芯片温度反馈方法、装置、存储介质及芯片温度控制方法

摘要

本公开提供一种芯片温度反馈方法、装置、存储介质及芯片温度控制方法。其芯片温度反馈方法包括：芯片温度控制开始前，读取保存的反馈温度序列TF(n)发送给温度控制装置，以便所述温度控制装置根据所述反馈温度序列TF(n)对被测芯片进行温度控制；芯片温度控制过程中，按照预设的采样频率采集所述被测芯片的温度；温度采样结束后，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi，所述设定条件包括以下至少一条：采样值达到预设采样值；与目标采样值的差值达到预设采样差值；利用所述采样值TRi对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，并保存修正值，i大于j。

权利要求

1.一种芯片温度反馈方法，应用于芯片测试阶段，其中，所述方法包括：

芯片温度控制开始前，读取保存的目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)发送给温度控制装置，以便所述温度控制装置根据所述反馈温度序列TF(n)对所述目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制；

芯片温度控制过程中，按照预设的采样频率采集所述当前被测芯片的温度；将实时采集到的所述当前被测芯片的温度与所述反馈温度序列TF(n)中对应的温度值进行差值运算；若差值大于预设差值阈值，向所述温度控制装置发送实时采集到的所述当前被测芯片的温度以及温度控制切换指令，所述温度控制切换指令用于指示所述温度控制装置根据实时采集到的所述当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制；

温度采样结束后，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi，所述设定条件包括以下至少一条：采样值达到预设采样值；与目标采样值的差值达到预设采样差值；利用所述采样值TRi对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，并保存修正值，i大于j；当前采样温度序列TR(n)中有采样值TRi达到预设采样值，意味着在采样点i，当前被测芯片看到温度升高到较高水平。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述利用所述采样值TRi对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，包括：将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj替换为所述采样值TRi。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，温度采样结束后，所述方法还包括：利用所述当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，并保存修正值，x≠i。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述利用所述当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，包括：删除保存时间最长的历史采样温度序列；

计算当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx与保存的各个历史采样温度序列中的第x个温度值的中值，并将所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx替换为所述中值。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述利用所述当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，包括：在所述当前被测芯片未被确认为失效芯片、且所述当前被测芯片的温度与所述反馈温度序列TF(n)中对应的温度值的差值不大于预设差值阈值的情况下，利用所述当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正；

所述判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi，包括：在所述当前被测芯片未被确认为失效芯片、且所述当前被测芯片的温度与所述反馈温度序列TF(n)中对应的温度值的差值不大于预设差值阈值的情况下，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述按照预设的采样频率采集所述当前被测芯片的温度，包括：按照预设的采样频率采集所述当前被测芯片的结温。

7.一种芯片温度反馈装置，应用于芯片测试阶段，其中，所述装置包括：

存储模块，用于保存目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)和本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)；

温度反馈模块，用于在芯片温度控制开始前，读取所述存储模块中保存的所述反馈温度序列TF(n)，并发送给温度控制装置，以便所述温度控制装置根据所述反馈温度序列TF(n)对所述目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制；

温度采集模块，用于芯片温度控制过程中，按照预设的采样频率采集所述当前被测芯片的温度；

数据处理模块，用于在温度采样结束后，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi，所述设定条件包括以下至少一条：采样值达到预设采样值；与目标采样值的差值达到预设采样差值；利用所述采样值TRi对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，并保存修正值，i大于j；当前采样温度序列TR(n)中有采样值TRi达到预设采样值，意味着在采样点i，当前被测芯片看到温度升高到较高水平；

所述数据处理模块还用于：芯片温度控制过程中，将实时采集到的所述当前被测芯片的温度与所述反馈温度序列TF(n)中对应的温度值进行差值运算；若差值大于预设差值阈值，所述温度反馈模块还用于：向所述温度控制装置发送实时采集到的所述当前被测芯片的温度以及温度控制切换指令，所述温度控制切换指令用于指示所述温度控制装置根据实时采集到的所述当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述数据处理模块用于：将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj替换为所述采样值TRi。

9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述数据处理模块还用于：温度采样结束后，利用所述当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，并保存修正值，x≠i。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述数据处理模块用于：删除保存时间最长的历史采样温度序列；计算当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx与保存的各个历史采样温度序列中的第x个温度值的中值，并将所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx替换为所述中值。

11.根据权利要求9所述的装置，其中，所述数据处理模块用于：在所述当前被测芯片未被确认为失效芯片、且所述当前被测芯片的温度与所述反馈温度序列TF(n)中对应的温度值的差值不大于预设差值阈值的情况下，利用所述当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi。

12.根据权利要求7所述的装置，其中，所述温度采集模块用于：按照预设的采样频率采集所述当前被测芯片的结温。

13.一种计算机可读存储介质，其中，所述计算机可读存储介质上存储有芯片温度反馈程序，所述芯片温度反馈程序被执行时实现如权利要求1‑6中任一项所述的芯片温度反馈方法。

14.一种芯片温度控制方法，应用于芯片测试阶段，其中，所述方法包括：

接收目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)，所述反馈温度序列TF(n)由权利要求7至12任一项所述的芯片温度反馈装置发送；

根据所述反馈温度序列TF(n)对所述目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制。

15.一种芯片温度控制装置，应用于芯片测试阶段，其中，所述装置包括：

数据接收模块，用于接收目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)，所述反馈温度序列TF(n)由权利要求7至12任一项所述的芯片温度反馈装置发送；

温度控制模块，用于根据所述反馈温度序列TF(n)对目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制。

说明书

芯片温度反馈方法、装置、存储介质及芯片温度控制方法

技术领域

[0001] 本公开涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片温度反馈方法、装置及存储介质，以及一种芯片温度控制方法。

背景技术

[0002] 对CPU（Central Processing Unit，中央处理器）、GPU（Graphics Processing Unit，图形处理器）等芯片进行测试的过程中，芯片很容易产生自发热现象，从而导致芯片测试参数不准确。根据不准确的参数对芯片进行性能调教无法达到性能要求，且错误地预估芯片的性能，会导致更高的客退率。综上，在芯片测试过程中对温度控制的要求也体现着对产品良率和性能的把握，更准的温控方案，会带来更精准的测试参数，从而可以更好地把控产品的良率和性能。

[0003] 现有芯片自动化测试过程中的温度控制过程如下：

[0004] 启动测试后，温度控制装置通过Thermal head（加热头）将芯片升温到预设温度，并稳定一段时间；之后，一方面按照预设的测试流程执行测试，另一方面，在测试过程中，温度反馈装置实时采集芯片当前温度并反馈给温度控制装置，温度控制装置根据芯片当前温度进行温度调整，以使得芯片温度维持在预设温度。

[0005] 在测试过程中，部分测试项会使得芯片产生大电流从而导致芯片自身有较大发热，目前的温度控制手段对芯片温度的调节需要一定的过程，难以使发热的芯片快速回复到预设温度。

发明内容

[0006] 本公开的目的是提供一种芯片温度反馈方法、装置及存储介质，以及一种芯片温度控制方法，以期达到尽量避免芯片在短时间内温度变化过快的目的。

[0007] 根据本公开的第一方面，提供一种芯片温度反馈方法，应用于芯片测试阶段，该方法包括：

[0008] 芯片温度控制开始前，读取保存的目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)发送给温度控制装置，以便该温度控制装置根据反馈温度序列TF(n)对目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制；

[0009] 芯片温度控制过程中，按照预设的采样频率采集当前被测芯片的温度；

[0010] 温度采样结束后，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi，该设定条件包括以下至少一条：采样值达到预设采样值；与目标采样值的差值达到预设采样差值；利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，并保存修正值，i大于j。

[0011] 其中，按照预设的采样频率采集当前被测芯片的温度，可以是按照预设的采样频率采集当前被测芯片的结温。

[0012] 其中，利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正的实现方式有多种，其中一种实现方式如下：

[0013] 将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj替换为采样值TRi。

[0014] 除了利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，温度采样结束后，还可以利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，并保存修正值，x≠i。

[0015] 在此基础上，利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正的更进一步的实现方式可以包括：删除保存时间最长的历史采样温度序列；计算当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx与保存的各个历史采样温度序列中的第x个温度值的中值，并将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx替换为该中值。

[0016] 在上述任一方法实施例的基础上，芯片温度控制过程中，还可以将实时采集到的当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值进行差值运算；若差值大于预设差值阈值，向温度控制装置发送实时采集到的当前被测芯片的温度以及温度控制切换指令，温度控制切换指令用于指示温度控制装置根据实时采集到的当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

[0017] 在此基础上，可以在差值不大于预设差值阈值的前提下，利用本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)对反馈温度序列进行修正。包括但不仅限于以下任意修正方式：利用符合设定条件的采样值TRi对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正；按照上述实施例的方式利用当前采样温度序列和历史采样温度序列对反馈温度序列进行修正。

[0018] 除此之外，还可以在当前被测芯片未被确认为失效芯片的前提下，利用本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)对反馈温度序列进行修正。包括但不仅限于以下任意修正方式：利用符合设定条件的采样值TRi对所述反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正；按照上述实施例的方式利用当前采样温度序列和历史采样温度序列对反馈温度序列进行修正。

[0019] 根据本公开的第二方面，提供一种芯片温度反馈装置，应用于芯片测试阶段，该装置包括：

[0020] 存储模块，用于保存目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)和本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)；

[0021] 温度反馈模块，用于在芯片温度控制开始前，读取存储模块中保存的反馈温度序列TF(n)，并发送给温度控制装置，以便温度控制装置根据反馈温度序列TF(n)对目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制；

[0022] 温度采集模块，用于芯片温度控制过程中，按照预设的采样频率采集当前被测芯片的温度；

[0023] 数据处理模块，用于在温度采样结束后，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi，该设定条件包括以下至少一条：采样值达到预设采样值；与目标采样值的差值达到预设采样差值；利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，并保存修正值，其中，i大于j。

[0024] 其中，温度采集模块用于：按照预设的采样频率采集当前被测芯片的结温。

[0025] 其中，数据处理模块用于：将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj替换为采样值TRi。

[0026] 其中，数据处理模块还可以用于：芯片温度控制过程中，将实时采集到的当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值进行差值运算；若差值大于预设差值阈值，温度反馈模块还可以用于：向温度控制装置发送实时采集到的当前被测芯片的温度以及温度控制切换指令，该温度控制切换指令用于指示温度控制装置根据实时采集到的当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

[0027] 其中，数据处理模块还可以用于：温度采样结束后，利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，并保存修正值，x≠i。

[0028] 在此基础上，数据处理模块用于：删除保存时间最长的历史采样温度序列；计算当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx与保存的各个历史采样温度序列中的第x个温度值的中值，并将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx替换为上述中值。

[0029] 其中，数据处理模块可以用于：在当前被测芯片未被确认为失效芯片、且当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值的差值不大于预设差值阈值的情况下，利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi。

[0030] 根据本公开的第三方面，提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有芯片温度反馈程序，该芯片温度反馈程序被执行时实现如上述第一方面任一实施例所述的芯片温度反馈方法。

[0031] 根据本公开的第四方面，提供一种芯片温度控制方法，应用于芯片测试阶段，该方法包括：

[0032] 接收目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)，反馈温度序列TF(n)由第二方面任一实施例所述的芯片温度反馈装置发送；

[0033] 根据反馈温度序列TF(n)对目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制。

[0034] 其中，对当前被测芯片进行温度控制的过程中，还可以接收芯片温度反馈装置发送的温度控制切换指令；响应该温度控制切换指令，根据芯片温度反馈装置实时采集到的当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

[0035] 根据本公开的第五方面，提供一种芯片温度控制装置，应用于芯片测试阶段，该装置包括：

[0036] 数据接收模块，用于接收目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)，反馈温度序列TF(n)由第二方面任一实施例所述的芯片温度反馈装置发送；

[0037] 温度控制模块，用于根据反馈温度序列TF(n)对当前被测芯片进行温度控制。

[0038] 其中，数据接收模块还可以用于：接收芯片温度反馈装置发送的温度控制切换指令；温度控制模块还可以用于：响应温度控制切换指令，根据芯片温度反馈装置实时采集到的当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

附图说明

[0039] 图1为本公开一个实施例的芯片温度反馈方法流程图；

[0040] 图2为本公开一个实施例的芯片温度控制方法流程图；

[0041] 图3为本公开一个实施例提供的芯片温度控制效果示意图；

[0042] 图4为本公开一个实施例提供的芯片温度反馈装置示意图；

[0043] 图5为本公开一个实施例提供的芯片温度控制装置示意图。

具体实施方式

[0044] 在介绍本公开实施例之前，应当说明的是：

[0045] 本公开部分实施例被描述为处理流程，虽然流程的各个操作步骤可能被冠以顺序的步骤编号，但是其中的操作步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。

[0046] 本公开实施例中可能使用了术语“第一”、“第二”等等来描述各个特征，但是这些特征不应当受这些术语限制。使用这些术语仅仅是为了将一个特征与另一个特征进行区分。

[0047] 本公开实施例中可能使用了术语“和/或”，“和/或”包括其中一个或更多所列出的相关联特征的任意和所有组合。

[0048] 应当理解的是，当描述两个部件的连接关系或通信关系时，除非明确指明两个部件之间直接连接或直接通信，否则，两个部件的连接或通信可以理解为直接连接或通信，也可以理解为通过中间部件间接连接或通信。

[0049] 为了使本公开实施例中的技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本公开的示例性实施例进行进一步详细的说明，显然，所描述的实施例仅是本公开的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

[0050] 本公开的目的是提供一种芯片温度反馈方法及芯片温度控制方法，应用于芯片测试阶段，以实现平稳的控温效果，尽量避免芯片短时间内温度变化过快。具体是针对同一芯片产品（本公开中称之为目标芯片产品），多次采用本公开提供的芯片温度反馈方法对反馈温度序列TF(n)进行迭代修改。相应的，在芯片测试过程中，使用反馈温度序列TF(n)进行芯片温度的控制。

[0051] 具体的，本公开提供一种芯片温度反馈方法，该方法应用于芯片测试阶段。在芯片测试阶段，需要对当前被测芯片进行温度控制，按照芯片温度控制开始前、过程中以及温度采样结束后，可以将本公开提供的芯片温度反馈方法划分为三个子过程，如图1所示，各个子过程包括如下操作：

[0052] 子过程100、芯片温度控制开始前，读取保存的目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)发送给温度控制装置，以便该温度控制装置根据反馈温度序列TF(n)对目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制。

[0053] 本公开中，反馈温度序列TF(n)能反映目标芯片产品在测试过程中的温度变化规律。因此，温度控制装置可以根据反馈温度序列TF(n)进行温度控制，而不需要根据本次温度控制过程中实时采集到的芯片温度进行温度控制。

[0054] 初始的反馈温度序列TF(n)可以是根据对目标芯片产品历次测试过程中采集到的温度序列生成的，例如，初始的反馈温度序列中每个采样点的采样值为目标芯片产品的N个历史采样温度序列的对应采样点的中位值。初始的反馈温度序列TF(n)也可以是通过仿真手段看得到的。

[0055] 虽然反馈温度序列TF(n)能反映目标芯片产品在测试过程中的温度变化规律，但仍然存在反馈温度序列TF(n)与当前被测芯片的芯片实际温度差异较大的可能，此时，若仍然根据反馈温度序列TF(n)对当前被测芯片进行温度控制，会严重影响温度控制结果。因此，可以在芯片温度控制过程中，将实时采集到的当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值进行差值运算；若差值大于预设差值阈值，向温度控制装置发送实时采集到的当前被测芯片的温度以及温度控制切换指令，温度控制切换指令用于指示温度控制装置根据实时采集到的当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

[0056] 子过程200、芯片温度控制过程中，按照预设的采样频率采集当前被测芯片的温度。

[0057] 本公开实施例提供的方法，为了实现平稳控温的目的，需要多次根据芯片实时温度动态优化反馈温度序列TF(n)，因此需要对当前被测芯片的温度进行实时采样。

[0058] 优选的，可以是按照预设的采样频率采集当前被测芯片的结温。

[0059] 子过程300、温度采样结束后，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi，该设定条件包括以下至少一条：采样值达到预设采样值；与目标采样值的差值达到预设采样差值；利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，并保存修正值，i大于j。

[0060] 实际应用中，可以根据经验、需求等等确定目标采样值。例如，目标采样值是指相邻采样值，或者目标采样值是指间隔数为M的采样值，又或者，目标采样值是指间隔数在L以内的多个采样值。由于本公开的目的是尽量避免芯片升温过快，因此，目标采样值通常是指采样点i之前的采样值。

[0061] 本公开实施例中，当前采样温度序列TF(n)中有采样值TRi达到预设采样值，意味着在采样点i，当前被测芯片的温度升高到较高水平；而采样值TRi与目标采样值的差值达到预设采样差值，意味着当前被测芯片的温度变化较快。当被测芯片的温度升高到较高温度、温度变化较快，往往意味着需要较长时间才能使其温度调整到预设温度。本公开实施例提供的方法，在出现上述情况时，利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中更靠前的温度值TFj进行修正，那么，在针对目标芯片产品的下一次测试过程中，温度控制装置可以提前进行温度控制。通过这种方式不断迭代、优化反馈温度序列，从而可以达到平稳控温的目的，最终使得被测芯片在测试过程中尽量避免出现温度变化过快、温度变化幅度较大的情况。

[0062] 本公开实施例中，利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正的实现方式有多种。其中一种实现方式如下：将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj替换为采样值TRi。除此之外，还可以将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj替换为TFj与TRi的均值，或者，将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj替换为采样值TRi的其他运算值，该运算值的计算方式可以根据实际需求确定，本公开对此不作限定。

[0063] 如果有多个符合设定条件的采样值TRi，那么，分别利用每个采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，其中，i与j的间隔固定。例如，采样值TR6和采样值TR10都符合设定条件，那么，利用采样值TR6对反馈温度序列中的TF5进行修正，利用采样值TR10对反馈温度序列中的TF9进行修正。

[0064] 除了利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，温度采样结束后，还可以利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，并保存修正值，其中，x≠i。

[0065] 利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正的实现方式有多种。作为举例而非限定，其中一种实现方式如下：删除保存时间最长的历史采样温度序列；计算当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx与保存的各个历史采样温度序列中的第x个温度值的中值，并将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx替换为该中值。实际应用中，还可以利用均值或其他统计值代替中值。另一种可能实现方式如下：计算当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx与反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx的中值，将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx替换为该中值。

[0066] 实际应用中，若实时采集到的当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值的差值大于预设差值阈值，可能意味着当前被测芯片为失效芯片，或者，该芯片的温度变化不能代表相同芯片产品的普遍温度变化规律，因此，不希望利用当前采样温度序列中的温度值对反馈温度序列进行修正。也就是说，在一些实施例中，上述子过程300执行的前提是实时采集到的当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值的差值不大于预设差值阈值；以及，利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正的前提也是实时采集到的当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值的差值不大于预设差值阈值。

[0067] 应当指出的是，若当前被测芯片在测试过程中被认定为失效芯片，那么也不希望利用当前采样温度序列中的温度值对反馈温度序列进行修正。因此，在一些实施例中，上述子过程300执行的前提是当前被测芯片未被确认为失效芯片；以及，利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正的前提也是当前被测芯片未被确认为失效芯片。

[0068] 温度反馈装置获知当前被测芯片是否被确认为失效芯片的实现方式有多种。例如，在测试完成后，温度反馈装置从芯片测试装置读取测试结果，该测试结果指示了当前被测芯片是否被确认为失效芯片；又例如，温度反馈装置检测到（主动监听或被动接收）实时温度采样中断信号或温度控制中断信号。

[0069] 为配合上述实施例提供一种芯片温度反馈方法及芯片温度控制方法，本公开实施例还提供一种芯片温度控制方法，该方法同样应用于芯片测试阶段。如图2所示，本公开实施例提供的芯片温度控制方法包括如下操作：

[0070] 步骤201、接收目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)。

[0071] 其中，反馈温度序列TF(n)由芯片温度反馈装置发送芯片温度反馈装置按照上述任一实施例所述的芯片温度反馈方法获取、更新反馈温度序列TF(n)。

[0072] 步骤202、根据反馈温度序列TF(n)对目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制。

[0073] 实际应用中，可以按照与芯片温度反馈过程中预设的采样频率相同的频率从反馈温度序列TF(n)中读取温度值，实时根据读取的温度值对模板芯片产品的当前被测芯片进行温度控制。在本公开实施例的基础上，本领域技术人员在不付出创造性劳动的前提下，也可以采用多种其他手段对目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制，此处不再赘述。

[0074] 如上所述，虽然反馈温度序列TF(n)能反映目标芯片产品在测试过程中的温度变化规律，但仍然存在反馈温度序列TF(n)与当前被测芯片的芯片实际温度差异较大的可能，此时，若仍然根据反馈温度序列TF(n)对当前被测芯片进行温度控制，会严重影响温度控制结果。因此，可以在对当前被测芯片进行温度控制的过程中，接收芯片温度反馈装置发送的温度控制切换指令；响应该温度控制切换指令，根据芯片温度反馈装置实时采集到的当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

[0075] 下面结合具体应用场景，对芯片温度反馈装置及芯片温度控制装置配合工作的实现方式进行详细说明。

[0076] 在该应用场景中，需要对某SOC芯片产品进行测试，且在测试过程中，需要对该SOC芯片产品进行温度控制，以使得SOC芯片在测试过程中处于稳定的温度（预设温度）。

[0077] 为实现这一目的，首先需要获取到初始反馈温度序列。在该实施例中，获取初始反馈温度序列的实现方式如下：在工程阶段，针对该SOC芯片产品，在同等测试条件下按照预定的采样频率采集一定批次数量芯片在整个测试过程中的温度值，得到若干采样温度序列。其中，良品且经过完整测试流程的芯片对应的采样温度序列被视为有效采样温度序列，否则，被视为无效采样温度序列，初始反馈温度序列根据有效采样温度序列生成。

[0078] 假设有N组有效的采样温度序列，将这N组有效的采样温度序列保存到温度反馈装置的存储模块。另外，根据这N组有效的采样温度序列生成初始反馈温度序列。其中，初始反馈温度序列中第i个温度值为N组有效的采样温度序列中第i个温度值的中值。同样的，初始反馈温度序列也被保存到温度反馈装置的存储模块。本实施例中，温度反馈装置的存储模块为可擦写模块，以便对保存在其中的反馈温度序列进行更新。

[0079] 获得了初始反馈温度序列后，伴随一次完整的芯片测试过程的温度控制过程如下：

[0080] 启动测试后，温度控制装置（又称为恒温装置）通过加热头将当前被测芯片的温度升至预设温度。

[0081] 当前被测芯片的温度被升至预设温度且维持一定时长后，启动温度反馈装置（又称为温度采集卡），另外，芯片测试装置（例如ATE）按照预设的测试流程对当前被测芯片进行测试。

[0082] 温度采集卡启动后，一方面，将存储的反馈温度序列TF(n)发送给温度控制装置，温度控制装置按照与采样频率相同的频率从反馈温度序列TF(n)中读取温度值，根据读取到的温度值进行功率控制，从而达到对当前被测芯片的温度进行控制的目的，以使得当前被测芯片的温度稳定在预设温度。另一方面，按照预设的采样频率实时采集当前被测芯片的结温并保存。

[0083] 本实施例中，提高温度控制的稳定性，每次测试过程中，结温采集的时机需要保持一致，且温度控制装置从反馈温度序列中读取温度值的时机与结温采集的时机保持一致。确保每次结温采集的时机一致，以及确保读取温度值的时机与结温采集时机一致的实现方式有多种，本公开对此不做限定及展开。

[0084] 进一步的，温度采集卡将当前被测芯片的实时结温与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值做差值运算，并将差值与差值阈值进行比较，如果差值大于差值阈值，认为反馈温度序列无法反映芯片实际温度，那么需要根据芯片实际温度进行温度控制，因此，向温度控制装置发送温度控制切换指令，并开始向温度控制装置发送采集到的实时结温。温度控制装置在接收到温度控制切换指令后，切换为根据当前被测芯片的实时结温对当前被测芯片进行温度控制。如果差值不大于差值阈值，则认为反馈温度序列能够反映芯片实际温度，仍然按照反馈温度序列进行温度控制。

[0085] 上述差值不大于差值阈值的前提下，在实时结温采样结束后（通常是温度控制完成后），温度反馈装置判断采样得到的采样温度序列TR(n)中是否有采样值TRi大于预设采样值，且与TRi‑1的差值大于预设采样差值；如果有满足该条件的采样值，利用该采样值替换反馈温度序列TF(n)中第i‑1个温度值。另外，删除温度反馈装置中保存时间最久的（或采样时间最久的）历史采样温度序列，利用剩余的N‑1个历史采样温度序列以及当前采样温度序列中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，其中，x≠i。

[0086] 在本实施例中，每次测试都会在满足上述前提的情况下根据当前采样温度序列对反馈温度序列进行动态调整。即，一方面，针对温度变化过快、温度过高的采样值，会利用该采样值对反馈温度序列中更靠前的温度值进行修正，使得调整后的反馈温度序列中温度变化会提前于实际温度变化，从而达到对温度进行预先控制的效果；另一方面，利用当前采样温度序列及历史采样温度序列更新反馈温度序列中的温度值。通过反复迭代、优化反馈温度序列，从而达到在平稳控温的效果，目标是通过温度控制，尽量避免芯片短时间内温度变化过快。

[0087] 以图3所示的温度曲线变化为例，最左侧为上一次测试后得到的温度曲线（即上一次测试后得到的反馈温度序列），中间为当前测试采样得到的温度序列（即当前测试采集到的采样温度序列），右侧为利用当前测试采样得到的温度序列对反馈温度序列进行修正后的温度曲线（即本次修正后的2反馈温度序列）。可见，通过本公开实施例提供的方法，可以使得温度控制更为平稳，从而有效避免芯片温度变化过快、温度过高的情况。

[0088] 基于与上述芯片温度反馈方法相同的发明构思，本公开还提供一种芯片温度反馈装置。该装置应用于芯片测试阶段，如图4所示，该装置包括：存储模块401，用于保存目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)和本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)；温度反馈模块402，用于在芯片温度控制开始前，读取存储模块中保存的反馈温度序列TF(n)，并发送给温度控制装置，以便温度控制装置根据反馈温度序列TF(n)对目标芯片产品的当前被测芯片进行温度控制；温度采集模块403，用于芯片温度控制过程中，按照预设的采样频率采集当前被测芯片的温度；数据处理模块404，用于在温度采样结束后，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi，该设定条件包括以下至少一条：采样值达到预设采样值；与目标采样值的差值达到预设采样差值；利用采样值TRi对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj进行修正，并保存修正值，其中，i大于j。

[0089] 其中，温度采集模块403用于：按照预设的采样频率采集当前被测芯片的结温。

[0090] 其中，数据处理模块404用于：将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFj替换为采样值TRi。

[0091] 其中，数据处理模块404还可以用于：芯片温度控制过程中，将实时采集到的当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值进行差值运算；若差值大于预设差值阈值，温度反馈模块还可以用于：向温度控制装置发送实时采集到的当前被测芯片的温度以及温度控制切换指令，该温度控制切换指令用于指示温度控制装置根据实时采集到的当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

[0092] 其中，数据处理模块404还可以用于：温度采样结束后，利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，并保存修正值，x≠i。

[0093] 在此基础上，数据处理模块404用于：删除保存时间最长的历史采样温度序列；计算当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx与保存的各个历史采样温度序列中的第x个温度值的均值，并将反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx替换为上述均值。

[0094] 其中，数据处理模块可以用于：在当前被测芯片未被确认为失效芯片、且当前被测芯片的温度与反馈温度序列TF(n)中对应的温度值的差值不大于预设差值阈值的情况下，利用当前采样温度序列TR(n)中的采样值TRx对反馈温度序列TF(n)中的温度值TFx进行修正，判断本次温度采样得到的当前采样温度序列TR(n)中是否有符合设定条件的采样值TRi。

[0095] 基于与上述温度反馈方法相同的发明构思，本公开还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有芯片温度反馈程序，该芯片温度反馈程序被执行时实现如上述任一实施例所述的芯片温度反馈方法。

[0096] 基于与上述芯片温度控制方法相同的发明构思，本公开还提供一种芯片温度控制装置，应用于芯片测试阶段，如图5所示，该装置包括：数据接收模块501，用于接收目标芯片产品的反馈温度序列TF(n)，反馈温度序列TF(n)由第二方面任一实施例所述的芯片温度反馈装置发送；温度控制模块502，用于根据反馈温度序列TF(n)对当前被测芯片进行温度控制。

[0097] 其中，数据接收模块501还可以用于：接收芯片温度反馈装置发送的温度控制切换指令；温度控制模块还可以用于：响应温度控制切换指令，根据芯片温度反馈装置实时采集到的当前被测芯片的温度对当前被测芯片进行温度控制。

[0098] 基于与上述温度控制方法相同的发明构思，本公开还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有芯片温度控制程序，该芯片温度控制程序被执行时实现如上述任一实施例所述的芯片温度控制方法。

[0099] 本领域内的技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、CD‑ROM、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。

[0100] 本公开是参照根据本公开实施例的方法、设备（系统）和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和／或方框图中的每一流程和／或方框以及流程图和／或方框图中的流程和／或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

[0101] 这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

[0102] 这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

[0103] 尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。

[0104] 显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。