一种用于电源管理的过温保护电路及方法

摘要

本发明公开了用于电源管理的过温保护电路，包括电流输入端、过温保护器件、比较器和比较器输出端，过温保护器件包括第一端口、第二端口、第三端口以及连接在各个端口之间的半导体器件，当电流输入端的压降为高电位时，比较器输出低电压，LDO系统正常工作，当LDO系统温度超过正常工作温度时，电流输入端的压降为低电位，比较器输出高电压，当LDO系统停止工作时，过温保护器件的压降随温度变化而变化，过温保护器件在正常工作温度范围内的压降为高导通压降，电流输入端流过第一端口为高电位，过温保护器件在高温状态为低导通压降，电流输入端流过第一端口为低电位，集成度高且生产成本低，提高了用于电源管理的LDO系统的工作可靠性。

权利要求

1.一种用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，包括电流输入端、过温保护器件、比较器和比较器输出端，所述过温保护器件包括与所述电流输入端连接的第一端口、连接至所述比较器和所述比较器输出端的第二端口、用于接地的第三端口以及连接在各个端口之间的半导体器件；

其中，所述半导体器件包括：

第一导电类型的衬底，形成在所述衬底上的第二导电类型的外延层；

形成在所述外延层内的第一导电类型的第一注入区和间隔形成在所述第一注入区上表面的第二导电类型的第二注入区，所述外延层上表面并位于所述第二注入区之间形成对应设置的氧化硅层；

形成在所述外延层、所述第一注入区和部分所述第二注入区上的第一介质层、形成在所述第二注入区和所述第一注入区上与所述第一介质层间隔设置的第二介质层、位于所述第一介质层和所述第二介质层之间并位于所述第二注入区上表面的第一接触孔；

形成在所述氧化硅层上表面的多个依次交错排列的第二导电类型的第一多晶硅层和第一导电类型的第二多晶硅层，所述第二介质层关于所述第二多晶硅层对称设置且所述氧化硅层位于两个所述第二介质层之间；

形成在与所述第二介质层连接的第一多晶硅层上表面的第二接触孔、位于两个所述第二接触孔之间并覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的第三介质层；

形成在所述第一接触孔内、所述第一介质层、所述第二介质层上、所述第二接触孔内和部分所述第三介质层上并间隔排列的金属层、以及位于两个所述金属层之间的开口。

2.根据权利要求1所述的用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，当所述电流输入端的压降为高电位时，所述比较器输出端输出低电压，电源管理LDO系统正常工作；

当LDO系统温度超过正常工作温度时，所述电流输入端的压降变为低电位，所述比较器输出端输出高电压；

当所述LDO系统停止工作时，所述过温保护器件的压降随温度变化而变化，所述过温保护器件在正常工作温度范围内的压降为高导通压降，所述电流输入端流过所述第一端口为高电位；所述过温保护器件在高温状态为低导通压降，所述电流输入端流过所述第一端口为低电位。

3.根据权利要求1所述的用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，所述第一接触孔的尺寸大于所述第二接触孔的尺寸。

4.根据权利要求1所述的用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，所述第一多晶硅层的掺杂浓度与所述第二多晶硅层的掺杂浓度相同。

5.根据权利要求1所述的用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，所述第二接触孔、所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层的宽度相同。

6.根据权利要求1所述的用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，所述开口、所述第三介质层、所述氧化硅层平行于所述衬底方向上的宽度依次增大。

7.根据权利要求1所述的用于电源管理的过温保护电路，其特征在于，所述第二注入区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度。

8.一种根据权利要求1‑7任一项所述的用于电源管理的过温保护电路的过温保护方法，其特征在于，所述过温保护方法包括以下步骤：获取电源管理系统的工作温度，判断所述工作温度是否超过半导体器件的安全工作的预设温度；

若否，电流输入端的电流经过金属层、第二注入区和第一注入区所在的第一电流路径产生第一压降，所述第一压降小于第一多晶硅层与第二多晶硅层所在的第二电流路径的开启电压，所述第二电流路径不导通；

若是，所述第二电流路径的开启电压下降，所述第一压降大于所述开启电压，所述第二电流路径导通；

在预设时间内，所述工作温度超过所述预设温度时，所述第二电流路径的第二压降小于所述第一压降，所述第一电流路径不导通。

9.根据权利要求8所述的过温保护方法，其特征在于，所述第二电流路径的开启电压下降，包括：当所述工作温度升高后，所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层形成的横向多组PN结随温度上升，所述工作温度超过安全工作温度时，所述横向多组PN结被击穿，所述开启电压降低。

10.根据权利要求9所述的过温保护方法，其特征在于，通过调整所述横向多组PN结的掺杂浓度、PN结数量、PN结宽度改变所述开启电压、安全工作温度和恢复工作温度，所述预设温度为电源管理系统的安全工作温度。

说明书

一种用于电源管理的过温保护电路及方法

技术领域

[0001] 本发明涉及电源管理系统技术领域，尤其涉及一种用于电源管理的过温保护电路及方法。

背景技术

[0002] 随着便携类电子产品如手机、笔记本电脑、MP3等不断涌入人们的日常生活，这些电子产品如何有效地进行电源管理成为研究热点，新兴电子产品风靡全球的趋势下，由于其具有较大的显示屏且功能较为完善，因此对电源管理芯片(PMC)提出了更大的挑战。现如今，该市场有多达十余种类别的芯片，最为常见的有电荷泵、开关稳压器、线性稳压器(LDO)、功率因数校正(PFC)预调器、脉宽调制控制器(PWM Controller)与脉频调制控制器(PFM Controller)、电源管理单元(PMU)这几类芯片，而在这些芯片当中，前三者的应用较为广泛，占据了较大的市场份额。

[0003] 目前的便携类电子产品又普遍要求电源管理芯片具有体积小、外围电路少、无纹波、无电磁干扰等优点，LDO芯片的主体电路，带隙基准电路、误差放大器EA、负反馈电阻网络以及功率级这四个部分构成。而过温、过流和短路保护则为LDO系统的三大辅助功能模块，过温/过热保护结构的用途主要是指在温度过高时使LDO系统暂停工作，防止LDO系统因温度过高受到损害。由于LDO在关断温度时会不断地开启和停止工作而出现震荡，使得LDO系统的过温保护电路具有迟滞功能，使得系统停止工作的温度高于热关断后系统恢复工作温度，而起到过温保护的结构往往需要双面工艺，器件端口需要连接大量元器件如电阻，这样增加了电路制作成本，也会导致LDO系统的工作效率降低。

发明内容

[0004] 有鉴于此，本发明提供一种过热保护结构简单、降低系统能耗和工作可靠性高的用于电源管理的过温保护电路及方法，来解决上述存在的技术问题，具体采用以下技术方案来实现。

[0005] 第一方面，本发明提供了一种用于电源管理的过温保护电路，包括电流输入端、过温保护器件、比较器和比较器输出端，所述过温保护器件包括与所述电流输入端连接的第一端口、连接至所述比较器和所述比较器输出端的第二端口、用于接地的第三端口以及连接在各个端口之间的半导体器件；

[0006] 其中，所述半导体器件包括：

[0007] 第一导电类型的衬底，形成在所述衬底上的第二导电类型的外延层；

[0008] 形成在所述外延层内的第一导电类型的第一注入区和间隔形成在所述第一注入区上表面的第二导电类型的第二注入区，所述外延层上表面并位于所述第二注入区之间形成对应设置的氧化硅层；

[0009] 形成在所述外延层、所述第一注入区和部分所述第二注入区上的第一介质层、形成在所述第二注入区和所述第一注入区上与所述第一介质层间隔设置的第二介质层、位于所述第一介质层和所述第二介质层之间并位于所述第二注入区上表面的第一接触孔；

[0010] 形成在所述氧化硅层上表面的多个依次交错排列的第二导电类型的第一多晶硅层和第一导电类型的第二多晶硅层，所述第二介质层关于所述第二多晶硅层对称设置且所述氧化硅层位于两个所述第二介质层之间；

[0011] 形成在与所述第二介质层连接的第一多晶硅层上表面的第二接触孔、位于两个所述第二接触孔之间并覆盖所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的第三介质层；

[0012] 形成在所述第一接触孔内、所述第一介质层、所述第二介质层上、所述第二接触孔内和部分所述第三介质层上并间隔排列的金属层、以及位于两个所述金属层之间的开口。

[0013] 第二方面，本发明还提供了一种用于电源管理的过温保护电路的过温保护方法，所述过温保护方法包括以下步骤：

[0014] 获取电源管理系统的工作温度，判断所述工作温度是否超过半导体器件的安全工作的预设温度；

[0015] 若否，电流输入端的电流经过金属层、第二注入区和第一注入区所在的第一电流路径产生第一压降，所述第一压降小于第一多晶硅层与第二多晶硅层所在的第二电流路径的开启电压，所述第二电流路径不导通；

[0016] 若是，所述第二电流路径的开启电压下降，所述第一压降大于所述开启电压，所述第二电流路径导通；

[0017] 在预设时间内，所述工作温度超过所述预设温度时，所述第二电流路径的第二压降小于所述第一压降，所述第一电流路径不导通。

[0018] 本发明提供了一种用于电源管理的过温保护电路及方法，相对于现有技术，具有以下的有益效果：

[0019] 通过在电流输入端与比较器之间加入过温保护器件，过温保护器件包括三个端口和连接各个端口的半导体器件，系统结构简单，降低了系统能耗。半导体器件包括衬底、形成在衬底上与其导电类型不同的外延层，在外延层内形成第一注入区和第一注入区内形成间隔排列的第二注入区，第一注入区上表面形成氧化硅层和第二介质层并对氧化硅层上的第一多晶硅层和第二多晶硅层组成的多组PN结进行隔离作用，保证第二电流路径所在通路的电流均匀分布。LDO系统在安全工作温度内运行，电流输入端电流经过第一注入区和第二注入区组成的第一电流路径时，将电流经过第一注入区的压降与第二电流路径的开启电压进行比较来确定多组PN结所在的第二电流路径是否导通。器件工作温度超过安全温度、预设时间内工作温度降低到比安全工作温度低的恢复工作温度，根据第一电流路径和第二电流路径的开启电压控制器件的工作状态，同时在LDO系统的多种工作温度下，通过调整多晶硅上横向的多组PN结的掺杂浓度、PN结数量、PN结宽度可以使通路的开启电压、安全工作温度和恢复工作温度。采用过温保护器件增大了对LDO系统的过温保护的有效性，应用范围广，集成度高且生产成本低，提高了用于电源管理的LDO系统的工作可靠性。

附图说明

[0020] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

[0021] 图1为本发明实施例提供的用于电源管理的过温保护电路的原理图；

[0022] 图2为本发明实施例提供的半导体器件的结构示意图；

[0023] 图3为本发明实施例提供的过温保护方法的流程图；

[0024] 图4为本发明实施例提供的过温保护器件的电流路径图；

[0025] 图5为本发明实施例提供的过温保护器件的第一电流路径的电路图；

[0026] 图6为本发明实施例提供的过温保护器件的第二电流路径的电路图。

[0027] 主要元件符号说明如下：

[0028] 10‑电流输入端；11‑过温保护器件；12‑比较器；13‑比较器输出端；15‑第一端口；16‑第二端口；17‑第三端口；18‑半导体器件；20‑衬底；21‑外延层；22‑第一注入区；23‑第二注入区；24‑氧化硅层；25‑第一介质层；26‑第二介质层；27‑第一多晶硅层；28‑第二多晶硅层；29‑第一接触孔；30‑第二接触孔；31‑第三介质层；33‑金属层；34‑开口。

具体实施方式

[0029] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0030] 需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

[0031] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0032] 参阅图1和图2，本发明提供了一种用于电源管理的过温保护电路，包括电流输入端10、过温保护器件11、比较器12和比较器输出端13，所述过温保护器件11包括与所述电流输入端10连接的第一端口15、连接至所述比较器12和所述比较器输出端13的第二端口16、用于接地的第三端口17以及连接在各个端口之间的半导体器件18；

[0033] 其中，当所述电流输入端10的压降为高电位时，所述比较器输出端13输出低电压，电源管理LDO系统正常工作；

[0034] 当LDO系统温度超过正常工作温度时，所述电流输入端10的压降变为低电位，所述比较器输出端13输出高电压；

[0035] 当所述LDO系统停止工作时，所述过温保护器件11的压降随温度变化而变化，所述过温保护器件11在正常工作温度范围内的压降为高导通压降，所述电流输入端10流过所述第一端口15为高电位；所述过温保护器件11在高温状态为低导通压降，所述电流输入端10流过所述第一端口15为低电位。

[0036] 其中，所述半导体器件18包括：

[0037] 第一导电类型的衬底20，形成在所述衬底20上的第二导电类型的外延层21；

[0038] 形成在所述外延层21内的第一导电类型的第一注入区22和间隔形成在所述第一注入区22上表面的第二导电类型的第二注入区23，所述外延层21上表面并位于所述第二注入区23之间形成对应设置的氧化硅层24；

[0039] 形成在所述外延层21、所述第一注入区22和部分所述第二注入区23上的第一介质层25、形成在所述第二注入区23和所述第一注入区22上与所述第一介质层25间隔设置的第二介质层26、位于所述第一介质层25和所述第二介质层26之间并位于所述第二注入区23上表面的第一接触孔29；

[0040] 形成在所述氧化硅层24上表面的多个依次交错排列的第二导电类型的第一多晶硅层27和第一导电类型的第二多晶硅层28，所述第二介质层26关于所述第二多晶硅层28对称设置且所述氧化硅层24位于两个所述第二介质层26之间；

[0041] 形成在与所述第二介质层26连接的第一多晶硅层27上表面的第二接触孔30、位于两个所述第二接触孔30之间并覆盖所述第一多晶硅层27和所述第二多晶硅层28的第三介质层31；

[0042] 形成在所述第一接触孔29内、所述第一介质层25、所述第二介质层26上、所述第二接触孔30内和部分所述第三介质层31上并间隔排列的金属层33、以及位于两个所述金属层33之间的开口34。

[0043] 本实施例中，LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器，LDO低压降稳压器具有成本低、噪音低和瞬态电流小的特点，如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率。所以，在把锂离子电池电压转换为3V输出电压的应用中大多选用LDO稳压器。虽说电池的能量最后有百分之十是没有使用，LDO稳压器仍然能够保证电池的工作时间较长，同时噪音较低。电流输入端10为电流偏置电路，偏置电路的作用是向各放大级提供合适的偏置电流，确定各级静态工作点，各个放大级对偏置电流的要求各不相同，对于输入级通常可以提供一个比较小的偏置电流，而且比较稳定，以便提高集成运放的输入电阻，降低输入偏置电流和输入失调电流等。比较器12是将一个模拟电压信号与另一个基准电压相比较的电路，比较器12的两路输入为模拟信号，输出则为二进制信号0或1，当输入电压的差值增大或减小且正负符号不变时，其输出保持恒定。可以将比较器12当作一个1位模/数转换器(ADC)，运算放大器在不加反馈时可以用作比较器。比较器12的输入阻抗为无穷大，理论上对输入信号不产生影响，而实际比较器12的输入阻抗不能做到无穷大，输入端有电流经过信号源内阻并流入比较器内部，从而产生额外的压差。

[0044] 需要说明的是，述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，所述第一接触孔29的尺寸大于所述第二接触孔30的尺寸，所述第一多晶硅层27的掺杂浓度与所述第二多晶硅层28的掺杂浓度相同，所述第二接触孔30、所述第一多晶硅层27与所述第二多晶硅层28的宽度相同，所述开口34、所述第三介质层31、所述氧化硅层24平行于所述衬底20方向上的宽度依次增大，所述第二注入区23的掺杂浓度大于所述外延层21的掺杂浓度。过温保护器件11包含三个端口，第一端口15记为端口A连接电流输入端10，第二端口16记为端口B连接至比较器12和比较器输出端13，第三端口17记为端口C接地，半导体器件18中的金属层33有两部分，位于开口34左侧的金属层33用于连接端口A和端口B的引线，位于开口34右侧的金属层33用于连接端口C的引线。第一电流路径由金属层33、第二注入区23、第一注入区22、第二注入区23和金属层33构成，第二电流路径由金属层33、第一多晶硅层27和第二多晶硅层
28构成的多组PN结和金属层33，第一电流路径中包含NPN结构，半导体器件18可以对用于电源管的LDO系统进行过温保护。

[0045] 另外，优选第一多晶硅层27的数量为四，第二多晶硅层28的数量为三，第一多晶硅层27与第二多晶硅层28交错排列，第一多晶硅层27和第二多晶硅层28刚好位于氧化硅层24上表面，第二接触孔30的尺寸刚好与一个第一多晶硅层27的宽度相同，第三介质层31的宽度是三个第一多晶硅层27和两个第二多晶硅层28的宽度之和，第二介质层26和氧化硅层24对第一多晶硅层27和第二多晶硅层28形成的多组PN结进行隔离，有效防止出现漏电流，一定程度上提高了过温保护器件11的工作稳定性。过温保护器件11可以接收信号和夹断电路，器件为单面器件即只有正面制备金属，不需要双面制作工艺，提高了电路的集成度，降低了器件封装和制造成本。

[0046] 应理解，基准电压为LDO系统输出的基准电压，当电流输入端10的压降是高电位时，比较器输出端13输出低电压，此时LDO系统正常工作。当LDO系统温度过高即工作温度超过预设温度时，电流输入端10的压降会变为低电位，比较器12输出高电位，LDO系统停止工作。过温保护器件11的压降会随温度变化而变化，在正常工作温度范围内即预设温度是高导通压降，电流输入端10流过第一端口15是高电位。高温状态内是低导通压降，电流输入端10流过第一端口15是低电位。实际电路中，假设过温保护电路输出为“0”时，表示系统内温度过高，系统会停止工作，反之，当其输出为“1”时，表示LDO系统内部温度正常，系统可以正常工作。采用单个电流偏置电路可以减少电能消耗，传统是利用一个对温度敏感的器件(如晶体三极管的VBE)来检测LDO系统内部的温度，当LDO系统的工作温度超过正常工作温度时，器件启动，当LDO暂停工作直至工作温度下降至恢复工作温度时，该系统才会重新正常工作。采用新型的过温保护器件11可以取代传统三极管和电阻组合，系统结构简单，降低了生产成本，也提高了LDO系统工作的可靠性。

[0047] 参阅图3，本发明还提供了一种用于电源管理的过温保护电路的过温保护方法，所述过温保护方法包括以下步骤：

[0048] S1：获取电源管理系统的工作温度，判断所述工作温度是否超过半导体器件18的安全工作的预设温度；

[0049] S2：若否，电流输入端10的电流经过金属层33、第二注入区23和第一注入区22所在的第一电流路径产生第一压降，所述第一压降小于第一多晶硅层27与第二多晶硅层28所在的第二电流路径的开启电压，所述第二电流路径不导通；

[0050] S3：若是，所述第二电流路径的开启电压下降，所述第一压降大于所述开启电压，所述第二电流路径导通；

[0051] S4：在预设时间内，所述工作温度超过所述预设温度时，所述第二电流路径的第二压降小于所述第一压降，所述第一电流路径不导通。

[0052] 参阅图4，本实施例中，过温保护器件11在安全工作温度内运行时，电流流过第一注入区22会产生压降记为V1，V1小于第二电流路径的开启电压记为V2，第二电流路径是在氧化硅层24上形成由多个导电类型不同的多晶硅组成的多组PN结，第一多晶硅层27与第二介质层26连接，优选第一多晶硅层27的数量大于第二多晶硅层28。安全工作温度内V1都会小于V2，氧化硅层24上的多组PN结击穿电压和导通压降随温度上升会快速下降，器件工作温度超过安全工作温度后，第二电流路径的开启电压V2会下降，使V1大于V2，第二电流路径开启。而在高温下，第二电流路径的压降小于第一电流路径的压降，第一电流路径不会开启。

[0053] 可选地，所述第二电流路径的开启电压下降，包括：

[0054] 当所述工作温度升高后，所述第一多晶硅层27与所述第二多晶硅层28形成的横向多组PN结随温度上升，所述工作温度超过安全工作温度时，所述横向多组PN结被击穿，所述开启电压降低。

[0055] 参阅图5，本实施例中，正常工作温度时，第二电流路径的开启电压高，LDO系统正常工作的第二端口16即端口B是低电压状态，第二电流路径不会开启。当LDO系统的工作温度升高后，氧化硅层24上横向的多组PN结随温度上升，载流子增多，漏电流也增大，超过安全工作温度T1后，高温导致载流子答复增多，PN结击穿，开启电压降低，第二电流路径所在通路开启，导通压降比正常温度的电流通路要低，比较器12输出即第二端口16变为高电压状态，维持该通路导通。当LDO系统温度降低到安全工作温度T1后，多组PN结的开启电压上升，但由于第二端口16的高压存在该通路会一直导通，直到LDO系统温度记为T降低到比安全工作温度T1更低的恢复工作温度记为T2时，多组PN结的开启电压超过第二端口16的高压，该电流通路即第二电流路径才会截止。该电流通路截止后，比较器输出端13输出低电压，LDO系统正常工作。

[0056] 需要说明的是，过调整所述横向多组PN结的掺杂浓度、PN结数量、PN结宽度改变所述开启电压、安全工作温度和恢复工作温度，所述预设温度为电源管理系统的安全工作温度。安全工作温度T1大于恢复工作温度T2，这样可以保证LDO系统过温后，温度降低到更低的程度，系统才会恢复运行，以增大系统的可靠性和安全冗余。

[0057] 参阅图6，当LDO系统温度正常时，氧化硅层24上的多组PN结的开启电压大于第二端口16输入的低电压和第二电流路径的压降之和，第二电流路径无法开启，电流通过第一电流路径导通，该通路由一组PN结组成，开启电压较低，开启后由于掺杂浓度低，导通后的压降高，只要工作在正常温度范围内，第二端口16输入低电压，第一电流路径所在通路会一致保持开启。

[0058] 本发明提供了一种用于电源管理的过温保护电路及方法，通过在电流输入端10与比较器12之间加入过温保护器件11，过温保护器件11包括三个端口和连接各个端口的半导体器件18，系统结构简单，降低了系统能耗。半导体器件18包括衬底20、形成在衬底20上与其导电类型不同的外延层21，在外延层21内形成第一注入区22和第一注入区22内形成间隔排列的第二注入区23，第一注入区22上表面形成氧化硅层24和第二介质层26并对氧化硅层24上的第一多晶硅层27和第二多晶硅层28组成的多组PN结进行隔离作用，保证第二电流路径所在通路的电流均匀分布。LDO系统在安全工作温度内运行，电流输入端10的电流经过第一注入区22和第二注入区23组成的第一电流路径时，将电流经过第一注入区22的压降与第二电流路径的开启电压进行比较来确定多组PN结所在的第二电流路径是否导通。器件工作温度超过安全温度、预设时间内工作温度降低到比安全工作温度低的恢复工作温度，根据第一电流路径和第二电流路径的开启电压控制器件的工作状态，同时在LDO系统的多种工作温度下，通过调整多晶硅上横向的多组PN结的掺杂浓度、PN结数量、PN结宽度可以使通路的开启电压、安全工作温度和恢复工作温度。采用过温保护器件11增大了对LDO系统的过温保护的有效性，应用范围广，集成度高且生产成本低，提高了用于电源管理的LDO系统的工作可靠性。

[0059] 在这里示出和描述的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制，因此，示例性实施例的其他示例可以具有不同的值。

[0060] 应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

[0061] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。