有机发光二极管控制电路及显示面板

摘要

本申请属于显示领域，具体涉及一种有机发光二极管控制电路及显示面板，有机发光二极管控制电路包括有机发光二极管、输入控制模块和保护模块，所述输入控制模块用于响应所述扫描线提供的扫描信号开启，并基于所述数据线提供的数据信号控制所述有机发光二极管工作，所述保护模块能够检测通过所述有机发光二极管的电流或所述有机发光二极管两端的电压，并在所述有机发光二极管的电流或所述有机发光二极管两端的电压大于预设值时，控制所述输入控制模块切断所述有机发光二极管的电源。当有机发光二极管的驱动电路过大时，输入控制模块接收到保护模块反馈的控制信号后切断有机发光二极管的电源，从而可避免驱动电流过大导致有机发光二极管损坏。

权利要求

1.一种有机发光二极管控制电路，包括有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光二极管控制电路还包括：

输入控制模块，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、与门电路和第一非门电路，所述与门电路包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述与门电路的第一输入端连接扫描线，所述与门电路的输出端通过第一节点连接所述第一晶体管的控制端，所述第一非门电路连接所述第一节点和所述第三晶体管的控制端，所述第一晶体管的第一端连接数据线，所述第一晶体管的第二端连接所述第二晶体管的控制端，所述第二晶体管的第一端连接所述第三晶体管的第二端，所述第二晶体管的第二端连接所述有机发光二极管的第一极，所述第三晶体管的第一端连接第一电源；

保护模块，连接所述有机发光二极管的第一极、第二极以及所述与门电路的第二输入端，所述保护模块能够检测通过所述有机发光二极管的电流或所述有机发光二极管两端的电压，并在所述有机发光二极管的电流或所述有机发光二极管两端的电压大于预设值时，通过控制所述与门电路输出低电平信号，控制所述第二晶体管切断所述有机发光二极管的电源。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管控制电路，其特征在于，所述与门电路还包括第三输入端，所述与门电路的第三输入端连接控制线，所述控制线用于输出低电平信号。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管控制电路，其特征在于，所述保护模块包括比较单元和第二非门电路，所述比较单元包括同向输入端、反向输入端、输出端、正电源输入端和负电源输入端，所述第二晶体管的第二端和所述有机发光二极管的第一极通过第三节点连接，所述比较单元的同向输入端连接所述第三节点，所述比较单元的反向输入端连接第二电源，所述比较单元的正电源输入端连接所述第一电源，所述比较单元的负电源输入端连接所述有机发光二极管的第二极，所述第二非门电路连接所述比较单元的输出端和所述与门电路的第二输入端。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管控制电路，其特征在于，所述比较单元包括电压比较器或运算放大器。

5.根据权利要求3所述的有机发光二极管控制电路，其特征在于，所述有机发光二极管控制电路还包括电阻，所述电阻连接所述有机发光二极管的第二极和所述第三节点。

6.根据权利要求3所述的有机发光二极管控制电路，其特征在于，所述第二非门电路包括第四晶体管和第五晶体管，所述第五晶体管的控制端、所述第四晶体管的控制端和所述比较单元的输出端连接，所述第五晶体管的第一端、所述第四晶体管的第一端和所述与门电路的第二输入端连接，所述第四晶体管的第二端与所述有机发光二极管的第二极连接，所述第五晶体管的第二端与第三电源连接，所述第四晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第五晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管控制电路，其特征在于，所述有机发光二极管控制电路还包括预充电电容，所述第一晶体管的第二端和所述第二晶体管的控制端通过第二节点连接，所述预充电电容连接所述第二节点和所述有机发光二极管的第二极。

8.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；

如权利要求1 7任意一项所述的有机发光二极管控制电路，形成在所述衬底基板上。

~

说明书

有机发光二极管控制电路及显示面板

技术领域

[0001] 本申请属于显示领域，具体涉及一种有机发光二极管控制电路及显示面板。

背景技术

[0002] 有机发光二极管(即：OLED)显示面板具有高密度、宽视角、响应速度快、低功耗的特点，目前已被广泛地用于高性能显示领域中。有机发光二极管属于电流驱动，但是现有技术中并没有对有机发光二极管在电流驱动的时候进行保护，而驱动电流过大可能导致有机发光二极管损坏。

发明内容

[0003] 本申请的目的在于提供一种有机发光二极管控制电路及显示面板，以降低有机发光二极管损坏的风险。

[0004] 为了达到上述目的，本申请提供了一种有机发光二极管控制电路，包括有机发光二极管，所述有机发光二极管控制电路还包括：

[0005] 输入控制模块，所述输入控制模块连接扫描线、数据线以及所述有机发光二极管，所述输入控制模块用于响应所述扫描线提供的扫描信号开启，所述输入控制模块基于所述数据线提供的数据信号控制所述有机发光二极管工作；

[0006] 保护模块，连接所述有机发光二极管和所述输入控制模块，所述保护模块能够检测通过所述有机发光二极管的电流或所述有机发光二极管两端的电压，并在所述有机发光二极管的电流或所述有机发光二极管两端的电压大于预设值时，控制所述输入控制模块切断所述有机发光二极管的电源。

[0007] 可选的，所述输入控制模块包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管的控制端连接所述扫描线，所述第一晶体管的第一端连接所述数据线，所述第一晶体管的第二端连接所述第二晶体管的控制端，所述第二晶体管的第一端连接所述第三晶体管的第二端，所述第二晶体管的第二端连接所述有机发光二极管的第一极，所述第三晶体管的第一端连接第一电源，所述保护模块连接所述第一晶体管的控制端或所述第三晶体管的控制端，通过控制所述第一晶体管间接控制所述第二晶体管切断所述有机发光二极管的电源或控制所述第三晶体管切断所述有机发光二极管的电源。

[0008] 可选的，所述输入控制模块还包括与门电路和第一非门电路，所述与门电路包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述与门电路的第一输入端连接所述扫描线，所述与门电路的第二输入端连接所述保护模块，所述与门电路的输出端通过第一节点连接所述第一晶体管的控制端，所述第一非门电路连接所述第一节点和所述第三晶体管的控制端，所述保护模块通过控制所述与门电路输出低电平信号，控制所述第二晶体管切断所述有机发光二极管的电源。

[0009] 可选的，所述与门电路还包括第三输入端，所述与门电路的第三输入端连接控制线，所述控制线用于输出低电平信号。

[0010] 可选的，所述保护模块包括比较单元和第二非门电路，所述比较单元包括同向输入端、反向输入端、输出端、正电源输入端和负电源输入端，所述第二晶体管的第一端和所述有机发光二极管的第一极通过第三节点连接，所述比较单元的同向输入端连接所述第三节点，所述比较单元的反向输入端连接第二电源，所述比较单元的正电源输入端连接所述第一电源，所述比较单元的负电源输入端连接所述有机发光二极管的第二极，所述第二非门电路连接所述比较单元的输出端和所述与门电路的第二输入端。

[0011] 可选的，所述比较单元包括电压比较器或运算放大器。

[0012] 可选的，所述有机发光二极管控制电路还包括电阻，所述电阻连接所述有机发光二极管的第二极和所述第三节点。

[0013] 可选的，所述第二非门电路包括第四晶体管和第五晶体管，所述第五晶体管的控制端、所述第四晶体管的控制端连接和所述比较单元的输出端连接，所述第五晶体管的第一端、所述第四晶体管的第一端连接和所述与门电路的第二输入端连接，所述第四晶体管的第二端与所述有机发光二极管的第二极连接，所述第五晶体管的第二端与第三电源连接，所述第四晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第五晶体管T5为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

[0014] 可选的，所述有机发光二极管控制电路还包括预充电电容，所述第一晶体管的第一端和所述第二晶体管的控制端通过第二节点连接，所述预充电电容连接所述第二节点和所述有机发光二极管的第二极。

[0015] 本申请还提供一种显示面板，包括：

[0016] 衬底基板；

[0017] 有机发光二极管控制电路，形成在所述衬底基板上。

[0018] 本申请公开的有机发光二极管控制电路及显示面板具有以下有益效果：

[0019] 本申请中，保护模块连接有机发光二极管和输入控制模块，保护模块能够检测有机发光二极管两端的电压，当有机发光二极管两端的电压大于预设电压时，即有机发光二极管的驱动电路过大时，输入控制模块接收到保护模块反馈的控制信号后切断有机发光二极管的电源，从而可避免驱动电流过大导致有机发光二极管损坏。

[0020] 本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

[0021] 应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

[0022] 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0023] 图1是本申请实施例一中有机发光二极管控制电路的原理图；

[0024] 图2是本申请实施例二中有机发光二极管控制电路的原理图；

[0025] 图3是本申请实施例三中显示面板的结构示意图。

[0026] 附图标记说明：

[0027] 10；输入控制模块；20、保护模块；

[0028] 11、第一节点；12、第二节点；13、第三节点；

[0029] Scan、扫描线；Data、数据线；Vdd、第一电压；Vref、第二电压；VGH、第三电压；Bc、控制线；

[0030] U1、与门电路；U2、第一非门电路；U3、比较单元；

[0031] 201、比较单元的同向输入端；202、比较单元的反向输入端；203、比较单元的输出端；204、比较单元的正电源输入端；205、负电源输入端；

[0032] T1、第一晶体管；T2、第二晶体管；T3、第三晶体管；T4、第四晶体管；T5、第五晶体管；C1、预充电电容；OLED、有机发光二极管；R1、电阻；

[0033] 100、衬底基板。

具体实施方式

[0034] 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

[0035] 此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本申请的各方面。

[0036] 下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详述。在此需要说明的是，下面所描述的本申请各个实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

[0037] 实施例一

[0038] 参见图1所示，有机发光二极管控制电路包括有机发光二极管OLED、输入控制模块10和保护模块20。输入控制模块10连接扫描线Scan、数据线Data以及有机发光二极管OLED，输入控制模块10用于响应扫描线Scan提供的扫描信号开启，输入控制模块10基于数据线Data提供的数据信号控制有机发光二极管OLED工作。保护模块20连接有机发光二极管OLED和输入控制模块10，保护模块20能够检测有机发光二极管OLED两端的电压，有机发光二极管OLED两端的电压大于预设电压时，控制输入控制模块10切断有机发光二极管OLED的电源。

[0039] 需要说明的是，保护模块20可设置为检测有机发光二极管OLED两端的电压，但不限于此，保护模块20可设置为检测通过有机发光二极管OLED的电流，具体可视情况而定。当保护模块20设置为检测通过有机发光二极管OLED的电流，通过有机发光二极管OLED的电流大于预设电流时，控制输入控制模块10切断有机发光二极管OLED的电源。

[0040] 本实施例中，保护模块20连接有机发光二极管OLED和输入控制模块10，保护模块20能够检测有机发光二极管OLED两端的电压，当有机发光二极管OLED两端的电压大于预设电压时，即有机发光二极管OLED的驱动电路过大时，输入控制模块10接收到保护模块20反馈的控制信号后切断有机发光二极管OLED的电源，从而可避免驱动电流过大导致有机发光二极管OLED损坏。

[0041] 示例的，输入控制模块10包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。第一晶体管T1的控制端连接扫描线Scan，第一晶体管T1的第一端连接数据线Data，第一晶体管T1的第二端连接第二晶体管T2的控制端。第二晶体管T2的第一端连接第三晶体管T3的第二端，第二晶体管T2的第二端连接有机发光二极管OLED的第一极，有机发光二极管OLED的第二极可接地。第三晶体管T3的控制端连接保护模块20，第三晶体管T3的第一端连接第一电源，第一电源的电压为第一电压Vdd。保护模块20控制第三晶体管T3切断有机发光二极管OLED的电源。

[0042] 需要说明的是，保护模块20可与第三晶体管T3的控制端连接，控制第三晶体管T3切断有机发光二极管OLED的电源，但不限于此，保护模块20也可与第一晶体管T1的控制端连接，通过控制第一晶体管T1间接控制第二晶体管T2切断有机发光二极管OLED的电源，具体可视情况而定。

[0043] 扫描线Scan连接第一晶体管T1的控制端，扫描线Scan和第一晶体管T1两者可直接连接，但不限于此，扫描线Scan和第一晶体管T1也可通过其它电路间接连接，具体可视情况而定。相应地，保护模块20连接第三晶体管T3的控制端，保护模块20和第三晶体管T3可直接连接，但不限于此，保护模块20和第三晶体管T3也可间接连接，具体可视情况而定。

[0044] 第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3可均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管(即：NMOS)，但不限于此，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3也可部分或全部为P型金属氧化物半导体场效应晶体管(即：PMOS)，具体可视情况而定。在第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3均为N型金属氧化物半导体场效应晶体管时，控制端为N型金属氧化物半导体场效应晶体管栅极，第一端为N型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极，第二端为N型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极。有机发光二极管OLED的第一极可为阳极，有机发光二极管OLED的第二极可为阴极。

[0045] 保护模块20连接第二晶体管T2或第三晶体管T3，当保护模块20检测到有机发光二极管OLED两端的电压大于预设电压时，反馈控制信号到第二晶体管T2或第三晶体管T3，切断有机发光二极管OLED的电源，避免驱动电流过大导致有机发光二极管OLED损坏。输入控制模块10包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3，控制电路结构简单。

[0046] 参见图1所示，有机发光二极管控制电路还包括预充电电容C1，第一晶体管T1的第一端和第二晶体管T2的控制端通过第二节点12连接，预充电电容C1连接第二节点12和有机发光二极管OLED的第二极。

[0047] 有机发光二极管OLED的等效电路为并联的发光二极管和寄生电容，发光二极管两端电压达到开启电压时才会点亮，而由于寄生电容的存在，电源需先对寄生电容充电，造成有机发光二极管OLED工作延迟。本申请中，有机发光二极管控制电路还包括预充电电容C1，预充电电容C1连接第二节点12和有机发光二极管OLED的第二极，有机发光二极管OLED工作前先对预充电电容C1进行充电，充电到预充电电容C1的电压低于第二晶体管T2的开启电压，当数据信号到达时预充电电容C1电压升高打开第二晶体管T2，有机发光二极管OLED迅速点亮，这样缩短了有机发光二极管OLED的工作延迟。

[0048] 参见图1所示，输入控制模块10还包括与门电路U1和第一非门电路U2，与门电路U1包括第一输入端、第二输入端和输出端，与门电路U1的第一输入端连接扫描线Scan，与门电路U1的第二输入端连接保护模块20，与门电路U1的输出端通过第一节点11连接第一晶体管T1的控制端，第一非门电路U2连接第一节点11和第三晶体管T3的控制端。第一非门电路U2包括反向器。

[0049] 与门电路U1的第一输入端和第二输入端其中之一输入低电平信号时，与门电路U1的输出端输出低电平信号；与门电路U1的第一输入端和第二输入端均输入高电平信号时，与门电路U1的输出端输出高电平信号。第一非门电路U2的输入端输入低电平信号时，第一非门电路U2的输出端输出高电平信号，第一非门电路U2的输入端输入高电平信号时，第一非门电路U2的输出端输出低电平信号。保护模块20通过控制与门电路U1输出低电平信号，控制第二晶体管T2切断有机发光二极管OLED的电源。

[0050] 输入控制模块10包括与门电路U1，与门电路U1的第一输入端连接扫描线Scan，与门电路U1的第二输入端连接保护模块20，当保护模块20检测到有机发光二极管OLED两端的电压大于预设电压时，反馈控制信号到与门电路U1，保护模块20反馈的控制信号为低电平信号，因此无论扫描线Scan输入低电平信号还是高电平信号，与门电路U1均输出低电平信号，第一晶体管T1关闭，与门电路U1通过第一晶体管T1间接控制的第二晶体管T2也关闭，从而切断了有机发光二极管OLED的电源，可避免驱动电流过大导致有机发光二极管OLED损坏。此外，单个有机发光二极管OLED只用一个扫描信号控制，减少了扫描线Scan一般的布局，且再没增加其它信号控制下，有效避免了竞争冒险现象。

[0051] 参见图1所示，保护模块20包括比较单元U3和第二非门电路，比较单元U3包括同向输入端201、反向输入端202、输出端203、正电源输入端204和负电源输入端205，第二晶体管T2的第一端和有机发光二极管OLED的第一极通过第三节点13连接，比较单元U3的同向输入端201连接第三节点13，比较单元U3的反向输入端202连接第二电源，第二电源的电压为第二电压Vref。比较单元U3的正电源输入端204连接第一电源，即比较单元U3的正电源输入端204电压为第一电压Vdd。比较单元U3的负电源输入端205连接有机发光二极管OLED的第二极，第二非门电路连接比较单元U3的输出端203和与门电路U1的第二输入端。

[0052] 第二电压Vref即为前文提及的预设电压，当有机发光二极管OLED的第一极电压大于第二电压Vref，比较单元U3的输出端203输出高电平，第二非门电路输出低电平，因此无论扫描线Scan输入低电平信号还是高电平信号，与门电路U1均输出低电平信号，第一晶体管T1关闭，与门电路U1通过第一晶体管T1间接控制的第二晶体管T2也关闭，从而切断了有机发光二极管OLED的电源，可避免驱动电流过大导致有机发光二极管OLED损坏。

[0053] 参见图1所示，比较单元U3可为电压比较器，电压比较器包括同向输入端、反向输入端、输出端、正电源输入端和负电源输入端。

[0054] 需要说明的是，比较单元U3可为电压比较器，但不限于此，比较单元U3也可为运算放大器或其它电压比较电路，具体可视情况而定。

[0055] 比较单元U3为电压比较器，有机发光二极管OLED的第一极电压略大于第二电压Vref，比较单元U3的输出端电压接近第一电压Vdd，可确保与门电路U1能够收到低电平信号。

[0056] 参见图1所示，有机发光二极管控制电路还包括电阻R1，电阻R1连接有机发光二极管OLED的第二极和第三节点13。

[0057] 当有机发光二极管OLED的第一极电压大于第二电压Vref，比较单元U3的输出端输出高电平，电阻R1可稳定有机发光二极管OLED的第一极的电压，确保比较单元U3比较结果准确。

[0058] 参见图1所示，第二非门电路包括互补金属氧化物半导体器件(即CMOS)，互补金属氧化物半导体器件包括输入端、输出端、正电源端和负电源端，互补金属氧化物半导体器件的输入端连接比较单元U3的输出端，互补金属氧化物半导体器件的输出端连接与门电路U1的第二输入端，互补金属氧化物半导体器件的负电源端连接有机发光二极管OLED的第二极，互补金属氧化物半导体器件的正电源端连接第三电源，第三电源的电压为第三电压VGH，扫描线Scan为高电平信号时电压为第三电压VGH。

[0059] 互补金属氧化物半导体器件包括第四晶体管T4和第五晶体管T5，第四晶体管T4为N型金属氧化物半导体场效应晶体管，第五晶体管T5为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

[0060] 第四晶体管T4和第五晶体管T5的控制端(即：栅极)相连作为互补金属氧化物半导体器件的输入端，第四晶体管T4和第五晶体管T5的第一端(即：漏极)相连作为互补金属氧化物半导体器件的输出端，第五晶体管T5的第二端(即：源极)作为互补金属氧化物半导体器件的正电源端，第四晶体管T4的第二端作为互补金属氧化物半导体器件的负电源端。

[0061] 第二非门电路包括互补金属氧化物半导体器件，互补金属氧化物半导体器件静态功耗小，可降低显示面板的功耗。

[0062] 有机发光二极管控制电路正常工作时：

[0063] 第一阶段：当扫描信号没有到达或扫描信号为低电平信号时，与门电路U1收到低电平信号，与门电路U1输出低电平信号，第一晶体管T1和第二晶体管T2截止，第一非门电路U2收到低电平信号，第一非门电路U2输出高电平信号，第三晶体管T3导通，比较单元U3的同向输入端电压小于第二电压Vref，比较单元U3输出低电平信号，互补金属氧化物半导体器件收到低电平信号，互补金属氧化物半导体器件输出高电平信号；

[0064] 第二阶段：扫描信号为高电平信号时，与门电路U1的两个输入端均收到高电平信号，与门电路U1输出高电平信号，第二晶体管T2和第三晶体管T3截止，第一晶体管T1导通，数据信号给预充电电容C1充电；

[0065] 第三阶段：扫描信号为低电平信号时，第一晶体管T1截止，第三晶体管T3导通，预充电电容C1的电压打开第二晶体管T2，第一电源和有机发光二极管OLED接通，有机发光二极管OLED点亮。

[0066] 有机发光二极管控制电路工作中，若有机发光二极管OLED的驱动电流过大，电阻R1侦测到有机发光二极管OLED的第一极电压大于第二电压Vref，比较单元U3输出高电平信号，互补金属氧化物半导体器件输出低电平信号，与门电路U1的第二输入端收到低电平信号，无论扫描信号是高电平信号还是低电平信号，与门电路U1均输出低电平信号，第一晶体管T1截止，数据信号未能给预充电电容C1充电，第二晶体管T2截止，有机发光二极管OLED的电源切断，即第一电源切断；

[0067] 若有机发光二极管OLED的驱动电流降低至有机发光二极管OLED的正常工作的电流，电阻R1侦测到有机发光二极管OLED的第一极电压小于第二电压Vref，比较单元U3输出低电平信号，互补金属氧化物半导体器件输出高电平信号，与门电路U1的第二输入端收到高电平信号，此时与门电路U1的输出信号由扫描信号决定，有机发光二极管控制电路恢复正常工作。

[0068] 实施例二

[0069] 参见图2所示，实施例二和实施例一的区别在于：实施例二中与门电路U1还包括第三输入端。与门电路U1的第三输入端连接控制线Bc，控制线Bc用于输出低电平信号。

[0070] 与门电路U1的第三输入端连接控制线Bc，当控制线Bc输出低电平信号，无论扫描线Scan的输出信号和保护模块20的反馈信号是低电平信号还是高电平信号，与门电路U1均输出低电平信号，第一晶体管T1关闭，与门电路U1通过第一晶体管T1间接控制的第二晶体管T2也关闭，从而切断了有机发光二极管OLED的电源，有机发光二极管OLED不发光，增加控制线Bc方便控制显示面板局部或整体显示黑色画面。

[0071] 实施例三

[0072] 参见图3所示，显示面板包括衬底基板100和有机发光二极管控制电路。有机发光二极管控制电路包括有机发光二极管OLED、输入控制模块10和保护模块20，有机发光二极管OLED、输入控制模块10和保护模块20均形成在衬底基板100上。输入控制模块10连接扫描线Scan、数据线Data以及有机发光二极管OLED，输入控制模块10用于响应扫描线Scan提供的扫描信号开启，输入控制模块10基于数据线Data提供的数据信号控制有机发光二极管OLED工作。保护模块20连接有机发光二极管OLED和输入控制模块10，保护模块20能够检测有机发光二极管OLED两端的电压，有机发光二极管OLED两端的电压大于预设电压时，控制输入控制模块10切断有机发光二极管OLED的电源。衬底基板100包括玻璃基板。

[0073] 需要说明的是，输入控制模块10和保护模块20可形成在衬底基板100上，但不限于此，输入控制模块10和保护模块20也可与衬底基板100分体设置，具体可视情况而定。衬底基板100包括玻璃基板，但不限于此，衬底基板100也可包括聚酰亚胺(即Pi)基板。

[0074] 本实施例中，显示面板包括衬底基板100和有机发光二极管控制电路，有机发光二极管控制电路包括有机发光二极管OLED、输入控制模块10和保护模块20，保护模块20连接有机发光二极管OLED和输入控制模块10，保护模块20能够检测有机发光二极管OLED两端的电压，当有机发光二极管OLED两端的电压大于预设电压时，即有机发光二极管OLED的驱动电路过大时，输入控制模块10接收到保护模块20反馈的控制信号后切断有机发光二极管OLED的电源，从而可避免驱动电流过大导致有机发光二极管OLED损坏。

[0075] 术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

[0076] 在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“装配”、“连接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

[0077] 在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

[0078] 尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本申请的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本申请专利涵盖的范围之内。