发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板

摘要

本发明中提供一种发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板，所述发光单元控制电路包括采集电路和驱动电路，所述采集电路与所述驱动电路以及前端控制芯片连接，所述前端控制芯片通过所述驱动电路与发光单元连接，所述前端控制芯片和所述发光单元之间设有开关电路，所述开关电路与所述驱动电路串联；在本发明中，通过PWM信号控制导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路并将驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，从而在低灰阶状态下准确的采集单位时间内输入发光单元的电荷量，实现对发光单元的准确补偿。

权利要求

1.一种发光单元控制电路，所述发光单元控制电路包括采集电路和驱动电路，所述采集电路与所述驱动电路以及前端控制芯片连接，所述前端控制芯片通过所述驱动电路与发光单元连接，其特征在于，所述前端控制芯片和所述发光单元之间设有开关电路，所述开关电路与所述驱动电路串联；

所述开关电路，用于在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据所述前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；

所述驱动电路，用于在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关，维持所述发光单元内像素的灰阶值；

所述开关电路设置在所述驱动电路与所述发光单元之间；

所述开关电路包括：第一薄膜晶体管；

其中，所述第一薄膜晶体管的栅极与前端控制芯片的PWM信号输出端连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述驱动电路的输出端以及所述采集电路的输入端连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述发光单元的输入端连接；

所述采集电路，用于在所述PWM信号的无效占空比时间内对单位时间内输入发光单元的电荷量进行采集。

2.如权利要求1所述的发光单元控制电路，其特征在于，所述发光单元控制电路还包括：第二薄膜晶体管；

所述第二薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与参考电源连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述驱动电路连接。

3.一种基于权利要求1‑2任一项所述发光单元控制电路的发光单元控制方法，其特征在于，所述发光单元控制方法包括：所述开关电路在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；

所述驱动电路在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流驱动所述发光单元，所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关，维持所述发光单元内像素的灰阶值；

所述在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流驱动所述发光单元的步骤之后，还包括：所述采集电路在所述驱动回路断开时，采集单位时间内预设驱动电流产生的预设驱动电荷量。

4.如权利要求3所述的发光单元控制方法，其特征在于，所述根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路的步骤之前，还包括：所述采集电路采集在单位时间内驱动所述发光单元的当前驱动电流产生的当前驱动电荷量；

所述前端控制芯片根据所述当前驱动电荷量确定所述发光单元的当前灰阶值；

所述前端控制芯片在所述当前灰阶值低于预设灰阶值时输出PWM信号。

5.如权利要求3所述的发光单元控制方法，其特征在于，所述发光单元控制方法包括：所述驱动电路在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据所述当前驱动电流驱动所述发光单元；

所述开关电路根据所述前端控制芯片输出的截止信号断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路。

6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：发光单元和权利要求1‑2任一项所述的发光单元控制电路。

7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光层和权利要求6中所述的阵列基板，所述发光层设置在所述阵列基板上。

说明书

发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

[0002] 有机发光显示二极管作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中。亮度均匀性和残像是它目前面临的两个主要难题，要解决这两个问题，除了工艺的改善外，还需要相关的补偿技术。电学补偿是外部补偿的一种方式，通过像素内部的薄膜晶体管的电参数特性读取到外部感应电路，计算需要补偿的驱动电压值并反馈给驱动面板的芯片从而实现补偿。

[0003] 在有机发光显示二极管处于低灰阶亮度下，像素电路经过有机发光显示二极管和薄膜晶体管的电流很微弱即单位时间内的电荷量很小，并且前端控制芯片的对探测的电流有一定精度要求，导致低灰阶时外部补偿能力不够精准。

[0004] 上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

[0005] 本发明的主要目的在于提供一种发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板，解决了低灰阶时外部补偿能力不够精准的技术问题。

[0006] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种发光单元控制电路，所述发光单元控制电路包括采集电路和驱动电路，所述采集电路与所述驱动电路以及前端控制芯片连接，所述前端控制芯片通过所述驱动电路与发光单元连接，所述前端控制芯片和所述发光单元之间设有开关电路，所述开关电路与所述驱动电路串联；

[0007] 所述开关电路，用于在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；

[0008] 所述驱动电路，用于在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关。

[0009] 可选地，所述开关电路设置在所述驱动电路与所述发光单元之间。

[0010] 可选地，所述开关电路包括：第一薄膜晶体管；

[0011] 其中，所述第一薄膜晶体管的栅极与前端控制芯片的PWM信号输出端连接，所述第一薄膜晶体管的源极与所述驱动电路的输出端以及所述采集电路的输入端连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述发光单元的输入端连接。

[0012] 可选地，所述发光单元控制电路还包括：第二薄膜晶体管；

[0013] 所述第二薄膜晶体管的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第二薄膜晶体管的源极与参考电源连接，所述第二薄膜晶体管的源极与所述驱动电路连接。

[0014] 为实现上述目的，本发明还提供了一种基于所述发光单元控制电路的发光单元控制方法，所述发光单元控制方法包括：

[0015] 所述开关电路在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；

[0016] 所述驱动电路在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流驱动所述发光单元，所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关。

[0017] 可选地，所述根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路的步骤之前，还包括：

[0018] 所述采集电路采集在单位时间内驱动所述发光单元的当前驱动电流产生的当前驱动电荷量；

[0019] 所述前端控制芯片根据所述当前驱动电荷量确定所述发光单元的当前灰阶值；

[0020] 所述前端控制芯片在所述当前灰阶值低于预设灰阶值时输出PWM信号。

[0021] 可选地，所述在所述驱动回路导通时，将当前驱动电流提升至预设驱动电流驱动所述发光单元的步骤之后，还包括：

[0022] 所述采集电路在所述驱动回路断开时，采集单位时间内预设驱动电流产生的预设驱动电荷量。

[0023] 可选地，所述发光单元控制方法包括：

[0024] 所述驱动电路在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据所述当前驱动电流驱动所述发光单元；

[0025] 所述开关电路根据所述前端控制芯片输出的截止信号断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路。

[0026] 此外，为实现上述目的，本发明还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：发光单元和所述的发光单元控制电路。

[0027] 此外，为实现上述目的，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括发光层和所述阵列基板，所述发光层设置在所述阵列基板上。

[0028] 本发明中提供一种发光单元控制电路、方法、阵列基板及显示面板，所述发光单元控制电路包括采集电路和驱动电路，所述采集电路与所述驱动电路以及前端控制芯片连接，所述前端控制芯片通过所述驱动电路与发光单元连接，所述前端控制芯片和所述发光单元之间设有开关电路，所述开关电路与所述驱动电路串联；所述开关电路在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；所述驱动电路在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关。在本发明中，通过PWM信号控制导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路并将驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，从而在低灰阶状态下准确的采集单位时间内输入发光单元的电荷量，实现对发光单元的准确补偿。

附图说明

[0029] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的阵列基板的实施例一、实施例二、实施例三、显示面板的实施例以及显示器实施例对应的附图，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

[0030] 图1为本发明发光单元控制电路实施例一的第一种电路结构图；

[0031] 图2为本发明发光单元控制电路实施例一的第二种电路结构图；

[0032] 图3为发光单元不同灰阶状态下的驱动信号示意图；

[0033] 图4为本发明发光单元控制电路实施例二的电路结构图；

[0034] 图5为发光单元前端控制芯片控制逻辑时序图；

[0035] 图6为本发明发光单元控制电路实施例三的电路结构图；

[0036] 图7为本发明发光单元控制方法实施例一的流程示意图；

[0037] 图8为本发明发光单元控制方法实施例二的流程示意图；

[0038] 图9为本发明发光单元控制方法实施例三的流程示意图；

[0039] 图10为本申请显示面板实施例的结构示意图。

[0040] 附图标号说明：

[0041] 标号 名称 标号 名称Vdata 扫描电压 Vref 参考电源
Scan1 预充信号 PVEE 接地
Scan2 驱动信号 T1～T5 第一至第五薄膜晶体管
PVDD 驱动电压 10 采集电路
D1 第一有机发光二极管 20 驱动电路
C1～C2 第一至第二电容 30 开关电路
PWM PWM信号 Sensor 采集信号
40 阵列基板 50 发光层

[0042] 本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

[0043] 应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

[0044] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

[0045] 参照图1和图2，图1为本发明发光单元控制电路实施例一中发光单元控制电路的第一种电路结构图；图2为本发明发光单元控制电路实施例一中发光单元控制电路的第二种电路结构图。参照图1和图2,提出本发明发光单元控制电路实施例一。

[0046] 在发光单元控制电路实施例一中，所述发光单元控制电路包括采集电路10和驱动电路20，所述采集电路10与所述驱动电路20以及前端控制芯片连接，所述前端控制芯片通过所述驱动电路20与发光单元连接，所述前端控制芯片和所述发光单元之间设有开关电路30，所述开关电路30与所述驱动电路20串联。

[0047] 应理解的是，在对有机发光二极管的亮度进行补偿时，需要对有机发光二极管的驱动电流进行采集进而确定有机发光二极管在当前状态下驱动电流与有机发光二极管的亮度之间的关系，然后通过调节输入的驱动电流或驱动电压对有机发光二极管的亮度进行补偿。有机发光二极管处于高灰阶状态下，用于驱动的驱动电流较大，在采集过程中可以很准确的采集到具体的电流值，而在低灰阶状态下，用于驱动的驱动电流十分微小，此时采集到的驱动电流并不准确。

[0048] 可以理解的是，在对驱动电流采集过程中，实际上是对输入发光单元的电荷量进行采集。电荷量的计算公式Q＝C*I*t，其中，Q为电荷量，C为采集电容的电容值，I为驱动电流，t为驱动电流输入的时间。根据电荷量的计算公式可知，在一定的采集时间内采集到较大的电荷量可以通过调节驱动电流的方式获取。

[0049] 需要说明的是，开关电路30是用于控制驱动电源PVDD与发光单元之间驱动回路是否导通的电路。开关电路30可以是由功率管与其他相关元件组成的电流，参照图1，在图1中开关电路30以第一薄膜晶体管T1进行体现，本实施例中并不对开关电路30的具体结构进行限定。前端控制芯片是用于对发光单元的驱动以及补偿进行控制的芯片，前端控制芯片可以通过输入相关的驱动信号至各回路中的开关元器件对各个回路的导通或截止进行控制。前端控制芯片可以通过调节驱动信号的电压值大小，调节第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4的开度从而对驱动回路中的驱动电流进行调节，该前端控制芯片在图中并未展示。
发光单元可以是像素，发光单元可以通过第一有机发光二极管D1、第二电容C2和其他相关元器件组成，此处并不对其他元件的连接做具体限定。

[0050] 在具体实施中，在对电荷量进行采集时，前端控制芯片首先输出驱动信号Scan1至第三薄膜晶体管T3的栅极控制第三薄膜晶体管T3导通，使扫描电压Vdata输入至第四薄膜晶体管T4的栅极控制第四薄膜晶体管T4导通。然后前端控制芯片可以输出PWM信号至开关电路30，所述开关电路30根据前端控制芯片输出的PWM信号，在PWM信号的有效占空比时间内导通所述驱动回路与所述发光单元之间的驱动回路；所述驱动电路20在所述驱动回路导通时，将驱动电压提供的当前驱动电流提升至预设驱动电流对所述发光单元进行驱动，最后前端控制芯片输出采集信号Sensor至第五薄膜晶体管T5的栅极导通第五薄膜晶体管T5，从而对单位时间内输入发光单元的电荷量进行采集。此处，在提高驱动电路20中的电流值的同时通过PWM信号控制单帧内的驱动时间，从而保证发光单元的亮度保持不变。

[0051] 其中，预设驱动电流是预先设定的电流值大于正常驱动电流的电流值的电流。该预设驱动电流的电流值大于常规状态下驱动的发光单元的正常驱动电流的电流值。在PWM信号的占空比为100％时，输入至发光单元的驱动电流为正常驱动电流。所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关。参照图3，在发光单元以额定电流进行驱动时，PWM信号的占空比越大，发光单元的亮度越大，像素的灰阶值越大。在本实施例中，为了保证单位时间内输入发光单元的总电荷量不变，预设驱动电流的电流值越大，对应的PWM信号的占空比越小，从而维持该像素的灰阶值。

[0052] 在发光单元控制电路实施例一中，所述开关电路30在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；所述驱动电路在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关。在本实施例中，通过PWM信号控制导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路并将驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，从而在低灰阶状态下准确的采集单位时间内输入发光单元的电荷量，实现对发光单元的准确补偿。

[0053] 参照图4，图4为本发明发光单元控制电路实施例二中发光单元控制电路的电路结构图，基于图4提出本发明发光单元控制电路的实施例二。

[0054] 在本实施例中，所述开关电路30设置在所述驱动电路20与所述发光单元之间。

[0055] 应理解的是，根据上述电荷量计算公式Q＝C*I*t可知，在提高采集电容的电容值同样可以提高采集到的电荷量。在本实施例中，该电容包括像素单元内设置的电容以及前端控制芯片内的电容。在对电荷量进行采集过程中，驱动电流会首先将像素单元内设置的电容进行充电，其次才会对前端控制芯片内的电容进行充电，而采集到的电荷量便是前端控制芯片内电容充电的电荷量。因此在具体采集过程中，可以通过降低像素单元内设置的电容的容值，从而更加准确的对单位时间内的电荷量进行采集。

[0056] 参照图4，在本实施例中，所述开关电路30包括：第一薄膜晶体管T1；

[0057] 其中，所述第一薄膜晶体管T1的栅极与前端控制芯片的PWM信号输出端连接，所述第一薄膜晶体管T1的源极与所述驱动电路20的输出端以及所述采集电路10的输入端连接，所述第一薄膜晶体管T1的漏极与所述发光单元的输入端连接。

[0058] 在具体实施中，对单位时间内的电荷量进行采集时发光单元处于正常驱动状态，前端控制芯片可以先输出截止信号至第一薄膜晶体管T1的栅极，在第一薄膜晶体管T1截止时停止对发光单元进行驱动，此时驱动电路20中的当前驱动电流会直接对前端控制芯片内的电容进行充电，从而可以准确的采集到单位时间内输入至发光单元的电荷量，进而对发光单元进行准确补偿。

[0059] 在图4和图5中，还可以同时将当前驱动电流提升至预设驱动电流，然后在预设驱动电流的情况下，在PWM信号处于无效占空比时间内即第一薄膜晶体管T1截止状态下，对单位时间内输入发光单元的电荷量进行采集。此过程既增大了驱动电路20中的电流，由将像素单元内的电容进行隔离，通过驱动端电流和隔离像素单元的电容两方面提升单位时间内输入发光单元的电荷量，可以采集到更加准确的电荷量，从而更加准确的对发光单元进行补偿。

[0060] 在具体实施中，前端控制芯片可以输出驱动信号Scan1至第三薄膜晶体管T3的栅极将驱动回路中的当前驱动电流调节至预设驱动电流，然后输出PWM信号至第一薄膜晶体管T1的栅极，在第一薄膜晶体管T1导通时，对发光单元进行驱动。最后前端控制芯片在PWM信号的无效占空比时间内输出采集信号Sensor至第五薄膜晶体管T5的栅极，控制第五薄膜晶体管T5导通，从而在预设驱动电流以及隔离像素内的电容情况下采集到更加准确的单位时间内的电荷量。

[0061] 在本实施例中，通过将像素单元内的电容进行隔离的情况下对输入发光单元的电荷量进行采集，可以准确根据电荷量对发光单元的亮度进行补偿。此外，在本实施例中，还可以基于相同的电路结构，在以预设驱动电流进行驱动并且PWM信号的无效占空比时间内对单位时间内输入发光单元的电荷量进行采集，从两个方面提升采集的电荷量，从而更加准确的对发光单元进行补偿。

[0062] 参照图6，图6为本发明发光单元控制电路实施例三的电路结构图。基于上述实施例一和实施例二提出本发明发光单元控制电路的实施例三。

[0063] 在本实施例中，所述发光单元控制电路还包括：第二薄膜晶体管T2；

[0064] 所述第二薄膜晶体管T2的栅极与所述前端控制芯片连接，所述第二薄膜晶体管T2的源极与参考电源Vref连接，所述第二薄膜晶体管T2的源极与所述驱动电路20连接。

[0065] 应理解的是，在对像素进行扫描过程中，很可能出现两端同时扫描的情况，例如一端从灰阶值为255开始扫描，另一端从灰阶值为0开始扫描，扫面过程最终在灰阶值为127时结束。针对两端同时扫描的过程，用于驱动发光单元的驱动电路20中的第二薄膜晶体管T2内的电流并不相同，在短时间内第二薄膜晶体管内的电流变化过大或输入发光单元内的电流变化过大会直接导致发光单元出现残影。由于薄膜晶体管具有一定的迟滞效应，正向扫描和反向扫描通过薄膜晶体管的电流会发生变化，而通过薄膜晶体管的电流在发生变化过程中，通常是从上一个时刻的电流值直接变化到下一时刻的电流值，导致短时间内电流值变化过大引起残影。

[0066] 需要说明的是，参考电源Vref是用于将第四薄膜晶体管T4的栅极维持在一个恒定的电压值的电源。其中，灰阶变化过程中，初始灰阶值对应一个初始电压，目标灰阶值对应一个目标电压。参考电源Vref提供的预充电压处于初始电压与目标电压的范围内。参考电源Vref提供的预充电压可以根据灰阶值变化的范围进行设定。

[0067] 在具体实施中，前端控制芯片通过第五薄膜晶体管T5控制参考电源Vref与第四薄膜晶体管T4的栅极之间的连接。第五薄膜晶体管T5主要用于根据前端控制芯片输出的预充信号Scan2导通或断开参考电源Vref与第二薄膜晶体管T2的栅极之间的回路，其他具有相同功能的功率管同样适用，例如将采用MOS管、三极管、IGBT等均可，此处不做具体限定。前端控制芯片可以输出驱动信号Scan1至驱动电路20中第三薄膜晶体管T3的栅极，控制第三薄膜晶体管T3导通，此时扫描信号Vdata可以通过所述驱动电路20中的第三薄膜晶体管T3为所述第四薄膜晶体管T4的栅极提供一定的目标电压，此时第四薄膜晶体管T4的栅极已经存在预充电压，将所述第四薄膜晶体管T4的栅极调节至目标电压即可。在第四薄膜晶体管T4导通时，驱动电源可以通过输出驱动电压PVDD驱动发光单元。

[0068] 在实施例三中，通过设置第二薄膜晶体管T2以及与第二薄膜晶体管T2连接的参考电源，将第四薄膜晶体管T4的栅极提供一定的电压可以有效降低第四薄膜晶体管T4的迟滞效应，从而在对发光单元的亮度进行准确补偿的同时还可以避免发光单元出现的残影。

[0069] 参照图7，图7为本发明发光单元控制方法实施例一的流程示意图。基于提7提出本发明发光单元控制方法实施例一。

[0070] 参照图7，在发光单元控制方法实施例一中所述发光单元控制方法包括：

[0071] 步骤S10：所述开关电路在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；

[0072] 步骤S20：所述驱动电路在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流驱动所述发光单元，所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关。

[0073] 需要说明的是，开关电路是用于控制驱动电源与发光单元之间驱动回路是否导通的电路。开关电路可以是由功率管与其他相关元件组成的电流，本实施例中并不对开关电路的具体结构进行限定。前端控制芯片是用于对发光单元的驱动以及补偿进行控制的芯片，前端控制芯片可以通过输入相关的驱动信号至各回路中的开关元器件对各个回路的导通或截止进行控制。前端控制芯片可以通过调节驱动信号的电压值大小，调节第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的开度从而对驱动回路中的驱动电流进行调节，该前端控制芯片在图中并未展示。发光单元可以是像素，发光单元可以通过第一有机发光二极管、第二电容和其他相关元器件组成，此处并不对其他元件的连接做具体限定。

[0074] 在具体实施中，在对电荷量进行采集时，前端控制芯片首先输出驱动信号至第三薄膜晶体管的栅极控制第三薄膜晶体管导通，使扫描电压输入至第四薄膜晶体管的栅极控制第四薄膜晶体管导通。然后前端控制芯片可以输出PWM信号至开关电路，所述开关电路根据前端控制芯片输出的PWM信号，在PWM信号的有效占空比时间内导通所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；所述驱动电路在所述驱动回路导通时，将驱动电压提供的当前驱动电流提升至预设驱动电流对所述发光单元进行驱动，最后前端控制芯片输出采集信号至第五薄膜晶体管的栅极导通第五薄膜晶体管，从而对单位时间内输入发光单元的电荷量进行采集。此处，在提高驱动电路中的电流值的同时通过PWM信号控制单帧内的驱动时间，从而保证发光单元的亮度保持不变。

[0075] 其中，预设驱动电流是预先设定的电流值较大的电流。所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关。在发光单元以额定电流进行驱动时，PWM信号的占空比越大，发光单元的亮度越大，像素的灰阶值越大。在本实施例中，为了保证单位时间内输入发光单元的总电荷量不变，预设驱动电流的电流值越大，对应的PWM信号的占空比越小，从而维持该像素的灰阶值。

[0076] 在发光单元控制电路实施例一中，所述开关电路在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据前端控制芯片输出的PWM信号导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路；所述驱动电路在所述驱动回路导通时，将所述驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，所述预设驱动电流的电流值与所述PWM信号的占空比负相关。在本实施例中，通过PWM信号控制导通或断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路并将驱动回路中的当前驱动电流提升至预设驱动电流，从而在低灰阶状态下准确的采集单位时间内输入发光单元的电荷量，实现对发光单元的准确补偿。

[0077] 参照图8，图8为本发明发光单元控制方法实施例二的流程示意图。基于提上述本发明发光单元控制方法实施例一提出本发明发光单元控制方法实施例二。

[0078] 在本实施例中，所述步骤S10之前还包括：

[0079] 步骤S101：所述采集电路采集在单位时间内驱动所述发光单元的当前驱动电流产生的当前驱动电荷量；

[0080] 需要说明的是，当前驱动电流是正常状态下，驱动电源输出的用于对发光单元进行驱动的电流。当前驱动电荷量是指在单位时间内，输入发光单元的电荷量。在本实施例中，可以通过将当前驱动电流通过前端控制芯片内的电容，对前端控制芯片内的电容充电的电荷量确定当前驱动电荷量。

[0081] 步骤S102：所述前端控制芯片根据所述当前驱动电荷量确定所述发光单元的当前灰阶值；

[0082] 需要说明的是，当前灰阶值是用于体现发光单元当前状态下亮度参数。根据当前驱动电荷量可以确定发光单元此时的亮度从而确定发光单元的当前灰阶值。在具体实施中，可以根据发光单元的特性确定发光单元当前驱动电荷量与亮度之间的关系，然后根据电荷量确定发光单元的当前灰阶值。

[0083] 步骤S103：所述前端控制芯片在所述当前灰阶值低于预设灰阶值时输出PWM信号。

[0084] 需要说明的是，预设灰阶值是预先设定的用于确定发光单元的发光状态的灰阶值。在当前灰阶值低于预设灰阶值时，该发光单元处于低灰阶状态。前端控制芯片可以在发光单元处于低灰阶状态时，输出PWM信号通过控制第一薄膜晶体管状态控制单位时间内输入发光单元的电荷量。

[0085] 在本实施例中，所述步骤S20之后，还包括：

[0086] 步骤S30：所述采集电路在所述驱动回路断开时，采集单位时间内预设驱动电流产生的预设驱动电荷量。

[0087] 需要说明的是，预设驱动电荷量是预设驱动电流在单位时间内输入至发光单元的电荷量。在具体实施中，前端控制芯片可以输出驱动信号至第三薄膜晶体管的栅极将驱动回路中的当前驱动电流调节至预设驱动电流，然后输出PWM信号至第一薄膜晶体管的栅极，在第一薄膜晶体管导通时，对发光单元进行驱动。最后前端控制芯片在PWM信号的无效占空比时间内输出采集信号至第五薄膜晶体管的栅极，控制第五薄膜晶体管导通，从而在预设驱动电流以及隔离像素内的电容情况下采集到更加准确的单位时间内的电荷量。

[0088] 在本实施例中，在以预设驱动电流进行驱动并且PWM信号的无效占空比时间内对单位时间内输入发光单元的电荷量进行采集，从两个方面提升采集的电荷量，从而更加准确的对发光单元进行补偿。

[0089] 参照图9，图9为本发明发光单元控制方法实施例三的流程示意图。基于图9提出本发明发光单元控制方法实施例三。

[0090] 在本实施例中，所述发光单元控制方法包括：

[0091] 步骤S10'：所述驱动电路在所述采集电路采集单位时间内输入所述发光单元的电荷量时，根据所述当前驱动电流驱动所述发光单元；

[0092] 步骤S20'：所述开关电路根据所述前端控制芯片输出的截止信号断开所述驱动电路与所述发光单元之间的驱动回路。

[0093] 需要说明的是，在对电荷量进行采集过程中，驱动电流会首先将像素单元内设置的电容进行充电，其次才会对前端控制芯片内的电容进行充电，而采集到的电荷量便是前端控制芯片内电容充电的电荷量。因此在具体采集过程中，可以通过降低像素单元内设置的电容的容值，从而更加准确的对单位时间内的电荷量进行采集。

[0094] 在具体实施中，可以对单位时间内的电荷量进行采集时发光单元处于正常驱动状态，前端控制芯片可以先输出截止信号至第一薄膜晶体管的栅极，在第一薄膜晶体管截止时停止对发光单元进行驱动，此时驱动电路中的当前驱动电流会直接对前端控制芯片内的电容进行充电，从而可以准确的采集到单位时间内输入至发光单元的电荷量，进而对发光单元进行准确补偿。

[0095] 在本实施例中，通过将像素单元内的电容进行隔离的情况下对输入发光单元的电荷量进行采集，可以准确根据电荷量对发光单元的亮度进行补偿。

[0096] 此外，本发明还提出一种阵列基板，所述阵列基板包括发光单元和上述发光单元控制电路。由于本阵列基板采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

[0097] 此外，本发明还提出一种显示面板，参照图10，图10为本申请显示面板实施例的结构示意图，所述显示面板包括所述阵列基板40和发光层50，所述发光层50设置在所述阵列基板40上。

[0098] 以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

[0099] 显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0100] 需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

[0101] 另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当人认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。