一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件

摘要

本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。

权利要求

1.一种铜铟硒纳米薄膜制备方法，其特征在于，包括：使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体；

将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加入第一有机溶液中得到第一溶液，且所述第一溶液位于含有惰性气体的环境；

在所述第一溶液中加入二苯基膦溶液，并在含有所述惰性气体的环境下充分反应得到第二溶液；

从所述第二溶液中分离铜铟硒纳米晶体；

将铜铟硒纳米晶体加入第二有机溶液中，配置预设浓度的分散液包括：在第一预设时间内将所述分散液在室温下利用超声分散均匀得到第三前驱体溶液；

对所述第三前驱体溶液过滤，并将过滤后的所述第三前驱体溶液滴在基板上，在第二预设时间内以预设转速旋转所述基板，自然干燥得到第一纳米薄膜；

将所述第一纳米薄膜浸入含有铟盐的丙酮溶液中进行表面钝化，以得到铜铟硒纳米薄膜。

2.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法，其特征在于：所述二烷基二硫代氨基甲酸盐为二甲基二硫代氨基甲酸盐或，二乙基二硫代氨基甲酸盐或二丙基二硫代氨基甲酸盐。

3.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体的步骤包括：使得二乙基二硫代氨基甲钠酸溶解于异丙醇溶液，并将溶解有所述二乙基二硫代氨基甲钠酸的异丙醇溶液同时加入到氯化亚铜溶液与氯化铟溶液中，以分别制备得到二乙基二硫代氨基甲酸亚铜与二乙基二硫代氨基甲酸铟。

4.根据权利要求3所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法，其特征在于：所述二乙基二硫代氨基甲钠酸、所述氯化亚铜及所述氯化铟的物质的量比为6：3：2；

所述二乙基二硫代氨基甲酸亚铜、所述二乙基二硫代氨基甲酸铟、及所述硒粉的物质的量比为1：1：2。

5.根据权利要求1所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法，其特征在于，所述将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加第一有机溶液中得到第一溶液，且所述第一溶液位于含有惰性气体的环境的步骤包括：将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加入油胺溶液得到所述第一溶液，并通入氨气，并在预设时间内，对所述第一溶液进行抽真空、加热至第一预设温度，以除去水分及空气。

6.一种铜铟硒纳米薄膜，其特征在于，由权利要求1‑5任一项所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法制备得到。

7.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求6所述的铜铟硒纳米薄膜。

说明书

一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件。

背景技术

[0002] 纳米材料是指三维空间尺度至少有一维处于纳米量级(1‑100nm)的材料，它是由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。由于其组成单元的尺度小，界面占用相当大的成分。当粒子的尺寸减小到纳米量级，将导致声、光、电、磁、热性能呈现新的特性。因此，纳米半导体材料在各类光电器件方面的应用受到了研究人员的广泛关注，由于其独特的晶体结构和能带特征，更是有希望成为下一代最有潜力的纳米电子器件或光电器件。

[0003] 与二元II‑VI或IV‑VI半导体材料相比，由I‑III‑VI族元素组成的半导体纳米材料(如CuInS2、AgInS2、CuGaS2和CuInSe2)其理化性质多样，且材料不含有毒重金属元素，因此备受关注。其中，铜铟硒(CuInSe2)是其中最有应用前途的I‑III‑VI族半导体纳米材料之一。但铜铟硒纳米材料晶体结构与组成比例复杂多变，并且具有多种氧化态，因此在制备过程中极易生成非所需元素比例或晶体结构的副产物，并且在利用上述铜铟硒进行胶体合成过程中，由于铜铟硒纳米晶体通常被长碳链配体覆盖，会导致过长的粒子间距，进而会引起由铜铟硒纳米晶体制备的铜铟硒纳米薄膜的表面产生缺陷状态，从而降低由其制备得到的电子器件的性能。

发明内容

[0004] 本发明的目的包括，例如，提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法，其能够通过对利用二烷基二硫代氨基甲酸盐作为前驱体制备的原料，制备出含有铜元素或铟元素的前驱体，并利用上述前驱体及铟粉在惰性气体的环境下得到的铜铟硒纳米晶体，抑制副产物的生产，并由于前驱体本身含有硫元素，因此在上述前驱体的作用能够使得铜铟硒的富金属元素的表面转化为金属硫化物配体富，能够有效的铜铟硒的有机长链配体，减少粒子之间的间距，进而使得得到的铜铟硒通过硫化物键合产生独特的无机连接的纳米薄膜，避免铜铟硒纳米薄膜的表面产生缺陷状态，进而能够提高有其制备的电子器件的性能。

[0005] 本发明的实施例可以这样实现：

[0006] 第一方面，本发明提供一种铜铟硒纳米晶体的制备方法，包括使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体,再将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加入第一有机溶液中得到第一溶液，且所述第一溶液位于含有惰性气体的环境,在所述第一溶液中加入二苯基膦溶液，并在含有所述惰性气体的环境下充分反应得到第二溶液,从所述第二溶液中分离铜铟硒纳米晶体。

[0007] 在可选的实施方式中，所述二烷基二硫代氨基甲酸盐为二甲基二硫代氨基甲酸盐或，二乙基二硫代氨基甲酸盐或二丙基二硫代氨基甲酸盐。

[0008] 在可选的实施方式中，所述使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体的步骤包括：

[0009] 使得二乙基二硫代氨基甲钠酸溶解于异丙醇溶液，并将溶解有所述二乙基二硫代氨基甲钠酸的异丙醇溶液同时加入到氯化亚铜溶液与氯化铟溶液中，以分别制备得到二乙基二硫代氨基甲酸亚铜与二乙基二硫代氨基甲酸铟。

[0010] 在可选的实施方式中，所述二乙基二硫代氨基甲钠酸、所述氯化亚铜及所述氯化铟的物质的量比为6：3：2；

[0011] 所述二乙基二硫代氨基甲酸亚铜、所述二乙基二硫代氨基甲酸铟、及所述硒粉的物质的量比为1：1：2。

[0012] 在可选的实施方式中，所述将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加第一有机溶液中得到第一溶液，且所述第一溶液位于含有惰性气体的环境的步骤包括：

[0013] 将所述第一前驱体、所述第二前驱体与硒粉加入油胺溶液得到所述第一溶液，并通入氨气，并在预设时间内，对所述第一溶液进行抽真空、加热至第一预设温度，以除去水分及空气。

[0014] 第二方面，本发明提供一种铜铟硒纳米晶体，由前述实施方式任一项所述的铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成。

[0015] 第三方面，本发明提供一种铜铟硒纳米薄膜制备方法，基于前述实施方式所述的铜铟硒纳米晶体，包括：

[0016] 将铜铟硒纳米晶体加入第二有机溶液中，配置预设浓度的分散液包括：

[0017] 在第一预设时间内将所述分散液在室温下利用超声分散均匀得到第三前驱体溶液；

[0018] 对所述第三前驱体溶液过滤，并将过滤后的所述第三前驱体溶液滴在基板上，在第二预设时间内以预设转速旋转所述基板，自然干燥得到第一纳米薄膜。

[0019] 在可选的实施方式中，将所述第一纳米薄膜浸入含有铟盐的丙酮溶液中进行表面钝化，以得到铜铟硒纳米薄膜。

[0020] 第四方面，本发明提供一种铜铟硒纳米薄膜，由前述实施方式任一项所述的铜铟硒纳米薄膜制备方法制备得到。

[0021] 第五方面，本发明提供一种电子器件，包括前述实施方式所述的铜铟硒纳米薄膜。

[0022] 本发明实施例的有益效果包括，例如：本发明提供的一种铜铟硒纳米晶体的制备方法包括使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应以制备得到第一前驱体及第二前驱体；将第一前驱体、第二前驱体与硒粉加入第一有机溶液中得到第一溶液，且第一溶液位于含有惰性气体的环境；在第一溶液中加入二苯基膦溶液，并在含有惰性气体的环境下充分反应得到第二溶液，述第二溶液中分离铜铟硒纳米晶体。通过上述铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成的铜铟硒纳米晶体，通过第一前驱体及第二前驱体与硒粉在上述的条件下进行制备得到铜铟硒纳米晶体，由于前驱体及铟粉在惰性气体的环境下得到的铜铟硒纳米晶体，能够很好的抑制副产物的产生，并且因为由于二乙基二硫代氨基甲酸亚铜与二乙基二硫代氨基甲酸铟本所富含硫元素，因此在合成铜铟硒纳米晶体时，会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。

附图说明

[0023] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

[0024] 图1为本发明实施例提供的一种铜铟硒纳米晶体的制备方法的流程示意图；

[0025] 图2为本发明实施例提供的一种铜铟硒纳米晶体制备得出的铜铟硒纳米晶体的XRD的衍射图谱；

[0026] 图3为本发明实施例提供的一种铜铟硒纳米晶体制备得出的铜铟硒纳米晶体的TEM图。

具体实施方式

[0027] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

[0028] 因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0029] 应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

[0030] 在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0031] 此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

[0032] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。

[0033] 纳米材料是指三维空间尺度至少有一维处于纳米量级(1‑100nm)的材料，它是由尺寸介于原子、分子和宏观体系之间的纳米粒子所组成的新一代材料。由于其组成单元的尺度小，界面占用相当大的成分。当粒子的尺寸减小到纳米量级，将导致声、光、电、磁、热性能呈现新的特性。因此，纳米半导体材料在各类光电器件方面的应用受到了研究人员的广泛关注，由于其独特的晶体结构和能带特征，更是有希望成为下一代最有潜力的纳米电子器件或光电器件。

[0034] 与二元II‑VI或IV‑VI半导体材料相比，由I‑III‑VI族元素组成的半导体纳米材料(如CuInS2、AgInS2、CuGaS2和CuInSe2)其理化性质多样，且材料不含有毒重金属元素，因此备受关注。其中，铜铟硒(CuInSe2)是其中最有应用前途的I‑III‑VI族半导体纳米材料之一。但铜铟硒纳米材料晶体结构与组成比例复杂多变，并且具有多种氧化态，因此在制备过程中极易生成非所需元素比例或晶体结构的副产物，并且在利用上述铜铟硒进行胶体合成过程中，由于铜铟硒纳米晶体通常被长碳链配体覆盖，会导致过长的粒子间距，进而会引起由铜铟硒纳米晶体制备的铜铟硒纳米薄膜的表面产生缺陷状态，从而降低由其制备得到的电子器件的性能。

[0035] 针对上述问题，本发明实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法，其能够通过对利用二烷基二硫代氨基甲酸盐作为前驱体制备的原料，制备出含有铜元素或铟元素的前驱体，并利用上述前驱体及铟粉在惰性气体的环境下得到的铜铟硒纳米晶体，抑制副产物的生产，并由于前驱体本身含有硫元素，因此在上述前驱体的作用能够使得铜铟硒的富金属元素的表面转化为金属硫化物配体富，能够有效的铜铟硒的有机长链配体，减少粒子之间的间距，进而使得得到的铜铟硒通过硫化物键合产生独特的无机连接的纳米薄膜，避免铜铟硒纳米薄膜的表面产生缺陷状态，进而能够提高有其制备的电子器件的性能。

[0036] 请参考图1，本实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体的制备方法，其包括S100：制备前驱体。

[0037] 使用二烷基二硫代氨基甲酸盐分别与铜盐与铟盐反应制备得到第一前驱体及第二前驱体。

[0038] 上述的二烷基二硫代氨基甲酸盐为二甲基二硫代氨基甲酸盐或，二乙基二硫代氨基甲酸盐或二丙基二硫代氨基甲酸盐等，该烷基可以为其它的基体，当然只要该烷基的分子链较短，使得最终制得的铜铟硒纳米晶体的有机配体的链较短即可，在此不做具体限定。

[0039] 在本实施例中，上述的二烷基二硫代氨基甲酸盐为二乙基二硫代氨基甲钠酸，进而将二乙基二硫代氨基甲钠酸溶解于异丙醇溶液，再将溶解有二乙基二硫代氨基甲钠酸的异丙醇溶液同时加入到氯化亚铜溶液与氯化铟溶液中，以分别制备得到二乙基二硫代氨基甲酸亚铜与二乙基二硫代氨基甲酸铟，并且由于其制得的第一前驱体二乙基二硫代氨基甲酸亚铜及第二前驱体二乙基二硫代氨基甲酸铟本身含有硫元素，因此在合成铜铟硒纳米晶体时，会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，能够增强电子耦合并改善电传输特性。

[0040] 需要说明的是，上述铟盐并不仅限于上述的氯化铟，还可以含为其他卤素元素的铟盐，氯化铟只是为本实施例中的优选方案，可以理解的，上述铜盐也并不仅限于上述的氯化亚铜，只要能够顺利通过二乙基二硫代氨基甲钠酸制备得到相应的第一前驱体或第二前驱体即可，在此不做具体限定。

[0041] S200：混合前驱体与硒粉，发生反应

[0042] 进而再将第一前驱体、第二前驱体及硒粉加入第一有机溶液中得到第一溶液，在本实施例中，上述第一有机溶液为油胺，当然在其它实施例中，该第一有机溶液并不仅限于油胺，将第一溶液放置于带磁力搅拌器的加热包中，用热电偶控制溶液的温度，可以理解的是，在其它实施例中，第一溶液并不仅限于防止如带磁力搅拌器的加热包中，还可以通过其它方式进行搅拌，并控制第一溶液的温度，只要能够实现对其的搅拌均匀并控制第一溶液的温度即可，在此不做具体限定。

[0043] 在本实施例中，上述二乙基二硫代氨基甲钠酸、氯化亚铜及氯化铟的物质的量比为6：3：2，二乙基二硫代氨基甲酸亚铜、二乙基二硫代氨基甲酸铟、及硒粉的物质的量比为1：1：2，使得其能够得到充分反应，反应效果更佳，浪费的材料较少，当然在其它的一些实施例中，二乙基二硫代氨基甲钠酸、氯化亚铜及氯化铟的物质的量比为并不仅限于上述的6:
3:2，二乙基二硫代氨基甲酸亚铜、二乙基二硫代氨基甲酸铟、及硒粉的物质的量比并不仅限于1：1：2，只要能够顺利制备得到铜铟硒纳米晶体即可，在此不做具体限定。

[0044] 通入惰性气体保护，使得该第一溶液位于惰性气体的环境中，在本实施例中，该惰性气体为氮气，使得在制备铜铟硒纳米晶体的过程中减少其被氧化以产生含有其它元素的副产物。

[0045] 在本实施例中，上述的第一前驱体、第二前驱体及硒粉加入的有机溶液为油胺溶剂，并将第一前驱体、第二前驱体与硒粉加入油胺得到的第一溶液，通入氮气后，将该第一溶液进行抽真空、加热至第一预设温度，以除去水分和空气，在本实施例中，该第一预设温度为115℃，并保持50min，当然在其它实施例中，该温度还可以为其它温度，并不仅限于115℃，时间也可以根据实际情况进行选择，只要能够去除第一溶液中的水分和空气即可，在此不做具体限定。

[0046] 进而将去除水分和空气的第一溶液加入二苯基膦溶液，并在含有惰性气体的环境下，进而将该混合溶液加热至第二预设温度，在本实施例中，该第二预设温度为240℃，当然，该温度可以根据实际情况进行调整，以保证其充分反应，在该温度下保持一段时间，反应时间可以控制到10min‑120min，还可以并不仅限于该时间，根据反应的具体情况对反应时间做调整，以保证其能够充分反应以的得到第二溶液。

[0047] S300：分离铜铟硒纳米晶体

[0048] 请参考图2，图2为本实施例提供的一种铜铟硒纳米晶体制备得出的铜铟硒纳米晶体的XRD的衍射图谱，其中衍射图谱中的波形线表示为利用本实施例提供的一种铜铟硒纳米晶体制备得出的铜铟硒纳米晶体的XRD的衍射图谱中的各角度的强度，垂直于横坐标的竖线表示为铜铟硒粉末衍射标准联合标准块各角度的强度，可以很清楚的看出，利用本方法制备得出的铜铟硒纳米晶体的强度较强。

[0049] 最终从第二溶液中分离出铜铟硒纳米晶体，其中分离步骤包括，首先将反应结束后得到的第二溶液在自然状态下降温，并且使用一定比例的乙醇、正己烷容积洗涤，在本实施例，乙醇与正己烷的比例为3：1，当然在其它实施例中，其比例并不仅限于3:1，只要能够对降温后的第二溶液进行顺利洗涤即可，在此不做具体限定，进而将其洗涤后的溶液放置于离心装置中，以5000rpm/min的速度运行10分钟，再倒掉上层的透明液体。当然在其它一些的实施例中，该离心速度与运行时间并不仅限于上述的速度及时间，其需要根据具体的实际情况选择具体离心速度及离心时间，以保证对溶液的充分分离。再将离心后的固体使用乙醇、正己烷的混合溶剂洗涤，并将固定放置于鼓风干燥箱进行干燥，经研磨后得到黑色粉末状固体的铜铟硒纳米晶体。在本实施例中，鼓风干燥箱内的温度为80℃，干燥时间为12小时，可以理解的，该干燥温度及干燥时间是根据其制备的量及其它具体情况决定的，因此在其它实施例中，鼓风干燥箱的温度还可以为其它温度，干燥的具体时间需根据具体情况确定，并不仅限于上述干燥时间，只要能够顺利干燥得到铜铟硒纳米晶体即可，在此不做具体限定。

[0050] 本发明实施例还提供了一种铜铟硒纳米晶体，其有上述的铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成。

[0051] 请参考图3，图三为本发明实施例提供的一种铜铟硒纳米晶体制备得出的铜铟硒纳米晶体的透射电子显微镜((TEM，Transmission Electron Microscope)下的影像，其中阴影部分为本实施例提供的纳米晶体，为单分散的纳米晶体，也即，该纳米晶体的粒径分布呈正态分布，其形状大小非常均匀。不同于其它铜铟硒纳米晶体在透射电子显微镜下的影像中，因此，本实施例提供的铜铟硒纳米晶体的纯度及质量较高。

[0052] 综上所述，通过上述铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成的铜铟硒纳米晶体，通过第一前驱体及第二前驱体与硒粉在上述的条件下进行制备得到铜铟硒纳米晶体，由于前驱体及铟粉在惰性气体的环境下得到的铜铟硒纳米晶体，能够很好的抑制副产物的生产，并且因为由于二乙基二硫代氨基甲酸亚铜与二乙基二硫代氨基甲酸铟本所富含硫元素，因此在合成铜铟硒纳米晶体时，会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。

[0053] 本实施例还提供了一种铜铟硒纳米薄膜制备方法，基于上述的铜铟硒纳米晶体，步骤包括，将铜铟硒纳米晶体加入第二有机溶液中，在本实施例中，该有机溶液为无水乙醇溶液或正乙烷等，在此不做具体限定，只要能够实现铜铟硒纳米晶体加入第二有机溶液配置得到预设弄的分散液，在本实施例中，该分散液的浓度区间在10‑15mg/ml，当然在其它实施例中，并不仅限于上述浓度区间，进而在第一预设时间内将分山野在室温下利用超声分散均匀得到第三前驱体溶液。

[0054] 进而对第三前驱体溶液过滤，详细的，将第三前驱体溶液通过过滤精度在0.2um过滤器进行过滤，并将过滤后的第三前驱体溶液滴在基板上，上述基板包括但不限于玻璃、铝、氧化铝、石英、单晶硅、蓝宝石或塑料，在本实施例中，该基本为玻璃基板，并在第二预设时间内以预设速度旋转该玻璃基板，并经过自然干燥得到第一纳米薄膜。详细的，在本实施例中，将玻璃基板放置于旋涂仪上，旋涂仪在转速为3000rpm下旋转30s，经过自然干燥后得到第一纳米薄膜。

[0055] 进一步的，将第一纳米薄膜浸入含有铟盐的丙酮溶液中进行表面钝化，该铟盐可以为氯化铟、碘化铟或溴化铟等，经过表面钝化后能够进一步的减少表面的长链配体，提高薄膜的质量，通过该方法不需要对合成的铜铟硒纳米晶体进行表面处理，对其直接沉积成膜，并且铜铟硒纳米薄膜表面的硫、卤素元素、铟元素都能够通过隧穿效应和跃迁效应增强铜铟硒纳米薄膜的电传输。

[0056] 本发明实施例还提供了一种铜铟硒纳米薄膜，由上述的铜铟硒纳米薄膜制备方法制备得到。

[0057] 被发明实施例还提供了一种电子器件，包括上述的铜铟硒纳米薄膜。

[0058] 综上所述，通过上述铜铟硒纳米晶体制备方法得到的铜铟硒纳米晶体，在制备过程中能够很好的抑制副产物的生产，并且因为由于二乙基二硫代氨基甲酸亚铜与二乙基二硫代氨基甲酸铟本所富含硫元素，因此在合成铜铟硒纳米晶体时，会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强，进一步的，通过得到的铜铟硒纳米晶体制备得到的铜铟硒纳米薄膜，减小了铜铟硒纳米薄膜上的长链配体，使得有含有铜铟硒纳米薄膜的电子器件能够克服有长链配体引起的缺陷，减少铜铟硒纳米薄膜的表面缺陷，进一步的增强电子器件的可靠性。

[0059] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。