EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、衬底回收方法

摘要

本发明提供了一种EUV光掩模基版、EUV光掩模版及其制造方法、基底，利用低成本、热膨胀系数接近于0的有机聚合物衬底，与具有深间隙填充能力、良好的热稳定性以及局部和全局的平面化能力的旋涂碳层(Spin‑on Carbon，SOC)相结合，提供表面缺陷较少且表面更加平坦的衬底，进而能制造更低成本、更少缺陷、更高性能的EUV光掩模版。进一步地，本发明还提供一种衬底回收方法，利用该旋涂碳层做牺牲层，在依次去除吸收层、反射膜堆栈层而暴露出旋涂碳层之后，采用等离子体灰化工艺很容易地去除该旋涂碳层，进而回收有机聚合物衬底，以用于新的EUV光掩模版的制造，进一步降低新的EUV光掩模版的制造成本。