一种铊掺杂碘化铯闪烁晶体制备方法和辐射探测面板转让专利

申请号 : CN202210299780.9

文献号 : CN114395802B8

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发明人 : 任国浩史坚李焕英吴云涛

申请人 : 江苏先进无机材料研究院中国科学院上海硅酸盐研究所

摘要 :

本发明涉及一种铊掺杂碘化铯闪烁晶体制备方法和辐射探测面板。本发明的制备方法是将形成铊掺杂碘化铯闪烁晶体的原料和用于引导原料结晶的籽晶置于晶体生长容器中,将晶体生长容器置于非均温温场中;控制温场上部温度大于结晶温度下部温度小于结晶温度,从而在晶体生长容器中形成上部液态下部固态的固液混合状态;晶体生长容器相对温场向下运动,固液交界面相对晶体生长容器逐渐上移,从而使晶体生长容器底部的固体不断长大,形成所述的铊掺杂碘化铯闪烁晶体。该方法能够制得直径330毫米的大尺寸铊掺杂碘化铯闪烁晶体,有利于促进大尺寸铊掺杂碘化铯闪烁晶体的低成本批量化生产。