用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉

摘要

本发明提出一种用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉。本发明的用于多晶硅还原炉的底盘包括：盘体，盘体具有第一进气孔组，第一进气孔组包括至少一个第一进气孔，每个第一进气孔沿盘体的轴向贯穿盘体；电极孔组，电极孔组包括沿盘体的周向间隔设置的多个电极孔，每个电极孔沿盘体的轴向贯穿盘体；多个出气孔，每个出气孔沿盘体的轴向贯穿盘体，多个出气孔沿盘体的周向间隔设置，多个出气孔在内外方向上位于第一进气孔组和电极孔组之间。因此，根据本发明的用于多晶硅还原炉的底盘具有可使得还原炉内的气体反应更加充分、节省物料和提高硅棒质量的优点。

权利要求

1.一种用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，包括：盘体，所述盘体具有：第一进气孔，所述第一进气孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，所述第一进气孔为一个，所述第一进气孔位于所述盘体的轴心位置；

电极孔组，所述电极孔组包括沿所述盘体的周向间隔设置的多个电极孔，每个所述电极孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，所述电极孔组为两个，所述电极孔组包括第一电极孔组和第二电极孔组，所述第一电极孔组在内外方向上位于所述第二电极孔组的内侧；

第二进气孔组，所述第二进气孔组包括多个第二进气孔，每个所述第二进气孔组沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体， 所述第二进气孔组为一个，所述第二进气孔组在所述内外方向上位于所述第一电极孔组和所述第二电极孔组之间，多个所述第二进气孔和所述第一电极孔组的多个所述电极孔在内外方向上一一相对，所述第二电极孔组包括多个第二电极孔子组，每个所述第二电极孔子组包括多个电极孔，多个第二电极孔子组和多个所述第二进气孔在所述盘体的周向上一一交替设置；

多个出气孔，每个所述出气孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，多个所述出气孔沿所述盘体的周向间隔设置，多个所述出气孔在内外方向上位于一个所述第一进气孔和所述第一电极孔组之间。

2.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，

多个所述出气孔均匀地分布在以所述盘体的轴心为圆心的第一圆周上，所述第一圆周的直径在150mm至400mm之间；

每个所述电极孔组中相邻两个所述电极孔的圆心之间的距离在230mm至280mm之间；

每个所述电极孔组中的多个所述电极孔均匀地在以所述盘体的中心位置为圆心的一个圆周上，相邻两个所述电极孔组中的一者的多个所述电极孔所分布的圆周与相邻两个所述电极孔组中的另一者的多个所述电极孔所分布的圆周的直径之差为600mm，位于最内侧的所述电极孔组中的多个所述电极孔所分布的圆周的直径在600mm至800mm之间。

3.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，

所述出气孔的数量为3个、4个或6个；

所述第一电极孔组的所述电极孔的数量为8个；

所述第二电极孔组的所述电极孔的数量为16个；

所述第二进气孔组的所述第二进气孔的数量为4个、6个或8个。

4.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，

每个所述第一进气孔和每个第二进气孔内均设有进气喷嘴，所述进气喷嘴的上表面位于所述盘体的上表面的上方；

每个所述出气孔内均设有出气喷嘴，所述出气喷嘴的上表面与所述盘体的上表面在同一水平面上。

5.一种底盘组件，其特征在于，包括：上述权利要求1‑4中任一项所述用于多晶硅还原炉的底盘和电极端子组，每个所述电极孔组具有与其配合的所述电极端子组。

6.一种还原炉，其特征在于，包括：炉体和上述权利要求5所述底盘组件，所述炉体设在所述底盘组件的所述用于多晶硅还原炉的底盘上。

7.根据权利要求6所述的还原炉，其特征在于，所述盘体具有第一冷却腔，所述盘体上设有与所述第一冷却腔连通的第一冷却进口和第一冷却出口；所述还原炉进一步包括：出气气包，所述出气气包包括内壳体和外壳体，所述内壳体位于所述外壳体内，所述内壳体与所述外壳体限定出第二冷却腔，所述外壳体上设有与所述第二冷却腔连通的第二冷却进口和第二冷却出口，所述第二冷却出口与所述第一冷却进口连通，所述内壳体的内壁面限定出出气腔，所述内壳体的底部设有与所述出气腔连通的出气口；和多个出气管，多个出气管的上端一一对应地与多个所述出气孔连通，每个所述出气管的下端穿过所述外壳体和所述内壳体并伸入到所述出气腔内。

说明书

用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉

技术领域

[0001] 本发明涉及还原炉技术领域，具体涉及一种用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉。

背景技术

[0002] 电子级多晶硅材料是集成电路的关键基础材料，作为集成电路行业的“基石”，电子级多晶硅一直是国家发展集成电路产业的战略性原材料。电子级多晶硅制备难度大。相
关技术中，多晶硅的核心生产设备还原炉的温度不均匀，还原炉内的流场（气流的速度和分
布的形态）分布不均匀使得难以生产电子级多晶，且消耗原料较多。

发明内容

[0003] 本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的实施例提出一种用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉。

[0004] 本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘，包括：盘体，所述盘体具有

[0005] 第一进气孔组，所述第一进气孔组包括至少一个第一进气孔，每个所述第一进气孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体；

[0006] 电极孔组，所述电极孔组包括沿所述盘体的周向间隔设置的多个电极孔，每个所述电极孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体；

[0007] 多个出气孔，每个所述出气孔沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，多个所述出气孔沿所述盘体的周向间隔设置，其中

[0008] 所述电极孔组为一个，多个所述出气孔在内外方向上位于所述第一进气孔组和所述电极孔组之间；

[0009] 或者，所述电极孔组为多个，多个所述电极孔组沿所述内外方向间隔设置，多个所述出气孔在内外方向上位于所述第一进气孔组和至少一个所述电极孔组之间。

[0010] 因此，根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘具有可使得原炉内的气体反应更加充分、节省物料和提高硅棒质量的优点。

[0011] 在一些实施例中，所述电极孔组为多个，多个所述出气孔在内外方向上位于多个所述电极孔组的内侧；

[0012] 所述盘体还具有至少一个第二进气孔组，每个所述第二进气孔组包括多个第二进气孔，每个所述第二进气孔组沿所述盘体的轴向贯穿所述盘体，多个所述第二进气孔组沿
所述盘体的周向间隔设置，每个所述第二进气孔组在所述内外方向上位于相邻的两个所述
电极孔组之间。

[0013] 在一些实施例中，所述第一进气孔组包括一个第一进气孔，所述第一进气孔位于所述盘体的轴心位置；

[0014] 所述电极孔组为两个，所述电极孔组包括第一电极孔组和第二电极孔组，所述第一电极孔组在所述内外方向上位于所述第二电极孔组的内侧；

[0015] 所述第二进气孔组为一个，所述第二进气孔组在所述内外方向上位于所述第一电极孔组和所述第二电极孔组之间。

[0016] 在一些实施例中，多个所述第二进气孔和所述第一电极孔组的多个所述电极孔在内外方向上一一相对，所述第二电极孔组包括多个第二电极孔子组，每个所述第二电极孔
子组包括多个电极孔，多个第二电极孔子组和多个所述第二进气孔在所述盘体的周向上一
一交替设置。

[0017] 在一些实施例中，多个所述出气孔均匀地分布在以所述盘体的轴心为圆心的第一圆周上，所述第一圆周的直径在150mm至400mm之间；

[0018] 每个所述电极孔组中相邻两个所述电极孔的圆心之间的距离在230mm至280mm之间；

[0019] 每个所述电极孔组中的多个所述电极孔均匀地在以所述盘体的中心位置为圆心的一个圆周上，相邻两个所述电极孔组中的一者的多个所述电极孔所分布的圆周与相邻两
个所述电极孔组中的另一者的多个所述电极孔所分布的圆周的直径之差为600mm，位于最
内侧的所述电极孔组中的多个所述电极孔所分布的圆周的直径在600mm至800mm之间。

[0020] 在一些实施例中，所述出气孔的数量为3个、4个或6个；

[0021] 所述第一电极孔组的所述电极孔的数量为8个；

[0022] 所述第二电极孔组的所述电极孔的数量为16个；

[0023] 所述第二进气孔组的所述第二进气孔的数量为4个、6个或8个。

[0024] 在一些实施例中，每个所述第一进气孔和每个第二进气孔内均设有进气喷嘴，所述进气喷嘴的上表面位于所述盘体的上表面的上方；

[0025] 每个所述出气孔内均设有出气喷嘴，所述出气喷嘴的上表面与所述盘体的上表面在同一水平面上。

[0026] 本发明还提出了一种底盘组件，包括上述的用于多晶硅还原炉的底盘和电极端子组，每个所述电极孔组具有与其配合的所述电极端子组。

[0027] 本发明还提出了一种还原炉，包括炉体和上述的底盘组件，所述炉体设在所述底盘组件的所述用于多晶硅还原炉的底盘上。

[0028] 在一些实施例中，所述盘体具有第一冷却腔，所述盘体上设有与所述第一冷却腔连通的第一冷却进口和第一冷却出口；所述还原炉进一步包括：

[0029] 出气气包，所述出气气包包括内壳体和外壳体，所述内壳体位于所述外壳体内，所述内壳体与所述外壳体限定出第二冷却腔，所述外壳体上设有与所述第二冷却腔连通的第
二冷却进口和第二冷却出口，所述第二冷却出口与所述第一冷却进口连通，所述内壳体的
内壁面限定出出气腔，所述内壳体的底部设有与所述出气腔连通的出气口；和

[0030] 多个出气管，多个出气管的上端一一对应地与多个所述出气孔连通，每个所述出气管的下端穿过所述外壳体和所述内壳体并伸入到所述出气腔内。

附图说明

[0031] 图1是根据本发明实施例的还原炉的示意图。

[0032] 图2是根据本发明实施例的底盘的示意图。

具体实施方式

[0033] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0034] 下面参考附图描述本发明实施例的用于多晶硅还原炉200的底盘100。如图1和图2所示，根据本发明实施例的底盘100包括盘体1，盘体1具有第一进气孔组2、电极孔组3和多
个出气孔4。

[0035] 第一进气孔组2包括至少一个第一进气孔21，每个第一进气孔21沿盘体1的轴向贯穿盘体1。电极孔组3包括沿盘体1的周向间隔设置的多个电极孔301，每个电极孔301沿盘体
1的轴向贯穿盘体1。每个出气孔4沿盘体1的轴向贯穿盘体1，多个出气孔4沿盘体1的周向间
隔设置。

[0036] 其中，电极孔组3为一个，多个出气孔4在内外方向上位于第一进气孔组2和电极孔组3之间。或者，电极孔组3为多个，多个电极孔组3沿内外方向间隔设置，多个出气孔4在内
外方向上位于第一进气孔组2和至少一个电极孔组3之间。

[0037] 根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉200的底盘100将多个出气孔4沿盘体1的周向间隔设置在盘体1上，由此可使得还原炉200内的气体可通过周向间隔设置的多个出气
孔4均匀地流出还原炉200，从而使得还原炉200内的气体流动均匀、稳定，以便提高硅棒的
质量。

[0038] 且多个出气孔4在内外方向上位于第一进气孔组2和电极孔组3之间，或者，多个出气孔4在内外方向上位于第一进气孔组2和至少一个电极孔组3之间。也就是说，第一进气孔
组2位于多个出气孔4的内侧，多个出气孔4在内外方向上位于至少一个电极孔组3的内侧。
由此，可使得还原炉200内的至少一部分的气体需要穿过至少一个电极孔组3后通过出气孔
4流出还原炉200，从而增加了原炉200内的该至少一部分气体的停留时间，从而可使得原炉
200内的气体反应更加充分，以便节省物料。

[0039] 因此，根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉200的底盘100具有可使得原炉200内的气体反应更加充分、节省物料和提高硅棒质量的优点。

[0040] 本发明还提出了一种底盘组件，包括根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉200的底盘100和电极端子组，每个电极孔组3具有与其配合的电极端子组。具体地，每个电极端
子组具有多个电极端子，以便每个电极孔组3的每个电极孔301上均具有电极端子，电极端
子的下端通电，电极端子的上方设有一体化的石墨组件，硅芯安装在石墨组件上。

[0041] 本领域技术人员可以理解的是，电极设在电极端子下方与电器供电相连，沉积载体（硅芯）安装在一体化的石墨组件，硅棒气相沉积在沉积载体上，由此设在同一个电极孔
组3的多个电极端子上的多个硅棒形成硅棒圈。

[0042] 如图1所示，本发明还提出了一种还原炉200，包括炉体5和根据本发明实施例的底盘组件，炉体5设在底盘组件的底盘100上。具体地，炉体5与底盘100限定出反应腔201，炉体
5与底盘100可拆卸地相连，以便将硅芯安装在石墨组件上和从反应腔201内取出硅棒。上下
方向如图1中的箭头A所示。例如，炉体5的下端部与底盘100的上端部的边缘相连。

[0043] 如图1所示，在一些实施例中，炉体5包括外板体51和内板体52，外板体51和内板体52限定出炉体冷却腔，外板体51上设有与炉体冷却腔连通的炉体冷却进口53和炉体冷却出
口54。具体地，炉体冷却进口53位于炉体冷却出口54的下方，冷却流体从炉体冷却进口53进
入炉体冷却腔内后从炉体冷却出口54流出，以便冷却流体对炉体5进行换热从而对炉体5进
行降温。

[0044] 在一些实施例中，炉体5的顶部设有安装口55，安装口55上设有镜片，镜片的上表面设有微波发生装置。在炉体5封闭后，启动微波发装置，以便对炉体5内的反应腔201进行
预加热，当反应腔201内温度达到预设值后可关闭微波发生装置，然后通过电极电加热使得
硅芯加热到反应温度。在炉体5的上方设置微波发生装置对反应腔201进行预加热可减少反
应腔201的温度加热至硅芯的反应温度所需的时间和能源。

[0045] 在一些实施例中，炉体5的顶部设有安装口55，安装口55上设有端盖，端盖的下表面设有卤素灯，卤素灯伸入至炉体5内的反应腔201。由此，可通过开启卤素灯对炉体5内的
反应腔201进行预加热，当反应腔201内温度达到预设值后可关闭卤素灯，然后通过电极电
加热使得硅芯加热到反应温度。在反应腔201内设置卤素灯对反应腔201进行预加热可减少
反应腔201的温度加热至硅芯的反应温度所需的时间和能源。

[0046] 如图1和图2所示，根据本发明实施例的底盘100包括盘体1。盘体1具有第一进气孔组2、电极孔组3和多个出气孔4。

[0047] 如图2所示，第一进气孔组2包括至少一个第一进气孔21，每个第一进气孔21沿盘体1的轴向贯穿盘体1。具体地，第一进气孔组2位于盘体1的轴心位置，由此能够促进盘体1
的轴心处的气体处于流动，从而防止在盘体1的轴心处形成流动死区，进而使得每个硅棒下
部区域的生长速率得到显著提高，且可使得位于盘体1中间位置的第一进气孔组2可均匀地
对电极孔组3提供气体原料（三氯氢硅和氢气的混合气体）。由此可以使反应腔201内的物料
场均匀地、平稳地分布，从而可以使多个硅棒均匀生长，内外硅棒均一性好，大幅提升硅棒
的外观质量。盘体1的轴向可以是上下方向，例如，第一进气孔21沿上下方向贯穿盘体1。

[0048] 如图2所示，在一些实施例中，第一进气孔组2包括一个第一进气孔21，第一进气孔21位于盘体1的轴心位置。即该一个第一进气孔21位于盘体1的轴心处，可使得第一进气孔
21可为至少一个（位于最内侧的）电极孔组3提供充足的物料，且使得反应腔201内的物料场
均匀地、平稳地分布。

[0049] 在一些实施例中，第一进气孔组2包括多个第一进气孔21，多个第一进气孔21沿盘体1的周向间隔设置。且每个第一进气孔21的圆心在内外方向上与盘体1的轴心的距离小于
等于预设值，以便第一进气孔组2可均匀地对电极孔组3提供气体原料。

[0050] 如图2所示，每个出气孔4沿盘体1的轴向贯穿盘体1，多个出气孔4沿盘体1的周向间隔设置。由此，可使得反应腔201内的气体可通过多个周向间隔设置的出气孔4排出，进而
使得反应腔201内的气体流场分布均匀。例如，每个出气孔4沿上下方向贯穿盘体1。

[0051] 在一些实施例中，多个出气孔4均匀地分布在以盘体1的轴心为圆心的第一圆周上，第一圆周的直径在150mm至400mm之间。具体而言，第一圆周为盘体1的轴心为圆心的假
想圆。出气孔4的数量可以是为3个、4个或6个。多个出气孔4均匀分布在第一圆周上可是的
气体出气更加均匀，从而使得反应腔201内的气体流动稳定，从而便于提高硅棒质量。

[0052] 如图2所示，电极孔组3包括沿盘体1的周向间隔设置的多个电极孔301，每个电极孔301沿盘体1的轴向贯穿盘体1。每个电极孔组3中的多个电极孔301均匀地在以盘体1的中
心位置为圆心的一个圆周上。由此可使得硅芯分布均匀，便于硅棒的生长。每个电极孔组3
中相邻两个电极孔301的圆心之间的距离在230mm至280mm之间。由此可使得硅芯之间的距
离较为适中，且使多个硅棒之间的辐射基本相等，从而可以反应腔201内的温度场分布更加
均匀。相邻两个硅棒间距在230mm至280mm之间能够更加利于生产高质量硅棒。例如，每个电
极孔301沿上下方向贯穿盘体1，每个电极孔组3中相邻两个电极孔301的圆心之间的距离为
250mm。

[0053] 在一些实施例中，电极孔组3为一个，多个出气孔4在内外方向上位于第一进气孔组2和电极孔组3之间。由此可使得还原炉200内的至少一部分的气体需要穿过该一个电极
孔组3后通过出气孔4流出还原炉200，从而增加了原炉200内的该至少一部分气体的停留时
间，从而可使得原炉200内的气体反应更加充分，以便节省物料。

[0054] 在一些实施例中，电极孔组3为多个，多个电极孔组3沿内外方向间隔设置，多个出气孔4在内外方向上位于第一进气孔组2和至少一个电极孔组3之间。由此可使得还原炉200
内的至少一部分的气体需要穿过该至少一个电极孔组3后通过出气孔4流出还原炉200，从
而增加了原炉200内的该至少一部分气体的停留时间，从而可使得原炉200内的气体反应更
加充分，以便节省物料。

[0055] 如图2所示，在一些实施例中，电极孔组3为多个，多个电极孔组3沿内外方向间隔设置，多个出气孔4在内外方向上位于第一进气孔组2和多个电极孔组3之间。即多个出气孔
4在内外方向上位于最内侧的电极孔组3的内侧。由此，可使得还原炉200内的至少一部分的
气体需要该多个（所有的）电极孔组3后通过出气孔4流出还原炉200，从而增加了原炉200内
的该至少一部分气体的停留时间，从而可使得原炉200内的气体反应更加充分，以便节省物
料。

[0056] 在一些实施例中，相邻两个电极孔组3中的一者的多个电极孔301所分布的圆周与相邻两个电极孔组3中的另一者的多个电极孔301所分布的圆周的直径之差为600mm。位于
最内侧的电极孔组3中的多个电极孔301所分布的圆周的直径在600mm至800mm之间。由此，
可保证反应腔201内温度场均匀，从而保证了硅棒的生长稳定性，进一步提高了硅棒的质
量。

[0057] 如图2所示，在一些实施例中，盘体1还具有至少一个第二进气孔组7，每个第二进气孔组7包括多个第二进气孔71。每个第二进气孔组7沿盘体1的轴向贯穿盘体1，多个第二
进气孔组7沿盘体1的周向间隔设置，每个第二进气孔组7在内外方向上位于相邻的两个电
极孔组3之间。第二进气孔组7的第二进气孔71的数量可以为4个、6个或8个。每个第二进气
孔组7的多个第二进气孔71在一个圆周上均匀分布，由此，可使得每个第二进气孔组7可在
内外方向上为与其相邻的两个电极孔组3上的电极端子组上的硅芯提供气体原料，以便内
外硅棒均一性好，大幅提升硅棒的外观质量。

[0058] 如图1所示，在一些实施例中，所述底盘100还包括进气环11，进气环11位于盘体1下方，进气环11包括一个进气环进气口111和多个进气环出口112，每个第一进气孔21和每
个第二进气孔71均与一个进气环出口112相连，以便进气环11中的气体可通过第一进气孔
21和第二进气孔71进入还原炉200的反应腔201内，从而便于向反应腔201内通入气体原料。

[0059] 如图2所示，在一个具体的实施例中，电极孔组3为两个，电极孔组3包括第一电极孔组31和第二电极孔组32，第一电极孔组31在内外方向上位于第二电极孔组32的内侧。第
一电极孔组31的电极孔301的数量为8个；第二电极孔组32的电极孔301的数量为16个。第一
电极孔组31的电极孔301所分布的圆周的直径在600mm至800mm之间，第二电极孔组32的电
极孔301所分布的圆周的直径在1200mm至1400mm之间。

[0060] 第二进气孔组7为一个，第二进气孔组7在内外方向上位于第一电极孔组3和第二电极孔组3之间。第二进气孔组7的第二进气孔71的数量为8个。出气孔4的数量为4个，第一
进气孔21的数量为1个。

[0061] 从内向外，1个第一进气孔21、4个出气孔4、8个第一电极孔组3的电极孔301、8个第二进气孔71和16个第二电极孔组3的电极孔301。如此布局电极孔301能够使得硅棒布置的
更加均匀，相邻的两个硅棒相互之间的辐射热也会相当，因此可使得每个硅棒周围热场比
较均匀，保证了每个硅棒能够垂直且均匀的生长，最大限度的实现了热能利用，生产效率大
幅提升。且可保证每个硅棒都有合适的具有合适的供气量和进料量，增加了气体远离的停
留时间，保证了硅棒的表面质量，从而提高硅棒质量并节约原料。

[0062] 在一些实施例中，多个第二进气孔71和第一电极孔组31的多个电极孔301在内外方向上一一相对。第二电极孔组3包括多个第二电极孔子组，每个第二电极孔子组包括多个
电极孔301，多个第二电极孔子组和多个第二进气孔71在盘体1的周向上一一交替设置。由
此，可使得每个第二进气孔71为在盘体1的周向上与其相邻的第二电极孔子组和在内外方
向（盘体1的径向）上与其相对的第一电极孔组的多个电极孔301提高气体原料。例如，每个
第二电极孔子组包括2个电极孔301。

[0063] 在一些实施例中，每个出气孔4内均设有出气喷嘴，出气喷嘴的上表面与盘体1的上表面在同一水平面上。由此可便于气体进入个出气孔4内，且减少出气喷嘴本气体腐蚀的
概率。出气喷嘴的孔径在3mm至30mm之间。

[0064] 每个第一进气孔21和每个第二进气孔71内均设有进气喷嘴，进气喷嘴的上表面位于盘体1的上表面的上方。进气喷嘴的孔径在3mm至30mm之间，通过模拟计算该范围内的进
气喷嘴能够使得硅棒表层的流场均匀，利于硅棒的稳定气相沉积生长。

[0065] 在一些实施例中，盘体1具有第一冷却腔，盘体1上设有与第一冷却腔连通的第一冷却进口121和第一冷却出口122。具体地，盘体1包括第一盘体12和第二盘体13，第一盘体
12设在第二盘体13上，第一盘体11与第二盘体12之间限定出第一冷却腔。第二盘体13上设
有第一冷却进口121和第一冷却出口122。第二盘体13上设有与第一冷却进口121相连的第
一冷却管123和与第一冷却出口122相连的第二冷却管124。

[0066] 如图1所示，还原炉200进一步包括出气气包6和多个出气管（图中未示出）。

[0067] 出气气包6包括内壳体和外壳体61，内壳体位于外壳体61内，内壳体与外壳体61限定出第二冷却腔，外壳体61上设有与第二冷却腔连通的第二冷却进口611和第二冷却出口
612，第二冷却出口612与第一冷却进口121连通。具体地，第二冷却出口612通过第一冷却管
123与第一冷却进口121连通，由此，冷却流体通过第二冷却进口611进入第二冷却腔后通过
第一冷却管123进入第一冷却腔后从第一冷却出口122流出第一冷却腔，以便对第一盘体1
进行冷却。

[0068] 内壳体的内壁面限定出出气腔，内壳体的底部设有与出气腔连通的出气口613。多个出气管的上端一一对应地与多个出气孔4连通，每个出气管的下端穿过外壳体和内壳体
并伸入到出气腔内。具体地，每个出气管的一部分位于与其对应的一个第一冷却管123内，
以便每个第一冷却管123内的冷却气体可对与其对应的出气管降温，从而对将要进入出气
腔的气体降温，从而便于从出气口613出来的气体温度较低，以便符合排气标准。

[0069] 在一些实施例中，内板体52包括内板体反射层，内板体反射层的内表面构成内板体52的内表面，内板体反射层可反射热辐射。盘体1包括盘体反射层，盘体反射层的上表面
构成盘体1的上表面，盘体反射层可反射热辐射。具体地，盘体反射层位于第一盘体12上。内
板体反射层和盘体反射层可反射热辐射，由此可提高内板体反射层和盘体反射层处的热辐
射效果，提高了热辐射的利用率。盘体反射层可保证硅棒下部与盘体1接触部位的温度接近
反应腔201中心处的温度，内板体反射层可保证反应腔201边缘的温度接近反应腔201中心
处的温度，从而使得反应腔201内的温度分布更加均匀一致，进而提高硅棒质量。内板体反
射层和盘体反射层由爆炸复合板制成。例如，内板体反射层和盘体反射层由不锈钢爆炸复
合银板构成。

[0070] 在一些实施例中，内板体反射层的厚度和盘体反射层的厚度均大于等于1.5mm。由此，可保证内板体反射层的厚度和盘体反射层反射热辐射的效果且使得内板体反射层和盘
体反射层具有一定的强度。

[0071] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0072] 此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者
隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三
个等，除非另有明确具体的限定。

[0073] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以
是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的
普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0074] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征 “上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在
第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示
第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第
一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

[0075] 在本发明中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、 “示例”、“具体示例”、或“一些示例”等意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实
施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示
例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书
中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

[0076] 尽管已经示出和描述了上述实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域普通技术人员对上述实施例进行的变化、修改、替换和变型
均在本发明的保护范围内。