一种储存装置

摘要

本发明提供一种储存装置，包括：储存盒，所述储存盒包括：储存基板；位于所述储存基板的上表面的多个间隔的限位件，多个所述限位件呈阵列排布，每个所述限位件包括第一子限位件和第二子限位件，所述第一子限位件和所述第二子限位件沿着储存基板的表面交叉，多个所述限位件围成多个限位槽，所述限位槽适于容纳半导体激光器件。半导体激光器件在储存装置中的定位更加精确，有利于自动化设备对半导体激光器件的取放、位置记录和追踪；由于限位件是间隔的，在限位件的间隙处不会触碰半导体激光器件侧部的敏感器件区，有利于保护半导体激光器件在运输过程中不被损坏。

权利要求

1.一种储存装置，其特征在于，包括：

储存盒，所述储存盒包括：储存基板；位于所述储存基板的上表面的多个间隔的限位件，多个所述限位件呈阵列排布，每个所述限位件包括第一子限位件和第二子限位件，所述第一子限位件和所述第二子限位件沿着储存基板的表面交叉，多个所述限位件围成多个限位槽，所述限位槽适于容纳半导体激光器件；

储存盖，所述储存盖包括储存盖本体以及凸设于所述储存盖本体一侧表面的若干个顶针组，所述顶针组阵列排布；所述储存盖适于与所述储存盒贴合，所述顶针组适于朝向所述限位槽；每个所述顶针组包括相互间隔的第一顶针和第二顶针，所述第一顶针背向所述储存盖本体的一侧表面的面积小于所述第二顶针背向所述储存盖本体的一侧表面的面积。

2.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，所述半导体激光器件包括：热沉；位于所述热沉上的半导体激光器芯片。

3.根据权利要求2所述的储存装置，其特征在于，所述半导体激光器芯片包括边发射半导体激光器芯片。

4.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，所述限位件中的所述第一子限位件和所述第二子限位件呈“十”字交叉；所述第一子限位件沿列方向延伸，所述第二子限位件沿行方向延伸。

5.根据权利要求4所述的储存装置，其特征在于，所述储存基板中设置有若干条沉槽，每条所述沉槽包括：第一沉槽区和第二沉槽区，所述第一沉槽区位于沿行方向排布的若干所述限位槽的部分底部，所述第二沉槽区位于相邻两行的限位件中的所述第一子限位件之间的所述储存基板中，所述第二沉槽区与所述第一沉槽区贯通。

6.根据权利要求1、4或5所述的储存装置，其特征在于，所述第一子限位件的长度大于所述第二子限位件的长度。

7.根据权利要求4所述的储存装置，其特征在于，所述储存基板中设置有若干条沉槽，每条所述沉槽包括：第一沉槽区和第二沉槽区，所述第一沉槽区位于沿列方向排布的若干所述限位槽的部分底部，所述第二沉槽区位于相邻两列的限位件中的所述第二子限位件之间的所述储存基板中，所述第二沉槽区与所述第一沉槽区贯通。

8.根据权利要求1、4或7所述的储存装置，其特征在于，所述第二子限位件的长度大于所述第一子限位件的长度。

9.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，所述顶针组在垂直于所述储存盖本体的表面方向上的高度为1.5mm～3mm。

10.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，所述储存盖本体包括限位区和非限位区，所述顶针组位于所述限位区的表面，所述非限位区的与所述顶针组同侧的表面至限位区朝向顶针组的一侧表面的纵向距离大于所述顶针组的高度。

11.根据权利要求10所述的储存装置，其特征在于，所述储存基板包括储存区以及围绕所述储存区的非储存区，所述限位槽和所述限位件位于所述储存区；所述非储存区适于朝向所述储存盖的一侧表面设有定位卡槽；所述非限位区适于朝向所述储存基板的一侧表面设置有凸起部，所述凸起部适于嵌入所述定位卡槽中。

12.根据权利要求11所述的储存装置，其特征在于，所述非储存区的与所述限位件同侧的表面低于所述限位件背向所述储存基板的一侧表面。

13.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，所述储存基板的部分侧壁顶角处设有第一倒角，所述储存盖本体的部分侧壁顶角处设有第二倒角，所述第一倒角适于在储存盖覆盖所述储存盒时位于所述第二倒角的底部。

14.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，所述顶针组在所述储存基板表面的投影适于分别位于沿行方向排布的限位件之间，或者，所述顶针组在所述储存基板表面的投影适于分别位于沿列方向排布的限位件之间；所述第一子限位件沿列方向延伸，所述第二子限位件沿行方向延伸；

当所述顶针组在所述储存基板表面的投影适于分别位于沿行方向排布的限位件之间时，所述顶针组中的第一顶针在所述储存基板表面的投影适于位于行方向上相邻的限位件中的部分第一子限位件之间，所述顶针组中的第二顶针在所述储存基板表面的投影适于位于行方向上相邻的限位件中的部分第一子限位件之间，且所述顶针组中的第一顶针在所述储存基板表面的投影和第二顶针在所述储存基板表面的投影适于分别位于第二子限位件沿列方向的两侧；

当所述顶针组在所述储存基板表面的投影适于分别位于沿列方向排布的限位件之间时，顶针组中的第一顶针在所述储存基板表面的投影适于位于列方向上相邻的限位件中的部分第二子限位件之间，顶针组中的第二顶针在所述储存基板表面的投影适于位于列方向上相邻的限位件中的部分第二子限位件之间，且所述顶针组中的第一顶针在所述储存基板表面的投影和第二顶针在所述储存基板表面的投影适于分别位于第一子限位件沿行方向的两侧。

15.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，所述第一顶针的形状和所述第二顶针的形状不同。

16.根据权利要求1所述的储存装置，其特征在于，所述第一顶针呈圆台形，所述第二顶针呈梯形体。

说明书

一种储存装置

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种储存装置。

背景技术

[0002] 在激光器的制备过程中，作为关键核心器件的半导体激光器件由于结构脆弱，需要有一定可靠性的储存装置用于半导体激光器件的周转，目前采用的周转储存装置为真空吸附盒，由于真空吸附盒中承载半导体激光器件的胶膜是整面的，并没有限位件，对半导体激光器件的定位不准确。一些半导体激光器件的侧部有敏感器件区也容易被储存装置的侧壁撞击存在损坏的风险。

发明内容

[0003] 因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中用于储存半导体激光器件的真空吸附盒存在定位不准确和容易损坏半导体激光器件侧部的敏感器件区的问题，从而提供一种储存装置。

[0004] 本发明提供一种储存装置，包括：储存盒，所述储存盒包括：储存基板；位于所述储存基板的上表面的多个间隔的限位件，多个所述限位件呈阵列排布，每个所述限位件包括第一子限位件和第二子限位件，所述第一子限位件和所述第二子限位件沿着储存基板的表面交叉，多个所述限位件围成多个限位槽，所述限位槽适于容纳半导体激光器件。

[0005] 可选的，所述半导体激光器件包括：热沉；位于所述热沉上的半导体激光器芯片。

[0006] 可选的，所述半导体激光器芯片包括边发射半导体激光器芯片。

[0007] 可选的，所述限位件中的所述第一子限位件和所述第二子限位件呈“十”字交叉；所述第一子限位件沿列方向延伸，所述第二子限位件沿行方向延伸。

[0008] 可选的，所述储存基板中设置有若干条沉槽，每条所述沉槽包括：第一沉槽区和第二沉槽区，所述第一沉槽区位于沿行方向排布的若干所述限位槽的部分底部，所述第二沉槽区位于相邻两行的限位件中的所述第一子限位件之间的所述储存基板中，所述第二沉槽区与所述第一沉槽区贯通。

[0009] 可选的，所述第一子限位件的长度大于所述第二子限位件的长度。

[0010] 可选的，所述储存基板中设置有若干条沉槽，每条所述沉槽包括：第一沉槽区和第二沉槽区，所述第一沉槽区位于沿列方向排布的若干所述限位槽的部分底部，所述第二沉槽区位于相邻两列的限位件中的所述第二子限位件之间的所述储存基板中，所述第二沉槽区与所述第一沉槽区贯通。

[0011] 可选的，所述第二子限位件的长度大于所述第一子限位件的长度。

[0012] 可选的，还包括：储存盖，所述储存盖包括储存盖本体以及凸设于所述储存盖本体一侧表面的若干个顶针组，所述顶针组阵列排布；所述储存盖适于与所述储存盒贴合，所述顶针组适于朝向所述限位槽。

[0013] 可选的，所述顶针组在垂直于所述储存盖本体的表面方向上的高度为1.5mm～3mm。

[0014] 可选的，所述储存盖本体包括限位区和非限位区，所述顶针组位于所述限位区的表面，所述非限位区的与所述顶针组同侧的表面至限位区朝向顶针组的一侧表面的纵向距离大于所述顶针组的高度。

[0015] 可选的，所述储存基板包括储存区以及围绕所述储存区的非储存区，所述限位槽和所述限位件位于所述储存区；所述非储存区适于朝向所述储存盖的一侧表面设有定位卡槽；所述非限位区适于朝向所述储存基板的一侧表面设置有凸起部，所述凸起部适于嵌入所述定位卡槽中。

[0016] 可选的，所述非储存区的与所述限位件同侧的表面低于所述限位件背向所述储存基板的一侧表面。

[0017] 可选的，所述储存基板的部分侧壁顶角处设有第一倒角，所述储存盖本体的部分侧壁顶角处设有第二倒角，所述第一倒角适于在储存盖覆盖所述储存盒时位于所述第二倒角的底部。

[0018] 可选的，还包括：所述顶针组在所述储存基板表面的投影适于分别位于沿行方向排布的限位件之间，或者，所述顶针组在所述储存基板表面的投影适于分别位于沿列方向排布的限位件之间。

[0019] 可选的，每个所述顶针组包括相互间隔的第一顶针和第二顶针，所述第一顶针背向所述储存盖本体的一侧表面的面积小于所述第二顶针背向所述储存盖本体的一侧表面的面积；所述第一子限位件沿列方向延伸，所述第二子限位件沿行方向延伸；当所述顶针组在所述储存基板表面的投影适于分别位于沿行方向排布的限位件之间时，所述顶针组中的第一顶针在所述储存基板表面的投影适于位于行方向上相邻的限位件中的部分第一子限位件之间，所述顶针组中的第二顶针在所述储存基板表面的投影适于位于行方向上相邻的限位件中的部分第一子限位件之间，且所述顶针组中的第一顶针在所述储存基板表面的投影和第二顶针在所述储存基板表面的投影适于分别位于第二子限位件沿列方向的两侧；当所述顶针组在所述储存基板表面的投影适于分别位于沿列方向排布的限位件之间时，顶针组中的第一顶针在所述储存基板表面的投影适于位于列方向上相邻的限位件中的部分第二子限位件之间，顶针组中的第二顶针在所述储存基板表面的投影适于位于列方向上相邻的限位件中的部分第二子限位件之间，且所述顶针组中的第一顶针在所述储存基板表面的投影和第二顶针在所述储存基板表面的投影适于分别位于第一子限位件沿行方向的两侧。

[0020] 可选的，所述第一顶针的形状和所述第二顶针的形状不同。

[0021] 可选的，所述第一顶针呈圆台形，所述第二顶针呈梯形体。

[0022] 本发明的技术方案具有以下有益效果：

[0023] 1.本发明提供的储存装置，多个间隔的限位件位于储存基板的上表面，第一子限位件和第二子限位件沿着储存基板的表面交叉，多个限位件围成多个限位槽。限位件围成的限位槽适于容纳半导体激光器件，半导体激光器件在储存装置中的定位更加精确，有利于自动化设备对半导体激光器件的取放、位置记录和追踪；由于限位件是间隔的，在限位件的间隙处不会触碰半导体激光器件侧部的敏感器件区的脆弱部分，有利于保护半导体激光器件在运输过程中不被损坏。

[0024] 2.进一步，半导体激光器芯片包括边发射半导体激光器芯片，边发射半导体激光器芯片的发光端在半导体激光器件的侧部，由于限位槽是由多个间隔的限位件围成的，边发射半导体激光器芯片的发光端位于相邻限位件的间隙处，运输过程中不容易被触碰，储存装置的可靠性较高。

[0025] 3.进一步，储存基板中设置有若干条沉槽，在取放半导体激光器件时夹取装置可以伸入沉槽中，可以更方便的夹取限位槽中的半导体激光器件。

[0026] 4.进一步，限位件与储存基板为一体成型结构，可以通过模具冲压成型，储存装置的成本较低。

[0027] 5.进一步，储存装置还包括：储存盖，储存盖适于与储存盒贴合，顶针组适于朝向限位槽，通过顶针组和限位槽对半导体激光器件的移动位置进行了限定，限制了半导体激光器件在垂直空间上的移动幅度，保证了半导体激光器件不会跳出限位槽。

[0028] 6.进一步，非储存区适于朝向储存盖的一侧表面设有定位卡槽，非限位区适于朝向储存基板的一侧表面设置有凸起部，凸起部适于嵌入定位卡槽中，能够避免储存盖在与储存盒贴合时相互错位，从而防止储存盖表面的顶针组压到半导体激光器件的金线等特殊位置，起到了防呆的作用。

[0029] 7.进一步，储存基板的部分侧壁顶角处设有第一倒角，储存盖本体的部分侧壁顶角处设有第二倒角，第一倒角适于在储存盖覆盖储存盒时位于第二倒角的底部。第一倒角和第二倒角的设置有利于识别储存装置的方向，起到了防呆的作用。

附图说明

[0030] 为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0031] 图1为本发明一实施例提供的储存盒的结构示意图；

[0032] 图2为本发明一实施例提供的储存盖的结构示意图；

[0033] 图3为本发明一实施例提供的储存盒的局部示意放大图。

具体实施方式

[0034] 下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0035] 在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

[0036] 在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电学连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0037] 此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

[0038] 本发明一实施例提供一种储存装置，请参考图1，包括：

[0039] 储存盒1，所述储存盒1包括：储存基板101；位于所述储存基板101的上表面的多个间隔的限位件102，多个所述限位件102呈阵列排布，每个所述限位件102包括第一子限位件1021和第二子限位件1022，所述第一子限位件1021和所述第二子限位件1022沿着储存基板
101的表面交叉，多个所述限位件102围成多个限位槽103，所述限位槽103适于容纳半导体激光器件2。

[0040] 所述半导体激光器件2包括：热沉；位于所述热沉上的半导体激光器芯片。当半导体激光器件2容纳在限位槽103中时，半导体激光器芯片位于热沉背向限位槽103底部的一侧表面。

[0041] 在本实施例中，所述半导体激光器芯片包括边发射半导体激光器芯片，例如，高功率单管芯COS封装半导体激光器。边发射半导体激光器芯片的发光端在半导体激光器件2的侧部，由于限位槽103是由多个间隔的限位件102围成的，边发射半导体激光器芯片的发光端位于相邻限位件102的间隙处，运输过程中不容易被触碰，储存装置的可靠性较高。

[0042] 所述限位件102与所述储存基板101为一体成型结构。可以通过模具冲压成型，储存装置的成本较低。

[0043] 由于本方案没有使用胶膜等容易沾灰的结构，储存装置容易清洗，清洁度高，也不存在更换胶膜的成本，储存装置的成本较低。

[0044] 所述限位件102中的所述第一子限位件1021和所述第二子限位件1022呈“十”字交叉；所述第一子限位件1021沿列方向延伸，所述第二子限位件1022沿行方向延伸。在本实施例中，第一子限位件1021的延伸方向和第二子限位件1022的延伸方向相互垂直。

[0045] 在本实施例中，请参考图3，所述储存基板101中设置有若干条沉槽3，每条所述沉槽3包括：第一沉槽区301和第二沉槽区302，所述第一沉槽区301位于沿行方向排布的若干所述限位槽103的部分底部，所述第二沉槽区302位于相邻两行的限位件102中的所述第一子限位件1021之间的所述储存基板101中，所述第二沉槽区302与所述第一沉槽区301贯通。在这种情况下，所述第一子限位件1021的长度大于所述第二子限位件1022的长度。

[0046] 储存基板101中设置有若干条沉槽3，在取放半导体激光器件时夹取装置可以伸入沉槽3中，可以更方便的夹取限位槽103中的半导体激光器件。

[0047] 在其他实施例中，储存基板中设置有若干条沉槽，每条沉槽包括：第一沉槽区和第二沉槽区，第一沉槽区位于沿列方向排布的若干限位槽103的部分底部，第二沉槽区位于相邻两列的限位件中的第二子限位件之间的储存基板中，第二沉槽区与第一沉槽区贯通。在这种情况下，第二子限位件的长度大于第一子限位件的长度。

[0048] 沉槽3的深度和宽度根据夹取半导体激光器件的夹持装置的具体尺寸合理设置即可，在本实施例中，所述沉槽3在垂直于所述储存基板101的表面方向上的深度为1.6mm～2mm，例如，1.6mm、1.8mm或者2mm；所述沉槽3的宽度为1.5mm～2.5mm，例如，1.5mm、2.0mm或者2.5mm。

[0049] 所述第一子限位件1021的宽度为1.1mm～2.1mm，例如，1.1mm、1.3mm、1.5mm、1.7mm、1.9mm或者2.1mm；所述第二子限位件1022的宽度为1.1mm～2.1mm，例如，1.1mm、
1.3mm、1.5mm、1.7mm、1.9mm或者2.1mm；所述限位件102的高度为1mm～1.4mm，例如，1mm、
1.2mm或者1.4mm。

[0050] 所述限位槽103所限定的区域呈长方形，所述长方形的宽度为4mm～6mm，例如，4mm、5mm或者6mm，优选5mm，所述长方形的长度为5.2mm～7.2mm，例如，5.2mm、6.2mm或者
7.2mm，优选6.2mm，在一个实施例中，半导体激光器件2的宽度为4mm～5mm，例如，4mm、4.5mm或者6mm，半导体激光器件2的长度为5.25mm～6.25mm，例如，5.25mm、5.75mm或者6.25mm，当半导体激光器件2放置在限位槽103中后，半导体激光器件2的侧部与限位槽103的侧部具有间隙，例如，半导体激光器件2在水平方向上可以在限位槽103中倾斜4°～6°，例如，4°、5°或者6°，优选5°，这样以留给半导体激光器件2活动空间，利于取放，又能够防止半导体激光器件2表面的金线等特殊位置为顶针组402压住。

[0051] 请参考图2，储存装置还包括：储存盖4，所述储存盖4包括储存盖本体401以及凸设于所述储存盖本体401一侧表面的若干个顶针组402，所述顶针组402阵列排布；所述储存盖4适于与所述储存盒1贴合，所述顶针组402适于朝向所述限位槽103。通过顶针组402和限位槽103对半导体激光器件2的移动位置进行了限定，限制了半导体激光器件2在垂直空间上的移动幅度，保证了半导体激光器件2不会跳出限位槽103。

[0052] 所述储存盖本体401包括限位区4a和非限位区4b，所述顶针组402位于所述限位区4a的表面，所述非限位区4b的与所述顶针组402同侧的表面至限位区4a朝向顶针组402的一侧表面的纵向距离大于所述顶针组402的高度。

[0053] 所述顶针组402在所述储存基板101表面的投影适于分别位于沿行方向排布的限位件102之间，或者，所述顶针组402在所述储存基板101表面的投影适于分别位于沿列方向排布的限位件102之间。

[0054] 每个所述顶针组402包括相互间隔的第一顶针4021和第二顶针4022，所述第一顶针4021背向所述储存盖本体401的一侧表面的面积小于所述第二顶针4022背向所述储存盖本体401的一侧表面的面积；所述第一子限位件1021沿列方向延伸，所述第二子限位件1022沿行方向延伸。

[0055] 当所述顶针组402在所述储存基板101表面的投影适于分别位于沿行方向排布的限位件102之间时，所述顶针组402中的第一顶针4021在储存基板表面的投影适于位于行方向上相邻的限位件102中的部分第一子限位件1021之间，所述顶针组402中的第二顶针4022在储存基板表面的投影适于位于行方向上相邻的限位件102中的部分第一子限位件1021之间，且所述顶针组402中的第一顶针4021在储存基板表面的投影和第二顶针4022在储存基板表面的投影适于分别位于第二子限位件1022沿列方向的两侧。具体的，第一顶针4021在储存基板表面的投影适于位于行方向上相邻的第一子限位件1021之间，该相邻的第一子限位件1021分别位于行方向上相邻的限位件102中；第二顶针4022在储存基板表面的投影适于位于行方向上相邻的第一子限位件1021之间，该相邻的第一子限位件1021分别位于行方向上相邻的限位件102中。当顶针组在储存基板表面的投影适于分别位于沿列方向排布的限位件之间时，顶针组中的第一顶针在储存基板表面的投影适于位于列方向上相邻的限位件中的部分第二子限位件之间，顶针组中的第二顶针在储存基板表面的投影适于位于列方向上相邻的限位件中的部分第二子限位件之间，且顶针组中的第一顶针在储存基板表面的投影和第二顶针在储存基板表面的投影适于分别位于第一子限位件沿行方向的两侧。具体的，第一顶针在储存基板表面的投影适于列方向上相邻的第二子限位件之间，该相邻的第二子限位件分别位于列方向上相邻的限位件中；第二顶针在储存基板表面的投影适于列方向上相邻的第二子限位件之间，该相邻的第二子限位件分别位于列方向上相邻的限位件中。

[0056] 需要说明的是，在储存盖4与储存盒1贴合之后，顶针组402朝向限位槽103，顶针组402距离限位槽103中的半导体激光器件背向限位槽103底部的一侧表面还有一定的距离，例如，0.1mm～0.3mm，在本实施例中，顶针组402距离限位槽103中的半导体激光器件背向限位槽103底部的一侧表面的距离为0.2mm。

[0057] 所述第一顶针4021的形状和所述第二顶针4022的形状不同。

[0058] 所述第一顶针4021呈圆台形，所述第二顶针4022呈梯形体。在本实施例中，还可以是：所述第一顶针朝向所述储存盖本体的一侧表面的面积大于所述第一顶针背向所述储存盖本体的一侧表面的面积，所述第二顶针朝向所述储存盖本体的一侧表面的面积大于所述第二顶针背向所述储存盖本体的一侧表面的面积。在其他实施例中，所述第一顶针朝向所述储存盖本体的一侧表面的面积小于所述第一顶针背向所述储存盖本体的一侧表面的面积，所述第二顶针朝向所述储存盖本体的一侧表面的面积小于所述第二顶针背向所述储存盖本体的一侧表面的面积。所述第一顶针4021背向所述储存盖本体401的一侧表面的面积小于所述第二顶针4022背向所述储存盖本体401的一侧表面的面积，使得当限位槽中的半导体激光器件跳动时，第一顶针4021与半导体激光器件的接触面积比较小，避免第一顶针4021压到半导体激光器件表面的金线等特殊结构，第二顶针4022与半导体激光器件的接触面积较大，第二顶针4022对半导体激光器件的限位效果较好，即保证了顶针组对半导体激光器件的限位效果又防止顶针组对半导体激光器件造成干扰。

[0059] 所述顶针组402在垂直于所述储存盖本体401的表面方向上的高度为1.5mm～3mm，例如，1.5mm、2mm、2.5mm或者3mm。

[0060] 所述储存基板101包括储存区1a以及围绕所述储存区1a的非储存区1b，所述限位槽103和所述限位件102位于所述储存区1a；所述非储存区1b适于朝向所述储存盖4的一侧表面设有定位卡槽1c。

[0061] 所述非限位区4b适于朝向所述储存基板101的一侧表面设置有凸起部4c，所述凸起部4c适于嵌入所述定位卡槽1c中。能够避免储存盖4在与储存盒1贴合时相互错位，从而防止储存盖4表面的顶针组402压到半导体激光器件2的金线等特殊位置，起到了防呆的作用。

[0062] 所述非储存区1b的与所述限位件102同侧的表面低于所述限位件102背向所述储存基板101的一侧表面。

[0063] 所述储存基板101的部分侧壁顶角处设有第一倒角1d，所述储存盖本体401的部分侧壁顶角处设有第二倒角4d，所述第一倒角1d适于在储存盖4覆盖所述储存盒1时位于所述第二倒角4d的底部。第一倒角1d和第二倒角4d的设置有利于识别储存装置的方向，起到了防呆的作用。

[0064] 在本实施例中，储存装置包括防静电塑料储存盒1，具体为ABS塑料，即丙烯腈(A)、丁二烯(B)、苯乙烯(S)三种单体的三元共聚物。

[0065] 本实施例提供的储存装置，多个间隔的限位件102位于储存基板101的上表面，第一子限位件1021和第二子限位件1022沿着储存基板101的表面交叉，多个限位件102围成多个限位槽103。由于储存盒1没有采用胶膜等容易沾灰的结构，储存装置不容易污染；限位件102围成的限位槽103适于容纳半导体激光器件2，半导体激光器件2在储存装置中的定位更加精确，有利于自动化设备对半导体激光器件2的取放、位置记录和追踪；由于限位件102是间隔的，在限位件102的间隙处不会触碰半导体激光器件2的脆弱部分，有利于保护半导体激光器件2在运输过程中不被损坏。

[0066] 显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。