一种RC振荡器及电子设备转让专利
申请号 : CN202111410823.8
文献号 : CN113852353B
文献日 : 2022-02-15
发明人 : 任小娇 , 郭嘉帅
申请人 : 深圳飞骧科技股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种RC振荡器,其特征在于,包括RC充放电电路、开关电容积分器、比较器以及触发器;
所述RC充放电电路包括两条充放电支路,每条所述充放电支路包括充放电电容和用于根据所述触发器输出的控制信号控制所述充放电电容交替充放电的控制电路,其中当一条所述充放电支路的充放电电容处于充电状态时,另一条所述充放电支路的充放电电容处于放电状态;
所述开关电容积分器包括分别与所述两条充放电支路连接的两条采样电路以及与所述两条采样电路连接的积分电路,所述两条采样电路分别用于根据所述触发器输出的控制信号对两个所述充放电电容的充电电压进行采样,以得到采样电压,所述积分电路用于对所述采样电压进行积分以输出目标电压;
所述比较器的同向输入端与所述两条充放电支路的输出端连接,用于接收充电状态的所述充放电支路输出的待检测电压,所述比较器的反向输入端与所述积分电路的输出端连接,用于接收所述目标电压,所述比较器对所述目标电压和所述待检测电压进行比较,并根据比较结果输出脉冲信号,所述触发器用于根据所述脉冲信号输出所述控制信号;
所述两条充放电支路分别为第一充放电支路和第二充放电支路,所述控制信号包括第一信号和第二信号,其中所述第一信号和第二信号中的一个为高电平时另一个为低电平;
每条所述充放电支路的控制电路包括PMOS管P1、电阻R1、第一NMOS管N1以及第二NMOS管N2,所述PMOS管P1的源极连接电压源Vcc,所述PMOS管P1的漏极与所述电阻R1的一端连接,所述电阻R1的另一端与所述第一NMOS管N1的漏极、所述第二NMOS管N2的源极以及所述充放电电容的第一端连接,所述第一NMOS管N1的源极接地,所述充放电电容的第二端接地,所述第二NMOS管N2的漏极作为所述充放电支路的输出端,用于输出待检测电压,其中两条所述充放电支路中的所述第二NMOS管N2的漏极连接在一起;
其中,第一充放电支路的控制电路中的PMOS管P1的栅极和第一NMOS管N1的栅极连接所述第一信号,所述第二NMOS管N2的栅极连接所述第二信号;第二充放电支路的控制电路中的PMOS管P1的栅极和第一NMOS管N1的栅极连接所述第二信号,第二NMOS管N2的栅极连接所述第一信号;
两条采样电路分别为与所述第一充放电支路对应连接的第一采样电路和与所述第二充放电支路对应连接的第二采样电路;
每条所述采样电路包括第三NMOS管N3、第四NMOS管N4和采样电容Cs,所述第三NMOS管N3的漏极与对应的充放电支路的充放电电容的第一端连接,所述第三NMOS管N3的源极与所述第四NMOS管N4的漏极、所述采样电容Cs的第一端连接,所述采样电容Cs的第二端接地,所述第四NMOS管N4的源极为所述采样电路的输出端,用于输出所述采样电压,其中两条所述采样电路的第四NMOS管N4的源极连接在一起;
其中,所述第一采样电路的所述第三NMOS管N3的栅极和所述第四NMOS管N4的栅极分别连接所述第二信号和所述第一信号,所述第二采样电路的所述第三NMOS管N3的栅极和所述第四NMOS管N4的栅极分别连接所述第一信号和所述第二信号。
2.根据权利要求1所述的RC振荡器,其特征在于,所述积分电路包括运算放大器OP和积分电容Cint;
所述运算放大器OP的反向输入端与所述两条采样电路的第四NMOS管N4的源极连接,所述运算放大器OP的同向输入端用于输入基准电压Vset,所述运算放大器OP的输出端为所述积分电路的输出端,与所述比较器的反向输入端连接,所述积分电容Cint的第一端与所述运算放大器OP的反向输入端连接,所述积分电容Cint的第二端与所述运算放大器OP的输出端连接。
3.根据权利要求2所述的RC振荡器,其特征在于,还包括振荡恢复电路,所述振荡恢复电路包括防抖动电路、第五NMOS管N5以及第六NMOS管N6;
其中所述防抖动电路的输入端与所述比较器的输出端连接,所述防抖动电路的输出端与所述第五NMOS管N5、第六NMOS管N6的栅极连接,所述第五NMOS管N5的源极接地,所述第五NMOS管N5的漏极连接所述比较器的同向输入端,所述第六NMOS管N6的源极连接所述运算放大器OP的输出端,所述第六NMOS管N6的漏极连接所述运算放大器OP的反向输入端,所述防抖动电路用于在所述比较器输出的脉冲信号的宽度大于预设时间时,输出高电平的WAKE信号,以控制所述第五NMOS管N5和第六NMOS管N6导通。
4.根据权利要求3所述的RC振荡器,其特征在于,所述防抖动电路包括第一非门INV1、第二非门INV2、第三非门INV3、第一延时电路、第二延时电路、第一或非门NOR1、第二或非门NOR2、第三或非门NOR3以及第四或非门NOR4;
所述第一非门INV1的输入端为所述防抖动电路的输入端,与所述比较器的输出端连接,所述第一非门INV1的输出端与所述第二非门INV2的输入端、所述第二延时电路的输入端连接,所述第二非门INV2的输出端与所述第一延时电路的输入端连接,所述第一延时电路的输出端与所述第一或非门NOR1的第一输入端连接,所述第一或非门NOR1的第二输入端与所述第二或非门NOR2的输出端、第四或非门NOR4的第二输入端连接,所述第一或非门NOR1的输出端与所述第二或非门NOR2的第一输入端、所述第三或非门NOR3的第一输入端连接,所述第二延时电路的输出端与所述第二或非门NOR2的第二输入端连接,所述第三或非门NOR3的第二输入端与所述第四或非门NOR4的输出端、所述第三非门INV3的输入端连接,所述第三或非门NOR3的输出端与所述第四或非门NOR4的第一输入端连接,所述第三非门INV3的输出端为所述防抖动电路的输出端,与所述第五NMOS管N5、第六NMOS管N6的栅极连接。
5.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1‑4任一项所述的RC振荡器。
说明书 :
一种RC振荡器及电子设备
技术领域
背景技术
容各自的充电时间和总充电时间决定了振荡信号的占空比和时钟周期。然而,实际上,时钟
周期除了与充放电通路上的电阻电容随制程、电压和温度的变异相关外,还与控制充放电
的控制信号产生时间相关,比如比较器的延时和输入失调电压、触发器响应时间等非理想
因素相关,尤其现有的RC振荡器中,通常会采用双比较器结构来对两个电容的充电电压进
行处理,然而由于双比较器的输入失调电压不同,容易导致时钟周期的变异随着制程、电压
和温度的变异而加剧。
发明内容
一条所述充放电支路的充放电电容处于充电状态时,另一条所述充放电支路的充放电电容
处于放电状态;
控制信号对两个所述充放电电容的充电电压进行采样,以得到采样电压,所述积分电路用
于对所述采样电压进行积分以输出目标电压;
端连接,用于接收所述目标电压,所述比较器对所述目标电压和所述待检测电压进行比较,
并根据比较结果输出脉冲信号,所述触发器用于根据所述脉冲信号输出所述控制信号。
另一个为低电平;
连接,所述电阻R1的另一端与所述第一NMOS管N1的漏极、所述第二NMOS管N2的源极以及所
述充放电电容的第一端连接,所述第一NMOS管N1的源极接地,所述充放电电容的第二端接
地,所述第二NMOS管N2的漏极作为所述充放电支路的输出端,用于输出待检测电压,其中两
条所述充放电支路中的所述第二NMOS管N2的漏极连接在一起;
路中的PMOS管P1的栅极和第一NMOS管N1的栅极连接所述第二信号,第二NMOS管N2的栅极连
接所述第一信号。
极与所述第四NMOS管N4的漏极、所述采样电容Cs的第一端连接,所述采样电容Cs的第二端
接地,所述第四NMOS管N4的源极为所述采样电路的输出端,用于输出所述采样电压,其中两
条所述采样电路的第四NMOS管N4的源极连接在一起;
所述第四NMOS管N4的栅极分别连接所述第一信号和所述第二信号。
为所述积分电路的输出端,与所述比较器的反向输入端连接,所述积分电容Cint的第一端
与所述运算放大器OP的反向输入端连接,所述积分电容Cint的第二端与所述运算放大器OP
的输出端连接。
第五NMOS管N5的漏极连接所述比较器的同向输入端,所述第五NMOS管N5的源极接地,所述
第六NMOS管N6的源极连接所述运算放大器OP的输出端,所述第六NMOS管N6的漏极连接所述
运算放大器OP的反向输入端,所述防抖动电路用于在所述比较器输出的脉冲信号的宽度大
于预设时间时,输出高电平的WAKE信号,以控制所述第五NMOS管N5和第六NMOS管N6导通。
四或非门NOR4;
入端连接,所述第二非门INV2的输出端与所述第一延时电路的输入端连接,所述第一延时
电路的输出端与所述第一或非门NOR1的第一输入端连接,所述第一或非门NOR1的第二输入
端与所述第二或非门NOR2的输出端、第四或非门NOR4的第二输入端连接,所述第一或非门
NOR1的输出端与所述第二或非门NOR2的第一输入端、所述第三或非门NOR3的第一输入端连
接,所述第二延时电路的输出端与所述第二或非门NOR2的第二输入端连接,所述第三或非
门NOR3的第二输入端与所述第四或非门NOR4的输出端、所述第三非门INV3的输入端连接,
所述第三或非门NOR3的输出端与所述第四或非门NOR4的第一输入端连接,所述第三非门
INV3的输出端为所述防抖动电路的输出端,与所述第五NMOS管N5、第六NMOS管N6的栅极连
接。
用于根据所述触发器输出的控制信号控制所述充放电电容交替充放电的控制电路,其中当
一条所述充放电支路的充放电电容处于充电状态时,另一条所述充放电支路的充放电电容
处于放电状态;所述开关电容积分器包括分别与所述两条充放电支路连接的两条采样电路
以及与所述两条采样电路连接的积分电路,所述两条采样电路分别用于根据所述触发器输
出的控制信号对两个所述充放电电容的充电电压进行采样,以得到采样电压,所述积分电
路用于对所述采样电压进行积分以输出目标电压;所述比较器的同向输入端与所述两条充
放电支路的输出端连接,用于接收充电状态的所述充放电支路输出的待检测电压,所述比
较器的反向输入端与所述积分电路的输出端连接,用于接收所述目标电压,所述比较器对
所述目标电压和所述待检测电压进行比较,并根据比较结果输出脉冲信号,所述触发器用
于根据所述脉冲信号输出所述控制信号,由此,通过复用比较器,即两条充放电支路共用一
个比较器,从而可以避免两个比较器的输入失调电压的不同对时钟周期的影响,从而提高
RC振荡器的精度。
附图说明
具体实施方式
视为限制本发明未在此详述的其它具体实施例。
放电的控制电路,其中当一条所述充放电支路11的充放电电容Cref处于充电状态时,另一
条所述充放电支路11的充放电电容Cref处于放电状态。
发器14输出的控制信号对两个所述充放电电容Cref的充电电压进行采样,以得到采样电
压,所述积分电路122用于对所述采样电压进行积分以输出目标电压。所述比较器13的同向
输入端与所述两条充放电支路11的输出端连接,用于接收充电状态的所述充放电支路11输
出的待检测电压Vc,所述比较器13的反向输入端与所述积分电路122的输出端连接,用于接
收所述目标电压Vth,所述比较器13对所述目标电压Vth和所述待检测电压Vc进行比较,并
根据比较结果输出脉冲信号Vcmpo,所述触发器14用于根据所述脉冲信号Vcmpo输出所述控
制信号。
的影响,从而提高RC振荡器的精度。
另一个为低电平。如图1所示,第一充放电支路为图中的上半部分的充放电支路11,第二充
放电支路为图中的下半部分的充放电支路11。
trig输入端连接,QB输出端与D输入端连接,用于将QB输出端输出的第二信号反馈回D输入
端。
端连接,所述电阻R1的另一端与所述第一NMOS管N1的漏极、所述第二NMOS管N2的源极以及
所述充放电电容Cref的第一端连接,所述第一NMOS管N1的源极接地,所述充放电电容Cref
的第二端接地,所述第二NMOS管N2的漏极作为所述充放电支路11的输出端,用于输出待检
测电压Vc。其中两条所述充放电支路11中的所述第二NMOS管N2的漏极连接在一起。
信号,即与触发器14的QB输出端连接;第二充放电支路的控制电路中的PMOS管P1的栅极和
第一NMOS管N1的栅极连接所述第二信号QB,即与触发器14的QB输出端连接,第二NMOS管N2
的栅极连接所述第一信号Q,即与触发器14的Q输出端连接。
N3的源极与所述第四NMOS管N4的漏极、所述采样电容Cs的第一端连接,所述采样电容Cs的
第二端接地,所述第四NMOS管N4的源极为所述采样电路121的输出端,用于输出所述采样电
压Vse。其中两条所述采样电路121的第四NMOS管N4的源极连接在一起。
极和所述第四NMOS管N4的栅极分别连接所述第一信号Q和所述第二信号QB。
用于输入基准电压Vset,所述运算放大器OP的输出端为所述积分电路122的输出端,用于输
出目标电压Vth,并与所述比较器13的反向输入端连接,所述积分电容Cint的第一端与所述
运算放大器OP的反向输入端连接,所述积分电容Cint的第二端与所述运算放大器OP的输出
端连接。
分工作,而下半部分的采样电路121则进行采样工作。其中,图2所示的VC1电压表示的是下
半部分的充放电支路11的充放电电容Cref的第一端处的电压,VC2电压表示的下半部分的
充放电支路11的充放电电容Cref的第一端处的电压。
放电支路11中的PMOS管P1和第二NMOS管N2为导通状态,第一NMOS管N1为断开状态;以及,上
半部分的采样电路121中的第三NMOS管N3为断开状态,第四NMOS管N4为导通状态,下半部分
的采样电路121的第三NMOS管N3为导通状态,第四NMOS管N4为断开状态。此时,上半部分的
充放电支路11中的充放电电容Cref处于放电状态,其通过第一NMOS管N1将电荷释放到地;
而下半部分的充放电支路11的充放电电容Cref处于充电状态,即下半部分充放电支路11的
电压源Vcc通过导通的PMOS管P1,并流经电阻R1对充放电电容Cref进行充电,下半部分的充
放电支路11通过导通的第二NMOS管N2输出待检测电压Vc。而积分电路122通过上半部分采
样电路121中的导通的第四NMOS管N4对上半部分的采样电容Cs上的采样电荷进行积分,并
调节输出的目标电压Vth,即RC充放电电路的充电目标电压;下半部分的采样电路121的采
样电容Cs,通过导通的第三NMOS管N3和第二NMOS管N2,对下半部分正在充电的充放电支路
11输出的待检测电压Vc进行采样。
半部分的采样电路121则进行采样工作。
放电支路11中的PMOS管P1和第二NMOS管N2为断开状态,第一NMOS管N1为导通状态;以及,上
半部分的采样电路121中的第三NMOS管N3为导通状态,第四NMOS管N4为断开状态,下半部分
的采样电路121的第三NMOS管N3为断开状态,第四NMOS管N4为导通状态。此时,上半部分的
充放电支路11中的充放电电容Cref处于充电状态,即上半部分充放电支路11的电压源Vcc
通过导通的PMOS管P1,并流经电阻R1对充放电电容Cref进行充电,上半部分的充放电支路
11通过导通的第二NMOS管N2输出待检测电压Vc;而下半部分的充放电支路11的充放电电容
Cref处于放电状态,其通过第一NMOS管N1将电荷释放到地。而积分电路122通过下半部分采
样电路121中的导通的第四NMOS管N4对下半部分的采样电容Cs上的采样电荷进行积分,并
调节输出的目标电压Vth,即RC充放电电路的充电目标电压;上半部分的采样电路121的采
样电容Cs,通过导通的第三NMOS管N3和第二NMOS管N2,对上半部分正在充电的充放电支路
11输出的待检测电压Vc进行采样。
容Cref在充电状态时,另一条充放电支路11的充放电电容Cref处于放电状态。通过两个第
二NMOS管N2分时对处于充电状态的充放电支路11进行输出,将输出的待检测电压Vc输入至
比较器13中,从而通过比较器13检测任一条充放电支路11的充电状态。因此复用一个比较
器13即可实现对两条充放电支路11的待检测电压Vc的检测。并且,两个采样电路121分时复
用同一个运算放大器OP,在所述RC充放电电路的充放电电容Cref放电时进行积分工作,与
采用两个运算放大器OP的方案相比,可以消除由于两个运算放大器OP不同的输入失调电压
导致的积分输出目标电压Vth不一致进而导致的RC振荡器频率变异和占空比变异问题。
低电平的脉冲信号Vcmop。触发器14为上升沿有效,高电平的脉冲信号Vcmop作为触发器14
的触发信号,使得触发器14的Q输出端和QB输出端发生翻转,即若触发器14当前的Q输出端
输出的第一信号为高电平、QB输出端输出的第二信号QB为低电平时,则当触发器14接收到
高电平的脉冲信号Vcmop时,则Q输出端输出的第一信号变为低电平,QB输出端输出的第二
信号QB变为高电平。当触发器14完成翻转后,脉冲信号Vcmop变为低电平状态,Q输出端和QB
输出端输出的信号保持为翻转后的信号。由此,通过触发器14的Q输出端和QB输出端输出的
信号,可以对两条充放电支路11的充放电状态进行切换,以及对两条采样电路121的采样积
分状态进行切换。
含比较器的输入失调电压)以及触发器的响应时间的总和。
不同而分别进行积分调节。若不复用比较器,而是采用两个比较器分别对RC充放电电路的
上下两条充放电支路输出的待检测电压Vc进行检测,那么由于两个比较器的输入失配电压
不同,会导致目标电压Vth在两个半周期得到不同的积分结果,即所述目标电压Vth反复在
两个稳定值之间振荡,从而导致目标电压Vth在两个半时钟周期不一致,从而导致输出时钟
的占空比必然有大有小,难以到达50%,此外,第二,目标电压Vth若一直在两个稳定值之间
反复振荡,则对积分电路的建立时间要求较高,即半周期内必须稳定,当实现高频时钟时,
比如48MHz时钟频率情况下,积分电路必须在半周期即10.4ns内重新建立,增加了积分电路
的设计难度,并且建立的状况依赖于制程、电压和温度,从而导致占空比和时钟周期随着制
程、电压和温度的变异加剧。因此,本发明实施例通过复用一个比较器13,可以避免采用两
个比较器所造成的问题,避免两个比较器对时钟周期的影响,提高RC振荡器的精度。
管N6的栅极连接,所述第五NMOS管N5的源极接地,所述第五NMOS管N5的漏极连接所述比较
器的同向输入端,所述第五NMOS管N5的源极接地,所述第六NMOS管N6的源极连接所述运算
放大器OP的输出端,所述第六NMOS管N6的漏极连接所述运算放大器OP的反向输入端。所述
防抖动电路15用于在所述比较器13输出的脉冲信号Vcmop的宽度大于预设时间时,输出高
电平的WAKE信号,以控制所述第五NMOS管N5和第六NMOS管N6导通。
电容Cref的放电时间以及所述比较器13的响应时间的总和,此时脉冲信号Vcmop的脉冲宽
度小于或等于防抖动电路15可通过的脉冲时间td,此时防抖动电路15输出低电平的WAKE信
号。当RC振荡器停止振荡后,脉冲信号Vcmop会一直保持高电平,此时待检测电压Vc也可能
保持高电平,当脉冲信号Vcmop的脉冲宽度大于防抖动电路15可通过的脉冲时间td(即预设
时间),则防抖动电路15输出高电平的WAKE信号,将待检测电压Vc下拉地(低于目标电压
Vth),同时运算放大器OP的输出端和反向输入端通过导通的第六NMOS管N6相连,重新建立
直流工作点,使得积分电路重新建立,从而使得RC振荡器重新振荡。
的脉冲宽度大于脉冲时间td时,防抖动电路15才输出脉冲信号,其输出的脉冲信号为Vcmop
,即当脉冲信号Vcmop的脉冲宽度大于脉冲时间td时,脉冲信号Vcmop可以通过防抖动电路
15。
第四或非门NOR4。
门INV1的输出端与所述第二非门INV2的输入端、所述第二延时电路152的输入端连接,所述
第二非门INV2的输出端与所述第一延时电路151的输入端连接,所述第一延时电路151的输
出端与所述第一或非门NOR1的第一输入端连接,所述第一或非门NOR1的第二输入端与所述
第二或非门NOR2的输出端、第四或非门NOR4的第二输入端连接,所述第一或非门NOR1的输
出端与所述第二或非门NOR2的第一输入端、所述第三或非门NOR3的第一输入端连接,所述
第二延时电路152的输出端与所述第二或非门NOR2的第二输入端连接,所述第三或非门
NOR3的第二输入端与所述第四或非门NOR4的输出端、所述第三非门INV3的输入端连接,所
述第三或非门NOR3的输出端与所述第四或非门NOR4的第一输入端连接,所述第三非门INV3
的输出端为所述防抖动电路15的输出端,与所述第五NMOS管N5、第六NMOS管N6的栅极连接。
延时。假设有一上升沿信号在t=0时刻输入延时电路,那么此上升沿信号会在t=td时刻才从
延时电路输出,td时刻之前延时电路输出不变。
时间后传输到DA节点,从而将FB节点置为0。输入信号经过第一非门INV1后变为低电平,低
电平会通过第二延时电路152,迅速到达DB节点,等FB节点为低电平后将FA节点置为高电
平,从而将FC节点拉低,使OUT输出高电平,实现上升沿的输出。从IN输入上升沿到OUT输出
上升沿延时约为td。
延时td,下降沿传递迅速,因而脉冲宽度小于td时间的脉冲,不能使后级电路DA发生从低电
平到高电平的转换,因而被滤掉。
明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理
解为对本发明的限制。