倒装晶片封装工艺及倒装晶片封装结构

摘要

本申请提供了一种倒装晶片封装工艺，包括以下步骤：将若干倒装晶片分别粘贴于基板上，在若干倒装晶片之间进行导光胶点胶并加热固化；通过无水切割方式切割导光胶以形成若干个带导光胶晶片；将带导光胶晶片固定于封装杯中；在带导光胶晶片的一周侧面填充白色反光胶以形成反射层；在带导光胶晶片及白色反光胶的上方填充荧光胶以形成荧光层。一种倒装晶片封装结构，通过上述封装工艺制成。本申请通过加热固化导光胶并通过无水切割的方式切割导光胶，使得倒装晶片外周的导光胶大致呈梯形，导光胶的侧面具有竖向规则的直面，从而能够减少倒装晶片侧向取光时在导光胶内部产生的多重折射或反射产生的内耗，提高倒装晶片的侧向取光率。

权利要求

1.一种倒装晶片封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：点胶：将若干倒装晶片分别粘贴于基板上，在若干所述倒装晶片之间进行导光胶点胶并加热固化；

切割：通过无水切割方式切割所述导光胶以形成若干个带导光胶晶片；

固晶：将所述带导光胶晶片固定于封装杯中；

形成反射层：在所述带导光胶晶片的一周侧面填充白色反光胶以形成反射层；

形成荧光层：在所述带导光胶晶片及所述白色反光胶的上方填充荧光胶以形成荧光层；

在所述点胶步骤中，还包括在所述基板上设置粘贴膜，所述粘贴膜包括基层及设于所述基层相对两侧的第一胶带和第二胶带，所述第一胶带粘贴于所述基板上，各所述倒装晶片分别粘贴于所述第二胶带；

所述第二胶带的表面拓印有高低不同的三角形漫反射结构；

在所述切割步骤中，切割后所述带导光胶晶片的表面具有经过三角形漫反射结构拓印形成的漫反射层；

所述漫反射结构的粗糙度参数为Ra＞1.5，Rz＞6。

2.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺，其特征在于，所述点胶步骤包括：将若干所述倒装晶片均匀分布于所述基板上；

在若干所述倒装晶片的外围进行围坝；

在所述围坝与若干所述倒装晶片之间进行导光胶点胶并加热固化。

3.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺，其特征在于，在所述点胶步骤中，相邻两个所述倒装晶片之间的间距大于或等于所述倒装晶片长度的一半。

4.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺，其特征在于，所述倒装晶片包括晶片本体及设于所述晶片本体一侧的电极；

在所述点胶步骤中，将所述倒装晶片以所述电极朝上的方式粘贴于所述基板上，且点胶的高度小于或等于所述晶片本体的高度。

5.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺，其特征在于，在所述切割步骤中，在相邻两个所述倒装晶片的中间位置进行切割。

6.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺，其特征在于，在所述切割步骤中，切割的深度至少延伸至所述基层的一半厚度。

7.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺，其特征在于，在所述切割步骤与所述固晶步骤之间还包括以下步骤：倒模，将所述带导光胶晶片以漫反射层朝上的方式倒在基膜上；

转移，通过转移装置将所述带导光胶晶片转移至所述封装杯上。

8.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺，其特征在于，在所述形成反射层步骤中：所述白色反光胶的顶面低于所述带导光胶晶片的漫反射层。

9.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺，其特征在于，所述形成荧光层步骤包括：将荧光胶搅拌均匀；

通过点胶的方式将所述荧光胶填充于所述反射层及所述漫反射层上；

通过离心的方式将荧光胶进行沉淀；

将沉淀后的荧光胶加热固化。

10.倒装晶片封装结构，其特征在于，使用根据权利要求1至9任一项所述的倒装晶片封装工艺制成；

所述倒装晶片封装结构包括：

封装杯；

带导光胶晶片，安装于所述封装杯中；所述带导光胶晶片包括倒装晶片及围设于所述倒装晶片一周侧面的导光胶；所述导光胶的纵向截面呈直角梯形，所述直角梯形的较长底边与所述倒装晶片的侧面贴合设置，所述直角梯形的较短底边背离所述倒装晶片设置，所述直角梯形的直角腰与所述倒装晶片的顶侧平齐；

反射层，填充于所述封装杯的内壁、所述导光胶与所述倒装晶片之间；

荧光层，填充于所述反射层、所述导光胶及所述倒装晶片的上方。

11.根据权利要求10中所述的倒装晶片封装结构，其特征在于，所述倒装晶片包括晶片本体及设于所述晶片本体一侧的电极；所述倒装晶片以所述电极朝下的方式固定于所述封装杯中，所述直角梯形的底端与所述晶片本体的下侧平齐或者高于所述晶片本体的下侧。

说明书

倒装晶片封装工艺及倒装晶片封装结构

技术领域

[0001] 本申请涉及芯片制作技术领域，特别涉及一种倒装晶片封装工艺及倒装晶片封装结构。

背景技术

[0002] 随着LED晶片制程工艺的发展，倒装晶片由于其出色的导热性能而走向市场。目前倒装晶片由于其设计结构与正装晶片的差异，其侧向出光达到了20％，正向出光约80％，而目前常规的通用照明和LED植物照明中，主要利用了倒装晶片的正向出光，侧向出光利用率较低。

[0003] 随着社会的发展，人们对节能的意识越来越强。因此倒装晶片封装结构封装后光效的提高是LED行业人的共同追求。在倒装晶片封装结构设计上如何有效提升倒装晶片的侧向出光利用率成为了研发重点方向。

[0004] 现有常规方案，是在封装杯底部内涂布一层防硫化液或者一层白色反光胶。但是在做这些工艺的时候，不管是防硫化液还是白色反光胶，都会对倒装晶片的侧面光进行封堵，导致光线从侧向取光过程中有着多重折射与反射的内部损耗，从而影响了倒装晶片的光取出，不能做到防硫化效果的同时兼顾倒装晶片的出光效率。

发明内容

[0005] 本申请提供了一种倒装晶片封装工艺及倒装晶片封装结构，以解决现有技术中存倒装晶片侧面出光利用率低的技术问题。

[0006] 为解决上述问题，第一方面，本申请实施例提供的技术方案为：一种倒装晶片封装工艺，包括以下步骤：

[0007] 点胶：将若干倒装晶片分别粘贴于基板上，在若干所述倒装晶片之间进行导光胶点胶并加热固化；

[0008] 切割：通过无水切割方式切割所述导光胶以形成若干个带导光胶晶片；

[0009] 固晶：将所述带导光胶晶片固定于封装杯中；

[0010] 形成反射层：在所述带导光胶晶片的一周侧面填充白色反光胶以形成反射层；

[0011] 形成荧光层：在所述带导光胶晶片及所述白色反光胶的上方填充荧光胶以形成荧光层。

[0012] 根据本申请实施例提供的倒装晶片封装工艺，在各倒装晶片之间进行导光胶点胶并加热固化，使得固化后的导光胶在相邻倒装晶片之间呈现两端高中间弧形内凹的形状，再通过无水切割的方式在导光胶的位置进行切割，使得每个倒装晶片外周的导光胶大致呈梯形，导光胶的侧面具有竖向规则的直面，从而能够减少倒装晶片侧向取光时在导光胶内部产生的多重折射或反射产生的内耗，提高倒装晶片的侧向取光率；再加上反射层的设置，能够将侧向高取光率的侧向光进行反射，进一步提高了倒装晶片的侧向出光率，减少侧面光的能耗。

[0013] 在一种可能的设计中，所述点胶步骤包括：

[0014] 将若干所述倒装晶片均匀分布于所述基板上；

[0015] 在若干所述倒装晶片的外围进行围坝；

[0016] 在所述围坝与若干所述倒装晶片之间进行导光胶点胶并加热固化。

[0017] 在一种可能的设计中，在所述点胶步骤中，相邻两个所述倒装晶片之间的间距大于或等于所述倒装晶片长度的一半。

[0018] 在一种可能的设计中，所述倒装晶片包括晶片本体及设于所述晶片本体一侧的电极；

[0019] 在所述点胶步骤中，将所述倒装晶片以所述电极朝上的方式粘贴于所述基板上，且点胶的高度小于或等于所述晶片本体的高度。

[0020] 在一种可能的设计中，在所述切割步骤中，在相邻两个所述倒装晶片的中间位置进行切割。

[0021] 在一种可能的设计中，在所述点胶步骤中，还包括在所述基板上设置粘贴膜，所述粘贴膜包括基层及设于所述基层相对两侧的第一胶带和第二胶带，所述第一胶带粘贴于所述基板上，各所述倒装晶片分别粘贴于所述第二胶带；

[0022] 所述第二胶带的表面拓印有高低不同的三角形漫反射结构；

[0023] 在所述切割步骤中，切割后所述带导光胶晶片的表面具有经过三角形漫反射结构拓印形成的漫反射层。

[0024] 在一种可能的设计中，所述漫反射结构的粗糙度参数为Ra＞1.5，Rz＞6。

[0025] 在一种可能的设计中，在所述切割步骤中，切割的深度至少延伸至所述基层的一半厚度。

[0026] 在一种可能的设计中，在所述切割步骤与所述固晶步骤之间还包括以下步骤：

[0027] 倒模，将所述带导光胶晶片以漫反射层朝上的方式倒在基膜上；

[0028] 转移，通过转移装置将所述带导光胶晶片转移至所述封装杯上。

[0029] 在一种可能的设计中，在所述形成反射层步骤中：所述白色反光胶的顶面低于所述带导光胶晶片的漫反射层。

[0030] 在一种可能的设计中，所述形成荧光层步骤包括：

[0031] 将荧光胶搅拌均匀；

[0032] 通过点胶的方式将所述荧光胶填充于所述反射层及所述漫反射层上；

[0033] 通过离心的方式将荧光胶进行沉淀；

[0034] 将沉淀后的荧光胶加热固化。

[0035] 第二方面，本申请还提供了一种倒装晶片封装结构，使用上述倒装晶片封装工艺制成；

[0036] 所述倒装晶片封装结构包括：

[0037] 封装杯；

[0038] 带导光胶晶片，安装于所述封装杯中；所述带导光胶晶片包括倒装晶片及围设于所述倒装晶片一周侧面的导光胶；所述导光胶的纵向截面呈直角梯形，所述直角梯形的较长底边与所述倒装晶片的侧面贴合设置，所述直角梯形的较短底边背离所述倒装晶片设置，所述直角梯形的直角腰与所述倒装晶片的顶侧平齐；

[0039] 反射层，填充于所述封装杯的内壁、所述导光胶与所述倒装晶片之间；

[0040] 荧光层，填充于所述反射层、所述导光胶及所述倒装晶片的上方。

[0041] 本申请实施例提供的倒装晶片封装结构，通过上述倒装晶片封装工艺制程，使得倒装晶片的一周侧面具形成有纵向截面呈直角梯形的导光胶，从而能够减少倒装晶片侧向取光时在导光胶内部产生的多重折射或反射产生的内耗，提高倒装晶片的侧向取光率。

[0042] 在一种可能的设计中，所述倒装晶片包括晶片本体及设于所述晶片本体一侧的电极；所述倒装晶片以所述电极朝下的方式固定于所述封装杯中，所述直角梯形的底端与所述晶片本体的下侧平齐或者高于所述晶片本体的下侧。

[0043] 在一种可能的设计中，所述带导光胶晶片的顶侧设有漫反射层。

[0044] 在一种可能的设计中，所述漫反射层的粗糙度参数为Ra＞1.5，Rz＞6。

附图说明

[0045] 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0046] 图1是本申请实施例提供的倒装晶片封装工艺的工艺流程示意图；

[0047] 图2是本申请实施例中基板与粘贴膜的结构示意图；

[0048] 图3是图2中A局部的放大示意图；

[0049] 图4是将倒装晶片安装于基板上的工艺示意图；

[0050] 图5是图1中点胶工艺示意图；

[0051] 图6是图5中点胶后的加热工艺示意图；

[0052] 图7是图6中加热后的切割工艺示意图；

[0053] 图8是图7中切割后的倒模工艺示意图；

[0054] 图9是图8中带导光晶片的结构示意图；

[0055] 图10是图1中的固晶工艺示意图；

[0056] 图11是图1中的形成反射层的工艺示意图；

[0057] 图12是图1中的形成荧光层的工艺示意图；

[0058] 图13是本申请实施例提高的倒装晶片工装结构的结构示意图。

[0059] 附图标记：10、带导光胶晶片；11、倒装晶片；111、晶片本体；112、电极；12、导光胶；13、漫反射层；20、封装杯；30、反射层；40、荧光层；41、荧光粉；50、基板；60、粘贴膜；61、基层；62、第一胶带；63、第二胶带；631、漫反射结构；70、围坝；80、基膜。

具体实施方式

[0060] 为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

[0061] 在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

[0062] 在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

[0063] 在本申请的描述中，需要理解的是，术语“内”、“外”、“上”、“底”、“前”、“后”等指示的方位或者位置关系(若有的话)为基于附图1所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或者暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

[0064] 还需说明的是，本申请实施例中以同一附图标记表示同一组成部分或同一零部件，对于本申请实施例中相同的零部件，图中可能仅以其中一个零件或部件为例标注了附图标记，应理解的是，对于其他相同的零件或部件，附图标记同样适用。

[0065] 第一方面，如图1所示，本申请实施例首先提供了一种倒装晶片封装工艺，包括以下步骤：

[0066] S10：点胶：将若干倒装晶片11分别粘贴于基板50上，在各倒装晶片11之间进行导光胶12点胶并加热固化。

[0067] 具体的，请参阅图4至图6，将若干倒装晶片11等间隔分布于基板50上，例如呈一圈圈的圆形分布，或者呈矩形阵列分布。在每相邻两个倒装晶片11之间均进行导光胶12点胶，并加热固化。如图6所示，由于加热使得导光胶12固化速度快，在相邻两个倒装晶片11之间的导光胶12，呈现两端高中间呈弧度下凹的图形，这相对点胶自然成型的方式，中间的高度相对较高。

[0068] 其中，导光胶12即为具有导光作用的透明胶，例如透明硅胶。

[0069] S30：切割：请参阅图7，通过无水切割方式在导光胶12的位置进行切割以形成若干个带导光胶晶片10。

[0070] 具体的，通过无水切割的方式，使得切割时导光胶12不会被水融化，同时也加速了切割速度，速度越快则切割没有痕迹，切割过程不会对导光胶12产生压力而使导光胶12的形状产生变形。

[0071] 最终使得切割后的导光胶12的纵向截面大致呈图9中的直角梯形，其中直角梯形的较长底边与倒装晶片11的侧面贴合设置，直角梯形的较短底边背离倒装晶片11设置，直角梯形的直角腰与倒装晶片11的顶侧平齐。这相对于点胶自然成型的三角形导光胶，梯形导光胶更能够充分提升倒装晶片11侧向光取出率，提升倒装晶片11的亮度，且更具备量产可行性。

[0072] 在进行切割时，由于倒装晶片11的外围均分布有其他倒装晶片11，也即是倒装晶片11的一周均分布有导光胶12。在进行切割时，需要对倒装晶片11一周侧面的导光胶12进行切割，从而形成单颗带导光胶晶片10，进而使得该带导光胶晶片10的一周的侧向出光分布均匀，出光率高。

[0073] 此外，由于一周需要切割，则可以根据需要将带导光胶12的外围切割成需要的形状，例如圆形、方形或规则的多边形，进而使得带导光胶晶片10成型工艺控制一致性高，生产良率更高。

[0074] S50：固晶：请参阅图10，将带导光胶晶片10固定于封装杯20中。

[0075] 具体的，封装杯20为具有杯形槽的封装支架，将倒装晶片11具有电极112的一侧贴设于杯形槽的底部中央位置。封装槽的底部中央具有通线孔，以实现倒装晶片11的电极112与外部电路的电连接。

[0076] S70：形成反射层30：请参阅图11，在带导光胶晶片10的周围填充白色反光胶以形成反射层30。

[0077] 具体的，在杯形槽与带导光胶晶片10的导光胶12之间填充白色反光胶，加热形成反射层30，通过反射层30将倒装晶片11侧面发出的光线向正面方向反射，以提高倒装晶片11的侧面出光率。

[0078] S90：形成荧光层40：请参阅图12，在带导光胶晶片10及白色反光胶的上方填充荧光胶以形成荧光层40。

[0079] 具体的，在本实施例中，倒装晶片11为蓝色倒装晶片，对应的荧光胶为黄色荧光胶。可以理解地，在本申请的其他实施例中，倒装晶片11和荧光胶的颜色可以根据实际需求进行设定，此处不做特别限定。

[0080] 本申请的倒装晶片封装工艺，在各倒装晶片11之间进行导光胶12点胶并加热固化，使得固化后的导光胶12在相邻倒装晶片11之间呈现两端高中间弧形内凹的形状，再通过无水切割的方式在导光胶12的位置进行切割，使得每个倒装晶片11外周的导光胶12大致呈梯形，导光胶12的侧面具有竖向规则的直面，从而能够减少倒装晶片11侧向取光时在导光胶12内部产生的多重折射或反射产生的内耗，提高倒装晶片11的侧向取光率；再加上反射层30的设置，能够将侧向高取光率的侧向光进行反射，进一步提高了倒装晶片11的侧向出光率，减少侧面光的能耗。

[0081] 在一个实施例中，S10点胶步骤包括：

[0082] S11：将若干倒装晶片11均匀分布于基板50上；

[0083] 具体的，通过专用转移设备将倒装晶片11一个个按照预定轨迹依次粘贴固定于基板50上，使得各倒装晶片11均匀分布于基板50上。

[0084] S12：在若干倒装晶片11的外周进行围坝70；

[0085] 具体的，围坝70的作用是使得位于外围的倒装晶片11的一周也能够形成确定形状的导光胶12，因此需要围坝70与外围倒装晶片11之间的距离和相邻两个倒装晶片11的距离相同。

[0086] S13：在围坝70与若干倒装晶片11之间进行导光胶12点胶并加热固化，则任意一个倒装晶片11的外围均形成有一周的导光胶12，保证最后形成的带导光胶晶片10均是良品，提高带导光胶晶片10的良品率。

[0087] 此外，在对导光胶12进行固化时，可以通过热风固化；可以理解地，在本申请的其他实施例中，根据实际应用，还可以通过将导光胶12放置于加热腔进行加热，此处不做特别限定。

[0088] 在一个实施例中，相邻两个倒装晶片11之间的间距大于或等于倒装晶片11长度的一半。其中，当倒装晶片11呈方形时，倒装晶片11的长度即为倒装晶片11的长宽；当倒装晶片11呈矩形时，则倒装晶片11的长度是指倒装晶片11较长的一边的长度。本申请通过限制倒装晶片11之间的间距，从而保证在相邻两个倒装晶片11之间成型的导光胶12能够形成所需要的形状。例如，当两个倒装晶片11之间的间距过小时，将会导致导光胶12堆积在相邻两个导光胶12之间，最终导致切割后的导光胶12不会呈梯形，而是呈矩形，导致倒装晶片11侧面的取光率降低。

[0089] 在具体的实施例中，相邻两个倒装晶片11之间的距离等于0.5倍的倒装晶片11长度，或者等于0.8倍的倒装晶片11长度，或者等于1倍的倒装晶片11长度，此处不做特别限定。

[0090] 此外，相邻两个倒装晶片11之间的间距也不能过大，过大会导致相邻两个倒装晶片11之间的导光胶12固胶后向下沉的过多，最终导致成型的导光胶12不成梯形而成三角形。

[0091] 在一个实施例中，请参阅图5，倒装晶片11包括晶片本体111及两个电极112，两个电极112设于晶片本体111一侧。

[0092] 在点胶步骤中，将倒装晶片11以电极112朝上的方式粘贴于基板50上，且点胶的高度小于或等于晶片本体111的高度。也即是在点胶时，导光胶12的高度最多只能与晶片本体111的上表面平齐，不能没过电极112。这样的设计，使得在带导光胶晶片10安装于封装杯20中时，倒装晶片11侧面发出的光线不会被电极112吸收，从而避免电极112吸光而造成的光损耗，进一步提高了该倒装晶片11的侧面取光率。当然，点胶的高度也不能太低，太低会影响梯形导光胶12的减少光耗的功能，最好是点胶高度于晶片本体111的上表面平齐或者略低。

[0093] 在一个实施例中，在切割步骤中，进行无水切割时，在相邻两个倒装晶片11的中间位置进行切割，从而使得各倒装晶片11一周的导光胶12分布均匀，进而使得倒装晶片11的侧面出光均匀，同时也利于量产设计。

[0094] 其中，无水切割中，可以采用片状、方形或多边形镂槽刀具进行切割，刀具锋利，从而保证在切割时不会是的导光胶12收到挤压力而变形。

[0095] 在一个实施例中，请参阅图2及图3，在点胶步骤中，还包括在基板50上设置粘贴膜60，粘贴膜60包括基层61、第一胶带62和第二胶带63，第一胶带62和第二胶带63分别设于基层61的相对两侧，第一胶带62粘贴于基板50上，各倒装晶片11分别粘贴于第二胶带63。

[0096] 其中，第二胶带63的表面拓印有高低不同的三角形漫反射结构631。在切割步骤中，请参阅图9，切割后的带导光胶晶片10的表面具有经过三角形漫反射结构631拓印形成的漫反射层13。

[0097] 具体的，由于第二胶带63的表面拓印有高低不同的三角形漫反射结构631，当各倒装晶片11粘贴于第二胶带63后，再在各倒装晶片11进行点胶及固化，由于重力作用，各倒装晶片11及导光胶12表面会拓印出多个三角形的漫反射层13，则使得切割后的带导光胶晶片10具有漫反射层13，从而增加了倒装晶片11的正向取光，出光更加均匀。同时去掉了用于提高匀光性的荧光膜，且无需通过模压来提高匀光性，简化了结构，降低了倒装晶片11的封装成本。此外，上述设计使得本申请的倒装晶片封装工艺对精度要求不高，量产良率更好，且量产工艺更简洁，设备投入成本更低，生产效率更高。

[0098] 在一个实施例中，漫反射结构631的粗糙度参数为Ra＞1.5，Rz＞6。Ra是指轮廓算术平均偏差，在取样长度内，沿测量方向(Y方向)的轮廓线上的点与基准线之间距离绝对值的算术平均值。Rz是指微观不平度十点高度，在取样长度内5个最大轮廓峰高的平均值和5个最大轮廓谷深的平均值之和。通过设置Ra和Rz以将漫反射的效果控制在需要的范围内，也即是筒控制Ra和Rz达到倒装晶片11出光更加均匀的效果。

[0099] 具体的，Ra的数值可以是1.4、1.2、1或0.5等，Ra的数值可以是5、4、3或1等。

[0100] 在切割步骤中，切割的深度至少延伸至基层61的一半厚度，如此可保证相邻两个带导光胶晶片10完全分离，且在将带导光胶晶片10从粘贴膜60取下时漫反射层13会跟随带导光胶晶片10一起被取下。当然，在本申请的其他实施例中，根据粘贴膜60的具体结构和材料，切割的深度也可以适当调整，例如切割深度为基层61的0.4倍等，此处不做特别限定。

[0101] 请参阅图8，在S30切割步骤与S50固晶步骤还包括以下步骤：

[0102] S40：倒模，将带导光胶晶片10以满反射层30朝上的方式倒在基膜80上。

[0103] 具体的，首先将基板50与粘贴膜60分离，然后通过倒模的方式将带导光胶晶片10转移至基膜80上。基膜80可以为UV膜或其他不会对带导光胶晶片10产生影响的膜片。

[0104] S42：转移，通过移动装置将带导光胶晶片10转移至封装杯20上并进行固定。

[0105] 本申请增加倒模工序，使得带导光胶晶片10能够先与粘贴膜60分离，然后以漫反射层13朝上的方式固定于封装杯20中，避免直接将切割后的带导光胶晶片10转移固定至封装杯20中，从而避免对漫反射层13的损坏。

[0106] 在步骤S70：形成反射层30步骤中，白色反光胶的顶面低于带导光胶晶片10的漫反射层13，从而使得白色反光胶不会影响倒装晶片11的正面出光，同时也使得后面的荧光层40能够与倒装晶片11紧密贴合，利于荧光粉41被激发后的热向下传导，可靠性更好。

[0107] 请参阅图11，步骤S70形成导光层包括：

[0108] S71：将硅胶混合二氧化钛粒子或者氧化锆粒子进行搅拌均匀；

[0109] S72：通过非接触喷胶的方式将白色反光胶填充于封装杯20的内壁与导光胶12之间：

[0110] S73：通过烘烤的方式将白色反光胶加热固化。

[0111] 请参阅图12，步骤S90：形成荧光层40包括：

[0112] S91：将荧光胶搅拌均匀；

[0113] 具体的，将荧光胶装入搅拌杯进行匀速搅拌，以使得荧光胶混合均匀。

[0114] S92：通过点胶的方式将荧光胶填充于反射层30及漫反射层13上；

[0115] 具体的，通过点胶的方式将荧光胶填充于封装杯20内，并位于反射层30与漫反射层13上。

[0116] S93：通过离心的方式将荧光胶进行沉淀；

[0117] 具体的，将封装杯20及其上的带导光胶晶片10、反射层30及荧光层40一起放置于离心装置中进行离心沉淀，以使荧光胶沉淀于反射层30及漫反射层13，从而使得荧光胶与倒装晶片11的顶面贴合紧密，利于荧光粉41被激发后的热向下传导，可靠性更好。

[0118] S54：将沉淀后的荧光胶加热固化。

[0119] 具体的，是放置于烤箱中通过烘烤的方式进行加热固化。可以理解地，在本申请的其他实施例中，也可以通过热风的方式加热，此处不做特别限定。

[0120] 请参阅图13，第二方面，本申请还提供了一种倒装晶片封装结构，使用上述倒装晶片封装工艺制成；

[0121] 倒装晶片封装结构包括封装杯20、带导光胶晶片10、反射层30及荧光层40。带导光胶晶片10安装于封装杯20中；带导光胶晶片10包括倒装晶片11及围设于倒装晶片11一周侧面的导光胶12；导光胶12的纵向截面呈直角梯形，直角梯形的较长底边与倒装晶片11的侧面贴合设置，直角梯形的较短底边背离倒装晶片11设置，直角梯形的直角腰与倒装晶片11的顶侧平齐；反射层30，填充于封装杯20的内壁、导光胶12与倒装晶片11之间；荧光层40，填充于反射层、导光胶12及倒装晶片11的上方。

[0122] 本申请实施例提供的倒装晶片封装结构，通过上述倒装晶片封装工艺制程，使得倒装晶片11的一周侧面具形成有纵向截面呈直角梯形的导光胶12，从而能够减少倒装晶片11侧向取光时在导光胶12内部产生的多重折射或反射产生的内耗，提高倒装晶片11的侧向取光率。

[0123] 在一种可能的设计中，倒装晶片11包括晶片本体111及设于晶片本体111一侧的电极112；倒装晶片11以电极112朝下的方式固定于封装杯20中，直角梯形的底端与晶片本体111的下侧平齐或者高于晶片本体111的下侧。从而使得在带导光胶晶片10安装于封装杯20中时，倒装晶片11侧面发出的光线不会被电极112吸收，从而避免电极112吸光而造成的光损耗，进一步提高了该倒装晶片11的侧面取光率。

[0124] 在一种可能的设计中，带导光胶晶片10的顶侧设有漫反射层13。通过漫反射层13的设计，增加了倒装晶片11的正向取光，出光更加均匀。同时去掉了用于提高匀光性的荧光膜，且无需通过模压来提高匀光性，简化了结构，降低了倒装晶片11的封装成本。

[0125] 在一种可能的设计中，漫反射层13的粗糙度参数为Ra＞1.5，Rz＞6。通过设置Ra和Rz以将漫反射的效果控制在需要的范围内，也即是筒控制Ra和Rz达到倒装晶片11出光更加均匀的效果。

[0126] 以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。