一种用于清洗晶圆的喷射装置

摘要

本发明公开了一种用于清洗晶圆的喷射装置，包括喷嘴架及喷嘴主体。喷嘴主体具有分别沿上下方向延伸的第一流体通道与第二流体通道，第二流体通道环设于第一流体通道的周部，两者之间通过环形壁间隔开。喷嘴主体还具有位于下端部的第一出口与第二出口，第一出口与第一流体通道相连通，第二出口与第二流体通道相连通，第二出口环设于第一出口的周部。喷射装置还包括一端部与第一流体通道相连通的第一流体管、一端部与第二流体通道相连通第二流体管、一端部与第一流体通道和/或第二流体通道相连通的第三流体管。该喷射装置集成了气液清洗功能，同时具备喷射液体、气体或气液混合体等多种清洗模式，有助于缩短清洗时间，提升工业产能。

权利要求

1.一种用于清洗晶圆的喷射装置，所述喷射装置包括喷嘴架及固设于所述喷嘴架上的喷嘴主体，其特征在于：所述喷嘴主体具有第一流体通道与第二流体通道，所述第一流体通道与所述第二流体通道分别沿上下方向延伸，且所述第二流体通道环设于所述第一流体通道的周部，所述第一流体通道与所述第二流体通道之间通过环形壁间隔开；

所述喷嘴主体具有第一出口与第二出口，所述第一出口与所述第一流体通道相连通，所述第二出口与所述第二流体通道相连通，所述第一出口与所述第二出口均位于所述喷嘴主体的下端部，所述第二出口环设于所述第一出口的周部；

所述喷射装置还包括：

第一流体管，所述第一流体管与所述第一流体通道相连通；

第二流体管，所述第二流体管与所述第二流体通道相连通；

第三流体管，所述第三流体管与所述第一流体通道相连通，或，所述第三流体管与所述第一流体通道和所述第二流体通道均连通；

所述喷嘴主体具有第一入口、第二入口及第三入口，其中：

所述第一入口位于所述喷嘴主体的上端部，所述第一入口与所述第一流体通道相连通；

所述第二入口位于所述喷嘴主体周向上的一侧部，所述第二入口与所述第二流体通道相连通；

所述第三入口位于所述喷嘴主体周向上的另一侧部，且所述第三入口与所述第二入口分设于所述喷嘴主体的宽度方向的相异两侧，所述第三入口与所述第一流体通道相连通，所述喷嘴主体具有过渡腔，所述过渡腔环设于所述第一流体通道的周部，所述第三入口与所述过渡腔相连通，所述过渡腔与所述第一流体通道相连通，所述过渡腔与所述第二流体通道之间设有隔板。

2.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：所述第一流体管用于传输水，所述第二流体管用于传输水，所述第三流体管用于传输氮气。

3.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：沿所述喷嘴主体的径向上，所述第二出口自上而下逐渐向外倾斜延伸。

4.根据权利要求3所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：沿所述喷嘴主体的径向上，所述第二出口的内侧壁位于第一虚拟圆锥面内，所述第二出口的外侧壁位于第二虚拟圆锥面内，所述第一虚拟圆锥面的轴心线与所述第二虚拟圆锥面的轴心线共线延伸。

5.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：所述第一出口的轴心线与所述第二出口的轴心线共线延伸。

6.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：所述第二出口位于所述第一出口的上方。

7.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：所述过渡腔与所述第二流体通道之间通过所述隔板隔开。

8.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：所述隔板上开设有分配孔，所述分配孔中设有压力传感器，所述压力传感器用于控制所述过渡腔中的流体进入所述第二流体通道中的流量。

9.根据权利要求1所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：所述喷射装置还包括第四流体管，所述喷嘴主体具有第二入口与第四入口，所述第二入口与所述第四入口分设于所述喷嘴主体的宽度方向的相异两侧部，所述第二流体管通过所述第二入口与所述第二流体通道相连通，所述第四流体管通过所述第四入口与所述第二流体通道相连通。

10.根据权利要求1至9任一项所述的用于清洗晶圆的喷射装置，其特征在于：所述喷嘴架包括立架与横架，所述立架沿上下方向延伸，所述横架沿水平方向延伸，所述横架的一端部固设于所述立架上，所述喷嘴主体固设于所述横架的另一端部上，所述第二流体管与所述第三流体管分设于所述横架的宽度方向的相异两侧，所述第一流体管位于所述横架的上方。

说明书

一种用于清洗晶圆的喷射装置

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种用于清洗晶圆的喷射装置。

背景技术

[0002] 晶圆清洗是半导体湿法工艺过程中必不可少的工序，在蚀刻、电镀、显影等几乎每一道工序前后，均需要对晶圆进行清洗，以去除晶圆表面可能附着残留的有机、无机或颗粒物等杂质，确保达到后续工艺的精度要求，并使得不同工序之间不会互相影响。现有的晶圆清洗技术中，雾滴喷射技术是较为高效的一种，其利用微纳米级的液滴喷射到晶圆表面的液膜上，引起液膜的扰动实现颗粒的去除。而对于一些难溶性杂质，还需要辅以化学药剂清洗，通过化学反应将杂质去除。因此目前实践中较为通用而有效的晶圆清洗方法包括化学药剂清洗、清水清洗、Nano清洗及氮气干燥等至少四个步骤，其中Nano清洗指微纳米气泡清洗，一般为利用氮气与超纯水混合后再经微纳米气泡发生器产生气液二相流进行清洗。

[0003] 现有技术中，为了执行上述四个步骤，通常需要在晶圆清洗腔周边配置四个不同的喷射装置，分别喷射不同的流体，每个喷射装置具有其单独的驱动机构及控制单元。这就导致喷射装置数量多、占用空间大、成本高、运行控制复杂，且不同喷射装置之间容易相互碰撞、干涉。为了减少喷射装置数量，一些喷射装置上会同时搭载有多条管路，例如图1所示，该喷射装置10上并排设有化学药剂管路11、清水管路12及Nano混合管路13。当该喷射装置10执行某一步骤时，对应管路的出口开启，其他管路闭合，从而实现单种流体喷射。但该喷射装置10在运行时，每条管路相互独立，依然需要设置单独的程序进行控制，导致软件控制逻辑复杂，容错率低，容易出故障，清洗时间也较长。此外，该喷射装置10不同管路的出口邻近，喷射的液体容易飞溅沾染到其他出口上，尤其是化学药剂容易污染到其他管路，而Nano液滴的流速较大，也容易飞溅，导致交叉污染。并且该喷射装置10的宽度较宽，严重限制了其在晶圆清洗腔中的行程，容易导致晶圆的边缘清洗不净。

发明内容

[0004] 本发明的目的是针对现有技术存在的问题，提供一种能够集成多种气液清洗功能，清洗效率高、控制方法简单的用于清洗晶圆的喷射装置。

[0005] 为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

[0006] 一种用于清洗晶圆的喷射装置，所述喷射装置包括喷嘴架及固设于所述喷嘴架上的喷嘴主体，所述喷嘴主体具有第一流体通道与第二流体通道，所述第一流体通道与所述第二流体通道分别沿上下方向延伸，且所述第二流体通道环设于所述第一流体通道的周部，所述第一流体通道与所述第二流体通道之间通过环形壁间隔开；

[0007] 所述喷嘴主体具有第一出口与第二出口，所述第一出口与所述第一流体通道相连通，所述第二出口与所述第二流体通道相连通，所述第一出口与所述第二出口均位于所述喷嘴主体的下端部，所述第二出口环设于所述第一出口的周部；

[0008] 所述喷射装置还包括：

[0009] 第一流体管，所述第一流体管与所述第一流体通道相连通；

[0010] 第二流体管，所述第二流体管与所述第二流体通道相连通；

[0011] 第三流体管，所述第三流体管与所述第一流体通道相连通，或，所述第三流体管与所述第一流体通道和所述第二流体通道均连通。

[0012] 在一些实施方式中，所述第一流体管用于传输水，所述第二流体管用于传输水，所述第三流体管用于传输氮气。三组流体管分别用于传输特定的流体，相互之间不会形成干涉与交叉污染。

[0013] 在一些实施方式中，沿所述喷嘴主体的径向上，所述第二出口自上而下逐渐向外倾斜延伸。从而在惯性的作用下，从第二出口喷射的流体能够在第一出口的周向上形成锥形的气罩或液罩，防止第一出口中喷射的流体向外飞溅造成污染。并且第二出口喷射的锥形流体具有更大的服务面积，有助于在预湿或一次清洗等步骤中提高清洗效率。

[0014] 在一些实施方式中，沿所述喷嘴主体的径向上，所述第二出口的内侧壁位于第一虚拟圆锥面内，所述第二出口的外侧壁位于第二虚拟圆锥面内，所述第一虚拟圆锥面的轴心线与所述第二虚拟圆锥面的轴心线共线延伸。同心圆锥形的侧壁使得第二出口中喷射的流体受到的阻力更小，喷射路径更稳定，流体罩的防护效果也更好。

[0015] 在一些实施方式中，所述第一出口的轴心线与所述第二出口的轴心线共线延伸。从而当第一出口与第二出口同时喷射流体时，两股流体之间的干涉小，第二出口中喷射的流体能够更好地起到流体罩的功能。

[0016] 在一些实施方式中，所述第二出口位于所述第一出口的上方。从而能够进一步减少第一出口与第二出口喷射流体之间的干涉，且第二出口距离晶圆更远，喷射的流体压力相对分散、投影面积更大，适用于预湿或一次清洗；第一出口距离晶圆更近，喷射的流体压力更集中，适用于二次清洗或深度清洗。

[0017] 在一些实施方式中，所述喷嘴主体具有第一入口、第二入口及第三入口，其中：

[0018] 所述第一入口位于所述喷嘴主体的上端部，所述第一入口与所述第一流体通道相连通；

[0019] 所述第二入口位于所述喷嘴主体周向上的一侧部，所述第二入口与所述第二流体通道相连通；

[0020] 所述第三入口位于所述喷嘴主体周向上的另一侧部，且所述第三入口与所述第二入口分设于所述喷嘴主体的宽度方向的相异两侧，所述第三入口与所述第一流体通道相连通。三组入口分设于喷嘴主体的上方及左右两侧，优化了喷嘴主体的空间布局，不同管路之间不易相互缠绕，且不同入口之间不易交叉污染。

[0021] 在一些实施方式中，所述喷嘴主体具有过渡腔，所述过渡腔环设于所述第一流体通道的周部，所述第三入口与所述过渡腔相连通，所述过渡腔与所述第一流体通道相连通，所述过渡腔与所述第二流体通道之间设有隔板。过渡腔的设置使得第一流体通道与第二流体通道之间的配合方式更为灵活，为该喷射装置的使用方式提供了更多的可能性。

[0022] 在一些实施方式中，所述过渡腔与所述第二流体通道之间通过所述隔板隔开。此时第三入口中通入的流体仅能够进入第一流体通道，可以与第一入口中通入的流体相混合形成气液二相流，实现气液混合清洗。

[0023] 在一些实施方式中，所述隔板上开设有分配孔，所述分配孔中设有压力传感器，所述压力传感器用于控制所述过渡腔中的流体进入所述第二流体通道中的流量。此时第三入口中进入的流体可以同时通入第一流体通道与第二流体通道，该流体在第一流体通道中与另一种流体混合并从第一出口喷出形成气液二相流，同时可以从第二出口喷射形成流体罩。并且由于压力传感器的设置，流体罩的流量恒定，达到稳定的屏障效果；而气液二相流的流量及气液比例可控，能够根据晶圆表面的不同污染状况进行有效清洗。

[0024] 在一些实施方式中，所述喷射装置还包括流量阀，所述流量阀设置在所述第二流体管上。流量阀可用于控制第二流体管通入的流体流量，使得该喷射装置能够根据实际情况灵活调节。

[0025] 在一些实施方式中，所述喷射装置还包括第四流体管，所述喷嘴主体具有第二入口与第四入口，所述第二入口与所述第四入口分设于所述喷嘴主体的宽度方向的相异两侧部，所述第二流体管通过所述第二入口与所述第二流体通道相连通，所述第四流体管通过所述第四入口与所述第二流体通道相连通。一些晶圆清洗的过程中还需要使用化学药剂清洗，对于一些水溶性药液，例如SC1清洗液（氨水、双氧水与水的混合清洗液），可以进一步在该喷射装置上集成用于输送药液的第四流体管与第四入口，进一步增加该喷射装置的功能；第二入口与第四入口分设于两侧能够减少两者之间的干涉与交叉污染；喷射完药液后再喷射清水，能够兼顾对第二流体通道的清洗，保证后续的清洗质量。

[0026] 在一些实施方式中，所述喷嘴架包括立架与横架，所述立架沿上下方向延伸，所述横架沿水平方向延伸，所述横架的一端部固设于所述立架上，所述喷嘴主体固设于所述横架的另一端部上，所述第二流体管与所述第三流体管分设于所述横架的宽度方向的相异两侧，所述第一流体管位于所述横架的上方。喷嘴架的具体设置进一步优化了喷射装置的空间布局，使得该喷射装置具有更小的宽度，不同管路之间影响更小。

[0027] 由于上述技术方案的运用，本发明提供了一种用于清洗晶圆的气液清洗功能集成喷射装置，该喷射装置优化了结构布局，节省了空间，广泛适用于半导体湿法工艺中的各类清洗工序。本发明中，在一组喷射装置上集成了至少三条流体管路，三条流体管路连接至同一个喷嘴主体的不同流体通道，彼此分隔的第一流体通道与第二流体通道使得不同流体之间可选择地相互分离或相互混合，使得该喷射装置同时具备喷射液体、气体或气液混合体等多种清洗模式，控制简单、容错率高，简化了清洗动作，减少了不同单元的交互，从而有助于缩短清洗时间，提升工业产能。并且该喷射装置采用第二出口环绕第一出口的结构，使得第二出口中喷射的流体能够在第一出口喷射流体的周围形成气罩或液罩，阻挡液体飞溅造成的交叉污染。

附图说明

[0028] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。

[0029] 附图1为现有技术中一种喷射装置的局部立体结构示意图；

[0030] 附图2为本发明一具体实施例中喷射装置的局部立体结构示意图；

[0031] 附图3为实施例1中喷嘴主体的局部立体结构示意图；

[0032] 附图4为实施例1中喷嘴主体的竖向剖视示意图；

[0033] 附图5为图1中A处放大示意图；

[0034] 附图6为实施例2中喷嘴主体的竖向剖视示意图；

[0035] 附图7为实施例2中喷射装置使用过程中晶圆表面的微观示意图；

[0036] 附图8为实施例3中喷嘴主体的竖向剖视示意图；

[0037] 其中：10、喷射装置；11、化学药剂管路；12、清水管路；13、Nano混合管路；

[0038] 101、晶圆；200、喷嘴架；210、立架；220、横架；

[0039] 300、喷嘴主体；310、第一流体通道；311、第一入口；312、第一出口；313、二相流发生装置；320、第二流体通道；321、第二入口；322、第二出口；322a、内侧壁；322b、外侧壁；323、第四入口；330、过渡腔；331、第三入口；340、隔板；341、分配孔；342、压力传感器；350、环形壁；351、通孔；3001、第一虚拟圆锥面；3002、第二虚拟圆锥面；

[0040] 410、第一流体管；420、第二流体管；421、流量阀；430、第三流体管。

具体实施方式

[0041] 下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域的技术人员理解。无特殊说明的情况下，本文中所出现的“水”“清水”等均指去离子水或超纯水。

[0042] 实施例1

[0043] 参见图2所示，本实施例提供一种用于清洗晶圆101的喷射装置，包括喷嘴架200及固设于喷嘴架200上的喷嘴主体300。该喷射装置可集成于各类晶圆清洗设备中，用于向待清洗的晶圆101表面喷射化学药液、清水、氮气、气液二相流等不同流体，实现晶圆101的彻底清洗。

[0044] 本实施例中，喷嘴架200包括立架210与横架220，以喷嘴架200为参照建立XYZ三维坐标系，其中宽度方向X、前后方向Y、上下方向Z三者两两垂直。立架210沿上下方向Z延伸，横架220沿水平的前后方向Y延伸，横架220的一端部固设于立架210的上端部上，喷嘴主体300固设于横架220的另一端部上。从而当立架210绕自身轴心线转动时，能够驱使喷嘴主体
300在水平方向上移动，对晶圆101的不同部位进行全面清洗。

[0045] 参见图2所示，该喷射装置包括分别与喷嘴主体300相连接的第一流体管410、第二流体管420及第三流体管430，其中第一流体管410用于传输水H2O（1），第二流体管420用于传输水H2O（2），第三流体管430用于传输氮气N2。本实施例中，立架210为具有管腔的空心管，第一流体管410、第二流体管420及第三流体管430均穿设并部分收纳于立架210的管腔中，使得该喷射装置的外观更为简洁整齐。在立架210的上方，第二流体管420与第三流体管430分设于横架220宽度方向X的相异两侧，第一流体管410位于横架220的上方，三条管路互不干涉，从而进一步优化了该喷射装置的空间布局，喷嘴主体300相对位于喷嘴架200的中间，喷射装置的宽度尺寸更小。

[0046] 参见图4所示，喷嘴主体300的内部具有第一流体通道310与第二流体通道320，第一流体通道310与第二流体通道320分别沿上下方向Z延伸，且第二流体通道320环设于第一流体通道310的周部，第一流体通道310与第二流体通道320之间通过环形壁350间隔开。本实施例中，第一流体通道310呈圆柱状，第二流体通道320呈环形柱状，两者的轴心线共线延伸。第二流体通道320的上方还具有过渡腔330，过渡腔330同样呈环形柱状并环设于第一流体通道310的周部，环形壁350一直延伸至过渡腔330与第一流体通道310之间，且环形壁350上开设有用于将过渡腔330与第一流体通道310相连通的通孔351。

[0047] 参见图4及图5所示，过渡腔330与第二流体通道320之间设有水平的隔板340。本实施例中，隔板340上间隔开设有多个分配孔341，每个分配孔341中均设有压力传感器342，压力传感器342用于控制过渡腔330中的流体进入第二流体通道320中的流量。具体地，本实施例中过渡腔330中可通入氮气N2，该氮气源的流量可调节，而压力传感器342与流量控制器（图中未示出）相配合，使得进入第二流体通道320中的氮气N2流量恒定或仅在一定范围内浮动，从而仅进入第一流体通道310中的氮气N2流量可被调节，后者能够与水H2O（1）相混合形成气液二相流Nano，因此第一流体通道310中的氮气N2流量的调节也就意味着气液二相流Nano中气液比例及整体流量的调节。

[0048] 参见图2及图4所示，本实施例中，喷嘴主体300具有第一入口311、第二入口321及第三入口331。其中，第一入口311位于喷嘴主体300的上端部，第一流体管410的一端部与第一入口311相连通，第一入口311与第一流体通道310相连通。第二入口321位于喷嘴主体300周向上的一侧部，第二流体管420的一端部与第二入口321相连通，第二入口321与第二流体通道320相连通。第三入口331位于喷嘴主体300周向上的另一侧部，且第三入口331与第二入口321分设于喷嘴主体300的宽度方向X的相异两侧。第三流体管430的一端部与第三入口331相连通，第三入口331与过渡腔330相连通。如此，第一流体通道310中传输的水H2O（1）可进入第一流体通道310，第二流体管420中传输的水H2O（2）可进入第二流体通道320，第三流体管430中传输的氮气N2可同时进入第一流体通道310与第二流体通道320。

[0049] 参见图3及图4所示，本实施例中，喷嘴主体300还具有第一出口312与第二出口322，其中第一出口312与第一流体通道310相连通，第二出口322与第二流体通道320相连通。第一出口312与第二出口322均位于喷嘴主体300的下端部，第二出口322相对位于第一出口312的上方，且第二出口322环设于第一出口312的周部，第一出口312处还设有用于产生气液二相流Nano的二相流发生装置313。进一步地，沿喷嘴主体300的径向上，第二出口
322自上而下逐渐向外倾斜延伸，第二出口322的内侧壁322a位于第一虚拟圆锥面3001内，第二出口的外侧壁322b位于第二虚拟圆锥面3002内。本实施例中，第一虚拟圆锥面3001的轴心线与第二虚拟圆锥面3002的轴心线共线延伸，第一出口312的轴心线与第二出口322的轴心线共线延伸，且均与上述第一流体通道310的轴心线共线延伸。当第一出口312喷射气液二相流Nano等高速流体时，该流体的喷射路径大致呈图中所示的锥形，从而第二出口322中喷射的锥形流体罩能够更好地起到防护作用。

[0050] 由上可知，本实施例提供的喷射装置至少具有以下三种清洗模式：

[0051] （1）预湿或清水清洗模式：控制第一流体管410与第二流体管420中的至少一者打开，第三流体管430闭合，从而第一出口312和/或第二出口322中喷射清水H2O，选择不同的管路可调节清水喷射的范围与强度。

[0052] （2）Nano清洗模式：同时打开第一流体管410与第三流体管430，第二流体管420闭合，从而一部分氮气N2与全部的水H2O（1）进入第一流体通道310，经二相流发生装置313混合处理后从第一出口312喷射出气液二相流Nano，可对晶圆101表面进行深度清洗；另一部分氮气N2进入第二流体通道320，并从第二出口322喷出，形成环设于上述气液二相流Nano周围的锥形气罩，该气罩具有稳定的流量，可防止高速喷射的气液二相流Nano向外飞溅造成污染。

[0053] （3）干燥模式：打开第三流体管430，第一流体管410与第二流体管420均闭合，此时第一出口312与第一出口312同时喷射氮气N2，能够在清洗完成后对晶圆101表面进行干燥。

[0054] 实施例2

[0055] 参见图6所示，本实施例提供一种用于清洗晶圆101的喷射装置，该喷射装置的外部结构与实施例1基本相同，主要区别在于喷嘴主体300的具体设置不同。

[0056] 本实施例中，隔板340上不设置分配孔341，隔板340将过渡腔330与第二流体通道320之间完全隔开，两者互不连通，从而第三入口331中通入的氮气N2仅能够进入第一流体通道310中而无法进入第二流体通道320。

[0057] 本实施例中，该喷射装置还包括流量阀421，流量阀421设置在第二流体管420上，用于调节第二流体管420中水H2O（2）的流量。

[0058] 由上可知，由于结构上的改变，本实施例中的喷射装置在运行不同模式时与实施例1有所区别，具体如下：

[0059] （1）预湿或清水清洗模式：该模式下与实施例1相同。

[0060] （2）Nano清洗模式：同时打开第一流体管410、第二流体管420及第三流体管430，此时全部的氮气N2与水H2O（1）在第一流体通道310内混合，并经二相流发生装置313混合处理后从第一出口312喷射出气液二相流Nano；与此同时，第二流体管420中的水H2O（2）从第二出口322喷出，形成环设于上述气液二相流Nano周围的锥形水罩，该水罩的流量可以通过流量阀421调节。进一步地，参见图7所示，本实施例中，外侧的水H2O（2）通过调节流量形成锥形水罩，落到晶圆101表面形成第一水膜W3；气液二相流Nano溅射晶圆101表面，一部分飞溅成水滴W1，一部分因重力和晶圆101表面粘附力等原因形成第二水膜W2；第二水膜W2因氮气N2带给气液二相流Nano的速度而相对第一水膜W3有更快的速度，因此当第二水膜W2追赶第一水膜W3并碰撞后，就能够形成更强的冲击力，使得该本实施例的该模式下具有更优的清洁能力；

[0061] （3）干燥模式：打开第三流体管430，第一流体管410与第二流体管420均闭合，此时第一出口312喷射氮气N2，能够在清洗完成后对晶圆101表面进行干燥。

[0062] 实施例3

[0063] 参见图8所示，本实施例提供一种用于清洗晶圆101的喷射装置，该喷射装置的外部结构与实施例2基本相同，主要区别在于喷嘴主体300的具体设置不同。

[0064] 本实施例中，喷射装置还包括第四流体管（图中未示出），喷嘴主体300还具第四入口323，第四流体管的一端部与第四入口323相连通，第四入口323同样与第二流体通道320相连通。第二入口321与第四入口323分设于喷嘴主体300的宽度方向X的相异两侧部，即第四入口323与第三入口331位于喷嘴主体300的同一侧，且第四入口323位于第三入口331的下方，使得该喷射装置的空间规划更为合理，有助于减少不同管路之间的干涉。

[0065] 本实施例中，第四流体管可用于传输化学药液，尤其适用于传输水溶性的药液，例如SC1。如此，除了实施例2所列举的三种清洗模式外，该喷射装置还具有第四种清洗模式：

[0066] （4）化学药液清洗：打开第四流体管，第一流体管410、第二流体管420与第三流体管430均闭合，此时第二出口322喷射SC1，能够通过化学反应对一些难溶于水的颗粒杂质进行去除。

[0067] 综上所述，本发明提供的用于清洗晶圆的喷射装置，能够在一组喷射装置上实现多种清洗模式，不同模式间的切换控制方式简单，尤其当喷射装置上不设置化学药液管路时，不同流体之间不易交叉污染，有助于降低生产成本、提升清洗效率。

[0068] 上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。