本发明属于微波天线技术领域，涉及一种微带功分器激光焊接封装后的调试方法。微带功分器包括腔体、盖板、微带线电路板和连接器；所述腔体和盖板间采用激光焊接的方式封装；所述微带线电路板和连接器所述安装在所述腔体内；所述微带功分器激光焊接封装后的调试方法为：对所述腔体和/或盖板外部进行施力和/或冲击，使所述盖板产生弹性和/或塑性形变，调试所述微带线电路板和/或连接器。本发明能对经过激光封装后的微带功分器进行调试修复，保证其微波电性能，保证其高低温稳定性。
1.一种微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，所述微带功分器包括腔体、盖板、微带线电路板和连接器；所述腔体和盖板间采用激光焊接的方式封装；所述微带线电路板和连接器安装在所述腔体内；所述微带功分器激光焊接封装后的调试方法为：对所述腔体和/或盖板外部进行施力和/或冲击，使所述盖板产生弹性和/或塑性形变，调试所述微带线电路板和/或连接器；
所述微带线电路板为分层结构，各层电连接通过金属导电柱实现，所述调试方法包括金属导电柱处理方法，应用于当所述金属导电柱与所述微带线电路板的带线电路之间的金属化过孔间存在空气间隙、接触不良和/或焊接高度不一致时；包括以下步骤：S101：以均匀力量对所述金属导电柱位置的处盖板进行施力和/或冲击，使盖板表面发生形变，产生第一十字形凹坑；
三组所述第一十字凹坑分别对应金属导电柱位置、金属导电柱的补偿电路位置以及金属导电柱的电路板断面位置。
2.根据权利要求1所述的微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，三组所述第一十字凹坑分布为：一第一十字凹坑处于金属导电柱处，其他两组十字凹坑分布于距离金属导电柱轴向投影的3～4mm区域内的延带线电路处。
3.根据权利要求1所述的微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，所述第一十字凹坑的深度为0.1～0.4mm。
4.根据权利要求1所述的微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，所述调试方法还包括相位精确控制方法，包括以下步骤：S201：通过矢量网络分析仪得到所述微带功分器各信号通道的实测相位值，以所述功分器的最高工作频点为基准，计算各通道的相位偏移量，计算出功分器的相位一致度；
S202:以相位偏移量最大的通道为基准值，将其余通道的相位偏移量修正至最大偏移量：以均匀力量对分支延带线电路需修正通道处的盖板进行冲击和/或施压处理，使盖板产生凹坑，增加需修正通道的相位偏移量。
5.根据权利要求4所述的微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，各所述通道组成一分支延带线电路，所述分支延带线电路包括：单独通道、三级分支、二级分支和一级分支；所述二级分支为所述一级分支的分支部分，所述三级分支为所述二级分支的分支部分，所述单独通道为所述三级分支的分支部分；
所述S202中，冲击和/或施压处理的优先级为一级分支——二级分支——三级分支——单独通道。
6.根据权利要求5所述的微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，所述相位精确控制方法所产生的凹坑为第二十字凹坑，所述第二十字凹坑的深度为0.1～0.4mm，用于对所修正分支产生1～3°的相位偏移量。
7.根据权利要求1所述的微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，所述调试方法还包括端口及盖板平整方法：当所述腔体的外接端口和/或盖板弯角处出现盖板上翘时，使用方头工具平整各外接端口及传输通道弯角处盖板。
8.根据权利要求1‑6之任一项所述的微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，各凹坑基于平头十字专用工具和/或平头十字螺丝刀的冲击/施力实现。
9.根据权利要求1‑7之任一项所述的微带功分器激光焊接封装后的调试方法，其特征在于，所述微带功分器激光焊接封装后的调试方法还用于微波器件或组件的调试。
一种微带功分器激光焊接封装后的调试方法
技术领域
[0001] 本发明属于微波天线技术领域，涉及一种微带功分器激光焊接封装后的调试方法。
背景技术
[0002] 微带功分器是源相控阵雷达天线系统的重要组成部分，对天线性能和雷达整机性能有重要影响。其型号多，数量大，生产调试阶段的任务相当繁重。微带功分器由腔体、盖板和安装在腔体内的微带线电路板和连接器组成，功分器的腔体和盖板间采用激光焊接的方式进行封装。虽然功分器在激光焊接前进行过测试调试，驻波、插入损耗、相位一致度、各端口相互隔离度等微波电性能指标能达要求，但是相位一致度指标随机变化，无法进行控制和调试。而功分器的激光焊接封装过程会造成温度大幅上升，激光封装后拆卸装配夹具，又造成功分器内部受力状况改变，导致功分器在激光封装后的电性能不可避免地会发生变化。因焊接封装后功分器已处于完全密封状态，无法进行修复和调试；如果分解腔体和盖板，则必然会造成腔体和微带电路板变形，失去维修价值。如果性能变化超出设计要求，基本只能做报废处理。而对于性能变化后仍合格的功分器，也不能保证其在后续使用中，在不同温度环境下，性能稳定，不再发生不可控的变化。因此，需要一种技术方法，能对经过激光封装后的微带功分器进行调试修复，保证其微波电性能，保证其高低温稳定性。目前，不具有微带功分器激光封装后调试方法。
发明内容
[0003] 有鉴于此，本发明提出一种微带功分器激光焊接封装后的调试方法，能对经过激光封装后的微带功分器进行调试修复，保证其微波电性能，保证其高低温稳定性。
[0004] 为了达到上述技术目的，本发明所采用的具体技术方案为：
[0005] 一种微带功分器激光焊接封装后的调试方法，所述微带功分器包括腔体、盖板、微带线电路板和连接器；所述腔体和盖板间采用激光焊接的方式封装；所述微带线电路板和连接器安装在所述腔体内；
[0006] 所述微带功分器激光焊接封装后的调试方法为：
[0007] 对所述腔体和/或盖板外部进行施力和/或冲击，使所述盖板产生弹性和/或塑性形变，调试所述微带线电路板和/或连接器。
[0008] 进一步的，所述微带线电路板为分层结构，各层电连接通过金属导电柱实现，所述调试方法包括金属导电柱处理方法，应用于当所述金属导电柱与所述微带线电路板的带线电路之间的金属化过孔间存在空气间隙、接触不良和/或焊接高度不一致时；包括以下步骤：
[0009] S101：以均匀力量对所述金属导电柱位置的处盖板进行施力和/或冲击，使盖板表面发生形变，产生第一十字形凹坑；
[0010] 处理每组金属导电柱的所述第一十字凹坑为三组；
[0011] 三组所述第一十字凹坑分别对应金属导电柱位置、金属导电柱的补偿电路位置以及金属导电柱的电路板断面位置。
[0012] 进一步的，三组所述第一十字凹坑分布为：一第一十字凹坑处于金属导电柱处，其他两组十字凹坑分布于距离金属导电柱轴向投影的3～4mm区域内的延带线电路处。
[0013] 进一步的，所述第一十字凹坑的深度为0.1～0.4mm。
[0014] 进一步的，所述调试方法还包括相位精确控制方法，包括以下步骤：
[0015] S201：通过矢量网络分析仪得到所述微带功分器各信号通道的实测相位值，以所述功分器的最高工作频点为基准，计算各通道的相位偏移量，计算出功分器的相位一致度；
[0016] S202:以相位偏移量最大的通道为基准值，将其余通道的相位偏移量修正至最大偏移量：
[0017] 以均匀力量对分支延带线电路需修正通道处的盖板进行冲击和/或施压处理，使盖板产生凹坑，增加需修正通道的相位偏移量。
[0018] 进一步的，各所述通道组成一分支延带线电路，所述分支延带线电路包括：单独通道、三级分支、二级分支和一级分支；所述二级分支为所述一级分支的分支部分，所述三级分支为所述二级分支的分支部分，所述单独通道为所述三级分支的分支部分；
[0019] 所述S202中，冲击和/或施压处理的优先级为一级分支——二级分支——三级分支——单独通道。
[0020] 进一步的，所述相位精确控制方法所产生的凹坑为第二十字凹坑，所述第二十字凹坑的深度为0.1～0.4mm，用于对所修正分支产生1～3°的相位偏移量。
[0021] 进一步的，所述调试方法还包括端口及盖板平整方法：
[0022] 当所述腔体的外接端口和/或盖板弯角处出现盖板上翘时，使用方头工具平整各外接端口及传输通道弯角处盖板。
[0023] 进一步的，各凹坑基于平头十字专用工具和/或平头十字螺丝刀的冲击/施力实现。
[0024] 进一步的，所述微带功分器激光焊接封装后的调试方法还用于微波器件或组件的调试。
[0025] 采用上述技术方案，本发明能够带来以下有益效果：
[0026] 1、使原随机、无法进行控制调试的相位一致度指标完全可控可调，大幅提高了微带功分器的合格率和温度稳定性，大幅降低了后续各调试工序返工率。
[0027] 2、调试方法简单易行。适合大批量生产，调试工作效率大幅提高，成本降低。
[0028] 3、提高了微带功分器的微波电性能。
附图说明
[0029] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0030] 图1为本发明具体实施方式中金属导电柱的位置及结构示意图；
[0031] 图2为本发明具体实施方式中金属导电柱的处理方法示意图：
[0032] 图3为本发明具体实施方式中三个第一十字凹坑的分布示意图；
[0033] 图4为本发明具体实施方式中分支延带线电路的分级示意图；（一分五）；
[0034] 图5为本发明具体实施方式中分支延带线电路的处理位置示意（一分八）。
具体实施方式
[0035] 下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
[0036] 以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0037] 要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本发明，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目个方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。
[0038] 还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0039] 另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践所述方面。
[0040] 在本发明的一个实施例中，提出一种微带功分器激光焊接封装后的调试方法，微带功分器包括腔体、盖板、微带线电路板和连接器；腔体和盖板间采用激光焊接的方式封装；微带线电路板和连接器安装在腔体内；
[0041] 微带功分器激光焊接封装后的调试方法为：
[0042] 对腔体和/或盖板外部进行施力和/或冲击，使盖板产生弹性和/或塑性形变，调试微带线电路板和/或连接器。
[0043] 在一个实施例中，微带线电路板为分层结构，各层电连接通过金属导电柱实现，调试方法包括金属导电柱处理方法，当金属导电柱与微带线电路板的带线电路之间的金属化过孔间存在空气间隙、接触不良和/或焊接高度不一致时，阻抗匹配会变差，对插入损耗、幅度一致度、隔离度影响极大，同时使得组件的高低温性能稳定性变差。
[0044] 金属导电柱处理方法包括以下步骤：
[0045] S101：以均匀力量对金属导电柱位置的处盖板进行施力和/或冲击，使盖板表面发生形变，产生第一十字形凹坑；
[0046] 处理每组金属导电柱的第一十字凹坑为三组；
[0047] 三组第一十字凹坑分别对应金属导电柱位置、金属导电柱的补偿电路位置以及金属导电柱的电路板断面位置。
[0048] 在本实施例中，三组第一十字凹坑分布为：一第一十字凹坑处于金属导电柱处，其他两组十字凹坑分布于距离金属导电柱轴向投影的3～4mm区域内的延带线电路处，如图3所示。
[0049] 在本实施例中，第一十字凹坑的深度为0.1～0.4mm。
[0050] 图1为本实施例金属导电柱的位置及结构示意图；
[0051] 图2为本实施例金属导电柱的处理方法示意图：（“＋＋＋”为冲击施压位置）。
[0052] 在一个实施例中，调试方法还包括相位精确控制方法，
[0053] 微带电路板的介电常数会因受力而变化，使相位偏移量随电路板受力增加而增加，在激光封装焊接后，已无法使电路板受力减小，只能增加相位偏移量小的通道的相位偏移量（单向修正）。
[0054] 精确控制方法包括以下步骤：
[0055] S201：通过矢量网络分析仪得到微带功分器各信号通道的实测相位值，频率越高相位偏移量越大，以功分器的最高工作频点为基准，计算各通道的相位偏移量，计算出功分器的相位一致度；
[0056] S202:基于相位一致度，以相位偏移量最大的通道为基准值，将其余通道的相位偏移量修正至最大偏移量：
[0057] 以均匀力量对分支延带线电路需修正通道处的盖板进行冲击和/或施压处理，使盖板产生凹坑，增加需修正通道的相位偏移量。
[0058] 各通道组成一分支延带线电路，包括：单独通道、三级分支、二级分支和一级分支；二级分支为一级分支的分支部分，三级分支为二级分支的分支部分，单独通道为三级分支的分支部分；
[0059] S202中，如图4所示，冲击和/或施压处理的优先级为一级分支——二级分支——三级分支——单独通道。
[0060] 在本实施例中，相位精确控制方法所产生的凹坑为第二十字凹坑，第二十字凹坑的深度为0.1～0.4mm，用于对所修正分支产生1～3°的相位偏移量。
[0061] 图4为本实施例中分支延带线电路的分级示意图；（一分五）；
[0062] 图5为本实施例中分支延带线电路的处理位置示意（一分八），其中圆圈内为第一十字凹坑，其余为第二十字凹坑。
[0063] 在上述实施例中，第一十字凹坑和第二十字凹坑基于平头十字专用工具和/或平头十字螺丝刀的冲击/施力实现。
[0064] 在一个实施例中，调试方法还包括端口及盖板平整方法：
[0065] 当腔体的外接端口和/或盖板弯角处出现盖板上翘时，使用方头工具平整各外接端口及传输通道弯角处盖板。
[0066] 外接端口和盖板弯角处，因激光封装受热和拆卸调试工装后应力释放，会出现盖板上翘，影响整体性能。平整后可以防止电磁泄漏、改善各外接端口的阻抗匹配、改善驻波系数、减小损耗波动并提高各信号通道间相互隔离度。
[0067] 上述实施例适用于具有采用柔性材料制造电路板，并且密封于金属腔体内这一结构的带状线功分器及组件。并可扩展用于具有同样结构特征的微波器件或组件。
[0068] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
