用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统及方法

摘要

本发明公开一种用于基于形状数据估计样本上的前侧覆盖的系统。所述系统包含特性化子系统及控制器。所述控制器包含一或多个处理器，所述一或多个处理器经配置以：生成真空卡盘的真空孔图；基于所述真空卡盘的所述经生成真空孔图生成跨样本的真空力分布；基于所述真空力分布及背侧表面粗糙度与所述真空卡盘的真空力之间的经识别关系确定所述样本的形状数据；及将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的前侧表面的覆盖值。

权利要求

1.一种用于转换表面粗糙度的系统，其包括：特性化子系统，其经配置以测量样本的背侧表面粗糙度，其中所述背侧表面粗糙度测量为雾度；

工艺工具，其包含真空卡盘；及

控制器，其包含一或多个处理器，所述一或多个处理器经配置以执行存储在存储器中的程序指令集，所述程序指令集经配置以引起所述一或多个处理器：生成所述真空卡盘的真空孔图；

基于所述真空卡盘的经生成真空孔图生成跨所述样本的真空力分布；

基于所述真空力分布及背侧雾度与所述真空卡盘的真空力之间的经识别关系确定所述样本的形状数据；及将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的前侧表面的覆盖值。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述工艺工具包括光刻工具。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述特性化子系统包括检验子系统。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述检验子系统包括一或多个光电倍增管(PMT)传感器。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述特性化子系统包括计量子系统。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述计量子系统包括原子力显微镜(AFM)工具。

7.根据权利要求1所述的系统，其中建模程序经配置以基于所述真空卡盘的所述经生成真空孔图生成跨所述样本的所述真空力分布。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述建模程序包括有限元素分析(FEA)程序。

9.根据权利要求1所述的系统，其中一或多个模型经配置以将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的所述前侧的所述覆盖值。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器进一步经配置以：生成一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以基于所述样本的所述前侧表面的所述覆盖值选择性地调整一或多个工艺工具的一或多个特性。

11.一种用于转换表面粗糙度的系统，其包括：控制器，其包含一或多个处理器，所述一或多个处理器经配置以执行存储在存储器中的程序指令集，所述程序指令集经配置以引起所述一或多个处理器：生成工艺工具的真空卡盘的真空孔图；

基于所述真空卡盘的经生成真空孔图生成跨样本的真空力分布；

基于所述真空力分布及背侧雾度与所述真空卡盘的真空力之间的经识别关系确定所述样本的形状数据；及将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的前侧表面的覆盖值。

12.根据权利要求11所述的系统，其包括 经配置以测量所述背侧雾度的特性化子系统，且所述特性化子系统包括检验子系统或计量子系统中的至少一者。

13.一种用于转换表面粗糙度的方法，其包括：生成真空卡盘的真空孔图；

基于所述真空卡盘的经生成真空孔图生成跨样本的真空力分布；

基于所述真空力分布及背侧雾度与工艺工具的所述真空卡盘的真空力之间的经识别关系确定所述样本的形状数据；及将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的前侧表面的覆盖值。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述工艺工具包括光刻工具。

15.根据权利要求13所述的方法，其中建模程序经配置以基于所述真空卡盘的所述经生成真空孔图生成跨所述样本的所述真空力分布。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述建模程序包括有限元素分析(FEA)程序。

17.根据权利要求13所述的方法，其中一或多个模型经配置以将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的所述前侧的所述覆盖值。

18.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：生成一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以基于所述样本的所述前侧表面的所述覆盖值选择性地调整一或多个工艺工具的一或多个特性。

说明书

用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统及方法

[0001] 相关申请案的交叉引用

[0002] 本申请案根据35U.S.C.§119(e)规定要求2019年3月20日申请的，以沈建(Jian Shen)、朱宁奇(Ningqi Zhu)、约翰·麦考马克(John McCormack)及孙燕飞(Yanfei Sun)为发明人的标题为“在高级节点中将背侧雾度转换为前侧覆盖的方法(METHOD TO CONVERT BACKSIDE HAZE TO FRONT SIDE OVERLAY IN ADVANCED NODE)”的第62/821,105号美国临时申请案的权利，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

[0003] 本发明大体上涉及样本处理领域，且更特定来说，涉及一种用于转换表面粗糙度为覆盖值的系统及方法。

背景技术

[0004] 半导体装置通常包含多个图案化材料层，其中每一连续层必须在紧密公差内对准到先前层。因此，制造线可利用并入反馈及/或前馈控制数据的工艺控制系统以监测及调整制造工具的设置而将覆盖误差(例如，层之间的覆盖配准误差)维持在选定公差内。随着此类半导体装置的尺寸不断减小，覆盖误差的可接受公差也减小。覆盖误差可因各种原因引起，例如来自工艺工具(例如，光刻工具)的系统偏差、随机误差、样本几何形状诱发的误差(例如，诱发误差)或样本变动。因此，将可期望提供一种用于改进覆盖测量及控制的系统及方法。

发明内容

[0005] 根据本公开的一或多个实施例，揭示一种系统。在一个实施例中，所述系统包含经配置以测量样本的背侧表面粗糙度的特性化子系统。在另一实施例中，所述系统包含工艺工具，所述工艺工具包含真空卡盘。在另一实施例中，所述系统包含控制器，所述控制器包含一或多个处理器，所述一或多个处理器经配置以执行存储在存储器中的程序指令集，所述程序指令集经配置以引起所述一或多个处理器：生成所述真空卡盘的真空孔图；基于所述真空卡盘的所述经生成真空孔图生成跨所述样本的真空力分布；基于所述真空力分布及背侧表面粗糙度与所述真空卡盘的真空力之间的经识别关系确定所述样本的形状数据；及将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的前侧表面的覆盖值。

[0006] 根据本公开的一或多个实施例，揭示一种方法。在一个实施例中，所述方法包含生成真空卡盘的真空孔图。在另一实施例中，所述方法包含基于所述真空卡盘的所述经生成真空孔图生成跨样本的真空力分布。在另一实施例中，所述方法包含基于所述真空力分布及背侧表面粗糙度与工艺工具的真空卡盘的真空力之间的经识别关系确定所述样本的形状数据。在另一实施例中，所述方法包含将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的前侧表面的覆盖值。

[0007] 应理解，前文一般描述及以下详细描述两者仅为示范性地且说明性地，且不一定限制如所要求的本发明。并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图说明本发明的实施例，且结合一般描述一起用于说明本发明的原理。

附图说明

[0008] 通过参考附图，所属领域的技术人员可更好地理解本公开的许多优点，其中：

[0009] 图1A说明根据本公开的一或多个实施例的用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统。

[0010] 图1B说明根据本公开的一或多个实施例的用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统。

[0011] 图2A说明根据本公开的一或多个实施例的背侧雾度(haze)与前侧覆盖之间的相关性。

[0012] 图2B说明根据本公开的一或多个实施例的背侧雾度与前侧覆盖之间的相关性。

[0013] 图3说明根据本公开的一或多个实施例的用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的方法的流程图。

[0014] 图4说明根据本公开的一或多个实施例的真空卡盘孔图的简化图。

[0015] 图5说明根据本公开的一或多个实施例的样本的形状数据的简化图。

具体实施方式

[0016] 已关于特定实施例及其特定特征特别地展示及描述本公开。本文中阐述的实施例应被视为阐释性的而非限制性的。所属领域的一般技术人员应容易明白，可在不脱离本公开的精神及范围的情况下进行形式及细节的各种改变及修改。

[0017] 现在将详细参考附图中所说明的所揭示标的物。

[0018] 大体上参考图1A到5，描述一种根据本公开的一或多个实施例的用于转换背侧雾度为前侧覆盖的系统及方法。

[0019] 本公开的实施例涉及一种用于转换经由雾度数据测量的背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统及方法。雾度是与样本表面质量(例如，膜层中的表面粗糙度及不均匀性)紧密相关的临界参数。例如，雾度可被用作表面粗糙度的量度且作为检验的部分进行检测。就此来说，可在制造工艺期间以若干方式使用雾度。首先，雾度可用于特性化更改表面质量的半导体工艺，例如抛光。其次，雾度可跨整个样本表面进行测量且可显示样本的各个区中的表面质量的变化。第三，雾度可对粒子检测具有重大负面效应。例如，高雾度水平可产生高噪声水平，且可使得难以检测样本的表面上的缺陷。通过另一实例，较平滑表面具有较低雾度及因此较低噪声，且因此可检测较小缺陷。就此来说，由较平滑表面散射的总光量通常远低于由较粗糙表面散射的总光量。

[0020] 除样本翘曲以外，背侧雾度还为半导体装置中的主要覆盖促成因素。样本上的特定位置处的雾度强度与样本上的所述特定位置处的样本覆盖值之间存在强相关性。明确来说，样本的背侧雾度(例如，样本的背侧上的表面粗糙度)与形状数据之间存在相关性。可将此形状数据转译为样本的前侧上的覆盖值，使得可将背侧雾度转换为前侧覆盖值。

[0021] 图1A说明根据本公开的一或多个实施例的用于转换背侧雾度为前侧覆盖的系统100。特定来说，图1A说明用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖值的系统100。在一个实施例中，系统100包含一或多个特性化子系统102。在另一实施例中，系统100包含控制器104，控制器104包含一或多个处理器106、存储器108及程序指令110集。

[0022] 本文中应注意，特性化子系统102可包含但不限于检验子系统或计量子系统。为本公开的目的，本文中应注意，特性化子系统102可被称为特性化工具。同样地，计量子系统可被称为计量工具，且检验子系统可被称为检验工具。特性化子系统102可包含此项技术中已知的任何检验子系统102，包含但不限于基于光学的检验工具、基于带电粒子的检验工具、重检工具及类似者。特性化子系统102可包含此项技术中已知的任何基于成像的计量子系统102，包含但不限于原子力显微镜(AFM)工具或扫描电子显微镜(SEM)工具。

[0023] 在一个实施例中，控制器104通信地耦合到一或多个特性化子系统102。就此来说，控制器104的一或多个处理器106可经配置以生成经配置以调整特性化子系统102的一或多个特性的一或多个控制信号，且可从特定化子系统102接收数据(例如，图像数据)。

[0024] 图1B说明根据本公开的一或多个实施例的用于转换背侧雾度为前侧覆盖的系统100。特定来说，图1B说明包含光学特性化子系统102的系统100。

[0025] 特性化子系统102可配置为光学暗场检验工具。光学特性化子系统102可包含但不限于照明源112、照明臂111、集光臂113及检测器组合件126。

[0026] 在一个实施例中，光学特性化子系统102经配置以检验及/或测量安置在载物台组合件122上的样本120。例如，光学特性化子系统102可经配置以检测雾度。例如，光学特性化子系统102可经配置以检测样本120的背侧表面上的雾度。在另一例子中，光学特性化子系统102可经配置以检测样本120的前侧表面上的雾度。照明源112可包含此项技术中已知的用于生成照明101的任何照明源，包含但不限于宽带辐射源。在另一实施例中，光学特性化子系统102可包含经配置以将照明101引导到样本120的照明臂111。应注意，光学特性化子系统102的照明源112可以此项技术中已知的任何定向配置，包含但不限于暗场定向、光场定向及类似者。例如，可选择性地调整一或多个光学元件114、124以便以暗场定向、明场定向及类似者配置特性化子系统102。

[0027] 样本120可包含此项技术中已知的任何样本，包含但不限于半导体晶片、光罩、光掩模及类似者。在一个实施例中，样本120安置在载物台组合件122上以促进样本120的移动。在另一实施例中，载物台组合件122为可致动载物台。例如，载物台组合件122可包含但不限于适于选择性地使样本120沿一或多个线性方向(例如，x方向、y方向及/或z方向)平移的一或多个平移载物台。通过另一实例，载物台组合件122可包含但不限于适于选择性地使样本120沿旋转方向旋转的一或多个旋转载物台。通过另一实例，载物台组合件122可包含但不限于适于选择性地使样本120沿线性方向平移及/或使样本120沿旋转方向旋转的旋转载物台及平移载物台。本文中应注意，系统100可在此项技术中已知的任何扫描模式中操作。

[0028] 照明臂111可包含此项技术中已知的任何数目及类型的光学组件。在一个实施例中，照明臂111包含一或多个光学元件114、一组一或多个光学元件115、光束分离器116及物镜118。就此来说，照明臂111可经配置以将来自照明源112的照明101聚焦到样本120的表面上。一或多个光学元件114可包含此项技术中已知的任何光学元件，包含但不限于一或多个镜、一或多个透镜、一或多个偏光器、一或多个光束分离器、波板及类似者。

[0029] 在另一实施例中，光学特性化子系统102包含经配置以收集从样本120反射或散射的照明的集光臂113。在另一实施例中，集光臂113可经由一或多个光学元件124将反射光及散射光引导及/或聚焦到检测器组合件126的一或多个传感器。一或多个光学元件124可包含此项技术中已知的任何光学元件，包含但不限于一或多个镜、一或多个透镜、一或多个偏光器、一或多个光束分离器、波板及类似者。应注意，检测器组合件126可包含此项技术中已知的用于检测从样本120反射或散射的照明的任何传感器及检测器组合件。

[0030] 在另一实施例中，光学特性化子系统102的检测器组合件126经配置以基于从样本120反射或散射的照明收集样本120的计量数据。在另一实施例中，检测器组合件126经配置以将经收集及/或经获取图像及/或计量数据传输到控制器104。

[0031] 如先前在本文中提及，系统100的控制器104可包含一或多个处理器106及存储器108。存储器108可包含经配置以引起一或多个处理器106实行本公开的各个步骤的程序指令110。在一个实施例中，程序指令经配置以引起一或多个处理器106调整光学特性化子系统102的一或多个特性以执行样本120的一或多个测量。

[0032] 在一个实施例中，控制器104的一或多个处理器106经配置以分析检测器组合件126的输出。在一个实施例中，程序指令110集经配置以引起一或多个处理器106基于从检测器组合件126接收的图像分析样本120的一或多个特性。在另一实施例中，程序指令110集经配置以引起一或多个处理器106修改系统100的一或多个特性以维持样本120及/或检测器组合件126上的聚焦。例如，一或多个处理器106可经配置以调整照明源112及/或系统100的其它组件的一或多个特性，以将照明101及/或一或多个电子束129聚焦到样品120的表面上。通过另一实例，一或多个处理器106可经配置以调整系统100的一或多个元件，以收集来自样品120的表面的照明及/或二次电子131且将经收集照明聚焦到检测器组合件126上。

[0033] 在另一实施例中，系统100包含通信地耦合到控制器104的用户接口。在另一实施例中，用户接口包含用户输入装置及显示器。用户接口的用户输入装置可经配置以从用户接收一或多个输入命令，所述一或多个输入命令经配置以将数据输入到系统100中及/或调整系统100的一或多个特性。在另一实施例中，用户接口的显示器可经配置以将系统100的数据显示给用户。

[0034] 在一个实施例中，一或多个处理器106可通信地耦合到存储器108，其中一或多个处理器106经配置以执行存储在存储器108上的程序指令集。程序指令110集经配置以引起一或多个处理器106实行本公开的各种功能及步骤。在一个实施例中，控制器104经配置以识别样本的背侧表面上的粗糙度与真空卡盘的真空力之间的关系。在另一实施例中，控制器104经配置以生成真空卡盘的真空孔图。在另一实施例中，控制器104经配置以基于真空卡盘的经生成真空孔图生成跨样本的真空力分布。在另一实施例中，控制器104经配置以基于真空力分布确定样本的形状数据。在另一实施例中，控制器104经配置以将形状数据转换为样本的前侧表面的覆盖值。将在本文中进一步详细描述控制器104的这些步骤/功能中的每一者。

[0035] 图2A说明根据本公开的一或多个实施例的背侧雾度(或表面粗糙度)与前侧覆盖之间的相关性200。图2B说明根据本公开的一或多个实施例的背侧雾度(或表面粗糙度)与前侧覆盖之间的相关性250。本文中应注意，图2A到2B中所展示的相关性200、250仅为阐释性的且不应被解释为限制本公开的范围。

[0036] 在一个实施例中，样本120包含一或多个高雾度区域202。可从特性化子系统(例如，图1A到1B中所展示的特性化子系统102)获取一或多个高雾度区域202。例如，可从经配置以检验样本120的背侧表面204的特性化子系统102获取一或多个高雾度区域202。例如，可从经配置以检验样本120的背侧表面204的暗场特性化子系统获取一或多个高雾度区域202。

[0037] 在另一实施例中，样本120的背侧表面204上的一或多个高雾度区域202与前侧覆盖特征206相关。前侧覆盖特征206可包含一或多个前侧覆盖值208。就此来说，样本120的背侧表面上的一或多个高雾度区域202的存在可促成样本120上的类似位置中的前侧覆盖特征206。本文中应注意，图2A到2B中所展示的覆盖特征206及/或前侧覆盖值208仅为阐释性目的而提供且不应被解释为限制本公开的范围。

[0038] 如先前在本文中论述，雾度可被用作表面粗糙度的量度。在另一实施例中，一或多个高雾度区域202与样本120的背侧表面204上的一或多个表面粗糙区域210对应。例如，如图2A中所展示，高雾度区域202a与样本120的背侧表面204上的表面粗糙区域210a对应。通过另一实例，如图2B中所展示，第一高雾度区域202b与第一表面粗糙区域210b对应且第二高雾度区域202c与样本120的背侧表面204上的第二表面粗糙区域210c对应。就此来说，如图2B中所展示，背侧表面204的中心上的表面粗糙区域210b与高雾度中心圆202b对应。此外，样本120的背侧表面204的外周边上的表面粗糙区域210c与高雾度外圆202c对应。本文中应注意，一或多个高雾度区域202的直径仅为阐释性目的而提供且不应被解释为限制本公开的范围。例如，一或多个表面粗糙区域210及对应的一或多个高雾度区域202可为此项技术中已知的任何长度及/或直径。

[0039] 在另一实施例中，样本120的背侧204上的一或多个表面粗糙区域210经配置以转换为前侧样本形状数据214。例如，样本120可被真空夹紧到真空卡盘212，真空卡盘212经配置以将样本120固持在适当位置中。例如，真空卡盘212可施加真空压力的选择力以在处理期间固持样本120。就此来说，当真空卡盘212将样本120拉平时，背侧粗糙度210转换为前侧样本形状数据214，使得前侧样本形状数据促成覆盖误差。

[0040] 图3说明根据本公开的一或多个实施例的用于转换背侧雾度为前侧覆盖的方法300的流程图。本文中应注意，方法300的步骤可完全或部分通过系统100实施。然而，进一步应认知，方法300不限于系统100，额外或替代系统级实施例可实行方法300的全部或部分步骤。

[0041] 在步骤302中，可生成真空卡盘的真空孔图。在另一实施例中，真空卡盘经配置以将样本120真空夹紧到真空卡盘。例如，真空卡盘可将样本夹紧到真空卡盘，使得真空卡盘确保样本被准确地定位在工艺工具中。本文中应注意，系统100可包含此项技术中已知的任何工艺工具，包含但不限于光刻工具、沉积工具、蚀刻工具或类似者。图4说明根据本公开的一或多个实施例的示范性真空孔图400的简化图。在此实例中，真空孔图400包含真空环图案中的一或多个真空孔402。一或多个真空孔402可经配置以提供临限量的真空力以将样本固持在适当位置中。真空孔图400可进一步包含一或多个真空槽404。尽管未展示，真空孔图400可替代地/额外地包含经配置以提供热流热(thermal heat)的一或多个热环，所述一或多个热环经配置以将样本固持在适当位置中。本文中应注意，真空卡盘可由此项技术中已知的任何材料形成或镀覆有此项技术中已知的任何材料，包含但不限于不锈钢、镍、铝、金或类似者。此外，本文中应注意，真空卡盘可为此项技术中已知的适于至少将样本的一部分(例如，部分样本、整个样本或类似者)固持在适当位置中的任何大小。

[0042] 在步骤304中，基于真空卡盘的经生成真空孔图生成跨样本的真空力分布。在另一实施例中，使用有限元素分析(FEA)来生成跨样本的真空力分布。例如，FEA可经配置以使用有限元素法(FEM)来模拟真空卡盘的实际真空力。本文中应注意，适于求解偏微分方程的各种科学计算算法可经实施以模拟真空力分布，例如但不限于严格耦合波分析(RCWA)、FEM、有限差分时域(FDTD)、边界元素法、无网格CAD模拟或类似者，以解决由麦克斯韦(Maxwell)方程诱发的电磁(EM)问题，从而模拟给定几何模型的合成信号。

[0043] 本文中应注意，使用FEA生成的真空力分布可包含此项技术中已知的适于将样本固持在适当位置中的任何真空力。此外，本文中应注意，可基于背侧粗糙度与卡盘的真空力之间的经识别关系调整真空力分布。

[0044] 在步骤306中，使用真空力分布及背侧表面粗糙度与真空卡盘的真空力之间的经识别关系来生成样本的形状数据。

[0045] 在一个实施例中，通过f(haze)＝F(vacuum)×e‑haze(等式1)展示背侧表面粗糙度与真空卡盘的真空力之间的经识别关系，其中实际真空力(f(haze))由卡盘的初始力(F‑haze(vacuum))及雾度的指数系数(e )确定。一旦使用等式1识别实际真空力(f(haze))，便可使用实际真空力生成形状数据，此在本文中更详细论述。

[0046] 在另一实施例中，特性化子系统(例如，图1A到1B中所展示的特性化子系统102)检测样本120上的雾度且将雾度数据发送到系统100的控制器104。例如，来自一或多个样本120的经检测雾度可用于确定背侧表面粗糙度与卡盘的真空力之间的经识别关系(例如，等式1)。通过另一实例，一或多个传感器可用于确定背侧表面粗糙度与卡盘的真空力之间的经识别关系(例如，等式1)。例如，一或多个PMT传感器可经配置以测量样本120上的雾度。就此来说，一或多个PMT传感器可经配置以收集来自样本120的表面散射信号。通过另一实例，原子力显微镜(AFM)可经配置以生成一或多个表面粗糙度测量(例如，检测雾度)。

[0047] 例如，经生成真空力分布及背侧表面粗糙度与真空卡盘的真空力之间的经识别关系可用于经配置以生成样本的形状数据的建模计算程序中。本文中应注意，各种建模计算程序可经实施以生成样本的形状数据，例如但不限于FEA、RCWA、FEM、FDTD、边界元素法、无网格CAD模拟或类似者。

[0048] 在任选步骤中，尽管未展示，但建模计算程序可进一步经配置以使用真空力分布、一或多个目标特性(例如，形状、大小或类似者)、基本形状公式、元素关系、背侧表面粗糙度与真空力之间的经识别关系(例如，等式1)或类似者中的至少一者来生成形状数据。基本形状公式可由 (等式2)给出，其中E为杨氏模量(Young’s module)，F为真空力，L为有限元素，S为横截面积，且ΔL为有限元素的长度在真空力下的变化。建模计算程序(例如，FEA)可利用等式2来确定样本120在给定真空力下的形状。

[0049] 图5说明根据本公开的一或多个实施例的基于真空力分布生成的形状数据500。在此实例中，形状数据500可包含表面高度数据、表面厚度数据及类似者。

[0050] 在步骤308中，可将样本的形状数据转换为样本的前侧表面的覆盖值。例如，一或多个模型可经配置以将形状数据转换为样本的前侧表面的覆盖值。例如，KLA公司的GEN4模型及KLA公司的5D分析器可用于将形状数据转换为样本的前侧表面的覆盖值。

[0051] 在步骤310中，可基于前侧覆盖选择性地调整一或多个工艺工具。在实施例中，控制器104可经配置以基于前侧覆盖值选择性地调整一或多个工艺工具。例如，系统100可进一步包含一或多个工艺工具。工艺工具可包含此项技术中已知的任何工艺工具，包含但不限于光刻工具、蚀刻工具、沉积工具及类似者。在此实例中，控制器104可经配置以生成一或多个控制信号，所述一或多个控制信号经配置以基于前侧覆盖选择性地调整一或多个工艺工具的一或多个特性。就此来说，控制器104可经配置以起始前馈及/或反馈控制回路以选择性地调整半导体装置制造工艺的各个步骤。

[0052] 所属领域的技术人员将认知，本文中所描述的组件(例如，操作)、装置、对象及所附于其的论述为概念清晰起见而被用作实例，且考虑各种配置修改。因此，如本文中所使用，所阐述的特定范例及所附论述旨在表示其更一般类别。一般来说，任何特定范例的使用旨在表示其类别，且特定组件(例如，操作)、装置及对象的非包含性不应被视为限制性。

[0053] 所属领域的技术人员将了解，存在可通过其实现本文中所述的过程及/或系统及/或其它技术的各种载具(例如，硬件、软件及/或固件)，且优选载具将随着其中部署过程及/或系统及/或其它技术的内容背景而变化。例如，如果实施者确定速度及准确度为非常重要的，那么所述实施者可选择主要硬件及/或固件载具；替代地，如果灵活性为非常重要的，那么所述实施者可选择主要软件实施方案；或又替代地，实施者可选择硬件、软件及/或固件的某一组合。因此，存在可通过其实现本文中描述的过程及/或装置及/或其它技术的数种可能载具，任何所述载具皆非固有地优于其它载具，因为待利用的任何载具为取决于将部署所述载具的内容背景及实施者的特定关注(例如，速度、灵活性或可预测性)的选择，所述内容背景及所述特定关注的任一者可能变化。

[0054] 呈现先前描述以使所属领域的一般技术人员能够制作及使用如在一特定应用及其要求的内容背景中提供的本发明。如本文中所使用，例如“顶部”、“底部”、“上方”、“下方”、“上”、“朝上”、“下”、“向下”及“朝下”的方向术语旨在出于描述的目的而提供相对位置，且并不旨在指定绝对参考框架。所属领域的技术人员将了解对所描述的实施例的各种修改，且本文中定义的一般原理可应用到其它实施例。因此，本发明并不旨在限于所展示及描述的特定实施例，而是应符合与本文中揭示的原理及新颖特征一致的最广范围。

[0055] 关于本文中的实质上任何复数及/或单数术语的使用，所属领域的技术人员可在适合于上下文及/或应用的情况下从复数转变为单数及/或从单数转变为复数。为清晰起见，本文中未明确阐述各种单数/复数置换。

[0056] 本文中描述的所有方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储在存储器中。结果可包含本文中描述的结果的任一者且可以此项技术中已知的任何方式存储。存储器可包含本文中描述的任何存储器或此项技术中已知的任何其它适合存储媒体。在已存储结果之后，结果可在存储器中存取且通过本文中描述的方法或系统实施例的任一者使用，经格式化用于显示给用户，通过另一软件模块、方法或系统使用，及类似者。此外，结果可“永久地”、“半永久地”、“暂时地”存储或存储一段时间。例如，存储器可为随机存取存储器(RAM)，且结果可不一定无限期地保存在存储器中。

[0057] 进一步预期上文描述的方法的实施例中的每一者可包含本文中描述的任何(若干)其它方法的任何(若干)其它步骤。另外，上文描述的方法的实施例中的每一者可通过本文中描述的系统的任一者执行。

[0058] 本文中描述的标的物有时说明含有在其它组件内或与其它组件连接的不同组件。应理解，此类所描绘架构仅为示范性的，且事实上可实施达成相同功能性的许多其它架构。
在概念意义上，实现相同功能性的组件的任何布置经有效地“相关联”使得达成所要功能性。因此，经组合以达成特定功能性的本文中的任两个组件可被视为彼此“相关联”使得达成所要功能性，而与架构或中间组件无关。同样地，如此相关联的任两个组件也可被视为彼此“连接”或“耦合”以实现所要功能性，且能够如此相关联的任两个组件还可被视为“可耦合”到彼此以达成所要功能性。可耦合的特定实例包含但不限于可物理配接及/或物理相互作用的组件，及/或可无线相互作用及/或无线相互作用的组件，及/或逻辑相互作用及/或可逻辑相互作用的组件。

[0059] 此外，应理解，通过所附权利要求书定义本发明。所属领域的技术人员将理解，一般来说，在本文中使用且尤其在所附权利要求书(例如所附权利要求书的主体)中使用的术语一般旨在为“开放性”术语(例如，术语“包含”应被解释为“包含但不限于”，术语“具有”应被解释为“至少具有”，术语“包含”应被解释为“包含但不限于”，及类似者)。所属领域的技术人员进一步将理解，如果预期特定数目个引入权利要求叙述，那么此希望将明确叙述在权利要求中，且在不存在此叙述的情况下，不存在此希望。例如，为帮助理解，下文所附权利要求书可含义引入性词组“至少一个”及“一或多个”的使用以引入权利要求叙述。然而，此类词组的使用不应被视为暗示通过不定冠词“一”或“一个”引入权利要求叙述将含有此引入权利要求叙述的任何特定权利要求限于仅含有一个此叙述的发明，即使相同权利要求包含引入性词组“一或多个”或“至少一个”及例如“一”或“一个”的不定冠词(例如，“一”及/或“一个”通常应被解释为表示“至少一个”或“一或多个”)；对于用于引入权利要求叙述的定冠词的使用，也为此情况。另外，即使明确叙述引入的权利要求叙述的特定数目，所属领域的技术人员还将认知，此叙述通常应被解释为指至少所叙述数目(例如，不具有其它修饰语的“两个叙述”的裸叙述通常表示至少两个叙述或两个或更多个叙述)。此外，在其中使用类似于“A、B及C中的至少一者，及类似者”的惯例的例子中，一般来说在所属领域的技术人员将理解所述惯例(例如，“具有A、B及C中的至少一者的系统”将包含但不限于具有仅A、仅B、仅C、A及B一起、A及C一起、B及C一起及/或A、B及C一起，及类似者的系统)的意义上预期此构造。在其中使用与“A、B或C中的至少一者，及类似者”类似的惯例的例子中，一般来说在所属领域的技术人员将理解所述惯例(例如，“具有A、B或C中的至少一者的系统”将包含但不限于具有仅A、仅B、仅C、A及B一起、A及C一起、B及C一起及/或A、B及C一起，及类似者的系统)的意义上预期此构造。所属领域的技术人员进一步将理解，事实上呈现两个或更多个替代术语的转折性字词及/或词组(不管在描述、权利要求书或图式中)应被理解为预期包含术语中的一者、术语中的任一者或两个术语的可能性。例如，词组“A或B”将被理解为包含“A”或“B”或“A及B”的可能性。

[0060] 据信，通过前述描述，将理解本公开及其许多伴随优点，且将明白，在不脱离所揭示标的物或不牺牲所有其材料优势的情况下，可对组件的形式、构造及布置做出各种改变。所描述的形式仅为说明性的，且所附权利要求书旨在涵盖及包含此类改变。此外，应理解，通过所附权利要求书定义本发明。