一种用于视频接口的防止电流倒流的电路、方法及设备

摘要

本申请公开了一种用于视频接口的防止电流倒流的电路、方法及设备，其涉及防电流倒流技术领域，该电路包括：控制模块，用于检测判断第一外部设备是否接入；若是，则控制模块输出第一控制信号；若否，则控制模块输出第二控制信号；供电模块，向控制模块输出电能；电路保护模块，接收到第一控制信号时切换至正向导通状态，以使供电模块向第二外部设备输出导通电压，导通电压不小于第二外部设备上视频接口的最低供电电压，接收到第二控制信号时切换至防倒流状态以防止第二外部设备的电流倒流。本申请具有能防止电流倒流又具有很低的电压落差的优点。

权利要求

1.一种用于视频接口的防止电流倒流的电路，其特征在于，包括：控制模块(1)，用于检测判断第一外部设备(4)是否接入；

若所述第一外部设备(4)接入，则所述控制模块(1)输出第一控制信号；

若所述第一外部设备(4)未接入，则所述控制模块(1)输出第二控制信号；

供电模块(2)，与所述控制模块(1)连接以向所述控制模块(1)输出电能；

电路保护模块(3)，包括：

FET单元(31)，具有正向导通状态和防倒流状态两种状态，且分别与所述供电模块(2)和第二外部设备(5)连接，处于所述正向导通状态时，所述供电模块(2)通过所述FET单元(31)向所述第二外部设备(5)的视频接口输出导通电压；

驱动单元(32)，与所述控制模块(1)连接，接收所述第一控制信号或所述第二控制信号以切换所述FET单元(31)的状态；

所述驱动单元(32)接收到所述第一控制信号时切换所述FET单元(31)至所述正向导通状态，以使所述供电模块(2)通过所述FET单元(31)向所述第二外部设备(5)输出导通电压，且所述导通电压不小于所述第二外部设备(5)上视频接口的最低供电电压；

所述驱动单元(32)接收到所述第二控制信号时切换所述FET单元(31)至所述防倒流状态以防止所述第二外部设备(5)的电流倒流；

欠压保护单元(33)，分别与所述供电模块(2)和所述驱动单元(32)连接，用于对所述驱动单元(32)起到欠压保护作用；

电流检测单元(34)，与所述FET单元(31)连接以接收从所述FET单元(31)输出的第一电流，判断所述第一电流是否大于预设的第二电流；

若所述第一电流大于所述第二电流，则所述电流检测单元(34)输出过流信号；

若所述第一电流小于所述第二电流，则所述电流检测单元(34)不输出所述过流信号；

过流保护单元(35)，分别与所述电流检测单元(34)和所述驱动单元(32)连接，接收所述过流信号并响应于所述过流信号以向所述驱动单元(32)输出调整信号，所述驱动单元(32)接所述调整信号并响应于所述调整信号，以调节所述FET单元(31)输出电流；

温度检测模块(6)，用于检测所述电路保护模块(3)的实时温度且分别与所述驱动单元(32)连接和所述供电模块(2)连接；

若所述实时温度大于预设的温度阈值，则向所述驱动单元(32)输出过温信号，所述驱动单元(32)接收所述过温信号并响应于所述过温信号，以将所述FET单元(31)的状态切换至所述防倒流状态。

2.根据权利要求1所述的一种用于视频接口的防止电流倒流的电路，其特征在于，所述控制模块(1)包括：电压比较单元(11)，用于与所述第一外部设备(4)连接并接收所述第一外部设备(4)输出的第一电压，判断所述第一电压是否大于预设的第二电压；

若所述第一电压大于所述第二电压，则所述电压比较单元(11)输出第一比较信号；

若所述第一电压小于所述第二电压，则所述电压比较单元(11)输出第二比较信号；

控制单元(12)，与所述电压比较单元(11)连接以接收所述第一比较信号或所述第二比较信号，接收到所述第一比较信号时输出所述第一控制信号，接收到所述第二比较信号时输出所述第二控制信号；

信号放大单元(13)，与所述控制单元(12)连接以接收并放大所述第一控制信号或所述第二控制信号，与所述驱动单元(32)连接以向所述驱动单元(32)输出放大后的第一控制信号或第二控制信号。

3.根据权利要求1所述的一种用于视频接口的防止电流倒流的电路，其特征在于，所述电路保护模块(3)还包括：滤除单元(36)，与所述FET单元(31)连接以滤除所述第一电流中的杂散电流。

4.一种用于视频接口的防止电流倒流的方法，应用于权利要求1‑3中任一项所述的一种用于视频接口的防止电流倒流的电路，其特征在于，包括如下步骤：所述控制模块(1)判断所述第一外部设备(4)是否接入；

若所述第一外部设备(4)未接入，则通过所述驱动单元(32)控制所述FET单元(31)处于所述防倒流状态；

若所述第一外部设备(4)接入，则判断所述供电模块(2)是否向所述FET单元(31)供电；

若所述供电模块(2)向所述FET单元(31)供电，则通过所述驱动单元(32)控制所述FET单元(31)切换至所述正向导通状态，使得所述供电模块(2)和所述第二外部设备(5)之间建立供电通路；

若所述供电模块(2)未向所述FET单元(31)供电，则通过所述驱动单元(32)控制所述FET单元(31)维持所述防倒流状态。

5.根据权利要求4所述的一种用于视频接口的防止电流倒流的方法，其特征在于，所述方法还包括如下步骤：所述电流检测单元(34)判断所述第一电流是否大于所述第二电流；

若所述第一电流小于所述第二电流，则不控制所述FET单元(31)调节输出电流；

若所述第一电流大于所述第二电流，则通过所述电流检测单元(34)、所述过流保护单元(35)和所述驱动单元(32)控制所述FET单元(31)调节输出电流，并通过所述温度检测模块(6)判断所述电路保护模块(3)的实时温度是否大于所述温度阈值；

若所述温度大于所述温度阈值，则通过所述驱动单元(32)控制所述FET单元(31)切换至所述防倒流状态；

若所述温度小于所述温度阈值，则所述FET单元(31)维持所述正向导通状态。

6.一种用于视频接口的防止电流倒流的设备，其特征在于，所述设备包括以上权利要求1‑3中任意一项所述的一种用于视频接口的防止电流倒流的电路。

说明书

一种用于视频接口的防止电流倒流的电路、方法及设备

技术领域

[0001] 本申请涉及防电流倒流技术领域，尤其是涉及一种用于视频接口的防止电流倒流的电路、方法及设备。

背景技术

[0002] 现有的视频接口包括HDMI接口、DVI接口和VGA接口，而笔记本电脑上一般只具备12中类型的视频接口，因此可以通过扩展坞来扩展笔记本电脑的视频接口种类，以使笔记~
本电脑可以适用于各种不同视频接口的显示设备。

[0003] 笔记本电脑通过扩展坞与显示设备连接时，扩展坞将通过HDMI、DVI、VGA接口所共用的电路来读取显示设备的EDID，其中EDID是显示设备用来描述它自己的显示能力及音频输出能力的一个电子标签，EDID的数据读取是通过I2C总线实现的，而I2C总线需要通过外部电阻上拉到接近额定电压。由于I2C总线和外部电阻的设置，当扩展坞处于断电状态且显示设备未断电时，显示设备中的电流可能会通过I2C总线和外部电阻倒流至扩展坞内，导致扩展坞内电路产生电路异常而无法正常工作。

[0004] 现有技术中通过在扩展坞内部电路中加设二极管来解决电流倒流的问题，利用二极管的单向导电特性，让电流只能单向的从扩展坞流向显示设备的视频接口，而不允许电流从显示设备的视频接口倒流回来。

[0005] 针对上述中的相关技术，发明人认为存在有以下缺陷：扩展坞通常为5V供电，且电压公差为±5%，因此扩展坞的最低供电电压为4.75V，而在读取EDID所需要的电流下，不同型号的二极管正向导通产生的电压落差约在0.2V～0.7V之间，又因为显示设备的视频接口所需求的最低供电电压通常为4.7V，因此，当扩展坞的供电电压小于4.9V时，任意一种二极管都因为具有电压落差的原因，不能满足显示设备视频接口所需求的最低供电电压。

发明内容

[0006] 为了改善具有防止电流倒流的功能却可能无法满足显示设备视频接口最低供电电压的缺陷，本申请提供一种用于视频接口的防止电流倒流的电路、方法及设备。

[0007] 第一方面，本申请提供一种用于视频接口的防止电流倒流的电路，采用如下技术方案：

[0008] 一种用于视频接口的防止电流倒流的电路，包括：

[0009] 控制模块，用于检测判断第一外部设备是否接入；

[0010] 供电模块，与所述控制模块连接以向所述控制模块输出电能；

[0011] 电路保护模块，分别与所述控制模块、所述供电模块和第二外部设备连接；

[0012] 若所述第一外部设备接入，则所述控制模块输出第一控制信号；

[0013] 若所述第一外部设备未接入，则所述控制模块输出第二控制信号；

[0014] 所述电路保护模块接收到所述第一控制信号时切换至正向导通状态，以使所述供电模块通过所述电路保护模块向所述第二外部设备输出导通电压，且所述导通电压不小于所述第二外部设备上视频接口的最低供电电压；

[0015] 所述电路保护模块接收到所述第二控制信号时切换至防倒流状态以防止所述第二外部设备的电流倒流。

[0016] 通过采用上述技术方案，电路保护模块初始状态为防倒流状态，当控制模块检测到第一外部设备接入后，向电路保护模块输出第一控制信号，使得电路保护模块从防倒流状态切换至正向导通状态，使得供电模块可以通过电路保护模块向第二外部设备的视频接口输出导通电压，即使导通电压经过电压保护模块时会产生电压落差，但经过电压落差后的导通模块依然大于第二外部设备上视频接口的最低供电电压；当控制模块检测到第一外部设备未接入时，电路保护模块切换至防倒流状态，以防止第二外部设备的中的电流通过视频接口倒流回来导致电路异常。

[0017] 可选的，所述电路保护模块包括：

[0018] FET单元，具有所述正向导通状态和所述防倒流状态两种状态，且分别与所述供电模块和所述第二外部设备连接，处于所述正向导通状态时，所述供电模块通过所述FET单元向所述第二外部设备的视频接口输出所述导通电压；

[0019] 驱动单元，与所述控制模块连接，接收所述第一控制信号或所述第二控制信号以切换所述FET单元的状态。

[0020] 通过采用上述技术方案，通过驱动单元所接收到的不同的控制信号来切换FET单元的状态，FET单元处于正向导通状态时，供电模块可以通过FET单元向第二外部设备的视频接口输出导通电压；FET单元处于防倒流状态时，防止第二外部设备的中的电流通过视频接口倒流回来。

[0021] 可选的，所述控制模块包括：

[0022] 电压比较单元，用于与所述第一外部设备连接并接收所述第一外部设备输出的第一电压，判断所述第一电压是否大于预设的第二电压；

[0023] 若所述第一电压大于所述第二电压，则所述电压比较单元输出第一比较信号；

[0024] 若所述第一电压小于所述第二电压，则所述电压比较单元输出第二比较信号；

[0025] 控制单元，与所述电压比较单元连接以接收所述第一比较信号或所述第二比较信号，接收到所述第一比较信号时输出所述第一控制信号，接收到所述第二比较信号时输出所述第二控制信号；

[0026] 信号放大单元，与所述控制单元连接以接收并放大所述第一控制信号或所述第二控制信号，与所述驱动单元连接以向所述驱动单元输出放大后的第一控制信号或第二控制信号。

[0027] 通过采用上述技术方案，当第一外部设备与电压比较单元连接并向电压比较单元输出第一电压，电压比较单元将第一电压与预设的第二电压比对，若第一电压大于第二电压，则判断第一外部设备成功接入，向控制单元输出第一比较信号；若第一电压小于第二电压，则判断第一外部设备未接入或未成功接入，此时向控制单元输出第二比较信号；控制单元接收到第一比较信号后向信号放大单元输出第一控制信号，控制单元接收到第二比较信号后向信号放大单元输出第二控制信号，信号放大单元接收到控制信号后将对其进行放大，再将放大后的控制信号输出至驱动单元，以使驱动单元接收控制信号并控制FET单元的状态。

[0028] 可选的，所述电路保护模块还包括：

[0029] 欠压保护单元，分别与所述供电模块和所述驱动单元连接，用于对所述驱动单元起到欠压保护作用。

[0030] 通过采用上述技术方案，若供电模块出现短路，线路电压会在短时间内出现大幅度降低甚至消失的现象，从而产生过量的电流，可能会导致驱动单元损坏，因此通过欠压保护电路的设置，对驱动单元起到欠压保护作用。

[0031] 可选的，所述电路保护模块还包括：

[0032] 电流检测单元，与所述FET单元连接以接收从所述FET单元输出的第一电流，判断所述第一电流是否大于预设的第二电流；

[0033] 若所述第一电流大于所述第二电流，则所述电流检测单元输出过流信号；

[0034] 若所述第一电流小于所述第二电流，则所述电流检测单元不输出所述过流信号，[0035] 过流保护单元，分别与所述电流检测单元和所述驱动单元连接，接收所述过流信号并响应于所述过流信号以向所述驱动单元输出调整信号，所述驱动单元接所述调整信号并响应于所述调整信号，以调节所述FET单元输出电流。

[0036] 通过采用上述技术方案，电流检测单元预设有第二电流并实时监测FET单元输出的第一电流，当第一电流大于第二电流时，可能是从FET单元输出的电流不稳定所导致的，此时电流检测单元向过流保护单元输出过流信号，过流保护单元接收过流信号后向驱动单元输出调整信号，以使得驱动单元控制FET单元并将FET单元的输出电流保持在恒定状态。

[0037] 可选的，所述电路保护模块还包括：

[0038] 滤除单元，与所述FET单元连接以滤除所述第一电流中的杂散电流。

[0039] 通过采用上述技术方案，由于从FET单元输出的第一电流中可能会夹杂部分杂散电流，杂散电流会导致电路中的电流不稳定，还会影响电路的使用寿命，因此通过滤除单元的设置，可以滤除第一电流中夹杂的杂散电流。

[0040] 可选的，所述电路还包括：

[0041] 温度检测模块，用于检测所述电路保护模块的实时温度且分别与所述驱动单元连接和所述供电模块连接；

[0042] 若所述实时温度大于预设的温度阈值，则向所述驱动单元输出过温信号，所述驱动单元接收所述过温信号并响应于所述过温信号，以将所述FET单元的状态切换至所述防倒流状态。

[0043] 通过采用上述技术方案，若从FET单元输出的第一电流持续处于过流状态，可能会导致整个电路保护模块的温度升高，当电路保护模块温度过高，则可能会导致电路保护模块损坏，因此通过温度检测模块的设置，可以监测电路保护模块的实时温度，并将实时温度和预设的温度阈值进行比对，若实时温度超过温度阈值，则温度检测模块向驱动单元输出过温信号，使得驱动单元将FET单元切换至防倒流状态，从而中断FET单元的电流输出。

[0044] 第二方面，本申请还提供一种用于视频接口的防止电流倒流的方法，采用如下技术方案：

[0045] 一种用于视频接口的防止电流倒流的方法，包括如下步骤：

[0046] 所述控制模块判断所述第一外部设备是否接入；

[0047] 若所述第一外部设备未接入，则通过所述驱动单元控制所述FET单元处于所述防倒流状态；

[0048] 若所述第一外部设备接入，则判断所述供电模块是否向所述FET单元供电；

[0049] 若所述供电模块向所述FET单元供电，则通过所述驱动单元控制所述FET单元切换至所述正向导通状态，使得所述供电模块和所述第二外部设备之间建立供电通路；

[0050] 若所述供电模块未向所述FET单元供电，则通过所述驱动单元控制所述FET单元维持所述防倒流状态。

[0051] 通过采用上述技术方案，先判断第一外部设备是否接入，当确认第一外部设备接入后再判断供电模块是否向FET单元供电，若供电模块向FET单元供电，则驱动单元控制FET单元从初始的防倒流状态切换至正向导通状态，使得供电模块和第二外部设备之间建立供电通路，此时供电模块可以通过FET单元向第二外部设备的视频接口输出导通电压；若供电模块停止向FET单元供电或控制模块检测到第一外部设备未接入，则驱动单元控制FET单元从正向导通状态切换至防倒流状态。

[0052] 可选的，一种用于视频接口的防止电流倒流的方法还包括如下步骤：

[0053] 所述电流检测单元判断所述第一电流是否大于所述第二电流；

[0054] 若所述第一电流小于所述第二电流，则不控制所述FET单元调节输出电流；

[0055] 若所述第一电流大于所述第二电流，则通过所述电流检测单元、所述过流保护单元和所述驱动单元控制所述FET单元调节输出电流，并通过所述温度检测模块判断所述电路保护模块的实时温度是否大于所述温度阈值；

[0056] 若所述温度大于所述温度阈值，则通过所述驱动单元控制所述FET单元切换至所述防倒流状态；

[0057] 若所述温度小于所述温度阈值，则所述FET单元维持所述正向导通状态。

[0058] 通过采用上述技术方案，供电模块通过FET单元向第二外部设备供电时，FET单元将输出第一电流，由于FET单元的内部原因，输出的第一电流可能会不稳定而导致过流，电流检测单元将检测并判断第一电流是否大于预设的第二电流，若大于，则通过电流检测单元、过流保护单元和驱动单元之间的信号传输，使得驱动单元控制FET单元并调节输出电流；经过调节后可能FET单元输出的第一电流依然大于第二电流，而持续的过流可能会导致电路保护模块的温度持续升高，此时温度检测模块检测电路保护模块的实时温度，并判断实时温度是否大于预设的温度阈值，若超出阈值，则驱动单元控制FET单元切换至防倒流状态，以中断FET单元的电流输出，从而保护整体电路。

[0059] 第三方面，本申请还提供一种设备，所述设备包括以上第一方面中任意一项所述的用于视频接口的防止电流倒流的电路。

[0060] 综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：

[0061] 1.通过电路保护模块中FET单元的设置，当FET单元处于防倒流状态时，可以防止第二外部设备中的电流倒流回来；当FET单元处于正向导通状态时，供电模块可以通过FET单元向第二外部设备的视频接口输出导通电压，且导通电压满足第二外部设备视频接口的最低供电电压；

[0062] 2.通过电流检测单元和过流保护单元的设置，可以实时监测从FET单元输出的第一电流是否过流，若过流可以通过信号传输使得驱动信号对FET单元进行调整，若调整后依然处于过流状态，则可以通过温度保护模块的设置对电路保护模块的实时温度进行监测，若电路保护模块的温度超出温度阈值，则可以及时通过驱动电路将FET单元切换至防倒流状态，以保护整体电路。

附图说明

[0063] 图1是本申请其中一实施例的用于视频接口的防止电流倒流的电路的模块结构图。

[0064] 图2是本申请其中一实施例的控制模块和电路保护模块的具体模块结构图。

[0065] 图3是本申请其中一实施例的用于视频接口的防止电流倒流的方法的流程示意图。

[0066] 图4是本申请其中一实施例的电路过流和过温的监测处理的流程示意图。

[0067] 附图标记说明：

[0068] 1、控制模块；2、供电模块；3、电路保护模块；4、第一外部设备；5、第二外部设备；6、温度检测模块；7、电源适配器；8、音视频模块；11、电压比较单元；12、控制单元；13、信号放大单元；31、FET单元；32、驱动单元；33、欠压保护单元；34、电流检测单元；35、过流保护单元；36、滤除单元。

具体实施方式

[0069] 以下结合附图1‑4对本申请作进一步详细说明。

[0070] 本申请实施例公开一种用于视频接口的防止电流倒流的电路。

[0071] 参照图1，用于视频接口的防止电流倒流的电路包括供电模块2，供电模块2分别与温度检测模块6、电路保护模块3和控制模块1电连接，供电模块2可以向温度检测模块6、电路保护模块3和控制模块1供电。控制模块1用于与第一外部设备4电连接，并检测第一外部设备4的接入状态，若第一外部设备4接入成功且供电模块2正在向电路保护模块3供电，则电路保护模块3切换至正向导通状态，以使供电模块2可以通过电路保护模块3向第二外部设备5的视频接口输出导通电压；若第一外部设备4未接入或供电模块2未向电路保护模块3供电，则电路保护模块3切换至防倒流状态，以防止第二外部设备5中的电流通过视频接口倒流。

[0072] 参照图1，供电模块2的电能来源可以为第一外部设备4，也可以为电源适配器7。第一外部设备4电连接有音视频模块8，音视频模块8可以为PS171芯片、PS176芯片或PS186芯片，音视频模块8通过I2C总线与第二外部设备5电连接，通过音视频模块8的设置，可以将第一外部设备4的音视频传输至第二外部设备5。第一外部设备4可以是笔记本电脑或电脑主机，第二外部设备5可以为显示屏。

[0073] 参照图2，控制模块1包括电压比较单元11，电压比较单元11包括电压比较器，电压比较单元11电连接有控制单元12，电压比较单元11还用于与第一外部设备4电连接。当第一外部设备4处于运行状态且与电压比较单元11电连接时，第一外部设备4将向电压比较单元11输出第一电压，电压比较单元11内预设有第二电压，电压比较单元11接收第一电压后将第一电压与预设的第二电压进行比对，若第一电压大于第二电压，则电压比较单元11向控制单元12输出第一比较信号；若第一电压小于第二电压，则电压比较单元11向控制单元12输出第二比较信号。

[0074] 参照图2，控制单元12可以为MCU芯片，控制单元12分别与供电模块2和信号放大单元13电连接，供电模块2用于向控制单元12供电。控制单元12接收第一比较信号后将向信号放大单元13输出第一控制信号；控制单元12接收第二比较信号后将向信号放大单元13输出第二控制信号。信号放大单元13包括信号放大器，信号放大单元13可以将第一控制信号或第二控制信号进行信号放大，再将放大后的第一控制信号或第二控制信号输出至电路保护模块3。

[0075] 参照图2，电路保护模块3包括FET单元31，FET单元31包括场效应晶体管，FET单元31中场效应晶体管的漏极与供电模块2电连接，FET单元31中场效应晶体管的源极与第二外部设备5电连接，FET单元31中场效应晶体管的栅极电连接于驱动单元32。驱动单元32与信号放大单元13电连接，驱动单元32接收信号放大单元13所输出的放大后的第一控制信号时，将控制FET单元31切换至正向导通状态，此时供电单元可以通过FET单元31向第二外部设备5的视频接口输出导通电压；驱动单元32接收信号放大单元13所输出的放大后的第二控制信号时，将控制FET单元31切换至防倒流状态。

[0076] 具体来说，第二外部设备5的视频接口可以为HDMI接口、VGA接口或DVI接口，且第二外部设备5的视频接口的最低供电电压为4.7V，供电模块2所输出的电压为5V，且供电模块2具有±5%的电压公差，因此供电模块2所输出的电压范围为4.75V 5.25V。FET单元31中~的场效应晶体管的内阻小于0.07Ω，而第二外部设备5的视频接口的最大负载电流为
500mA，因此即使FET单元31中的场效应晶体管处于500mA的电流下，其产生的电压落差也将小于0.035V。若供电模块2输出最低电压4.75V，经过FET单元31后产生电压落差，因此最后输出至第二外部设备5的视频接口的导通电压为4.715V，此时的导通电压依然大于第二外部设备5的视频接口的最低供电电压4.7V，因此FET单元31在整体电路正常的情况下，可以保证输出至第二外部设备5视频接口的导通电压不小于4.7V。

[0077] 参照图2，电路保护模块3还包括欠压保护单元33，欠压保护单元33包括欠压保护器，欠压保护单元33分别与供电模块2和驱动单元32电连接，若供电模块2出现短路时，电路中的电压将会骤降甚至消失，此时电路中的电流将会增大，若过量的电流输出至驱动单元32可能会使得驱动单元32过载并损坏，因此欠压保护单元33可以在供电模块2短路时对驱动单元32起到欠压保护作用，从而避免驱动单元32因过流过载而损坏。

[0078] 参照图2，电路保护模块3还包括滤除单元36，滤除单元36与FET单元31中场效应晶体管的源极电连接，由于FET单元31中场效应晶体管的存在，从FET单元31输出的电流中可能会包含杂散电流，而杂散电流会导致电路中的电流不稳定，还会影响电路的使用寿命，因此设置滤除单元36可以滤除电流中的杂散电流，以提高电路电流的稳定性。

[0079] 参照图2，电路保护模块3还包括电流检测单元34，电流检测单元34包括电流传感器，电流检测单元34与FET单元31中场效应晶体管的源极电连接，电流检测单元34还电连接有过流保护单元35，过流保护单元35包括过流保护电路，过流保护单元35与驱动单元32电连接。电流检测单元34内预设有第二电流并可以检测FET单元31输出的第一电流，将第一电流与第二电流作比对，若第一电流大于第二电流，此时可能是FET单元31中的场效应晶体管电流输出不稳定，电流检测单元34向过流保护单元35输出过流信号，过流保护单元35接收过流信号后向驱动单元32输出调整信号，驱动单元32接收调整信号后将控制FET单元31调整电流输出的稳定性，避免FET单元31输出的电流长时间处于过流状态而导致电路内的温度升高。

[0080] 参照图2，供电模块2还电连接有温度检测模块6，温度检测模块6包括温度传感器，温度检测模块6与驱动单元32电连接。温度检测模块6可以检测电路保护模块3的实时温度，且温度检测模块6内预设有温度阈值，当FET单元31经过调整电流输出后依旧输出过流的电流时，或因其他原因导致电路保护模块3温度升高，直到温度检测模块6所检测到的实时温度大于温度阈值，温度监测模块将向驱动单元32输出过温信号，驱动单元32接收过温信号后将控制FET单元31切换至防倒流状态，以中断FET单元31的电流输出，使电路保护模块3自然散热。温度检测模块6内还预设有重启温度阈值，当温度检测模块6检测到的实时温度超出温度阈值后，在散热之后实时温度小于重启温度阈值时，温度检测模块6将向驱动单元32输出重启信号，驱动单元32接收重启信号后将控制FET单元31重新切换至正向导通状态。

[0081] 本申请实施例还公开一种用于视频接口的防止电流倒流的方法。

[0082] 参照图3，用于视频接口的防止电流倒流的方法具体包括如下步骤：

[0083] 100，所述控制模块1判断所述第一外部设备4是否接入，若否，则执行步骤101；若是，则执行步骤102。

[0084] 其中，根据第一外部设备4不同的接入方式可以采取不同的判断方式，若第一外部设备4的接入通道包含Aux通道，则可以通过检测Aux通道的电压值来进行判断；若第一外部设备4的接入通道为电源通道，则直接通过电源电压值进行判断；若第一外部设备4的接入通道采用的Type‑C接口，则可以检测Type‑C接口中CC脚的电压值进行判断。

[0085] 101，通过所述驱动单元32控制所述FET单元31处于所述防倒流状态。

[0086] 其中，驱动单元32通过逻辑控制保持FET单元31的初始状态为防倒流状态，FET单元31处于防倒流状态时，即使第二外部设备5还处于运行状态，第二外部设备5中的电流也无法导通FET单元31。

[0087] 102，判断所述供电模块2是否向所述FET单元31供电，若是，则执行步骤103；若否，则执行步骤104。

[0088] 103，通过所述驱动单元32控制所述FET单元31切换至所述正向导通状态，使得所述供电模块2和所述第二外部设备5之间建立供电通路。

[0089] 其中，供电模块2和第二外部设备5之间通过FET单元31的场效应晶体管建立供电通路，供电模块2输出的电压经过场效应晶体管产生电压落差后，再输出至第二外部设备5的视频接口处。

[0090] 104，通过所述驱动单元32控制所述FET单元31维持所述防倒流状态。

[0091] 本实施例的实施原理为：

[0092] 先根据第一外部设备4不同的接入方式判断不同的电压值是否超出阈值，从而判断第一外部设备4是否接入，当确认第一外部设备4接入后再判断供电模块2是否向FET单元31供电，若供电模块2向FET单元31供电，则驱动单元32控制FET单元31从初始的防倒流状态切换至正向导通状态，使得供电模块2和第二外部设备5之间建立供电通路，此时供电模块2可以通过FET单元31向第二外部设备5的视频接口输出导通电压；若供电模块2停止向FET单元31供电或控制模块1检测到第一外部设备4未接入，则驱动单元32控制FET单元31从正向导通状态切换至防倒流状态。

[0093] 在图3所示实施例中，由于电路可能会因为各种情况出现过流或过温的情况，而长时间过流过温将会造成线路的损坏，因此需要对电路的过流或过温进行监测并及时处理，具体步骤通过图4所示实施例进行详细说明。

[0094] 参照图4，电路过流和过温的监测处理具体包括如下步骤：

[0095] 200，所述电流检测单元34判断所述第一电流是否大于所述第二电流，若否，则执行步骤201；若是，则执行步骤202。

[0096] 201，不控制所述FET单元31调节输出电流。

[0097] 202，通过所述电流检测单元34、所述过流保护单元35和所述驱动单元32控制所述FET单元31调节输出电流。

[0098] 其中，电流检测单元34向过流保护单元35输出过流信号，过流保护单元35向驱动单元32输出调整信号，驱动单元32调节控制FET单元31中的场效应晶体管以使得FET单元31输出恒定平稳的电流。

[0099] 203，通过所述温度检测模块6判断所述电路保护模块3的实时温度是否大于所述温度阈值，若是，则执行步骤204；若否，则执行步骤205。

[0100] 204，通过所述驱动单元32控制所述FET单元31切换至所述防倒流状态。

[0101] 205，所述FET单元31维持所述正向导通状态。

[0102] 本实施例的实施原理为：

[0103] 供电模块2通过FET单元31向第二外部设备5供电时，FET单元31将输出第一电流，由于FET单元31内场效应晶体管的存在，输出的第一电流可能会不稳定，电流检测单元34将检测并判断第一电流是否大于预设的第二电流，若大于，则电路处于过流状态，电流检测单元34向过流保护单元35输出过流信号，过流保护单元35向驱动单元32输出调整信号，驱动单元32调节控制FET单元31中的场效应晶体管以使得FET单元31输出恒定平稳的电流；经过调节后可能FET单元31输出的第一电流依然大于第二电流，而持续的过流可能会导致电路保护模块3的温度持续升高，此时温度检测模块6检测电路保护模块3的实时温度，并判断实时温度是否大于预设的温度阈值，若超出阈值，则驱动单元32控制FET单元31切换至防倒流状态，以中断FET单元31的电流输出，从而保护整体电路。

[0104] 本申请实施例还公开一种设备，设备包括图1和图2所示实施例中的电路，设备可以为扩展坞，设备上设有电源开关，电源开关与供电模块2电连接，电源开关可以控制供电模块2的供电。设备内还包括用于扩展其他视频接口的其他电路。

[0105] 以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，故：凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本申请的保护范围之内。