一种激光器组件及光模块

摘要

本申请提供的激光器组件及光模块，包括：双激光器芯片，为包括两个发光单元的双激光器结构，顶面设置第一正极和第二正极以及底面设置负极，两个发光单元产生的光信号进行叠加；基板，表面设置有第一高速信号线、第二高速信号线和第一回流地；第一正极电连接第一高速信号线，第二正极电连接第二高速信号线，所述负极电连接所述第一回流地，所述第一高速信号线和所述第二高速信号线使所述第一正极和所述第二正极接收到信号具有预设时延差。本申请提供的激光器组件及光模块，利用基板向激光器芯片注入具有时延差的高速信号，然后利用高速信号注入的时延差，实现激光器芯片的S21带宽曲线在更高频位置的补偿，以进一步提升3dB带宽和传输速率。

权利要求

1.一种激光器组件，其特征在于，包括：

双激光器芯片，为包括两个发光单元的双激光器结构，顶面设置第一正极和第二正极以及底面设置负极，通过所述第一正极和所述第二正极注入具有预设时延差的高速信号使两个发光单元产生的光信号进行叠加；

基板，顶面上设置有第一高速信号线、第二高速信号线和第一回流地；

其中：所述第一正极电连接所述第一高速信号线，所述第二正极电连接所述第二高速信号线，所述负极电连接所述第一回流地，所述第一高速信号线和所述第二高速信号线具有不同长度，以使通过所述第一高速信号线和所述第二高速信号线向所述第一正极和所述第二正极传输的高频信号具有预设时延差。

2.根据权利要求1所述的激光器组件，其特征在于，所述第一正极打线连接所述第一高速信号线，所述第二正极打线连接所述第二高速信号线；

所述负极焊接连接所述第一回流地。

3.根据权利要求1所述的激光器组件，其特征在于，所述第一正极倒装焊连接所述第一高速信号线，所述第二正极倒装焊连接所述第二高速信号线；所述负极通过打线连接所述第一回流地。

4.根据权利要求1所述的激光器组件，其特征在于，所述双激光器芯片包括脊波导，所述第一正极和所述第二正极分别电连接所述脊波导的不同位置，以使所述双激光器芯片形成包括两个发光单元的双激光器结构；

所述基板为陶瓷基板、玻璃基板、硅基板或有机板材基板。

5.根据权利要求1所述的激光器组件，其特征在于，还包括第一匹配电阻和第二匹配电阻，所述第一匹配电阻串联设置在所述第一高速信号线上，靠近且电连接所述第一正极，所述第二匹配电阻串联设置在所述第二高速信号线上，靠近且电连接所述第二正极。

6.根据权利要求1所述的激光器组件，其特征在于，所述第二正极较所述第一正极更靠近所述双激光器芯片的出光端，所述第一高速信号线为直条状高速信号线，所述第二高速信号线为弯折状高速信号线。

7.根据权利要求5所述的激光器组件，其特征在于，所述第一匹配电阻和所述第二匹配电阻分别为薄膜电阻。

8.根据权利要求6所述的激光器组件，其特征在于，所述第一高速信号线远离所述双激光器芯片的一端与所述第二高速信号线远离所述双激光器芯片的一端平行；

所述双激光器芯片设置在所述基板的一端部，所述第一高速信号线自所述基板的一端部延伸至所述基板的另一端部。

9.根据权利要求1所述的激光器组件，其特征在于，所述第一回流地设置在所述第一高速信号线和所述第二高速信号线周围；

所示基板的底面上设置第二回流地，所述基板上设置过孔，所述过孔连接所述第一回流地和所述第二回流地。

10.一种光模块，其特征在于，包括激光器组件和激光驱动器，所述激光器组件为权利要求1所述的激光器组件；

所述激光驱动器通过所述激光器组件中基板上的第一高速信号线和第二高速信号线向所述激光组件中双激光器芯片传输高频信号，且所述激光驱动器输出的高频信号通过所述第一高速信号线和所述第二高速信号线产生预设时延差。

说明书

一种激光器组件及光模块

技术领域

[0001] 本申请涉及光纤通信技术领域，尤其涉及一种激光器组件及光模块。

背景技术

[0002] 随着云计算、移动互联网、视频等新型业务和应用模式发展，光通信技术的发展进步变的愈加重要。而在光通信技术中，光模块是实现光电信号相互转换的工具，是光通信设备中的关键器件之一，并且随着光通信技术发展的需求光模块的传输速率不断提高。

[0003] 通常光模块中核心器件包括半导体激光器芯片。半导体激光器芯片是以半导体材料做工作物质而产生激光的器件，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用，从而产生激光。

[0004] 为满足持续增长的带宽需求，光电子器件不断更新迭代，如DFB(Distributed feedback laser)半导体激光器，DFB半导体激光器属于边发射激光器，由于工艺简单、成本低廉、成品率高、功耗小等优点，更兼顾价格和成本优势，是目前高带宽光通信应用的主力方案之一。DFB半导体激光器的高频调制性能由有源区(本征激光器)决定的，目前25Gbps速率的DFB半导体激光器已经在业界开发完成和量产，设计原理是通过对激光器注入25Gbps速率的高质量调制电学信号，在激光器芯片内部的有源区形成电与光的震荡效应，受激发射形成25Gbps速率的调制激光。但对于更高速率的设计需求，受到了材料微分增益和载流子寿命的严重制约，使目前传统的DFB半导体激光器无法满足需求。

发明内容

[0005] 本申请实施例提供了一种激光器组件及光模块，保证DFB激光器芯片的带宽到更高速的水平。

[0006] 第一方面，本申请提供的一种激光器组件，其特征在于，包括：

[0007] 双激光器芯片，为包括两个发光单元的双激光器结构，顶面设置第一正极和第二正极以及底面设置负极，通过所述第一正极和所述第二正极注入具有预设时延差的高速信号使两个发光单元产生的光信号进行叠加；

[0008] 基板，顶面上设置有第一高速信号线、第二高速信号线和第一回流地；

[0009] 其中：所述第一正极电连接所述第一高速信号线，所述第二正极电连接所述第二高速信号线，所述负极电连接所述第一回流地，所述第一高速信号线和所述第二高速信号线具有不同长度，以使通过所述第一高速信号线和所述第二高速信号线向所述第一正极和所述第二正极传输的高频信号具有预设时延差。

[0010] 第二方面，本申请提供的一种光模块，包括激光器组件和激光驱动器，所述激光器组件为上述第一方面所述的激光器组件；

[0011] 所述激光驱动器通过所述激光器组件中基板上的第一高速信号线和第二高速信号线向所述激光组件中双激光器芯片传输高频信号，且所述激光驱动器输出的高频信号通过所述第一高速信号线和所述第二高速信号线产生预设时延差。

[0012] 本申请提供的激光器组件及光模块中，激光器组件包括双激光器芯片和基板；双激光器芯片为包括两个发光单元的双激光器结构，顶面上设置用于注入具有预设时延差的高速信号的第一正极和第二正极；基板上设置第一高速信号线和第二高速信号线，第一高速信号线和第二高速信号线具有不同的长度，双激光器芯片的第一正极和第二正极对应连接第一高速信号线和第二高速信号线，进而通过第一高速信号线和第二高速信号线使注入双激光器芯片的高频信号产生预设时延差。如此待注入至双激光器芯片的高频信号通过经过第一高速信号线和第二高速信号线，在注入双激光器芯片时具有预设时延差，具有预设时延差的高频信号注入至双激光器芯片的发光单元，首先在各自的谐振腔形成电与光的震荡作用，然后再进行光与光的震荡效应，利用高速信号注入的时延差，使得双激光器结构产生的高速调制光具有特定的相位差以进行叠加，进而使得单个激光器3dB带宽曲线在更高频处具有拉平的效果，实现激光器芯片的S21带宽曲线在更高频位置的补偿，以进一步提升3dB带宽和传输速率，达到更高速率的调制。

附图说明

[0013] 为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0014] 图1为光通信终端连接关系示意图；

[0015] 图2为光网络单元结构示意图；

[0016] 图3为本申请实施例提供的一种光模块结构示意图；

[0017] 图4为本申请实施例提供光模块分解结构示意图；

[0018] 图5为本申请实施例提供的一种光发射次模块外形结构图；

[0019] 图6为本申请实施例提供的一种光发射次模块分解示意图；

[0020] 图7为本申请实施例提供的一种双激光器芯片的结构示意图；

[0021] 图8为本申请实施例提供的一种激光器组件的顶面结构示意图；

[0022] 图9为本申请实施例提供的一种激光器组件的底面结构示意图；

[0023] 图10为本申请实施例提供的另一种激光器组件的顶面结构示意图；

[0024] 图11为本申请实施例提供的另一种激光器组件的底面结构示意图。

具体实施方式

[0025] 为便于对申请的技术方案进行，以下首先在对本申请所涉及到的一些概念进行说明。

[0026] 下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

[0027] 光纤通信的核心环节之一是光、电信号的相互转换。光纤通信使用携带信息的光信号在光纤/光波导等信息传输设备中传输，利用光在光纤/光波导中的无源传输特性可以实现低成本、低损耗的信息传输；而计算机等信息处理设备使用的是电信号，为了在光纤/光波导等信息传输设备与计算机等信息处理设备之间建立信息连接，就需要实现电信号与光信号的相互转换。

[0028] 光模块在光纤通信技术领域中实现上述光、电信号的相互转换功能，光信号与电信号的相互转换是光模块的核心功能。光模块通过其内部电路板上的金手指实现与外部上位机之间的电连接，主要的电连接包括供电、I2C信号、数据信号以及接地等；采用金手指实现的电连接方式已经成为光模块行业的主流连接方式，以此为基础，金手指上引脚的定义形成了多种行业协议/规范。

[0029] 图1为光通信终端连接关系示意图。如图1所示，光通信终端的连接主要包括光网络终端100、光模块200、光纤101及网线103之间的相互连接；

[0030] 光纤101的一端连接远端服务器，网线103的一端连接本地信息处理设备，本地信息处理设备与远端服务器的连接由光纤101与网线103的连接完成；而光纤101与网线103之间的连接由具有光模块200的光网络终端100完成。

[0031] 光模块200的光口对外接入光纤101，与光纤101建立双向的光信号连接；光模块200的电口对外接入光网络终端100中，与光网络终端100建立双向的电信号连接；在光模块内部实现光信号与电信号的相互转换，从而实现在光纤与光网络终端之间建立信息连接；
具体地，来自光纤的光信号由光模块转换为电信号后输入至光网络终端100中，来自光网络终端100的电信号由光模块转换为光信号输入至光纤中。

[0032] 光网络终端具有光模块接口102，用于接入光模块200，与光模块200建立双向的电信号连接；光网络终端具有网线接口104，用于接入网线103，与网线103建立双向的电信号连接；光模块200与网线103之间通过光网络终端100建立连接，具体地，光网络终端将来自光模块的信号传递给网线，将来自网线的信号传递给光模块，光网络终端作为光模块的上位机监控光模块的工作。

[0033] 至此，远端服务器通过光纤、光模块、光网络终端及网线，与本地信息处理设备之间建立双向的信号传递通道。

[0034] 常见的信息处理设备包括路由器、交换机、电子计算机等；光网络终端是光模块的上位机，向光模块提供数据信号，并接收来自光模块的数据信号，常见的光模块上位机还有光线路终端等。

[0035] 图2为光网络终端结构示意图。如图2所示，在光网络终端100中具有电路板105，在电路板105的表面设置笼子106；在笼子106内部设置有电连接器，用于接入金手指等光模块电口；在笼子106上设置有散热器107，散热器107具有增大散热面积的翅片等凸起部。

[0036] 光模块200插入光网络终端中，具体为光模块的电口插入笼子106内部的电连接器，光模块的光口与光纤101连接。

[0037] 笼子106位于电路板上，将电路板上的电连接器包裹在笼子中，从而使笼子内部设置有电连接器；光模块插入笼子中，由笼子固定光模块，光模块产生的热量传导给笼子106，然后通过笼子上的散热器107进行扩散。

[0038] 目前第五代移动通信技术(5G)满足了当下日益增长的高速无线传输需求。5G通信采用的频谱远高于4G通信，这一方面为5G通信带来了大幅度提升的通信速率，但信号的传输衰减也相对明显增大。

[0039] 5G新型业务特性和更高指标要求对承载网络架构及各层技术方案均提出了新的挑战，其中作为5G网络物理层基础构成单元的光模块也面临技术革新升级，这集中体现在应用于5G传输的光模块需要具有高速传输以及低回损两大基础技术特性。为了满足5G通信网络中对光模块的需求，本申请实施例提供了一种光模块。图3为本申请实施例提供的一种光模块结构示意图，图4为本申请实施例提供光模块分解结构示意图。如图3、图4所示，本申请实施例提供的光模块200包括上壳体201、下壳体202、电路板203、圆方管体300、光发射次模块400和光接收次模块500。

[0040] 上壳体201盖合在下壳体202上，以形成具有两个开口的包裹腔体；包裹腔体的外轮廓一般呈现方形体，具体地，下壳体包括主板以及位于主板两侧、与主板垂直设置的两个侧板；上壳体包括盖板，盖板盖合在上壳体的两个侧板上，以形成包裹腔体；上壳体还可以包括位于盖板两侧、与盖板垂直设置的两个侧壁，由两个侧壁与两个侧板结合，以实现上壳体盖合在下壳体上。

[0041] 两个开口具体可以是在同一方向的两端开口(204、205)，也可以是在不同方向上的两处开口；其中一个开口为电口204，电路板的金手指从电口204伸出，插入光网络终端等上位机中；另一个开口为光口205，用于外部光纤接入；电路板203、圆方管体300、光发射次模块400和光接收次模块500等光电器件位于上、下壳体形成的包裹腔体中。

[0042] 采用上壳体201、下壳体202结合的装配方式，便于将圆方管体300、光发射次模块400和光接收次模块500等器件安装到壳体中，由上壳体201、下壳体202形成光模块最外层的封装保护壳体；上壳体201及下壳体202一般采用金属材料，利于实现电磁屏蔽以及散热；
一般不会将光模块的壳体做成一体部件，这样在装配电路板等器件时，定位部件、散热以及电磁屏蔽部件无法安装，也不利于生产自动化。

[0043] 通常，光模块200还包括解锁部件位于包裹腔体/下壳体202的外壁，用于实现光模块与上位机之间的固定连接，或解除光模块与上位机之间的固定连接。

[0044] 解锁部件具有与上位机笼子匹配的卡合部件；拉动解锁部件的末端可以在使解锁部件在外壁的表面相对移动；光模块插入上位机的笼子里，由解锁部件的卡合部件将光模块固定在上位机的笼子里；通过拉动解锁部件，解锁部件的卡合部件随之移动，进而改变卡合部件与上位机的连接关系，以解除光模块与上位机的卡合关系，从而可以将光模块从上位机的笼子里抽出。

[0045] 电路板203上设置有电路走线、电子元件(如电容、电阻、三极管、MOS管)及芯片(如MCU、时钟数据恢复CDR、电源管理芯片、数据处理芯片DSP)等。

[0046] 电路板203通过电路走线将光模块中的用电器件按照电路设计连接在一起，以实现供电、电信号传输及接地等电功能。

[0047] 电路板203一般为硬性电路板，硬性电路板由于其相对坚硬的材质，还可以实现承载作用，如硬性电路板可以平稳的承载芯片；当光收发器件位于电路板上时，硬性电路板也可以提供平稳的承载；硬性电路板还可以插入上位机笼子中的电连接器中，具体地，在硬性电路板的一侧末端表面形成金属引脚/金手指，用于与电连接器连接；这些都是柔性电路板不便于实现的。

[0048] 部分光模块中也会使用柔性电路板，作为硬性电路板的补充；柔性电路板一般与硬性电路板配合使用，如硬性电路板与光收发器件之间可以采用柔性电路板连接。

[0049] 如图4所示，本实施例提供的光模块中，光发射次模块400和光接收次模块500同设置在圆方管体300上，光发射次模块400用于输出信号光，光接收次模块500用于接收来自光模块外部的信号光。圆方管体300上设置光纤适配器，光纤适配器用于连接外部光纤，且圆方管体300中通常设置在透镜组件，透镜组件用于改变光发射次模块400输出信号光或外部光纤输入信号光的传播方向。光发射次模块400、光接收次模块500与电路板203物理分离，因而光发射次模块400和光接收次模块500很难直接连接电路板203，所以本申请实施例中光发射次模块400和光接收次模块500分别通过柔性电路板实现电连接。

[0050] 如图4所示，本申请实施例提供的光模块200的内部包括电路板203、圆方管体300和光发射次模块400，光发射次模块400通过柔性电路板连接电路板203。光发射次模块400设置在圆方管体300上且与圆方管体300的光纤适配器同轴，但本申请实施例中光发射次模块400可与光纤适配器不同轴。另外，图3和图4所示的光模块内部结构仅是本申请实施例提供的一种实例，本申请实施例提供的光模块内部还可以为其他结构形式，如光发射次模块400还可采用COB封装结构、BOX结构等。

[0051] 图5为本申请实施例提供的一种光发射次模块外形结构图。图6为本申请实施例提供的一种光发射次模块分解示意图。如图5和6所示，在本申请一些实施例中，光发射次模块400包括管座410、管帽420以及设置在管帽420和管座410内其他器件，管帽420罩设在管座
410的一端，管座410上包括若干管脚，管脚用于实现柔性电路板与光发射次模块400内其他电学器件的电连接，进而实现光发射次模块400与电路板203的电连接；管座410内设置激光器组件600、透镜等器件等，激光器组件600用于产生激光。

[0052] 本申请实施例提供的激光器组件600包括激光器芯片，激光器芯片用于根据接收到高速信号产生激光，如DFB(distributed feedback semiconductor laser)激光器芯片。为解决受材料微分增益和载流子寿命的严重制约使DFB半导体激光器无法满足更高速率的要求的问题，本申请实施例中的激光器芯片的顶面上设置两个正极，两个正极分别与脊波导电连接，形成双激光器结构，然后通过两个正极对应接收两路具有时延差高频信号，实现激光器芯片的S21带宽曲线在更高频位置的补偿，以进一步提升3dB带宽和传输速率，达到更高速率的调制。

[0053] 在本申请实施例中，激光器组件600包括双激光器芯片，双激光器芯片包括两个发光单元，且当两个发光单元注入的高速信号具有预设时延差时，发光单元产生的光信号可进行叠加。可选的，双激光器芯片可以采用双激光器共波导的结构。

[0054] 图7为本申请实施例提供的一种双激光器芯片的结构示意图。如图7所示，本申请实施例提供的激光器组件600包括双激光器芯片610，双激光器芯片610包括脊波导611、设置在双激光器芯片610顶面的第一正极612和第二正极613以及设置在双激光器芯片610底面的负极614；其中，第一正极612和第二正极613电连接脊波导611，通过第一正极612和第二正极613可向脊波导611注入高频电信号。在本申请一些实施例中，当通过第一正极612和第二正极613向脊波导611注入高频电信号时，双激光器结构中的单激光器产生的高速调制光通过图7所示方向中的脊波导611上部的端面射出，如图7中箭头所示。

[0055] 在本申请实施例中，通过第一正极612和第二正极613向脊波导611注入具有预设时延差的两路高速电信号。可选的，通过调整用于注入两路高速信号的RF走线的长度，使该两路具有预设的时延差。然而由于双激光器芯片610面积很小，没有足够的空间进行双路RF走线的重布线。

[0056] 为满足双激光器芯片610注入具有预设时延差的两路高速电信号的需求，在本申请实施例中，激光器组件600还包括基板，基板上设置第一高速信号线、第二高速信号线和第一回流地；第一正极612电连接第一高速信号线，第二正极613电连接第二高速信号线，负极614电连接第一回流地；第一高速信号线和第二高速信号线结合实现向双激光器芯片610注入具有预设时延差的两路高速电信号。在本申请实施例中，结合基板的尺寸以及双激光器芯片610的需求，设置第一高速信号线和第二高速信号线的位置以及走向。可选的，第二高速信号线的长度大于第一高速信号线的长度或第一高速信号线的长度大于第二高速信号线的长度以产生预设的时延差。在本申请实施例中，可通过三维电磁场仿真结合激光器速率方程和激光器有源区设计综合计算获得预设时延差。

[0057] 在本申请实施例中，基板可为陶瓷基板、玻璃基板、硅基板或有机板材基板等。可选的，第一高速信号线、第二高速信号线和第一回流地设置在基板的表面。

[0058] 在本申请一些实施例中，双激光器芯片610的第一正极612和第二正极613通过打线对应连接第一高速信号线和第二高速信号线，即可以通过金线键合的方式实现第一正极612和第二正极613与第一高速信号线和第二高速信号线的对应连接，双激光器芯片610的负极614焊接连接第一回流地。

[0059] 在本申请一些实施例中，双激光器芯片610的第一正极612和第二正极613倒装焊对应连接第一高速信号线和第二高速信号线，双激光器芯片610的负极614通过打线连接第一回流地，即负极614通过金线键合连接第一回流地。可选的，双激光器芯片610的负极614通过多条金线键合连接第一回流地。

[0060] 在本申请一些实施例中，为合理的利用基板上的空间以及高速信号线的设置，双激光器芯片610的设置位置靠近基板的端部，即第一高速信号线和第二高速信号线的一端设置靠近基板的端部，用于电连接第一正极612和第二正极613，第一高速信号线和第二高速信号线的另一端靠近基板的另一端，进而使第一高速信号线和第二高速信号线的走线从基板的一端到基板的另一端。

[0061] 在本申请一些实施例中，第一高速信号线上设置有第一匹配电路，第二高速信号线上设置有第二匹配电路；第一匹配电路设置在第一高速信号线上靠近第一正极612的位置，第一匹配电路用于进行双激光器芯片610与第一高速信号线之间的阻抗匹配；第二匹配电路设置在第二高速信号线上靠近第二正极613的位置，第二匹配电路用于进行双激光器芯片610与第二高速信号线之间的阻抗匹配。第一匹配电路和第二匹配电路可包括电阻，或者电阻和电容的组合。可选的，第一匹配电路和第二匹配电路均包括薄膜电阻，第一薄膜电阻串联设置在第一高速信号线上且靠近第一正极612，第二薄膜电阻串联设置在第二高速信号线上且靠近第二正极613。

[0062] 在本申请一些实施例中，第一高速信号线为直条状高速信号线，第二高速信号线为弯折状高速信号线，第二高速信号线的弯折程度可根据第一高速信号线以及第一高速信号线和第二高速信号线上传输高速信号的预设时延差进行选择和变换。

[0063] 图8为本申请实施例提供的一种激光器组件的顶面结构示意图。如图8所示，激光器组件600包括双激光器芯片610和基板620，双激光器芯片610设置在基板620上，双激光器芯片610的底面连接基板620的顶面。基板620的顶面上设置第一高速信号线621、第二高速信号线622和第一回流地623。第一正极612打线连接第一高速信号线621，第二正极613打线连接第二高速信号线622，负极(被遮挡)焊接连接第一回流地623。本实施例中，第二高速信号线的长度大于第一高速信号线的长度以向脊波导611注入具有预设的时延差的高速信号。

[0064] 本实施例中，第一高速信号线621和第二高速信号线622从基板620的一端延伸至基板的另一端；可选的，第一高速信号线621的一端靠近基板620的一端、另一端延伸至基板620的另一端，第二高速信号线622的一端位于基板620的一端部、另一端延伸至基板620的另一端。为有效控制第一正极612与第一高速信号线621的打线长度以及第二正极613与第二高速信号线622的打线长度，双激光器芯片610设置在基板620的一端。

[0065] 在本申请一些实施例中，第一高速信号线621为直条状高速信号线，第二高速信号线622为一端具有与第一高速信号线621垂直的弯折状高速信号线；第二高速信号线622的另一端与第一高速信号线621平行，即自第二高速信号线622的弯折处至另一端第二高速信号线622与第一高速信号线621平行，如此便于第一高速信号线621和第二高速信号线622的另一端连接信号输入电路。在本申请一些实施例中，第二高速信号线622具有一个弯折，但不局限于一个弯折。

[0066] 如图8所示，第一高速信号线621与第一正极612打线连接串联第一薄膜电阻624，第二高速信号线622与第二正极613打线连接串联第一薄膜电阻625。

[0067] 如图8所示，基板620顶面的第一回流地623设置在第一高速信号线621和第二高速信号线622的周围，进而第一高速信号线621和第二高速信号线622之间通过第一回流地623间隔开。图9为本申请实施例提供的一种激光器组件的底面结构示意图，是图8另一方向的视图，展示出图8中所示激光器组件的底面。在本申请一些实施例中，如图9所示，基板620的底面上还设置有第二回流地626，基板620上还设置若干过孔627，基板620顶面的第一回流地623通过过孔627电连接基板620底面上的第二回流地626。如此通过基板620底面上的第二回流地626可以增加基板620上第一回流地的面积，同时还可将基板620顶面的第一回流地623电连接在一起。可选的，过孔627均匀的分布在第一回流地623上。

[0068] 图10为本申请实施例提供的另一种激光器组件的顶面结构示意图。如图10所示，与图8中所示激光器组件600相同的，激光器组件600包括双激光器芯片610和基板620，双激光器芯片610设置在基板620上，双激光器芯片610的底面连接基板620的顶面。与图8中所示激光器组件600不同的在于，第二高速信号线622的具有三个弯折的弯折状高速信号线。

[0069] 如图10所示，第二高速信号线622的一端与第一高速信号线621垂直，靠近另一端的一部分与第一高速信号线621平行，而中间部分包括多个弯折，其中存在与第一高速信号线621平行的高速信号线，当然在本申请实施例中也可以不存在与第一高速信号线621平行的高速信号线。

[0070] 如图10所示，基板620顶面的第一回流地623设置在第一高速信号线621和第二高速信号线622的周围。图11为本申请实施例提供的另一种激光器组件的底面结构示意图，为图10另一方向的视图，展示出图10中所示激光器组件的底面。在本申请一些实施例中，如图11所示，基板620的底面上还设置有第二回流地626，基板620上还设置若干过孔627，基板
620顶面的第一回流地623通过过孔627电连接基板620底面上的第二回流地626。如此通过基板620底面上的第二回流地626可以增加基板620上第一回流地的面积，同时还可将基板
620顶面的第一回流地623电连接在一起。可选的，过孔627均匀的分布在第一回流地623上。

[0071] 图8和10所示的是第一正极612和第二正极613通过打线对应连接第一高速信号线621和第二高速信号线622，但当第一正极612和第二正极613通过倒装焊连接第一高速信号线621和第二高速信号线622时，基板的结构可参见图8和10中所示结构中的基板620。

[0072] 本申请实施例提供的激光器组件600，双激光器芯片610上的脊波导611连接用于注入高速信号的第一正极612和第二正极613，基板620上设置第一高速信号线621和第二高速信号线622，双激光器芯片610的第一正极612和第二正极613对应连接第一高速信号线621和第二高速信号线622，进而通过第一高速信号线621和第二高速信号线622使注入至脊波导611的高速信号产生预设时延差。如此待注入至脊波导611的高速信号通过经过第一高速信号线621和第二高速信号线622，在注入脊波导611时具有预设时延差，具有预设时延差的高速信号注入至脊波导，首先在各自的谐振腔形成电与光的震荡作用，然后再进行光与光的震荡效应，利用高速信号注入的时延差，使得双激光器结构产生的高速调制光具有特定的相位差以进行叠加，进而使得单个激光器3dB带宽曲线在更高频处具有拉平的效果，实现激光器芯片的S21带宽曲线在更高频位置的补偿，以进一步提升3dB带宽和传输速率，达到更高速率的调制。

[0073] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。