅拌时间选择后，所述控制单元在黏度检测周期Tb内获取黏度传感器测得的釉料实际黏度变化量△K、
将△K与黏度变化量△K0进行比对以判定是否修正陈腐装置的搅拌速度，设定，△K=K2‑K1,
其中，K2为第二时刻釉料黏度，K1为第一时刻釉料黏度；
[0040] 当△K≥△K0时，所述控制单元判定釉料黏度变化量符合标准，并不对陈述装置预设搅拌速度进行修正；
[0041] 当△K＜△K0时，所述控制单元判定釉料黏度变化量不符合标准，并对陈述装置预设搅拌速度进行修正，所述控制单元将修正后的陈述装置预设搅拌速度记为Da，设定，Da=
Di×（1+（△K0‑△K）/△K），修正完成后，所述陈腐装置以Da的搅拌速度对釉料进行搅拌，直
至，K=K0，其中，K为釉料黏度，K0为标准釉料黏度。
[0042] 与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明控制单元通过预设多个标准参数，以保证釉料的制备符合标准，并通过控制单元实时获取质量传感器、超声波装置和黏度
传感器测得的数据以监测釉料的制备过程，通过控制单元获取实时数据以调节装置的运
行，进一步保证了釉料的质量，并进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0043] 进一步地，本发明控制单元中预设标准剩余原料质量，进行原料研磨时且完成第一次研磨时，所述控制单元实时获取过滤筛上剩余原料质量并与预设标准剩余原料质量进
行对以判定原料研磨是否完成，通过控制单元实时检测过滤筛上剩余原料质量，可以把控
原料制备进程，并通过把控原料制备进程以保证釉料的质量，并进一步保证了使用本发明
釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0044] 进一步地，本发明控制单元中预设有剩余原料微粒平均直径，控制单元实时获取超声波装置测得的剩余原料微粒平均直径以判定是否修正二次研磨时球磨机研磨部的研
磨距离，通过控制单元的实时对比，可以实时调节二次研磨时球磨机研磨部的研磨距离以
提高二次研磨效率，同时，通过二次研磨以保证釉料的质量，并进一步保证了使用本发明釉
料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0045] 进一步地，本发明控制单元中还设置有多个剩余原料微粒平均直径差值和多个研磨距离调节系数，当控制单元判定需要调节球磨机研磨部的研磨距离时，控制单元实时计
算实际剩余原料微粒平均直径差值以选取对应的调节系数修正球磨机研磨部研磨机距离
以进行二次研磨，通过控制单元实时把控剩余原料微粒平均直径，可以提高二次研磨的效
率并保证釉料的质量，并进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0046] 新一步地，本发明控制单元中设置有多个实际研磨次数、陈腐装置预设搅拌速度和搅拌时间，通过控制单元实时把控实际研磨次数以选择对应的陈腐时的搅拌速度和搅拌
时间以保证釉料制备的质量，并进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0047] 进一步地，本发明控制单元中还预设有釉料黏度变化量，控制单元在黏度检测周期Tb内获取黏度传感器测得的釉料实际黏度变化量△K、将△K与黏度变化量△K0进行比对
以判定是否修正陈腐装置的搅拌速度，通过控制单元可以精确地把控制备釉料的搅拌速度
以进行陈腐，通过控制单元获取实时数据以调节装置的运行，进一步保证了釉料的质量，并
进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
附图说明
[0048] 图1为本发明所述基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺的流程图；
[0049] 图2为本发明所述基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺的系统结构示意图；
[0050] 图3为本发明所述基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺的球磨机示意图；
[0051] 图4为本发明所述基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺的陈腐装置示意图。
[0052] 附图标记：1‑数码喷墨机，2‑自动喷釉柜，3‑干燥装置，4‑烧制装置，5‑打磨装置，6‑输送装置，7‑球磨机，71‑第一原料入口，72‑第二原料入口，73‑驱动电机，74‑研磨部，75‑
出料口，76‑过滤筛，8‑陈腐装置。
具体实施方式
[0053] 为了使本发明的目的和优点更加清楚明白，下面结合实施例对本发明作进一步描述；应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
[0054] 下面参照附图来描述本发明的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本发明的技术原理，并非在限制本发明的保护范围。
[0055] 需要说明的是，在本发明的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而
不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不
能理解为对本发明的限制。
[0056] 此外，还需要说明的是，在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地
连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，
可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可根据具体情况理解上述术语在
本发明中的具体含义。
[0057] 请参阅图1所示，本发明实施例提供的基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺的流程图，包括：
[0058] 步骤S1，控制单元按照预设配比制备瓷砖坯体；
[0059] 步骤S2，所述控制单元按照预设配比制备釉料；
[0060] 步骤S3，所述控制单元控制数码喷墨机向所述步骤S1中制备的瓷砖坯体上喷制模具图案；
[0061] 步骤S4，所述控制单元控制自动喷釉柜向所述步骤S3中的瓷砖坯体上进行喷釉；
[0062] 步骤S5，所述控制单元控制干燥装置对所述步骤S4中的瓷砖坯体进行干燥；
[0063] 步骤S6，所述控制单元控制数码喷墨机对所述步骤S5中的瓷砖坯体进行喷墨和喷保护釉；
[0064] 步骤S7，所述控制单元控制烧制装置对所述步骤S6中的瓷砖坯体进行烧制；
[0065] 步骤S8，所述控制单元控制打磨装置对所述步骤S7中的瓷砖坯体进行磨边刷抛以制备具有纹理的陶瓷瓷砖。
[0066] 请继续参阅图2所示，为本发明实施例提供的所述基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺的系统结构示意图，包括，通过60度白料坯料制备瓷砖坯体，通过萨克
米压机连续滚压成型后，入干燥窑干燥，干燥温度150‑180℃，制备完成后，控制单元启动输
送装置将瓷砖坯体输送至数码喷墨机中并载入需要的模具纹理图案在压制的坯体上喷制
模具图案，喷墨完成后，单元启动自动喷釉柜进行喷釉，自动喷釉柜采用6支0.36MM喷嘴，釉
浆比重控制在1.48±0.02 g/cm2,喷釉量为140g（釉盘规格30cmx60cm），喷釉压力约为
15MPa,喷釉量过少及比重过低就达不到理想的模具凹凸纹理，底釉喷釉后，控制单元将瓷
砖坯体输送至干燥装置进行干燥，干燥温度210‑250℃，干燥完成后，控制单元将瓷砖坯体
输送至数码喷墨机进行图案花色的喷墨并在图案花色喷墨完成时，向瓷砖坯体喷保护釉，
可以保证模具表面的性能及防污，数码保护釉喷墨完成后控制单元将输送瓷砖坯体输送至
烧制装置进行烧成，烧制温度约为1190℃，烧制全程约为120分钟，烧制完成后，控制单元输
送瓷砖坯体至打磨装置，经过磨边刷抛至制备具有纹理的陶瓷瓷砖。
[0067] 请继续参阅图3所示，为本发明实施例提供的所述基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺的球磨机示意图，包括，第一原料入口71、第二原料入口72、驱动电机
73、研磨部74、出料口75、过滤筛76。
[0068] 具体而言，在制备釉料时，将钾长石49份、石英6份、煅烧高岭土5份、水洗土5份、滑石2份、氧化铝5份、氧化锌3份、碳酸钡10份和硅酸锆15份通过第一原料入口加入至球磨机
中，控制单元启动驱动电机73驱动研磨部74对原料进行研磨，并在研磨过程中将外加0.35%
的羧甲基纤维素钠及0.2%的三聚磷酸钠，加入约42%的水，球磨一次8‑10个小时，并在球磨
完成时，所述控制单元获取过滤筛中质量传感器测得的剩余原料质量，通过所述控制单元
获取设置在球磨机内部用以检测剩余原料微粒直径的超声波装置测得的剩余原料微粒的
直径，直至剩余原料筛余为0.2‑0.5%。
[0069] 具体而言，所述过滤筛为325目筛。
[0070] 请继续参阅图4所示，为本发明实施例提供的所述基于数码工艺制作的具有纹理的陶瓷制砖制备工艺的陈腐装置，当原料研磨完成时，将原料输送至陈腐装置进行陈腐，并
陈腐过程中，控制单元控制陈腐装置对原料进行搅拌以制备釉料，在搅拌过程中，控制单元
获取设置在陈腐装置内部用以检测原料黏度的黏度传感器测得的釉料黏度，直至釉料黏度
符合标准。
[0071] 具体而言，所述控制单元中预设标准剩余原料质量A0，在所述步骤S2中，所述控制单元获取所述质量传感器测得的实时剩余原料质量A、将A与预设标准剩余原料质量A0进行
比对以判定原料研磨是否符合标准，若所述控制单元判定原料研磨符合标准，所述控制单
元获取实时研磨次数Y并根据Y选取对应的搅拌速度和搅拌时间，若所述控制单元判定原料
研磨不符合标准，所述控制单元将根据剩余原料质量调节球磨机研磨部转速；
[0072] 当所述控制单元判定原料研磨不符合标准时，所述控制单元超声波装置测得的剩余原料微粒平均直径R、将R判定与预设剩余原料微粒平均直径R0是否修正所述球磨机研磨
部的研磨距离；
[0073] 当所述原料研磨完成并对釉料进行陈腐时，所述控制单元获取黏度传感器测得的釉料实际黏度变化量△K、将△K与黏度变化量△K0进行比对以判定是否修正陈腐装置的预
设搅拌速度。
[0074] 具体而言，本发明控制单元通过预设多个标准参数，以保证釉料的制备符合标准，并通过控制单元实时获取质量传感器、超声波装置和黏度传感器测得的数据以监测釉料的
制备过程，通过控制单元获取实时数据以调节装置的运行，进一步保证了釉料的质量，并进
一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0075] 具体而言，在所述步骤S2中，所述控制单元获取质量传感器测得的实时剩余原料质量A、将A与预设标准剩余原料质量A0进行比对以判定原料研磨是否符合标准；
[0076] 当A＞A0时，所述控制单元判定原料研磨不符合标准，并进行二次研磨；
[0077] 当A≤A0时，所述控制单元判定原料研磨符合标准。
[0078] 具体而言，本发明控制单元中预设标准剩余原料质量，进行原料研磨时且完成第一次研磨时，所述控制单元实时获取过滤筛上剩余原料质量并与预设标准剩余原料质量进
行对以判定原料研磨是否完成，通过控制单元实时检测过滤筛上剩余原料质量，可以把控
原料制备进程，并通过把控原料制备进程以保证釉料的质量，并进一步保证了使用本发明
釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0079] 具体而言，当所述控制单元判定原料研磨不符合标准且需进行二次研磨时，所述控制单元判定对球磨机研磨部转速进行修正，所述控制单元将修正后球磨机研磨部转速记
为V1,设定V1=V0×（1+A/A0）,其中，V0为预设球磨机研磨部转速。
[0080] 具体而言，本发明控制单元通过调节球磨机研磨部转速以对剩余原料进行二次研磨，以保证原料可以研磨充分，所述控制单元实时获取二次研磨后过滤筛上剩余原料质量
并与预设标准剩余原料质量进行对以判定原料研磨是否完成，通过控制单元实时检测过滤
筛上剩余原料质量，可以把控原料制备进程，并通过把控原料制备进程以保证釉料的质量，
并进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0081] 具体而言，当所述控制单元判定原料研磨不符合标准且需进行二次研磨时，所述控制单元超声波装置测得的剩余原料微粒平均直径R、将R判定与预设剩余原料微粒平均直
径R0是否修正所述球磨机研磨部的研磨距离;
[0082] 当R＞R0时，所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径不符合标准，并调节球磨机研磨部的研磨距离；
[0083] 当R≤R0时，所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径符合标准，并以V1的研磨速度进行二次研磨，直至A≤A0。
[0084] 具体而言，本发明控制单元中预设有剩余原料微粒平均直径，控制单元实时获取超声波装置测得的剩余原料微粒平均直径以判定是否修正二次研磨时球磨机研磨部的研
磨距离，通过控制单元的实时对比，可以实时调节二次研磨时球磨机研磨部的研磨距离以
提高二次研磨效率，同时，通过二次研磨以保证釉料的质量，并进一步保证了使用本发明釉
料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0085] 具体而言，当所述控制单元判定剩余原料微粒平均直径不符合标准、并需调节球磨机研磨部的研磨距离时，所述控制单元计算剩余原料微粒平均直径差△R、并根据△R选
择对应的研磨距离调节系数α以修正球磨机研磨部的研磨距离，设定，△R=R‑R0；
[0086] 所述控制单元还设置有第一剩余原料微粒平均直径差△R1、第二剩余原料微粒平均直径差△R2、第三剩余原料微粒平均直径差△R3、第一研磨距离调节系数α1、第二研磨距
离调节系数α2、第三研磨距离调节系数α3和第四研磨距离调节系数α4，其中，△R1＜△R2＜
△R3，0.1≤α1≤α2＜α3＜α4≤0.4；
[0087] 当△R＜△R1时，所述控制单元选取第一研磨距离调节系数α1减少研磨距离至对应值；
[0088] 当△R1≤△R＜△R2时，所述控制单元选取第二研磨距离调节α2系数减少研磨距离至对应值；
[0089] 当△R2≤△R＜△R3时，所述控制单元选取第三研磨距离调节系数α3减少研磨距离至对应值；
[0090] 当△R≥△R3时，所述控制单元选取第四研磨距离调节系数α4减少研磨距离至对应值；
[0091] 当所述控制单元选取第i研磨距离调节系数减小研磨距离时，设定，i=1,2,3,4，所述控制单元将修正后的研磨距离记为E1，设定，E1=E0‑E0×αi，其中，E0为预设研磨距离。
[0092] 具体而言，本发明控制单元中还设置有多个剩余原料微粒平均直径差值和多个研磨距离调节系数，当控制单元判定需要调节球磨机研磨部的研磨距离时，控制单元实时计
算实际剩余原料微粒平均直径差值以选取对应的调节系数修正球磨机研磨部研磨机距离
以进行二次研磨，通过控制单元实时把控剩余原料微粒平均直径，可以提高二次研磨的效
率并保证釉料的质量，并进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0093] 具体而言，当所述控制单元完成所述研磨距离的修正时，所述控制单元在质量检测周期Ta内检测剩余原料质量变化量△W并与预设剩余原料质量变化量△W0进行对比以判
定原料研磨是否完成，设定，△W=W1‑W2,其中，W2为第二时刻剩余原料质量，W1为第一时刻
剩余原料质量；
[0094] 当△W＜△W0时，所述控制单元判定剩余原料为不可研磨的杂质，所述控制单元判定原料研磨完成；
[0095] 当△W≥△W0时，所述控制单元判定原料研磨未完成，所述控制单元以E1的研磨距离和V1的研磨速度进行二次研磨，直至△W＜△W0。
[0096] 具体而言，本发明控制单元中还预设有预设剩余原料质量变化量，在进行二次研磨时，控制单元实时计算剩余原料质量变化量并通过剩余原料质量变化量可以实时把控原
料研磨是否完成，同时，通过控制单元实时把控原料研磨进程，可以提高二次研磨的效率并
保证釉料的质量，并进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0097] 具体而言，当所述控制单元判定原料研磨完成时，所述控制单元获取所述球磨机实际研磨次数Y、将Y与预设研磨次数Y0进行比对以选择对应的陈腐装置的预设搅拌速度D0
和预设搅拌时间F0；
[0098] 所述预设研磨次数包括第一预设研磨次数Y1、第一预设研磨次数Y2、第三预设研磨次数Y3、第一预设搅拌速度D1、第二预设搅拌速度D2、第三预设搅拌速度D3、第四预设搅
拌速度D4、第一预设搅拌时间F1、第二预设搅拌是时间F2、第三预设搅拌时间F3和第四预设
搅拌时间F4，其中，Y1＜Y2＜Y3＜Y4,D1＜D2＜D3＜D4,F1＜F2＜F3＜F4;
[0099] 当Y＜Y1时，所述控制单元将选取第一预设搅拌速度D1和第一预设搅拌时间F1并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
[0100] 当Y1≤Y＜Y2时，所述控制单元将选取第二预设搅拌速度D2和第二预设搅拌时间F2并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
[0101] 当Y2≤Y＜Y3时，所述控制单元将选取第三预设搅拌速度D3和第三预设搅拌时间F3并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间；
[0102] 当Y≥Y3时，所述控制单元将选取第四预设搅拌速度D4和第四预设搅拌时间F4并设置为预设搅拌速度和预设搅拌时间。
[0103] 具体而言，本发明控制单元中设置有多个实际研磨次数、陈腐装置预设搅拌速度和搅拌时间，通过控制单元实时把控实际研磨次数以选择对应的陈腐时的搅拌速度和搅拌
时间以保证釉料制备的质量，并进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0104] 具体而言，当所述控制单元完成对所述陈腐装置预设搅拌速度和预设搅拌时间选择后，所述控制单元在黏度检测周期Tb内获取黏度传感器测得的釉料实际黏度变化量△K、
将△K与黏度变化量△K0进行比对以判定是否修正陈腐装置的搅拌速度，设定，△K=K2‑K1,
其中，K2为第二时刻釉料黏度，K1为第一时刻釉料黏度；
[0105] 当△K≥△K0时，所述控制单元判定釉料黏度变化量符合标准，并不对陈述装置预设搅拌速度进行修正；
[0106] 当△K＜△K0时，所述控制单元判定釉料黏度变化量不符合标准，并对陈述装置预设搅拌速度进行修正，所述控制单元将修正后的陈述装置预设搅拌速度记为Da，设定，Da=
Di×（1+（△K0‑△K）/△K），修正完成后，所述陈腐装置以Da的搅拌速度对釉料进行搅拌，直
至，K=K0，其中，K为釉料黏度，K0为标准釉料黏度。
[0107] 具体而言，本发明控制单元中还预设有釉料黏度变化量，控制单元在黏度检测周期Tb内获取黏度传感器测得的釉料实际黏度变化量△K、将△K与黏度变化量△K0进行比对
以判定是否修正陈腐装置的搅拌速度，通过控制单元可以精确地把控制备釉料的搅拌速度
以进行陈腐，通过控制单元获取实时数据以调节装置的运行，进一步保证了釉料的质量，并
进一步保证了使用本发明釉料的陶瓷瓷砖整体的质量。
[0108] 至此，已经结合附图所示的优选实施方式描述了本发明的技术方案，但是，本领域技术人员容易理解的是，本发明的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本
发明的原理的前提下，本领域技术人员可以对相关技术特征做出等同的更改或替换，这些
更改或替换之后的技术方案都将落入本发明的保护范围之内。
[0109] 以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明；对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。 凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、
等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
