本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片腐蚀化系统，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；工作台面包括多个工作腔，密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止有害气体泄露；传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；排气装置用于对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。本发明将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面，通过自动化机构，实现碳化硅晶片在功能化处理过程中的自动化；整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态，防止有害气体的挥发，工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度，避免高温和有害气体的接触，最大限度保护人员安全。
1.一种碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；
所述工作台面包括多个工作腔，多个工作腔分别用于根据设定程序自动进行碳化硅晶片腐蚀化过程中的不同功能化处理，多个工作腔分别为腐蚀工作腔、冲洗工作腔、超声清洗工作腔和烘干工作腔，分别用于进行碳化硅晶片腐蚀化过程中的腐蚀处理、冲洗处理、超声清洗处理和烘干处理，其中，所述腐蚀工作腔的上侧设有腔盖，用于按照设定程序实现自动打开和闭合；所述密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止从工作腔内散发出的有害气体泄露；所述传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从所述密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；所述排气装置用于在对碳化硅晶片进行功能化处理的过程中对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，所述密封舱安装在所述工作台面的上方，所述密封舱与所述工作台面通过气压作用和密封圈进行密封。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，所述传送机构根据设定程序自动依次将碳化硅晶片从所述密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理的自动化处理过程包括：打开所述腔盖，所述传送机构将碳化硅晶片从所述密封舱内传送到所述腐蚀工作腔中进行腐蚀处理，腐蚀完成后，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片从所述腐蚀工作腔传送到所述密封舱内，关闭所述腔盖，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片依次从所述密封舱传送到所述冲洗工作腔、所述超声清洗工作腔和所述烘干工作腔进行功能化处理。
4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，打开所述腔盖，所述传送机构将碳化硅晶片从所述密封舱内传送到所述腐蚀工作腔中进行腐蚀处理，腐蚀完成后，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片从所述腐蚀工作腔传送到所述密封舱内，关闭所述腔盖，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片依次从所述密封舱传送到所述冲洗工作腔、所述超声清洗工作腔和所述烘干工作腔进行功能化处理的自动化处理过程具体包括：所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方,打开所述腔盖，所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔内的碳化硅腐蚀溶液中进行腐蚀，腐蚀设定温度后，得到腐蚀后的碳化硅晶片；所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方，关闭所述腔盖；冷却设定时间后，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片传送至所述冲洗工作腔的上方并进入进行冲洗处理，冲洗完成后所述传送机构将冲洗后的碳化硅晶片传送至所述超声清洗工作腔的上方并进入进行超声清洗处理，超声清洗完成后所述传送机构将超声清洗后的碳化硅晶片传送至所述烘干工作腔的上方并进入进行烘干处理，烘干完成后所述传送机构将烘干后的碳化硅晶片传送至所述烘干工作腔的上方，得到腐蚀化的碳化硅晶片。
5.根据权利要求4所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，碳化硅晶片在所述碳化硅腐蚀溶液中进行腐蚀的腐蚀时间范围为5 90分钟，碳化硅晶片在所述碳化硅腐蚀溶液中~腐蚀完成后在所述腐蚀工作腔上方的冷却时间范围为10 20分钟，腐蚀后的碳化硅晶片在~
所述冲洗工作腔中进行冲洗的冲洗时间范围为10 20分钟，冲洗后的碳化硅晶片在所述超~
声清洗工作腔中进行超声清洗的超声清洗时间范围为10 30分钟，超声清洗后的碳化硅晶~
片在所述烘干工作腔中进行烘干的烘干时间范围为5 20分钟。
6.根据权利要求4所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，在所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方的处理过程之前还包括以下操作过程：打开所述密封舱和所述腔盖，将装有碳化硅腐蚀剂的坩埚放入所述腐蚀工作腔，关闭所述密封舱和所述腔盖，对所述坩埚内的碳化硅腐蚀剂进行加热至设定温度，形成碳化硅腐蚀溶液；开启所述排气装置并打开所述密封舱的进样口，将碳化硅晶片放置到所述密封舱内的传送机构中，关闭所述进样口。
7.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，所述传送机构包括运动轨道、运动构件和样品花篮；所述样品花篮设于所述运动构件的下端，用于放置碳化硅晶片；所述运动轨道设于所述工作台面的上方以及所述运动构件的上端，用于为所述运动构件提供水平运动轨道；所述运动构件用于根据设定程序沿着所述运动轨道带动放置在所述样品花篮中的碳化硅晶片按照设定程序自动进行水平运动和上下运动，依次将放置在所述样品花篮中的碳化硅晶片传送到不同工作腔中进行功能化处理，其中，通过设定所述运动构件的水平运动时间和上下运动时间，控制碳化硅晶片在不同工作腔中的功能化处理时间。
8.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，所述排气装置包括进气口、排气道、排气扇和尾气处理组件，所述进气口设于所述密封舱的上侧，所述排气道设于所述工作腔的腔盖上方，所述排气扇和所述尾气处理组件设于所述工作台面中；从所述进气口向所述密封舱内通入气体并在所述排气扇的作用下，从工作腔内散发出的有害气体通过所述排气道进入所述尾气处理组件中进行无害化处理。
9.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，所述密封舱设有出样门和进样门，所述出样门和所述进样门分别用于实现碳化硅晶片的取放。
10.根据权利要求1所述的碳化硅晶片腐蚀化系统，其特征在于，所述密封舱设有观察窗，用于对碳化硅晶片的腐蚀过程进行观察。
一种碳化硅晶片腐蚀化系统
技术领域
[0001] 本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，具体为一种碳化硅晶片腐蚀化系统。
背景技术
[0002] 碳化硅是第三代半导体的代表性材料，禁带宽度大，化学惰性高，在高频高压器件领域有重要应用价值，已经逐渐应用于光伏、新能源汽车、智能电网等领域，表现优异。但是，碳化硅材料的缺陷对器件性能有直接影响，因此，在衬底、加工、外延、器件失效分析等多个步骤都需要对缺陷进行观察和统计。而位错类缺陷作为一类二维缺陷，普通光学显微镜无法观察。
[0003] 由于位错是晶体中的晶格畸变，因此位错处会有应力集中。在腐蚀环境中，位错区域会优先发生腐蚀，从而实现位错的显露。但是，由于碳化硅晶体键合强，化学惰性高，低温腐蚀无法启动，需要将强碱加热至400至600℃的熔融状态。目前，熔融碱腐蚀被普遍用于位错的识别，能够简单有效地对各种位错缺陷进行识别和区分，碱蒸汽腐蚀也有一定的研究。但是，当前腐蚀碳化硅片的操作大多使用常规腐蚀炉，需要人工取放，存在一定的操作风险。且取放过程中的高温腐蚀剂蒸汽挥发难以避免，对环境和工作人员健康都有不利影响，还需要配套通风橱或排风罩，提高了使用成本。
发明内容
[0004] 本发明的目的在于克服现有碳化硅晶片腐蚀化系统使用成本高、对环境和工作人员健康都有不利影响的问题，提供了一种碳化硅晶片腐蚀化系统。
[0005] 为了实现上述目的，本发明提供一种碳化硅晶片腐蚀化系统，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；
[0006] 所述工作台面包括多个工作腔，多个工作腔分别用于根据设定程序自动进行碳化硅晶片腐蚀化过程中的不同功能化处理，多个工作腔分别为腐蚀工作腔、冲洗工作腔、超声清洗工作腔和烘干工作腔，分别用于进行碳化硅晶片腐蚀化过程中的腐蚀处理、冲洗处理、超声清洗处理和烘干处理，其中，所述腐蚀工作腔的上侧设有腔盖，用于按照设定程序实现自动打开和闭合；所述密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止从工作腔内散发出的有害气体泄露；所述传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从所述密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；所述排气装置用于在对碳化硅晶片进行功能化处理的过程中对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。
[0007] 作为一种可实施方式，所述密封舱安装在所述工作台面的上方，所述密封舱与所述工作台面通过气压作用和密封圈进行密封。
[0008] 作为一种可实施方式，所述传送机构根据设定程序自动依次将碳化硅晶片从所述密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理的自动化处理过程包括：
[0009] 打开所述腔盖，所述传送机构将碳化硅晶片从所述密封舱内传送到所述腐蚀工作腔中进行腐蚀处理，腐蚀完成后，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片从所述腐蚀工作腔传送到所述密封舱内，关闭所述腔盖，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片依次从所述密封舱传送到所述冲洗工作腔、所述超声清洗工作腔和所述烘干工作腔进行功能化处理。
[0010] 作为一种可实施方式，打开所述腔盖，所述传送机构将碳化硅晶片从所述密封舱内传送到所述腐蚀工作腔中进行腐蚀处理，腐蚀完成后，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片从所述腐蚀工作腔传送到所述密封舱内，关闭所述腔盖，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片依次从所述密封舱传送到所述冲洗工作腔、所述超声清洗工作腔和所述烘干工作腔进行功能化处理的自动化处理过程具体包括：
[0011] 所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方,打开所述腔盖，所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔内的碳化硅腐蚀溶液中进行腐蚀，腐蚀设定温度后，得到腐蚀后的碳化硅晶片；所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方，关闭所述腔盖；冷却设定时间后，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片传送至所述冲洗工作腔的上方并进入进行冲洗处理，冲洗完成后所述传送机构将冲洗后的碳化硅晶片传送至所述超声清洗工作腔的上方并进入进行超声清洗处理，超声清洗完成后所述传送机构将超声清洗后的碳化硅晶片传送至所述烘干工作腔的上方并进入进行烘干处理，烘干完成后所述传送机构将烘干后的碳化硅晶片传送至所述烘干工作腔的上方，得到腐蚀化的碳化硅晶片。
[0012] 作为一种可实施方式，碳化硅晶片在所述碳化硅腐蚀溶液中进行腐蚀的腐蚀时间范围为5 90分钟，碳化硅晶片在所述碳化硅腐蚀溶液中腐蚀完成后在所述腐蚀工作腔上方~的冷却时间范围为10 20分钟，腐蚀后的碳化硅晶片在所述冲洗工作腔中进行冲洗的冲洗~
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烘干时间范围为5 20分钟。
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[0013] 作为一种可实施方式，在所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方的处理过程之前还包括以下操作过程：
[0014] 打开所述密封腔和所述腔盖，将装有碳化硅腐蚀剂的坩埚放入所述腐蚀工作腔，关闭所述密封腔和所述腔盖，对所述坩埚内的碳化硅腐蚀剂进行加热至设定温度，形成碳化硅腐蚀溶液；开启所述排气装置并打开所述密封腔的进样口，将碳化硅晶片放置到所述密封舱内的传送机构中，关闭所述进样口。
[0015] 作为一种可实施方式，所述传送机构包括运动轨道、运动构件和样品花篮；所述样品花篮设于所述运动构件的下端，用于放置碳化硅晶片；所述运动轨道设于所述工作台面的上方以及所述运动构件的上端，用于为所述运动构件提供水平运动轨道；所述运动构件用于根据设定程序沿着所述运动轨道带动放置在所述样品花篮中的碳化硅晶片按照设定程序自动进行水平运动和上下运动，依次将放置在所述样品花篮中的碳化硅晶片传送到不同工作腔中进行功能化处理，其中，通过设定所述运动构件的水平运动时间和上下运动时间，控制碳化硅晶片在不同工作腔中的功能化处理时间。
[0016] 作为一种可实施方式，所述排气装置包括进气口、排气道、排气扇和尾气处理组件，所述进气口设于所述密封舱的上侧，所述排气道设于所述工作腔的腔盖上方，所述排气扇和所述尾气处理组件设于所述工作台面中；从所述进气口向所述密封舱内通入气体并在所述排气扇的作用下，从工作腔内散发出的有害气体通过所述排气道进入所述尾气处理组件中进行无害化处理。
[0017] 作为一种可实施方式，所述密封舱设有出样门和进样门，所述出样门和所述进样门分别用于实现碳化硅晶片的取放。
[0018] 作为一种可实施方式，所述密封舱设有观察窗，用于对碳化硅晶片的腐蚀过程进行观察。
[0019] 本发明的有益效果：本发明将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面，通过自动化机构，实现碳化硅晶片在不同功能化处理过程中的自动化；整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态，防止有害气体的挥发，工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度，避免高温和有害气体的接触，最大限度保护人员安全。相比于现有技术，设备无通风橱、排风罩等配套需求，实用性强。
附图说明
[0020] 图1为本发明实施例碳化硅晶片腐蚀化系统的剖面结构示意图。
具体实施方式
[0021] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0022] 参见图1，本实施例提供一种技术方案：一种碳化硅晶片腐蚀化系统，包括工作台面、传送机构、密封舱和排气装置；
[0023] 所述工作台面包括多个工作腔，多个工作腔分别用于根据设定程序自动进行碳化硅晶片腐蚀化过程中的不同功能化处理；所述密封舱用于对所述工作腔进行密封，防止从工作腔内散发出的有害气体泄露；所述传送机构用于根据设定程序自动将碳化硅晶片依次从所述密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理；所述排气装置用于在对碳化硅晶片进行功能化处理的过程中对从工作腔散发出的有害气体进行无害化处理。
[0024] 其中，所述密封舱安装在所述工作台面的上方，所述密封舱与所述工作台面通过气压作用和密封圈进行密封；多个工作腔分别为腐蚀工作腔、冲洗工作腔、超声清洗工作腔和烘干工作腔，分别用于进行碳化硅晶片腐蚀化过程中的腐蚀处理、冲洗处理、超声清洗处理和烘干处理，其中，所述腐蚀工作腔的上侧设有腔盖，用于按照设定程序实现自动打开和闭合。
[0025] 如图1所示，所述工作台面分别包括腐蚀工作腔3、冲洗工作腔4、超声清洗工作腔5和烘干工作腔6和排气装置7；所述密封腔12设于所述工作台面的上方，用于对腐蚀工作腔3、冲洗工作腔4、超声清洗工作腔5和烘干工作腔6进行密封，防止在所述腐蚀工作腔工作的时候散发出来的有害气体外溢。
[0026] 所述传送机构根据设定程序自动依次将碳化硅晶片从所述密封舱传送到不同的工作腔中进行功能化处理的自动化处理过程包括：
[0027] 打开所述腔盖，所述传送机构将碳化硅晶片从所述密封舱内传送到所述腐蚀工作腔中进行腐蚀处理，按照需求，碳化硅晶片可以浸没入熔融碱中，实现熔融碱腐蚀；或放置在液面以上固定位置，实现蒸汽腐蚀。腐蚀完成后，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片从所述腐蚀工作腔传送到所述密封舱内，关闭所述腔盖，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片依次从所述密封舱传送到所述冲洗工作腔、所述超声清洗工作腔和所述烘干工作腔进行功能化处理。
[0028] 具体的，所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方,打开所述腔盖，所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔内的碳化硅腐蚀溶液中进行腐蚀，腐蚀设定温度后，得到腐蚀后的碳化硅晶片；所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方，关闭所述腔盖；冷却设定时间后，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片传送至所述冲洗工作腔的上方并进入进行冲洗处理，冲洗完成后所述传送机构将冲洗后的碳化硅晶片传送至所述超声清洗工作腔的上方并进入进行超声清洗处理，超声清洗完成后所述传送机构将超声清洗后的碳化硅晶片传送至所述烘干工作腔的上方并进入进行烘干处理，烘干完成后所述传送机构将烘干后的碳化硅晶片传送至所述烘干工作腔的上方，得到腐蚀化的碳化硅晶片。
[0029] 其中，碳化硅晶片在所述碳化硅腐蚀溶液中进行腐蚀的腐蚀时间范围为5 90分~钟，碳化硅晶片在所述碳化硅腐蚀溶液中腐蚀完成后在所述腐蚀工作腔上方的冷却时间范围为10 20分钟，腐蚀后的碳化硅晶片在所述冲洗工作腔中进行冲洗的冲洗时间范围为10~ ~
20分钟，冲洗后的碳化硅晶片在所述超声清洗工作腔中进行超声清洗的超声清洗时间范围为10 30分钟，超声清洗后的碳化硅晶片在所述烘干工作腔中进行烘干的烘干时间范围为5~
20分钟。
~
[0030] 在本实施例中，将腐蚀工作腔、冲洗工作腔、超声清洗工作腔和烘干工作腔都集成到了一个工作台面中，分别用于碳化硅晶片腐蚀化过程中的腐蚀处理、冲洗处理、超声清洗处理和烘干处理，其中，所述腐蚀工作腔具有加热功能，用于对所述坩埚和所述碳化硅腐蚀剂进行加热，实现碳化硅晶片的腐蚀，所述腐蚀工作腔的上侧具有腔盖，可实现自动开合，防止有害气体也就是所述腐蚀腔内的高温腐蚀剂蒸汽的挥发；所述冲洗工作腔对所述传送机构的样品花篮和和在样品花篮中装载着的腐蚀后的碳化硅晶片进行初步冲洗，基本去除表面凝固的碳化硅腐蚀剂；所述超声清洗工作腔对所述传送机构的样品花篮和冲洗后的碳化硅晶片进行超声清洗，彻底去除表面残留的碳化硅腐蚀剂；所述烘干工作腔利用热风吹干超声清洗后的样品花篮和碳化硅晶片，烘干处理完成后得到腐蚀化的碳化硅晶片。
[0031] 在所述传送机构将所述碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔的上方的处理过程之前还包括以下操作过程：
[0032] 打开所述密封腔和所述腔盖，将装有适量碳化硅腐蚀剂的坩埚放入所述腐蚀工作腔，关闭所述密封腔和所述腔盖，对所述坩埚内的碳化硅腐蚀剂进行加热至设定温度，形成碳化硅腐蚀溶液；开启所述排气装置并打开所述密封腔的进样口，将碳化硅晶片放置到所述密封舱内的传送机构中，关闭所述进样口。
[0033] 在本实施例中，所述碳化硅腐蚀剂具体为氢氧化钾，所述坩埚具体为镍坩埚；对所述氢氧化钾和所述镍坩埚进行加热形成的碳化硅腐蚀溶液具体为氢氧化钾溶液。
[0034] 所述排气装置包括进气口、排气道、排气扇和尾气处理组件，所述进气口设于所述密封舱的上侧，所述排气道设于所述工作腔的腔盖上方，所述排气扇和所述尾气处理组件设于所述工作台面中；从所述进气口向所述密封舱内通入气体并在所述排气扇的作用下，从工作腔内散发出的有害气体通过所述排气道进入所述尾气处理组件中进行无害化处理，具体的为在对坩埚和碳化硅腐蚀剂进行高温加热过程中产生的高温腐蚀剂蒸汽通过所述排气道进入所述尾气处理组件中进行冷凝、吸附，实现无害化处理。
[0035] 所述传送机构包括运动轨道、运动构件和样品花篮；所述样品花篮设于所述运动构件的下端，用于放置碳化硅晶片；所述运动轨道设于所述工作台面的上方以及所述运动构件的上端，用于为所述运动构件提供水平运动轨道；所述运动构件用于根据设定程序沿着所述运动轨道带动放置在所述样品花篮中的碳化硅晶片按照设定程序自动进行水平运动和上下运动，依次将放置在所述样品花篮中的碳化硅晶片传送到不同工作腔中进行功能化处理，其中，通过设定所述运动构件的水平运动时间和上下运动时间，控制碳化硅晶片在不同工作腔中的功能化处理时间。
[0036] 如图1所示，所述传送机构包括运动轨道11、运动构件14和样品花篮15，其中，所述运动轨道11设于所述工作台面的上方以及所述密封舱12内部，所述样品花篮15固定在所述运动构件14的下端，所述运动构件14的上端和所述运动轨道11连接，其中，所述运动构件14的运动方式有两种，一是沿着所述运动轨道11水平运动，以实现从一个工作腔上方移动到另一个工作腔上方；二是所述运动构件14本身就具备有伸缩的功能，可以带动放置在所述样品花篮中的碳化硅晶片进行上下运动，以实现在所述腐蚀工作腔3、所述冲洗工作腔4、所述超声清洗工作腔5和所述烘干工作腔6的自动进出；另外，通过对运动构件上下运动和水平运动的时间设定，可以调整碳化硅晶片在各工作腔中的停留时间也就是碳化硅晶片在各工作腔中的处理时间，也可以调整碳化硅晶片在所述密封舱中的停留时间，例如，所述传送机构将腐蚀后的碳化硅晶片传送至所述腐蚀工作腔内的上方后为了冷却腐蚀后的碳化硅晶片而设定在所述密封舱中的停留时间。
[0037] 所述密封舱设有出样门和进样门，所述出样门和所述进样门分别用于实现碳化硅晶片的取放；所述密封舱设有观察窗，用于对碳化硅晶片的腐蚀过程进行观察。
[0038] 如图1所示，所述进样门1设于所述密封舱12的左侧，所述出样门9设于所述密封舱12的右侧，所述出样门9和所述进样门1分别用于实现碳化硅晶片的取放；具体的，在进行功能化处理之前，打开所述密封腔的进样门1后，将碳化硅晶片放置到所述样品花篮15中，再关闭所述进样门1，由所述运动构件14将装有碳化硅晶片的样品花篮15依次传送到各个工作腔中进行处理，最后在所述烘干工作腔6中处理完成，得到腐蚀化的碳化硅晶片后，由所述运动构件14将装有腐蚀化的碳化硅晶片的样品花篮15传送到所述烘干工作腔6的上方，打开所述出样门9，将腐蚀化的碳化硅晶片取出即可；另外，所述密封舱12还设有观察窗10，用于对样品花篮15上的碳化硅晶片进行观察。
[0039] 本实施例将碳化硅片晶片的腐蚀化过程都集成在一个工作台面，通过自动化机构，实现碳化硅晶片在腐蚀处理、冲洗处理、超声清洗处理和烘干处理过程中的自动化；整个工作台面通过密封舱和排气装置保持负压状态，防止高温腐蚀剂蒸汽的挥发，工作人员只需取放样品和通过观察窗查看腐蚀进度，避免高温和腐蚀性气体的接触，最大限度保护人员安全。相比于现有技术，设备无通风橱、排风罩等配套需求，实用性强。
[0040] 本发明虽然己以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
