一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件及其制备方法转让专利
申请号 : CN202210794756.2
文献号 : CN114864631B
文献日 : 2022-09-09
发明人 : 刘冬雪 , 代慧涛 , 何振峰 , 杨静 , 孙天歌 , 董一昕 , 尚子雅 , 颜步一 , 张鹭
申请人 : 中国长江三峡集团有限公司 , 杭州纤纳光电科技有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,包括:
层叠设置的晶硅电池组和第一钙钛矿电池组,所述晶硅电池组包括至少一个晶硅电池,所述第一钙钛矿电池组包括至少一个第一钙钛矿电池;
所述晶硅电池朝向所述第一钙钛矿电池组的一侧表面具有第一栅线,所述第一栅线包括若干第一副栅以及与若干所述第一副栅连接的第一主栅,所述第一钙钛矿电池具有切割线,所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内;
所述第一钙钛矿电池包括:
远离所述晶硅电池组的第一透明电极阵列和第一引出件,所述第一透明电极阵列包括若干第一透明电极;所述第一引出件至少位于所述第一透明电极的侧部,所述第一引出件包括第一主引出件和若干第一副引出件,所述第一副引出件适于电学连接所述第一透明电极与所述第一主引出件;所述第一副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第一主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内;
靠近所述晶硅电池组的第二透明电极阵列和第二引出件,所述第二透明电极阵列包括若干第二透明电极,所述第二透明电极与所述第一透明电极相对设置;所述第二引出件至少位于所述第二透明电极的侧部,所述第二引出件包括第二主引出件和若干第二副引出件,所述第二副引出件适于电学连接所述第二透明电极与所述第二主引出件;所述第二副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,所述第一主引出件与所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于同一所述第一主栅内;或者,所述第一主引出件与所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影分别位于两条所述第一主栅内。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,
所述第一副引出件包括第一段和第二段,所述第一段连接靠近所述第一主引出件的第一透明电极和所述第一主引出件,所述第二段连接相邻所述第一透明电极;
所述第二副引出件包括第四段和第五段,所述第四段连接靠近所述第二主引出件的第二透明电极和所述第二主引出件,所述第五段连接相邻所述第二透明电极。
4.根据权利要求3所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,
所述第一副引出件还包括第三段,所述第三段与所述第一段背离所述第一主引出件的一端、以及所述第二段的至少一端连接,所述第三段与所述第一透明电极背离所述晶硅电池的部分表面接触;
和/或,所述第二副引出件还包括第六段,所述第六段与所述第四段背离所述第二主引出件的一端、以及所述第五段的至少一端连接,所述第六段与所述第二透明电极朝向所述晶硅电池的部分表面接触。
5.根据权利要求1至4任一项所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,所述第二引出件的厚度为2nm 10nm。
~
6.根据权利要求1至4任一项所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,还包括:
位于所述第一钙钛矿电池组背离所述晶硅电池组的一侧表面的第一封装基板,所述第一封装基板朝向所述晶硅电池组的一侧表面包括相对设置的第一汇流区和第二汇流区、以及位于所述第一汇流区和第二汇流区之间的光电反应区;
所述第一钙钛矿电池还包括:位于所述第一汇流区的第一汇流件,所述第一汇流件与所述第一主引出件连接;位于所述第二汇流区的第二汇流件,所述第二汇流件与所述第二主引出件连接且与所述第一引出件和/或第一透明电极间隔;所述第一汇流件与第二汇流件在第一封装基板的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板上的正投影不重合。
7.根据权利要求6所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,所述第一钙钛矿电池与所述晶硅电池一一对应相对设置,所述第一钙钛矿电池的侧壁至第一钙钛矿电池的中心之间的横向距离大于与其相对设置的所述晶硅电池的侧壁至晶硅电池的中心之间的横向距离。
8.根据权利要求1所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,还包括:第二钙钛矿电池组,所述第二钙钛矿电池组位于所述晶硅电池组背离所述第一钙钛矿电池组的一侧,所述第二钙钛矿电池组适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组和所述晶硅电池组的部分太阳光。
9.根据权利要求1或8所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,还包括:
位于所述晶硅电池组背离所述第一钙钛矿电池组的一侧的第二封装基板;
位于所述第二封装基板朝向所述晶硅电池组的一侧表面的漫反射层。
10.根据权利要求9所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,所述漫反射层的材料包括硫酸钡、二氧化钛、氧化锌、铝、银、钛、铂中的至少一种。
11.根据权利要求9所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,还包括:位于所述晶硅电池组和第一钙钛矿电池组之间的第一封装胶膜,所述第一封装胶膜内包括转换材料,所述转换材料为上转换材料和/或下转换材料。
12.根据权利要求11所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件,其特征在于,所述转换材料包括掺杂稀土离子的化合物,所述化合物包括氟化物、氧化物、含硫化合物、氟氧化物、卤化物、钙钛矿量子点。
13.一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法,其特征在于,包括:
形成晶硅电池组,形成所述晶硅电池组的步骤包括形成至少一个晶硅电池,所述晶硅电池的一侧表面具有第一栅线,所述第一栅线包括若干第一副栅、以及与若干所述第一副栅连接的第一主栅;
形成第一钙钛矿电池组,形成所述第一钙钛矿电池组的步骤包括形成至少一个第一钙钛矿电池,所述第一钙钛矿电池具有切割线;
将所述晶硅电池组和所述第一钙钛矿电池组层压在一起,第一栅线朝向所述第一钙钛矿电池组,且所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内;
形成所述第一钙钛矿电池的步骤包括:
提供第一封装基板;
在所述第一封装基板的一侧形成第一透明电极阵列和第一引出件;所述第一透明电极阵列包括若干第一透明电极,所述第一引出件的导电率大于所述第一透明电极的导电率,所述第一透明电极的透光率大于所述第一引出件的透光率;所述第一引出件至少位于所述第一透明电极的侧部,所述第一引出件包括第一主引出件和若干第一副引出件,所述第一副引出件适于电学连接所述第一透明电极与所述第一主引出件;
在所述第一透明电极阵列和第一引出件背离所述第一封装基板的一侧表面依次形成第一载流子传输层、钙钛矿层和第二载流子传输层;
在所述第二载流子传输层背离钙钛矿层的一侧表面形成第二透明电极阵列和第二引出件,所述第二透明电极阵列包括若干第二透明电极,所述第二透明电极与所述第一透明电极相对设置;所述第二引出件的导电率大于所述第二透明电极的导电率,所述第二透明电极的透光率大于所述第二引出件的透光率;所述第二引出件至少位于所述第二透明电极的侧部,所述第二引出件包括第二主引出件和若干第二副引出件,所述第二副引出件适于电学连接所述第二透明电极与所述第二主引出件;
将所述晶硅电池组和所述第一钙钛矿电池组层压在一起后,所述第一副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第一主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内,所述第二副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。
14.根据权利要求13所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法,其特征在于,形成所述第一透明电极阵列和第一引出件的步骤包括:在所述第一封装基板的一侧表面形成所述第一引出件,所述第一副引出件包括连接的第一段、第二段以及第三段,所述第三段与所述第一主引出件的一端、以及所述第二段的至少一端连接;在形成所述第一引出件之后,形成所述第一透明电极阵列,所述第一段连接靠近所述第一主引出件的第一透明电极和所述第一主引出件,所述第二段连接相邻所述第一透明电极,所述第三段被所述第一透明电极的部分表面覆盖;
形成所述第二透明电极阵列和第二引出件的步骤包括:形成所述第二透明电极阵列;
在形成所述第二透明电极阵列之后,形成所述第二引出件,所述第二副引出件包括第四段、第五段以及第六段,所述第四段连接靠近所述第二主引出件的第二透明电极和所述第二主引出件,所述第五段连接相邻所述第二透明电极,所述第六段覆盖所述第二透明电极的部分表面。
15.根据权利要求13所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法,其特征在于,所述第一封装基板朝向所述晶硅电池组的一侧表面包括相对设置的第一汇流区和第二汇流区、以及位于所述第一汇流区和第二汇流区之间的光电反应区;
形成所述第一钙钛矿电池的步骤还包括:在所述第一汇流区形成第一汇流件,所述第一汇流件与所述第一主引出件连接;在所述第二汇流区形成第二汇流件,所述第二汇流件与所述第二主引出件连接且与所述第一引出件和/或第一透明电极间隔;所述第一汇流件与第二汇流件在第一封装基板的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板上的正投影不重合。
16.根据权利要求15所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法,其特征在于,所述第一汇流件与所述第一主引出件一同形成;所述第二汇流件与所述第二主引出件一同形成。
17.根据权利要求13所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法,其特征在于,形成所述晶硅电池组的步骤包括:提供第二封装基板;在所述第二封装基板的一侧形成第二封装胶膜;在所述第二封装胶膜背离所述第二封装基板的一侧形成所述晶硅电池组。
18.根据权利要求17所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法,其特征在于,还包括:在所述第二封装基板的一侧形成所述第二封装胶膜之前,在所述第二封装基板的一侧形成第二钙钛矿电池组,所述第二钙钛矿电池组包括至少一个第二钙钛矿电池;在所述第二封装基板的一侧形成所述第二封装胶膜之后,所述第二钙钛矿电池组位于所述第二封装胶膜和所述第二封装基板之间,所述第二钙钛矿电池组适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组和所述晶硅电池组的部分太阳光。
19.根据权利要求17或18所述的钙钛矿/晶硅叠层电池组件的制备方法,其特征在于,还包括:在所述第二封装基板的一侧形成第二封装胶膜之前,在所述第二封装基板的一侧表面形成漫反射层;在所述第二封装基板的一侧形成第二封装胶膜之后,所述漫反射层位于所述第二封装胶膜和所述第二封装基板之间。
说明书 :
一种钙钛矿/晶硅叠层电池组件及其制备方法
技术领域
背景技术
率,目前研究学者已经将目光转移到叠层电池。钙钛矿电池具有轻质、高效、可灵活制备等
特点,其光电转换效率已达到25.7%,这使它成为非常理想的叠层电池子电池。
收,使钙钛矿电池与晶硅电池同时发生光电转换,且产生的电能分别传输至外。
减,对钙钛矿/晶硅叠层电池组件造成严重影响。
发明内容
一个第一钙钛矿电池;所述晶硅电池朝向所述第一钙钛矿电池组的一侧表面具有第一栅
线,所述第一栅线包括若干第一副栅,所述第一钙钛矿电池具有切割线,所述切割线在所述
晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内。
出件包括第一主引出件和若干第一副引出件,所述第一副引出件适于电学连接所述第一透
明电极与所述第一主引出件;所述第一副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所
述第一副栅内,所述第一主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅
内;
件至少位于所述第二透明电极的侧部,所述第二引出件包括第二主引出件和若干第二副引
出件,所述第二副引出件适于电学连接所述第二透明电极与所述第二主引出件;所述第二
副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第二主引出件在所
述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。
面的正投影分别位于两条所述第一主栅内。
所述第二副引出件包括第四段和第五段,所述第四段连接靠近所述第二主引出件的第二透
明电极和所述第二主引出件,所述第五段连接相邻所述第二透明电极。
离所述晶硅电池的部分表面接触;和/或,所述第二副引出件还包括第六段,所述第六段与
所述第四段背离所述第二主引出件的一端、以及所述第五段的至少一端连接,所述第六段
与所述第二透明电极朝向所述晶硅电池的部分表面接触。
侧表面包括相对设置的第一汇流区和第二汇流区、以及位于所述第一汇流区和第二汇流区
之间的光电反应区;所述第一钙钛矿电池还包括:位于所述第一汇流区的第一汇流件,所述
第一汇流件与所述第一主引出件连接;位于所述第二汇流区的第二汇流件,所述第二汇流
件与所述第二主引出件连接且与所述第一引出件和/或第一透明电极间隔;所述第一汇流
件与第二汇流件在第一封装基板的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板上的正
投影不重合。
池的侧壁至晶硅电池的中心之间的横向距离。
组适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组和所述晶硅电池组的部分太阳光。
侧表面的漫反射层。
换材料和/或下转换材料。
有第一栅线,所述第一栅线包括若干第一副栅;形成第一钙钛矿电池组,形成所述第一钙钛
矿电池组的步骤包括形成至少一个第一钙钛矿电池,所述第一钙钛矿电池具有切割线;将
所述晶硅电池组和所述第一钙钛矿电池组层压在一起,第一栅线朝向所述第一钙钛矿电池
组,且所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内。
电极阵列和第一引出件;所述第一透明电极阵列包括若干第一透明电极,所述第一引出件
的导电率大于所述第一透明电极的导电率,所述第一透明电极的透光率大于所述第一引出
件的透光率;所述第一引出件至少位于所述第一透明电极的侧部,所述第一引出件包括第
一主引出件和若干第一副引出件,所述第一副引出件适于电学连接所述第一透明电极与所
述第一主引出件;
透明电极相对设置;所述第二引出件的导电率大于所述第二透明电极的导电率,所述第二
透明电极的透光率大于所述第二引出件的透光率;所述第二引出件至少位于所述第二透明
电极的侧部,所述第二引出件包括第二主引出件和若干第二副引出件,所述第二副引出件
适于电学连接所述第二透明电极与所述第二主引出件;将所述晶硅电池组和所述第一钙钛
矿电池组层压在一起后,所述第一副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第
一副栅内,所述第一主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内,所
述第二副引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第二主引出
件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。
第三段,所述第三段与所述第一主引出件的一端、以及所述第二段的至少一端连接;在形成
所述第一引出件之后,形成所述第一透明电极阵列,所述第一段连接靠近所述第一主引出
件的第一透明电极和所述第一主引出件,所述第二段连接相邻所述第一透明电极,所述第
三段被所述第一透明电极的部分表面覆盖;形成所述第二透明电极阵列和第二引出件的步
骤包括:形成所述第二透明电极阵列;在形成所述第二透明电极阵列之后,形成所述第二引
出件,所述第二副引出件包括第四段、第五段以及第六段,所述第四段连接靠近所述第二主
引出件的第二透明电极和所述第二主引出件,所述第五段连接相邻所述第二透明电极,所
述第六段覆盖所述第二透明电极的部分表面。
述第一钙钛矿电池的步骤还包括:在所述第一汇流区形成第一汇流件,所述第一汇流件与
所述第一主引出件连接;在所述第二汇流区形成第二汇流件,所述第二汇流件与所述第二
主引出件连接且与所述第一引出件和/或第一透明电极间隔;所述第一汇流件与第二汇流
件在第一封装基板的正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板上的正投影不重合。
晶硅电池组。
所述第二钙钛矿电池组包括至少一个第二钙钛矿电池;在所述第二封装基板的一侧形成所
述第二封装胶膜之后,所述第二钙钛矿电池组位于所述第二封装胶膜和所述第二封装基板
之间,所述第二钙钛矿电池组适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组和所述晶硅电池组的部
分太阳光。
二封装基板的一侧形成第二封装胶膜之后,所述漫反射层位于所述第二封装胶膜和所述第
二封装基板之间。
第一副栅的部分区域重合,避免了由于切割线的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应,从而减
缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度,提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电
性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
二主引出件在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内,使所述第一引出件和
第二引出件在所述晶硅电池表面的正投影与部分所述第一栅线重合,避免了由于第一引出
件和第二引出件的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应,从而进一步地减缓了由于热斑效应导
致的晶硅电池的衰减速度,有效提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性、光
电转换效率以及良品率。
相对于焊带,所述第二引出件的厚度较小,这增加了钙钛矿电池朝向所述晶硅电池的一侧
表面的平整度,在组装钙钛矿/晶硅叠层电池组件的过程中第二引出件对晶硅电池的挤压
力可忽略不计,从而一定程度上避免了晶硅电池发生隐裂和碎片。
第一汇流件与第二汇流件不会对入射至晶硅电池上的太阳光进行遮挡,从而避免了由于第
一汇流件与第二汇流件的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应,从而进一步地减缓了由于热斑
效应导致的晶硅电池的衰减速度,有效提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳
定性、光电转换效率以及良品率。
第一钙钛矿电池组和所述晶硅电池组的部分太阳光,提高了对太阳光的利用率,从而提高
了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率。
钛矿电池组的太阳光能够在漫反射层改变光路传输方向,从而重新被电池吸收并进行光电
转换,提高了对太阳光的利用率,从而进一步提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换
效率;同时,漫反射层的设置还能够消除眩光或光斑。
的太阳光中的低能光子的能量转换至晶硅电池的光谱吸收区中,下转换材料能够将照射至
晶硅电池的太阳光中的高能光子的能量转换至晶硅电池的光谱吸收区中,从而拓宽了光谱
响应,从而进一步提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率。
投影与所述第一副栅的部分区域重合,避免了由于切割线的遮挡导致的晶硅电池的热斑效
应,从而减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度,提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组
件的光电性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
附图说明
附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前
提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
具体实施方式
人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
池组2包括至少一个第一钙钛矿电池;所述晶硅电池朝向所述第一钙钛矿电池组2的一侧表
面具有第一栅线(未图示),所述第一栅线包括若干第一副栅以及与若干所述第一副栅连接
的第一主栅,所述第一钙钛矿电池具有切割线,所述切割线在所述晶硅电池表面的正投影
位于部分所述第一副栅内。
部分区域重合,避免了由于切割线的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应,从而减缓了由于热
斑效应导致的晶硅电池的衰减速度,提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定
性、光电转换效率以及良品率。
装基板1朝向所述晶硅电池组4的一侧表面包括相对设置的第一汇流区11和第二汇流区12、
以及位于所述第一汇流区11和第二汇流区12之间的光电反应区13。所述第一封装基板1为
透明基板,所述第一封装基板1包括但不限于玻璃。
部,所述第一引出件21的导电率大于所述第一透明电极的导电率,所述第一透明电极的透
光率大于所述第一引出件21的透光率;所述第一引出件21包括第一主引出件211和若干平
行且间隔设置的第一副引出件212,所述第一副引出件212适于电学连接所述第一透明电极
与所述第一主引出件211;所述第一副引出件212在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所
述第一副栅内,所述第一主引出件211在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主
栅内;
第二引出件23至少位于所述第二透明电极24的侧部,所述第二引出件23的导电率大于所述
第二透明电极24的导电率,所述第二透明电极24的透光率大于所述第二引出件23的透光
率;所述第二引出件23包括第二主引出件231和若干平行且间隔设置的第二副引出件232,
所述第二副引出件232适于电学连接所述第二透明电极24与所述第二主引出件231;所述第
二副引出件232在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第二主引出
件231在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。图2示出了在入射光方向俯
视第一钙钛矿电池的结构示意图,在入射光方向俯视第一钙钛矿电池无法看到第一引出件
21,因此用虚线表示,第一透明电极被第二透明电极24遮挡,图中未示出。
电率,保证了第一载流子的传输速率;来自钙钛矿电池的第二载流子由第二透明电极24传
输至第二副引出件232,随后由第二主引出件231传输至外,所述第二引出件23的导电率大
于所述第二透明电极24的导电率,保证了第二载流子的传输速率;所述第一副引出件212和
所述第二副引出件232在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第一
主引出件211和所述第二主引出件231在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主
栅内,使所述第一引出件21和第二引出件23在所述晶硅电池表面的正投影与部分所述第一
栅线重合,避免了由于第一引出件21和第二引出件23的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应,
从而进一步地减缓了由于热斑效应导致的晶硅电池的衰减速度,有效提高了钙钛矿/晶硅
叠层电池组件的光电性能的稳定性、光电转换效率以及良品率。
区13。所述第一透明电极阵列和第二透明电极阵列的材料包括但不限于AZO、ITO、IZO,第一
引出件21和第二引出件23的材料包括但不限于银、铜、金、铝、铂。所述第一透明电极阵列和
第二透明电极阵列的厚度为80nm 200nm。示例性的,所述第一透明电极阵列和第二透明电
~
极阵列的厚度可以为80nm、100nm、120nm、140nm、160nm、180nm或200nm。
件231在所述晶硅电池表面的正投影分别位于两条所述第一主栅内。
第一透明电极背离所述晶硅电池的部分表面接触;和/或,所述第二副引出件232还包括第
六段,所述第六段与所述第四段233背离所述第二主引出件231的一端、以及所述第五段234
的至少一端连接,所述第六段与所述第二透明电极24朝向所述晶硅电池的部分表面接触。
进一步地,所述第二引出件23的厚度为2nm 10nm。相对于焊带,所述第二引出件23的厚度较
~
小,这增加了钙钛矿电池朝向所述晶硅电池的一侧表面的平整度,在组装钙钛矿/晶硅叠层
电池组件的过程中第二引出件23对晶硅电池的挤压力可忽略不计,从而一定程度上避免了
晶硅电池发生隐裂和碎片。示例性的,所述第二引出件23的厚度可以为2nm、5nm、8nm或
10nm。
所述第一透明电极阵列接触,第二载流子传输层与所述第二透明电极阵列接触。所述第一
钙钛矿电池包括阵列排布的若干钙钛矿子电池,相对设置的第一透明电极和第二透明电极
24、以及位于第一透明电极和第二透明电极24之间的第一载流子传输层、钙钛矿层和第二
载流子传输层构成定了钙钛矿子电池,若干钙钛矿子电池通过第一引出件21和第二引出件
23并联。
烯(C60)及其衍生物、三氧化二铝(Al2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌镁(MZO)、氧化锌锡(ZnSnO)或二氧化钛(TiO2),氧化锌(ZnO)以及氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF2)、氧化镁(MgO)、五氧化二铌(Nb2O5)、金属氧化物、钛酸锶(SrTiO3)和钛酸钙(CaTiO3)的钙钛矿氧化物中的至少一种,金属氧化物包括镉(Cd)、锌(Zn)、铟(In)、铅(Pb)、钼(Mo)、钨(W)、锑(Sb)、铋(Bi)、铜(Cu)、汞(Hg)、钛(Ti)、银(Ag)、锰(Mn)、铁(Fe)、钒(V)、锡(Sn)、锆(Zr)、锶(Sr)、镓(Ga)和铬(Cr)的金属氧化物。空穴传输层的材料包括但不限于2,2’,7,7’‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨
基]‑9,9’‑螺二芴(Spiro‑MeOTAD)、OMeTPA‑FA、聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸
(PEDOT:PSS)、3‑己基取代聚噻吩(P3HT)、聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺](PTAA)、
4,4’‑环己基二[N,N‑二(4‑甲基苯基)苯胺] (TAPC)、N,N’‑二苯基‑N,N’‑(1‑萘基)‑1,1’‑联苯‑4,4’‑二胺(NPB)、N,N’‑二苯基‑N,N’‑二(3‑甲基苯基)‑1,1’‑联苯‑4,4’‑二胺(TPD)、硫氰化亚铜(CuSCN)、三氧化二镍(Ni2O3)、三氧化二铁(Fe2O3)、EDOT‑OMeTPA、CzPAF‑SBF、碘化亚铜(CuI)、氧化铜(CuO)、氧化亚铜(Cu2O)、氧化镍(NiO)、氧化钼(MoOx)、1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯(TPBI)中的至少一种。
输层的厚度为10nm‑300nm;示例性的,所述第二载流子传输层的厚度可以为10nm、50nm、
100nm、150nm、200nm、250nm或300nm。
至少一种。钙钛矿层的厚度为80nm 500nm。示例性的,钙钛矿层的厚度可以为80nm、100nm、
~
150nm、200nm、250nm、300nm、350nm、400nm、450nm或500nm。
第二汇流件25,所述第二汇流件25与所述第二主引出件231连接且与所述第一引出件21和/
或第一透明电极间隔不电学连接;所述第一汇流件22与第二汇流件25在第一封装基板1的
正投影均与所述晶硅电池在所述第一封装基板1上的正投影不重合,第一汇流件22与第二
汇流件25不会对入射至晶硅电池上的太阳光进行遮挡,从而避免了由于第一汇流件22与第
二汇流件25的遮挡导致的晶硅电池的热斑效应,从而进一步地减缓了由于热斑效应导致的
晶硅电池的衰减速度,有效提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电性能的稳定性、光电转
换效率以及良品率。
述晶硅电池的侧壁至晶硅电池的中心之间的横向距离。当相邻所述第一钙钛矿电池紧密拼
接时,则相邻所述晶硅电池之间具有第一空隙,所述晶硅电池组4中的边缘位置的外侧具有
第二空隙,第一汇流件22与第二汇流件25在第一封装基板1的正投影位于第一空隙或第二
空隙。
置区域未完全覆盖光电反应区13,远离所述第一汇流件22的第一引出件21和第一透明电极
与第二汇流件25之间存在间隙。
第二透明电极24的导电率,所述第二透明电极24的透光率大于所述第二汇流件25的透光
率。第一载流子由第一主引出件211传输至第一汇流件22,第二载流子由第二主引出件231
传输至第二汇流件25。进一步地,所述第一汇流件22的材料可以与第一引出件21的材料相
同,所述第二汇流件25的材料可以与第二引出件23的材料相同。
一侧表面平整,在组装钙钛矿/晶硅叠层电池组件的过程中,所述第一汇流件22和第二汇流
件25不会对晶硅电池造成挤压,从而避免了晶硅电池发生隐裂和碎片,提高了钙钛矿/晶硅
叠层电池组件的良率。
10mm,第一汇流件22和第二汇流件25的长度为390mm,第一汇流件22和第二汇流件25与第一
封装基板1的短边边缘的距离为20mm,第一透明电极与第二透明电极24的尺寸为185mm*
140mm,相邻第一透明电极之间的间距为10mm,第一透明电极和第二透明电极24与第一封装
基板1的长边边缘的最小距离均为20mm,第一透明电极和第二透明电极24与第一封装基板1
的短边边缘的最小距离均为45mm。
第一载流子层,第三切割线依次贯穿所述第二透明电极、第二载流子传输层、钙钛矿层和第
一载流子层。进一步地,第一切割线、第二切割线和第三切割线均平行于第一封装基板的短
边边缘。第一切割线和第而切割线的延伸长度等于第一封装基板的短边长度,第三切割线
的延伸长度小于第一封装基板的短边长度,未切割区域用以粘接第三封装胶层,从而实现
钙钛矿/晶硅叠层电池组件的组装。
方向;第一切割线的长度为810mm,第一切割线的宽度为50μm,相邻第一切割线的中心间距
为7mm,第一组中第一条第一切割线与第一封装基板1的短边边缘的距离为45mm,相邻组的
第一条第一切割线之间的间距为150mm;第二切割线包括沿第一方向依次排布的等间距的
10组,每组包括沿第一方向依次排布的等间距的20条,第二切割线的长度为810mm,第二切
割线的宽度为50μm,相邻第二切割线的中心间距为7mm,第一组中第一条第二切割线与第一
封装基板1的短边边缘的距离为45.1mm,相邻组的第一条第二切割线之间的间距为150mm;
第三切割线包括沿第一方向依次排布的等间距的10组,每组包括沿第一方向依次排布的等
间距的20条,第三切割线的长度为770mm,第三切割线的两端与第一封装基板1的长边边缘
的距离为20mm,第三切割线的宽度为50μm,相邻第三切割线的中心间距为7mm,第一组中第
一条第三切割线与第一封装基板1的短边边缘的距离为45.2mm,相邻组的第一条第三切割
线之间的间距为150mm。
钙钛矿电池组2和晶硅电池组4。所述第一封装胶膜3可以为EVA胶膜。
硅电池的光谱吸收区中,下转换材料能够将照射至晶硅电池的太阳光中的高能光子的能量
转换至晶硅电池的光谱吸收区中,从而拓宽了光谱响应,从而进一步提高了钙钛矿/晶硅叠
层电池组件的光电转换效率。
3+ 3+
Yb ,K2GdF5:Tb 。
朝向所述晶硅电池组4的一侧表面的漫反射层6。透过第一钙钛矿电池组2、晶硅电池组4的
太阳光能够在漫反射层6改变光路传输方向,从而重新被电池吸收并进行光电转换,提高了
对太阳光的利用率,从而进一步提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率;同时,
漫反射层6的设置还能够消除眩光或光斑。
胶层9围绕第二封装胶膜5设置,所述第二封装胶膜5适于粘接漫反射层6和晶硅电池组4,所
述第三封装胶层9适于粘接漫反射层6和第一封装基板1。进一步地,第二封装胶膜5可以为
EVA胶膜,第三封装胶层9的材料可以为丁基胶。
组2的一侧,所述第二钙钛矿电池组8适于吸收透过所述第一钙钛矿电池组2和所述晶硅电
池组4的部分太阳光,提高了对太阳光的利用率,从而提高了钙钛矿/晶硅叠层电池组件的
光电转换效率。具体的,所述第二钙钛矿电池组8位于漫反射层6背离所述第二封装胶膜5的
一侧表面,所述第二封装胶膜5适于粘接所述第二钙钛矿电池组8和晶硅电池组4。具体的,
相对于常规钙钛矿/晶硅叠层电池组件,该钙钛矿/晶硅叠层电池组件的光电转换效率提高
了20%左右。
有第一栅线,所述第一栅线包括若干第一副栅以及与若干所述第一副栅连接的第一主栅;
形成第一钙钛矿电池组2,形成所述第一钙钛矿电池组2的步骤包括形成至少一个第一钙钛
矿电池,所述第一钙钛矿电池具有切割线;将所述晶硅电池组4和所述第一钙钛矿电池组2
层压在一起,第一栅线朝向所述第一钙钛矿电池组2,且所述切割线在所述晶硅电池表面的
正投影位于部分所述第一副栅内。
干第一透明电极,所述第一引出件21的导电率大于所述第一透明电极的导电率,所述第一
透明电极的透光率大于所述第一引出件21的透光率;所述第一引出件21至少位于所述第一
透明电极的侧部,所述第一引出件21包括第一主引出件211和若干第一副引出件212,所述
第一副引出件212适于电学连接所述第一透明电极与所述第一主引出件211;在所述第一透
明电极阵列和第一引出件21背离所述第一封装基板1的一侧表面依次形成第一载流子传输
层、钙钛矿层和第二载流子传输层;在所述第二载流子传输层背离钙钛矿层的一侧表面形
成第二透明电极阵列和第二引出件23,所述第二透明电极阵列包括若干第二透明电极24,
所述第二透明电极24与所述第一透明电极相对设置;所述第二引出件23的导电率大于所述
第二透明电极24的导电率,所述第二透明电极24的透光率大于所述第二引出件23的透光
率;所述第二引出件23至少位于所述第二透明电极24的侧部,所述第二引出件23包括第二
主引出件231和若干第二副引出件232,所述第二副引出件232适于电学连接所述第二透明
电极24与所述第二主引出件231;将所述晶硅电池组4和所述第一钙钛矿电池组2层压在一
起后,所述第一副引出件212在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述
第一主引出件211在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内,所述第二副引
出件232在所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一副栅内,所述第二主引出件231在
所述晶硅电池表面的正投影位于部分所述第一主栅内。
213、第二段214以及第三段,所述第三段与所述第一主引出件211的一端、以及所述第二段
214的至少一端连接;在形成所述第一引出件21之后,形成所述第一透明电极阵列,所述第
一段213连接靠近所述第一主引出件211的第一透明电极和所述第一主引出件211,所述第
二段214连接相邻所述第一透明电极,所述第三段被所述第一透明电极的部分表面覆盖。
引出件232包括第四段233、第五段234以及第六段,所述第四段233连接靠近所述第二主引
出件231的第二透明电极24和所述第二主引出件231,所述第五段234连接相邻所述第二透
明电极24,所述第六段覆盖所述第二透明电极24的部分表面。在一个实施方式中,所述第一
汇流件22与所述第一引出件21一同形成。
应区13;形成所述第一钙钛矿电池的步骤还包括:在所述第一汇流区11形成第一汇流件22,
所述第一汇流件22与所述第一主引出件211连接;在所述第二汇流区12形成第二汇流件25,
所述第二汇流件25与所述第二主引出件231连接且与所述第一引出件21和/或第一透明电
极间隔;所述第一汇流件22与第二汇流件25在第一封装基板1的正投影均与所述晶硅电池
在所述第一封装基板1上的正投影不重合。在一个实施方式中,所述第二汇流件25与所述第
二引出件23一同形成。
所述第二载流子传输层之后,在形成第二透明电极阵列之前进行第二切割(P2),形成平行
且间隔排布的若干第二切割线,第二切割线依次贯穿第二载流子传输层、钙钛矿层和第一
载流子层,第二切割线在第一封装基板1上的正投影位于相邻第一切割线在第一封装基板1
上的正投影之间。在形成所述第二透明电极阵列之后,且在形成第二引出件23之前,进行第
三切割(P3),形成平行且间隔排布的若干第三切割线,第三切割线依次贯穿所述第二透明
电极24、第二载流子传输层、钙钛矿层和第一载流子层,第三切割线在第一封装基板1上的
正投影位于相邻第一切割线在第一封装基板1上的正投影之间且位于相邻第二切割线在第
一封装基板1上的正投影之间。
5设置;在所述第二封装胶膜5背离所述第二封装基板7的一侧形成所述晶硅电池组4。
设置在所述第一封装胶膜3背离所述晶硅电池组4的一侧表面,进行层压;层压之后,所述第
三封装胶层9粘接漫反射层6和第一封装基板1。层压的温度为110℃‑130℃,层压压力为50
Kpa‑80 Kpa,层压的时间为10 min‑20 min;示例性的,层压的温度为120℃,层压压力为60
Kpa,层压的时间为15 min。
成漫反射层6;在所述第二封装基板7的一侧形成第二封装胶膜5之后,所述漫反射层6位于
所述第二封装胶膜5和所述第二封装基板7之间。
成第二钙钛矿电池组8,所述第二钙钛矿电池组8包括至少一个第二钙钛矿电池;在所述第
二封装基板7的一侧形成所述第二封装胶膜5之后,所述第二钙钛矿电池组8位于所述第二
封装胶膜5和所述第二封装基板7之间,所述第二钙钛矿电池组8适于吸收透过所述第一钙
钛矿电池组2和所述晶硅电池组4的部分太阳光。进一步地,在形成第二钙钛矿电池组8之
前,在所述第二封装基板7的一侧表面形成漫反射层6,所述第二钙钛矿电池组8位于漫反射
层6背离所述第二封装胶膜5的一侧表面,所述第二封装胶膜5适于粘接所述第二钙钛矿电
池组8和晶硅电池。
变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或
变动仍处于本发明创造的保护范围之中。