自适应消除LED鬼影和耦合方法及电路

摘要

本申请实施例提供了一种自适应消除LED鬼影和耦合方法及电路，该方法包括：通过鬼影消除电路控制行寄生电容的放电速度，根据行寄生电容的放电速度增加行选信号的下降沿斜率，以使该行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，从而消除LED中的鬼影现象；通过耦合消除电路控制列寄生电容的充电速度，根据列寄生电容的充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，以使列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，从而消除LED中的耦合现象，进而整体上显著提升显示效果。

权利要求

1.一种自适应消除LED鬼影和耦合方法，其特征在于，应用于自适应消除LED鬼影和耦合电路，所述自适应消除LED鬼影和耦合电路包括LED显示阵列以及为所述LED显示阵列提供行选信号和列选信号的驱动芯片，所述LED显示阵列包括m行*n列个LED，所述m和n均为正整数，每行LED并联一个行寄生电容以及串联鬼影消除电路，每列LED并联一个列寄生电容以及串联耦合消除电路；

所述方法包括：

通过所述鬼影消除电路控制第一放电速度，根据所述第一放电速度增加所述行选信号的下降沿斜率，以使所述行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，所述第一放电速度为所述行寄生电容的放电速度；

通过所述耦合消除电路控制第一充电速度，根据所述第一充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，以使所述列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，所述第一充电速度为所述列寄生电容的充电速度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鬼影消除电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、比较器和与门；

所述第一晶体管的源极连接电源，所述第一晶体管的漏极分别连接所述比较器的正向输入端、所述第二晶体管的漏极、所述行寄生电容的一端以及所述鬼影消除电路的输出端，所述第一晶体管的栅极分别连接所述鬼影消除电路的输入端和所述与门的第一输入端，所述比较器的反向输入端连接基准电压VREF，所述比较器的输出端连接所述与门的第二输入端，所述与门的输出端连接所述第二晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接所述行寄生电容的另一端并接地。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述耦合消除电路包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、可调恒流源、电流配置电路和n个第六晶体管；

所述第三晶体管的栅极分别连接所述耦合消除电路的输入端和所述第五晶体管的栅极，所述第三晶体管的源极分别连接VCC和所述n个第六晶体管的源极，所述第三晶体管的漏极分别连接所述第四晶体管的栅极、所述第五晶体管的漏极、所述列寄生电容的一端以及所述n个第六晶体管的漏极，所述列寄生电容的另一端接地，所述第四晶体管的源极连接所述耦合消除电路的输出端，所述第四晶体管的漏极连接所述可调恒流源的第一输出端，所述可调恒流源的第二输出端连接所述第五晶体管的源极并接地，所述电流配置电路分别连接所述可调恒流源的控制端和所述n个第六晶体管的栅极。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过所述鬼影消除电路控制第一放电速度，根据所述第一放电速度增加所述行选信号的下降沿斜率，包括：在所述行选信号为低电平时，通过所述行选信号将所述第一晶体管处于导通状态，并通过所述电源对所述行寄生电容进行充电；

在所述行选信号为高电平时，通过所述行选信号将所述第一晶体管处于截止状态，并在第一时间内通过所述行寄生电容放电驱动导通所述第二晶体管，所述第一时间为所述行寄生电容的电量大于或等于所述VREF的时间；

根据时间与下降沿斜率之间的映射关系，确定所述第一时间对应的所述行选信号的下降沿斜率。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过所述耦合消除电路控制第一充电速度，根据所述第一充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，包括：在所述行选信号为高电平时，通过所述列寄生电容放电将所述第五晶体管处于导通状态；

在所述列选信号为低电平时，通过所述列选信号将所述第三晶体管和所述第四晶体管均处于导通状态，并通过所述VCC在第二时间内对所述列寄生电容进行充电，所述第二时间由所述n个第六晶体管中导通的第六晶体管数量确定；

根据时间与上升沿斜率之间的映射关系，确定所述第二时间对应的所述列选信号的上升沿斜率。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述n个第六晶体管均为弱导通的晶体管。

7.一种自适应消除LED鬼影和耦合电路，其特征在于，所述自适应消除LED鬼影和耦合电路包括LED显示阵列以及为所述LED显示阵列提供行选信号和列选信号的驱动芯片，所述LED显示阵列包括m行*n列个LED，所述m和n均为正整数，每行LED并联一个行寄生电容以及串联鬼影消除电路，每列LED并联一个列寄生电容以及串联耦合消除电路；

所述鬼影消除电路用于控制第一放电速度，根据所述第一放电速度增加所述行选信号的下降沿斜率，以使所述行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，所述第一放电速度为所述行寄生电容的放电速度；

所述耦合消除电路用于控制第一充电速度，根据所述第一充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，以使所述列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，所述第一充电速度为所述列寄生电容的充电速度。

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述鬼影消除电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电阻、比较器和与门；

所述第一晶体管的源极连接电源，所述第一晶体管的漏极分别连接所述比较器的正向输入端、所述第二晶体管的漏极、所述行寄生电容的一端以及所述鬼影消除电路的输出端，所述第一晶体管的栅极分别连接所述鬼影消除电路的输入端和所述与门的第一输入端，所述比较器的反向输入端连接基准电压VREF，所述比较器的输出端连接所述与门的第二输入端，所述与门的输出端连接所述第二晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接所述行寄生电容的另一端并接地。

9.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，所述耦合消除电路包括：第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、可调恒流源、电流配置电路和n个第六晶体管；

所述第三晶体管的栅极分别连接所述耦合消除电路的输入端和所述第五晶体管的栅极，所述第三晶体管的源极分别连接VCC和所述n个第六晶体管的源极，所述第三晶体管的漏极分别连接所述第四晶体管的栅极、所述第五晶体管的漏极、所述列寄生电容的一端以及所述n个第六晶体管的漏极，所述列寄生电容的另一端接地，所述第四晶体管的源极连接所述耦合消除电路的输出端，所述第四晶体管的漏极连接所述可调恒流源的第一输出端，所述可调恒流源的第二输出端连接所述第五晶体管的源极并接地，所述电流配置电路分别连接所述可调恒流源的控制端和所述n个第六晶体管的栅极。

10.一种LED显示屏，其特征在于，所述LED显示屏包括如权利要求7‑9任一项所述的自适应消除LED鬼影和耦合电路。

11.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括处理器、存储器、通信接口和如权利要求10所述的LED显示屏，所述存储器存储有一个或多个程序，并且所述一个或多个程序由所述处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行如权利要求1‑6任一项所述的方法中的步骤的指令。

12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储用于电子数据交换的计算机程序，其中，所述计算机程序使得计算机执行如权利要求1‑6任一项所述的方法的步骤。

说明书

自适应消除LED鬼影和耦合方法及电路

技术领域

[0001] 本申请涉及LED技术领域，尤其涉及一种自适应消除LED鬼影和耦合方法及电路。

背景技术

[0002] 目前的发光二极管（Light Emitting Diode，LED）显示阵列是由m行和n列的LED组成，在显示时常采用动态扫描的方式对显示阵列扫描后进行显示。随着集成度越来越高，每
行和每列显示的像素点越来越多，导致行线和列线上均具有较大的寄生电容，通过列下拉
控制来实现特定行列对应的LED的亮与灭时，寄生电容上的电荷会从已熄灭的LED中流过，
导致LED微微导通，形成了LED的鬼影现象。同时在控制显示出现高对比亮度显示时，由于高
亮的一边LED两端的电压比较高，耦合到暗的一边，使暗的一边的列电压变得更高，造成耦
合现象。

发明内容

[0003] 本申请实施例提供了一种自适应消除LED鬼影和耦合方法及电路，能够快速有效的消除LED中的鬼影现象和耦合现象，提升显示效果。

[0004] 第一方面，本申请实施例提供一种自适应消除LED鬼影和耦合方法，应用于自适应消除LED鬼影和耦合电路，所述自适应消除LED鬼影和耦合电路包括LED显示阵列以及为所
述LED显示阵列提供行选信号和列选信号的驱动芯片，所述LED显示阵列包括m行*n列个
LED，所述m和n均为正整数，每行LED并联一个行寄生电容以及串联鬼影消除电路，每列LED
并联一个列寄生电容以及串联耦合消除电路；

[0005] 所述方法包括：

[0006] 通过所述鬼影消除电路控制第一放电速度，根据所述第一放电速度增加所述行选信号的下降沿斜率，以使所述行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，所述第一放电速度为
所述行寄生电容的放电速度；

[0007] 通过所述耦合消除电路控制第一充电速度，根据所述第一充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，以使所述列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，所述第一充电速度为
所述列寄生电容的充电速度。

[0008] 第二方面，本申请实施例提供的一种自适应消除LED鬼影和耦合电路，所述自适应消除LED鬼影和耦合电路包括LED显示阵列以及为所述LED显示阵列提供行选信号和列选信
号的驱动芯片，所述LED显示阵列包括m行*n列个LED，所述m和n均为正整数，每行LED并联一
个行寄生电容以及串联鬼影消除电路，每列LED并联一个列寄生电容以及串联耦合消除电
路；

[0009] 所述鬼影消除电路用于控制第一放电速度，根据所述第一放电速度增加所述行选信号的下降沿斜率，以使所述行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，所述第一放电速度为
所述行寄生电容的放电速度；

[0010] 所述耦合消除电路用于控制第一充电速度，根据所述第一充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，以使所述列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，所述第一充电速度为
所述列寄生电容的充电速度。

[0011] 第三方面，本申请实施例提供一种LED显示屏，所述LED显示屏包括第二方面所述的自适应消除LED鬼影和耦合电路。

[0012] 第四方面，本申请实施例提供一种显示设备，所述显示设备包括处理器、存储器、通信接口和上述第三方面所述的LED显示屏，所述存储器存储有一个或多个程序，并且所述
一个或多个程序由所述处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行上述第一方面所述
的方法中所描述的部分或全部步骤的指令。

[0013] 第五方面，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储用于电子数据交换的计算机程序，其中，所述计算机程序使得计算机执行上述第一
方面所述的方法中所描述的部分或全部步骤。

[0014] 第六方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，其中，上述计算机程序产品包括存储了计算机程序的非瞬时性计算机可读存储介质，上述计算机程序可操作来使计算
机执行如本申请实施例第一方面所述的方法中所描述的部分或全部步骤。该计算机程序产
品可以为一个软件安装包。

[0015] 由此可见，本申请提出的自适应消除LED鬼影和耦合方法，通过鬼影消除电路控制行寄生电容的放电速度，根据行寄生电容的放电速度增加行选信号的下降沿斜率，以使该
行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，从而消除LED中的鬼影现象；通过耦合消除电路控
制列寄生电容的充电速度，根据列寄生电容的充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，
以使列寄生电容无法驱动未选中列上的LED从而消除LED中的耦合现象，从而整体上显著提
升显示效果。

附图说明

[0016] 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普
通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0017] 图1是本申请实施例提供的一种LED显示阵列时序和电路图的示意图；

[0018] 图2是本申请实施例提供的一种鬼影现象的电路结构示意图；

[0019] 图3是本申请实施例提供的一种列间耦合现象的电路结构示意图；

[0020] 图4是本申请实施例提供的一种自适应消除LED鬼影和耦合电路的结构示意图；

[0021] 图5是本申请实施例提供的一种鬼影消除电路的结构示意图；

[0022] 图6是本申请实施例提供的一种耦合消除电路的结构示意图；

[0023] 图7是本申请实施例提供的一种自适应消除LED鬼影和耦合方法的流程示意图；

[0024] 图8是本申请实施例提供的一种控制行选信号的下降沿斜率的效果示意图；

[0025] 图9是本申请实施例提供的一种控制列选信号的上升沿斜率的效果示意图。

具体实施方式

[0026] 为了本技术领域人员更好理解本申请的技术方案，下面结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申
请的部分实施例，而并非全部的实施例。基于本申请实施例的描述，本领域技术人员在没有
做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请所保护的范围。

[0027] 本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图
在于覆盖不排他的包含。例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、软件、产品或设备没
有限定于已列出的步骤或单元，而是还包括没有列出的步骤或单元，或还包括对于这些过
程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

[0028] 在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同
的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和
隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

[0029] 下面结合附图对本申请实施例进行介绍，附图中相交导线的交叉处有圆点表示导线相接，交叉处无圆点表示导线不相接。

[0030] 目前，显示屏一般是采用扫描方式进行实现。如图1所示，显示阵列是由m行*n列个LED和驱动芯片组成，驱动芯片分别发送m个行选信号和n个列选信号，该m个行选信号循环
有效，每个行选信号有效期内对应n个LED控制信号。

[0031] 其中，当多个行选信号（m个行选信号）循环有效时，如果行1的驱动信号刚刚结束，即开关RS1从闭合状态转换为断开状态，而此时行2的行选信号已经处于有效期，即开关RS2
从断开状态转换成闭合状态，理论上此时的行1上已经没有行选信号，但是由于行1中的寄
生电容CR1的存在，导致行2的行选信号处于有效期时，寄生电容CR1会向行1上的所有LED进
行放电，此时若列选信号有效，就会将行1上对应列选信号有效的列上的LED微弱点亮，造成
显示中出现鬼影现象。同理其他行间的切换同样存在该问题，如图2所示，图中的T2时间为
该鬼影现象出现的时间。

[0032] 进一步地，当某一行选信号选通后，此时有效的列选信号将会点亮该行和有效列选信号上的LED，但是由于列选信号间仍然存在寄生电容CC，因此有效列选信号旁边的列选
信号会因为寄生电容CC的存在，将本来无效的列选信号通过寄生电容CC微弱导通形成短暂
的回路。例如，如图3所示，图中行2信号被选通，即RS2处于闭合状态，此时列2的列选信号有
效，即在IS2处于闭合状态时，LED2‑2被点亮，而列1的列选信号无效，即IS1处于断开状态，
此时LED2‑1应处于熄灭状态。但由于列1和列2之间存在寄生电容CC1‑2，且列2的列选信号
一般为一个较低的电压，因此CC1‑2靠近列2的一端也处于低压，因此电路会通过RS2 ‑> 
LED2‑1 –> CC1‑2形成短暂放电回路，导致LED2‑1被短暂微弱点亮，造成显示中存在列间耦
合现象。

[0033] 其中，鬼影现象和耦合现象是LED动态扫描显示中常见并难以彻底根除的现象，为了解决该问题，本申请提出了一种自适应消除LED鬼影和耦合方法，在每行LED上串联鬼影
消除电路，通过鬼影消除电路增加行选信号的下降沿斜率，以使行寄生电容无法驱动未选
中行上的LED，从而消除鬼影现象；在每列LED上串联耦合消除电路，通过耦合消除电路减小
列选信号的上升沿斜率，以使列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，从而消除列间耦合现
象，进而整体上有效的提高显示效果。

[0034] 请参阅图4，图4是本申请实施例提供的一种自适应消除LED鬼影和耦合电路的结构示意图。如图4所示，该自适应消除LED鬼影和耦合电路包括LED显示阵列100、驱动芯片
200、m个行寄生电容CR 300、n个列寄生电容CC 400、m个鬼影消除电路500和n个耦合消除电
路600。

[0035] 其中，上述LED显示阵列100包括m行*n列个LED。上述驱动芯片200用于为所述LED显示阵列100提供行选信号RCTL和列选信号CCTL。上述m个鬼影消除电路500分别串联于每
行LED，上述n个耦合消除电路600分别串联于每列LED。所述每行LED还并联一个行寄生电容
CR 300，所述每列LED还并联一个列寄生电容CC 400。

[0036] 在具体实现中，由于行寄生电容CR 300的存在，当第i行的行选信号RCTL处于有效期时，并联于第i‑1行的行寄生电容CR 300会向第i‑1行上的所有LED进行放电，从而会将第
i‑1行上列选信号CCTL处于有效期的列上的LED微弱点亮，造成显示中存在鬼影现象。为解
决该问题，本申请在每行LED上串行一个鬼影消除电路500，该鬼影消除电路500可以有效的
控制行寄生电容CR 300的放电速度，即根据行选信号CR 300的放电速度调整行选信号的下
降沿斜率，从而使得第i行的行选信号RCTL处于有效期前，第i‑1行的行寄生电容CR 300的
电量已经被减弱到无法驱动第i‑1行上的LED，i为小于或等于M的正整数。

[0037] 当第i行的行选信号RCTL处于有效期时，此时处于有效期的第j列的列选信号CTLL将会点亮第i行第j列的LED。此时第j‑1列会因为列寄生电容CC 400的存在，在列选信号
CTLL处于无效期的第j‑1列会通过列寄生电容CC 400的微弱导通形成短暂回路，使得第i行
第j‑1列上的LED被短暂微弱点亮，形成列间耦合现象。为了解决该问题，本申请给每列LED
串联一个耦合消除电路600，该耦合消除电路600可以控制列寄生电容CC 400的充电速度，
自适应调节列选信号CTLL的上升沿斜率，使得第j列的列选信号CTLL处于有效期时的低压
脉冲不会导致第j‑1列上的列寄生电容CC 400进入快速充电状态，进而使得第j‑1列上的列
寄生电容的电量已经被减弱到无法驱动第j‑1列上的LED。

[0038] 示例的，请阅读图5，图5是本申请实施例提供的一种鬼影消除电路500的结构示意图。如图5所示，所述鬼影消除电路500包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电阻R1、比较
器U1和与门AND。

[0039] 其中，所述第一晶体管Q1的源极连接电源VLED，所述第一晶体管Q1的漏极分别连接所述比较器U1的正向输入端、所述第二晶体管Q2的漏极、所述行寄生电容CR的一端以及
所述鬼影消除电路500的输出端，所述第一晶体管Q1的栅极分别连接所述鬼影消除电路的
500输入端和所述与门AND的第一输入端，所述比较器U1的反向输入端连接基准电压VREF，
所述比较器U1的输出端连接所述与门AND的第二输入端，所述与门AND的输出端连接所述第
二晶体管Q2的栅极，所述第二晶体管Q2的源极连接所述第一电阻R1的一端，所述第一电阻
R1的另一端连接所述行寄生电容CR的另一端并接地。

[0040] 本申请的鬼影消除电路500采用了快速拉电流并钳位的原理，其中第一晶体管Q1为P沟道的MOS晶体管，其用于管控鬼影消除电路500的输出电压Vrout。第二晶体管Q2为N沟
道的MOS晶体管，其用于管控是否进行驱动新的下降沿进行斜率调整。

[0041] 具体为，当行选信号RCTL为从高电平变换为低电平，即行选信号RCTL处于下降沿时，此时第一晶体管Q1处于导通状态，比较器U1的正向输入端的电压为Vrout，比较器U1的
负向输入端接入一个低于输出电压Vrout的基准电压VREF，此时比较器U1输出为高电平。但
由于行选信号RCTL为低电平，与门AND输出为低电平，第二晶体管Q2处于截止状态，鬼影消
除电路500的输出电压Vrout一直约等于为LED显示阵列提供电源的电源VLED，并在该期间
给行寄生电容CR进行充电。而当行选信号RCTL变为高电平时，第一晶体管Q1处于截止状态，
行寄生电容CR进行放电，鬼影消除电路500的输出电压Vrout约为行寄生电容CR的电压。当
鬼影消除电路500的输出电压Vrout大于或等于基准电压VREF时，比较器U1输出为高电平，
因此与门AND输出为高电平并驱动导通第二晶体管Q2。行寄生电容CR通过比较器U1‑>与门
AND‑>第二晶体管Q2‑>第一电阻R1‑>接地的路径开始快速放电。行寄生电容CR的电量持续
下降，当鬼影消除电路500的输出电压Vrout小于基准电压VREF时，比较器U1输出低电平，第
二晶体管Q2处于截止状态，行寄生电容CR的放电通路被断开，行寄生电容CR不再进行放电。

[0042] 在本申请实施例中，为了能够精准有效的控制行寄生电容CR的放电速度，即控制行选信号RCTL的下降沿斜率，鬼影消除电路500可以计算鬼影消除电路500的输出电压
Vrout的预设值，进而通过第一电阻R1的阻值来实现不同的斜率。

[0043] 示例的，请参阅图6，图6是本申请实施例提供的一种耦合消除电路600的结构示意图。如图6所示，所述耦合消除电路600包括第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第五晶体管Q5、可
调恒流源、电流配置电路和n个第六晶体管Q6。

[0044] 其中，所述第三晶体管Q3的栅极分别连接所述耦合消除电路600的输入端和所述第五晶体管Q5的栅极，所述第三晶体管Q3的源极分别连接VCC和所述n个第六晶体管Q6的源
极，所述第三晶体管Q3的漏极分别连接所述第四晶体管Q4的栅极、所述第五晶体管Q5的漏
极、所述列寄生电容CC的一端以及所述n个第六晶体管Q6的漏极，所述列寄生电容CC的另一
端接地，所述第四晶体管Q4的源极连接所述耦合消除电路600的输出端，所述第四晶体管Q4
的漏极连接所述可调恒流源的第一输出端，所述可调恒流源的第二输出端连接所述第五晶
体管Q5的源极并接地，所述电流配置电路分别连接所述可调恒流源的控制端和所述n个第
六晶体管Q6的栅极。

[0045] 在本申请中，为了更好的消除LED显示阵列中的鬼影现象和耦合现象，本申请采用可变斜率的信号处理机制，通过控制行选信号RCTL的下降沿斜率和列选信号CCTL的上升沿
斜率来快速消除LED显示阵列中的鬼影现象和耦合现象，提高显示效果。

[0046] 其中，列选信号CCTL的斜率调整与上述行选信号RCTL的斜率调整方式不同。本申请中的列选信号CCTL的斜率调整主要依靠n个第六晶体管Q6的弱导通来调节最终列选信号
CCTL的上升沿斜率。上述第三晶体管Q3为P沟道的MOS晶体管，第四晶体管为N沟道的MOS晶
体管，第五晶体管Q5为N沟道的MOS晶体管，上述n个第六晶体管Q6均为P沟道的MOS晶体管，
且该n个第六晶体管Q6均是弱导通，即第三晶体管Q3、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5的开启
电压均要远大于该n个第六晶体管Q6的开启电压。

[0047] 具体为，当列选信号CCTL为高电平时，第三晶体管Q3和第四晶体管Q4处于截止状态，列寄生电容CC放电驱动第五晶体管Q5处于导通状态。当列选信号CCTL为低电平时，第三
晶体管Q3和第四晶体管Q4均处于导通状态，此时恒流源通路形成，并对列寄生电容CC进行
充电，该恒流源可根据电流配置电路配置的输出电流能力输出电流。在此状态下，电流配置
电路同时配置不同的电流来控制n个第六晶体管Q6的导通，根据配置的电流大小可控制第
六晶体管Q6导通的数量，进而根据第六晶体管Q6导通的数量调整对列寄生电容CC的充电能
力。其中随着第六晶体管Q6导通数量的增加，第四晶体管Q4的栅极上的电压也缓缓增加，导
致第四晶体管Q4的导通程度不同，从而使得列选信号CCTL的上升沿的爬升斜率也不同。

[0048] 在本申请实施例中，电流配置电路配置的电流越大，列选信号CCTL的上升沿斜率越小；电流配置电路的电流越小，列选信号CCTL的上升沿斜率越大，从而可以根据配置电流
的大小自适应的调节列选信号CCTL的上升沿斜率。

[0049] 可以看出，本申请实施例提供的自适应消除LED鬼影和耦合电路，在每行LED串联鬼影消除电路500、每列LED串联耦合消除电路600，通过鬼影消除电路500增加行选信号的
下降沿斜率，以使行寄生电容CR无法驱动未选中行上的LED，从而消除鬼影现象；通过耦合
消除电路600减小列选信号的上升沿斜率，以使列寄生电容CC无法驱动未选中列上的LED，
从而消除列间耦合现象，进而整体上有效的提高显示效果。

[0050] 请参阅图7，图7为本申请实施例提供的一种自适应消除LED鬼影和耦合方法的流程示意图，应用于如图4‑图6所示的自适应消除LED鬼影和耦合电路。如图7所示，该方法包
括如下步骤。

[0051] S710、通过所述鬼影消除电路控制第一放电速度，根据所述第一放电速度增加所述行选信号的下降沿斜率，以使所述行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，所述第一放电
速度为所述行寄生电容的放电速度。

[0052] 其中，在行选信号RCTL在循环有效的切换时，由于未被选中（即行选信号处于无效状态下）行上的行寄生电容CR会向该行上的LED进行放电，使得该行上被选中列的LED被微
弱点亮。因此，本申请通过控制行选信号RCTL的放电速度来增加行选信号RCTL的下降沿斜
率，使得行寄生电容无法驱动未选中行上的LED，从而消除鬼影现象，提高显示效果。

[0053] 可选的，所述通过所述鬼影消除电路控制第一放电速度，根据所述第一放电速度增加所述行选信号的下降沿斜率，包括：在所述行选信号为低电平时，通过所述行选信号将
所述第一晶体管处于导通状态，并通过所述电源对所述行寄生电容进行充电；在所述行选
信号为高电平时，通过所述行选信号将所述第一晶体管处于截止状态，并在第一时间内通
过所述行寄生电容放电驱动导通所述第二晶体管，所述第一时间为所述行寄生电容的电量
大于或等于所述VREF的时间；根据时间与下降沿斜率之间的映射关系，确定所述第一时间
对应的所述行选信号的下降沿斜率。

[0054] 其中，当行选信号RCTL为从高电平变换为低电平，即行选信号RCTL处于下降沿时，此时第一晶体管Q1处于导通状态，第二晶体管Q2处于截止状态，鬼影消除电路500的输出电
压Vrout一直约等于电源VLED，并在该期间给行寄生电容CR进行充电。而当行选信号RCTL变
为高电平时，第一晶体管Q1处于截止状态，鬼影消除电路500的输出电压Vrout约为行寄生
电容CR的电压，行寄生电容CR进行放电驱动导通第二晶体管Q2，直至行寄生电容CR的电压
小于基准电压VREF。

[0055] 其中，上述第一时间为行寄生电容CR的放电时间，该第一时间的大小映射于行选信号RCTL的下降沿斜率，如图8所示，鬼影消除电路500可以有效的增加行选信号RCTL的上
升沿斜率和下降沿斜率。而由于行寄生电容CR的存在，行选信号RCTL的上升沿和下降沿会
变得缓慢且不确定，因此通过选择合适的第一电阻的大小可以有效的增加行选信号RCTL的
下降沿的斜率，使得行选信号RCTL在由高电平变化为低电平时，行寄生电容CR能快速放电，
进而无法驱动未选中行上的LED。

[0056] 在本申请实施例中，通过鬼影消除电路500控制行选信号RCTL的下降沿斜率，即增加行选信号RCTL的下降沿斜率，以保证第i行的行选信号RCTL处于有效期时，第i行上的行
寄生电容CR的电量已经被减弱到无法驱动该行上的LED。

[0057] S720、通过所述耦合消除电路控制第一充电速度，根据所述第一充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，以使所述列寄生电容无法驱动未选中列上的LED，所述第一充电
速度为所述列寄生电容的充电速度。

[0058] 其中，第j列的列选信号CCTL中的低压脉冲会导致相邻的列寄生电容CC（第j‑1列上的列寄生电容CC）进入快速充电状态，从而导致第j列附近的列上本不应该被点亮的LED
因为列寄生电容CC的快速充电而突然被微弱点亮，j为小于或等于N的正整数。因此本申请
通过调整列选信号CCTL的上升沿斜率，降低列寄生电容CC的充电速率，从而消除列间耦合
现象，提高显示效果。

[0059] 可选的，所述通过所述耦合消除电路控制第一充电速度，根据所述第一充电速度减小所述列选信号的上升沿斜率，包括：在所述行选信号为高电平时，通过所述列寄生电容
放电将所述第五晶体管处于导通状态；在所述列选信号为低电平时，通过所述列选信号将
所述第三晶体管和所述第四晶体管均处于导通状态，并通过所述VCC在第二时间内对所述
列寄生电容进行充电，所述第二时间由所述n个第六晶体管中导通的第六晶体管数量确定；
根据时间与上升沿斜率之间的映射关系，确定所述第二时间对应的所述列选信号的上升沿
斜率。

[0060] 其中，所述n个第六晶体管均为弱导通的晶体管。

[0061] 具体地，当列选信号CCTL为低电平时，第三晶体管Q3和第四晶体管Q4均处于导通状态，此时恒流源通路形成，对列寄生电容CC进行充电。在列寄生电容CC充电过程中，电流
配置电路可配置不同的电流来分别控制n个第六晶体管Q6的导通，根据配置的电流大小可
控制第六晶体管Q6导通的数量，进而根据第六晶体管Q6导通的数量调整对列寄生电容CC的
充电能力。其中随着第六晶体管Q6导通数量的增加，第四晶体管Q4的栅极上的电压也缓缓
增加，导致第四晶体管Q4的导通程度不同，从而使得列选信号CCTL的上升沿的爬升斜率也
不同。

[0062] 进一步地，上述第二时间为列寄生电容CC的充电时间，该第二时间映射于列选信号CCTL的上升沿斜率。如图9所示，在没有调整斜率前（左侧波形图），由于第j列和列j+1之
间列寄生电容CC的存在，在第j列的列选信号CCTL处于有效期而第j+1列的列选信号CCTL处
于无效期时，第j列上突然的低脉冲会通过第j+1列上的列寄生电容CC将第j列耦合成为短
暂的低电平状态，从而导致第i行第j+1列之间本不应被点亮的LED被微弱点亮。而通过斜率
调整后（右侧波形），第j+1列上的列选信号CCTL的上升沿被调整的缓慢，此时列j和列j+1之
间列寄生电容CC由于耦合缓慢，列j+1上的低信号达不到点亮第i行第j+1列LED的低电平，
很快就变为LED压降后的电压，因此有效的解决了列间耦合问题。

[0063] 可以看出，本申请提出了一种自适应消除LED鬼影和耦合方法，在每行LED串联鬼影消除电路500、每列LED串联耦合消除电路600，通过鬼影消除电路500增加行选信号RCTL
的下降沿斜率，以使行寄生电容CR无法驱动未选中行上的LED，从而消除鬼影现象；通过耦
合消除电路600减小列选信号CCTL的上升沿斜率，以使列寄生电容CC无法驱动未选中列上
的LED，从而消除列间耦合现象，进而整体上有效的提高显示效果。

[0064] 应理解，本申请实施例中涉及的“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，
可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A,B可以是单数或者复数。字
符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指
的这些项中的任意组合，包括单项（个）或复数项（个）的任意组合。例如，a,b,或c中的至少
一项（个），可以表示：a,b,c,a‑b,a‑c,b‑c,或a‑b‑c，其中a,b,c可以是单个，也可以是多个。

[0065] 本申请实施例还提供一种LED显示屏，该LED显示屏包括上述图4‑图6所示的自适应消除LED鬼影和耦合电路。

[0066] 本申请实施例还提供一种显示设备，所述显示设备包括处理器、存储器、通信接口和所述的LED显示屏，所述存储器存储有一个或多个程序，并且所述一个或多个程序由所述
处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行上述方法实施例中记载的任一方法的部分
或全部步骤的指令。

[0067] 本申请实施例还提供一种计算机存储介质，其中，该计算机存储介质存储用于电子数据交换的计算机程序，该计算机程序使得计算机执行如上述方法实施例中记载的任一
方法的部分或全部步骤。

[0068] 本申请实施例还提供一种计算机程序产品，上述计算机程序产品包括存储了计算机程序的非瞬时性计算机可读存储介质，上述计算机程序可操作来使计算机执行如上述方
法实施例中记载的任一方法的部分或全部步骤。该计算机程序产品可以为一个软件安装
包。

[0069] 在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

[0070] 在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的自适应消除LED鬼影和耦合电路，可通过其它的方式实现。例如，以上所描述的自适应消除LED鬼影和耦合电路实施
例仅仅是示意性的，例如上述电路中的元器件也可以采用其他相同功能的元器件。另一点，
所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，电路或元器
件的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

[0071] 另外，在本申请各个实施例中的各电路可以集成在一个电路板中，也可以是各个电路单独物存在，也可以两个或两个以上电路集成在一个电路板中。

[0072] 以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请及其核心思想；同时，对
于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变
之处，综上上述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。