GSPL-SNST氮化硅流延素坯及制备方法转让专利
申请号 : CN202210563003.0
文献号 : CN114800775B
文献日 : 2023-04-18
发明人 : 陈明 , 郭天枫 , 陈玉衡
申请人 : 江苏方达正塬电子材料科技有限公司
摘要 :
本发明提供GSPL‑SNST氮化硅流延素坯的制备方法,包括以下步骤:利用SDPR预处理系统和/或HVCM预处理系统和/或GSPL生产线制备的GSPL‑SNCS浆料,经真空消泡、流延、烘干形成厚度为T0的第一素坯。将N层除去膜带后的第一素坯进行裁切和整齐层叠并用PET真空包装袋密封后置于等静压机中在1‑40MPa压力下静压5‑40分钟,形成由多层第一素坯融合而成的第二素坯。本发明的方法生产的第一素胚的各方面性能优于之前的素胚,用等静压机让多层素胚融合,这样就保证了,切片的时候每一块的素胚性能几乎完全一致,粗糙度比较小,且无明显分层和气孔现象。我们可以根据需要去定制所需要的厚度,不会产生浪费。