提高Hastelloy N合金ΣCSL晶界比例的工艺方法

摘要

本发明公开了一种提高Hastelloy N合金低ΣCSL晶界比例的工艺方法，将Hastelloy N合金冷轧加工30‑70％，然后在1020‑1200℃退火5‑60min，以水淬的方式快速冷却至室温。而后在垂直原冷轧方向进行30‑70％的冷轧加工，在相同的温度退火同样的时间后水淬至室温。然后再对样品进行3‑15％的冷加工变形，在1020‑1200℃退火3‑120min并水淬快速冷却至室温。可得到Σ≤29的低ΣCSL晶界比例高于70％的HastelloyN合金。本工艺不仅不需改变合金成分，而且与现有其他工艺相比，不需要长时间退火，操作容易，具有十分明显的经济效益。