本发明涉及一种Mini‑LED焊盘加高方法，步骤1，超粗化前处理；步骤2，双面印油；步骤3，预固化；步骤4，真空整平；步骤5，第一次曝光显影；步骤6，印字符；步骤7，外观检测；步骤8，沉铜；步骤9，贴干膜；步骤10，第二次曝光显影；步骤11，图形电镀；步骤12，退膜；步骤13，微蚀；步骤14，完成Mini‑LED板焊盘加高。本发明通过将焊盘整体加高，使焊盘整体高度高出油墨面，焊盘整体上RGB晶元后，阻焊油墨不会进行挡光，晶元光效较好，展示面广。加高焊盘后，电测时焊盘高度高于油墨，测试针可直接扎在焊盘之上，即便轻微偏位，也不会造成扎在油墨上面，导致走线和测试针的损坏，提高测试架电测直通率。
1.一种Mini‑LED焊盘加高方法，其特征在于，按照以下步骤进行：步骤1，超粗化前处理：对Mini‑LED板进行阻焊前的超粗化处理；
步骤2，双面印油：对Mini‑LED板进行双面印阻焊油；
步骤3，预固化：对Mini‑LED板阻焊油进行预固化处理；
步骤4，真空整平：对Mini‑LED板阻焊油进行双面真空整平；
步骤5，第一次曝光显影：对Mini‑LED板进行第一次曝光显影处理；
步骤7，外观检测：对Mini‑LED板进行外观检测；
步骤8，沉铜：对Mini‑LED板进行大面积的化学镀铜处理；
步骤9，贴干膜：对Mini‑LED板贴图形电镀干膜；
步骤10，第二次曝光显影：对Mini‑LED板进行第二次曝光显影；
步骤11，图形电镀：对Mini‑LED板灯珠面进行图形电镀；
步骤12，退膜：对Mini‑LED板进行退膜处理；
步骤13，微蚀：将Mini‑LED板沉铜层微蚀掉；
步骤4中所述真空整平参数：抽真空时间30s，温度90℃，压力0.5MPa；平压时间：30s，温度90℃，压力0.5MPa，使用真空整平设备为：日本MIKI真空贴膜机；整平后油墨落差≤5μm；
所述真空整平过程中，真空整平设备使用PET膜作为传送膜，用于传送Mini‑LED板，所述PET膜为哑光；步骤10中所述第二次曝光显影的方法是：IC面完全曝光，灯珠面采用梅花孔进行曝光，梅花孔包括中心的一个通孔和四周的镭射孔，镭射孔孔径400μm，线路采用九分割曝光，焊盘显影开窗为70×90μm，干膜显影后，中间的焊盘间距为40‑50μm；步骤11中所述图形电镀，采用整体灯珠面周围设置工艺条，进行电镀调节，防止焊盘不均匀。
2.根据权利要求1所述一种Mini‑LED焊盘加高方法，其特征在于：步骤2中所述双面印油采用R‑500黑色油墨。
3.根据权利要求1所述一种Mini‑LED焊盘加高方法，其特征在于，步骤3中所述预固化参数：温度为70℃，时间IC面为25分钟，灯珠面为25分钟。
4.根据权利要求1所述一种Mini‑LED焊盘加高方法，其特征在于，步骤8中所述沉铜，经真空整平已经粗超度完成，不过前段除胶，只经过化铜。
5.根据权利要求1所述一种Mini‑LED焊盘加高方法，其特征在于，步骤9中所述图形电镀干膜为厚度20μm。
6.根据权利要求1所述一种Mini‑LED焊盘加高方法，其特征在于，所述图形电镀厚度为：5‑10μm。
一种Mini‑LED焊盘加高方法
技术领域
[0001] 本发明涉及高精密PCB 板生产技术领域，尤其涉及一种Mini‑LED焊盘加高方法。
背景技术
[0002] Mini‑LED作为新一代的显示技术，由于Mini‑LED焊盘多达十几万以上，现有电测Mini‑LED焊盘方法存在以下缺陷：
[0003] 1、焊盘与测试针有偏差时，测试针会扎在油墨上面，导致走线和测试针的损坏；
[0004] 2、影响产品的测试及合格率。
[0005] 为了克服上述存在的难题，我们发明了一种Mini‑LED焊盘加高方法。
发明内容
[0006] 本发明的发明目的在于解决现有电测Mini‑LED焊盘方法，存在焊盘与测试针有偏差时，测试针会扎在油墨上面，导致走线和测试针的损坏，影响产品的测试及合格率的问题。其具体解决方案如下：
[0007] 一种Mini‑LED焊盘加高方法，按照以下步骤进行：
[0008] 步骤1， 超粗化前处理：对Mini‑LED板进行阻焊前的超粗化处理；
[0009] 步骤2，双面印油：对Mini‑LED板进行双面印阻焊油；
[0010] 步骤3，预固化：对Mini‑LED板阻焊油进行预固化处理；
[0011] 步骤4，真空整平：对Mini‑LED板阻焊油进行双面真空整平；
[0012] 步骤5，第一次曝光显影：对Mini‑LED板进行第一次曝光显影处理；
[0013] 步骤6，印字符：对Mini‑LED板印字符；
[0014] 步骤7，外观检测：对Mini‑LED板进行外观检测；
[0015] 步骤8，沉铜：对Mini‑LED板进行大面积的化学镀铜处理；
[0016] 步骤9，贴干膜：对Mini‑LED板贴图形电镀干膜；
[0017] 步骤10，第二次曝光显影：对Mini‑LED板进行第二次曝光显影；
[0018] 步骤11，图形电镀：对Mini‑LED板灯珠面进行图形电镀；
[0019] 步骤12，退膜：对Mini‑LED板进行退膜处理；
[0020] 步骤13，微蚀：将Mini‑LED板沉铜层微蚀掉；
[0021] 步骤14，完成Mini‑LED板焊盘加高。
[0022] 进一步地，步骤2中所述双面印油采用R‑500黑色油墨。
[0023] 进一步地，步骤3中所述预固化参数：温度为70℃，时间IC面为25分钟，灯珠面为25分钟。
[0024] 进一步地，步骤4中所述真空整平参数：抽真空时间30s，温度90℃，压力0.5MPa；平压时间：30s，温度90℃，压力0.5MPa，使用真空整平设备为：日本MIKI真空贴膜机；整平后油墨落差≤5μm。
[0025] 进一步地，所述真空整平过程中，真空整平设备使用PET膜作为传送膜，用于传送Mini‑LED板，所述PET膜为哑光。
[0026] 进一步地，步骤8中所述沉铜，经真空整平已经粗超度完成，不过前段除胶，只经过化铜。
[0027] 进一步地，步骤9中所述图形电镀干膜为厚度20μm。
[0028] 进一步地，步骤10中所述第二次曝光显影的方法是：IC面完全曝光，灯珠面采用梅花孔进行曝光，梅花孔包括中心的一个通孔和四周的镭射孔，镭射孔孔径400μm，线路采用九分割曝光，焊盘显影开窗为70×90μm，干膜显影后，中间的焊盘间距为40‑50μm。
[0029] 进一步地，步骤11中所述图形电镀，采用整体灯珠面周围设置工艺条，进行电镀调节，防止焊盘不均匀。所述图形电镀厚度为：5‑10μm。
[0030] 综上所述，采用本发明的技术方案具有以下有益效果：
[0031] 本发明解决了现有电测Mini‑LED焊盘方法，存在焊盘与测试针有偏差时，测试针会扎在油墨上面，导致走线和测试针的损坏，影响产品的测试及合格率的问题。本发明通过PCB层面将焊盘整体加高之后，使焊盘整体高度高出油墨面。这样焊盘整体上RGB晶元后，阻焊油墨不会进行挡光，从侧面来看，晶元光效较好，展示面广。加高焊盘后，电测时，焊盘高度高于油墨，测试针可以直接扎在焊盘之上，即便轻微偏位，也不会造成扎在油墨上面，导致走线和测试针的损坏，提高测试架电测直通率。
附图说明
[0032] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还能够根据这些附图获得其他的附图。
[0033] 图1为本发明一种Mini‑LED焊盘加高方法的整体灯珠面周围设置工艺条的示意图；
[0034] 图2为本发明的一种Mini‑LED焊盘加高方法的加高焊盘的示意图。
具体实施方式
[0035] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036] 一种Mini‑LED焊盘加高方法，按照以下步骤进行：
[0037] 步骤1，超粗化前处理：对Mini‑LED板进行阻焊前的超粗化处理（本工序属于现有技术）；
[0038] 步骤2，双面印油：对Mini‑LED板进行双面印阻焊油；双面印油采用永胜泰R‑500黑色油墨；
[0039] 步骤3，预固化：对Mini‑LED板阻焊油进行预固化处理；预固化参数：温度为70℃，时间IC面为25分钟，灯珠面为25分钟；
[0040] 步骤4，真空整平：对Mini‑LED板阻焊油进行双面真空整平；真空整平参数：抽真空时间30s，温度90℃，压力0.5MPa；平压时间：30s，温度90℃，压力0.5MPa，使用真空整平设备为：日本MIKI真空贴膜机；整平后油墨落差≤5μm；真空整平过程中，真空整平设备使用PET膜作为传送膜，用于传送Mini‑LED板， PET膜为哑光；
[0041] 步骤5，第一次曝光显影：对Mini‑LED板进行第一次曝光显影处理；（本工序属于现有技术）
[0042] 步骤6，印字符：对Mini‑LED板印字符；（本工序属于现有技术）[0043] 步骤7，外观检测：对Mini‑LED板进行外观检测；（本工序属于现有技术）[0044] 步骤8，沉铜：对Mini‑LED板进行大面积的化学镀铜处理；沉铜，经真空整平已经粗超度完成，不过前段除胶，只经过化铜；
[0045] 步骤9，贴干膜：对Mini‑LED板贴图形电镀干膜；图形电镀干膜为厚度20μm；
[0046] 步骤10，第二次曝光显影：对Mini‑LED板进行第二次曝光显影；第二次曝光显影的方法是：IC面完全曝光，灯珠面采用梅花孔进行曝光，梅花孔包括中心的一个通孔和四周的镭射孔，镭射孔孔径400μm，线路采用九分割曝光，焊盘显影开窗为70×90μm，干膜显影后，中间的焊盘间距为40‑50μm；
[0047] 步骤11，图形电镀：对Mini‑LED板灯珠面进行图形电镀；图形电镀，采用整体灯珠面周围设置工艺条1，如图1所示，进行电镀调节，防止焊盘不均匀，图形电镀厚度为：5‑10μm；
[0048] 步骤12，退膜：对Mini‑LED板进行退膜处理；（本工序属于现有技术）[0049] 步骤13，微蚀：将Mini‑LED板沉铜层微蚀掉；（本工序属于现有技术）[0050] 步骤14，完成Mini‑LED板焊盘加高，加高焊盘如图2所示。
[0051] 综上所述，采用本发明的技术方案具有以下有益效果：
[0052] 本发明解决了现有电测Mini‑LED焊盘方法，存在焊盘与测试针有偏差时，测试针会扎在油墨上面，导致走线和测试针的损坏，影响产品的测试及合格率的问题。本发明通过PCB层面将焊盘整体加高之后，使焊盘整体高度高出油墨面。这样焊盘整体上RGB晶元后，阻焊油墨不会进行挡光，从侧面来看，晶元光效较好，展示面广。加高焊盘后，电测时，焊盘高度高于油墨，测试针可以直接扎在焊盘之上，即便轻微偏位，也不会造成扎在油墨上面，导致走线和测试针的损坏，提高测试架电测直通率。
[0053] 以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。
