离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法、装置及介质

摘要

本发明公开了一种离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法、装置及介质，其中方法包括：将支撑结构放置于电极层与电解质层之间；控制支撑结构的影响因素，进行平行实验测试，获得数据；根据数据计算获得各支撑结构条件下传感器的灵敏度、线性度和承压范围；并分析各支撑结构对传感器灵敏度、线性度和承压范围各项性能影响的内在原因；获得离子电容式柔性压力传感器基于支撑结构调控的性能优化策略。本发明通过对用于辅助传感器封装的支撑结构进行调控，针对离子电容式柔性压力传感器在各类支撑条件下的性能进行分析和探讨，总结出各种影响因素对传感器性能的影响方式，可广泛应用于柔性可穿戴传感领域。

权利要求

1.一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，其特征在于，包括以下步骤：将支撑结构放置于离子电容式柔性压力传感器的电极层与电解质层之间；

控制支撑结构的影响因素，进行平行实验测试，统计各支撑条件下电容‑压强数据；所述影响因素包括支撑结构的有无、支撑结构的材质以及支撑结构的厚度；

根据统计的电容‑压强数据，计算获得各支撑结构条件下传感器的灵敏度、线性度和承压范围；

基于支撑结构对传感器初始电容值、加载过程的阻碍方式的影响，分析各支撑结构对传感器灵敏度、线性度和承压范围各项性能影响的内在原因；

汇总得到离子电容式柔性压力传感器基于支撑结构调控的性能优化策略；

所述电极层包括上电极和下电极；所述将支撑结构为环形状；

所述将支撑结构放置于离子电容式柔性压力传感器的电极层与电解质层之间，包括：将所述支撑结构放置于上电极与电解质层之间；和/或，

将所述支撑结构放置于下电极与电解质层之间。

2.根据权利要求1所述的一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，其特征在于，所述支撑结构的厚度为电极层厚度的0.1～1倍；或，所述支撑结构的厚度为电解质层厚度的0.1～1倍。

3.根据权利要求1所述的一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，其特征在于，所述支撑结构在长宽方向的形状，与电极层的形状保持对应一致。

4.根据权利要求1所述的一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，其特征在于，所述支撑结构用于提供传感器电极、电解质层之间的初始距离，以及用于阻碍传感器的加载过程。

5.根据权利要求4所述的一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，其特征在于，所述支撑结构对传感器加载过程的阻碍作用由两部分组成，其一为支撑结构自身在加载条件下的压缩，其二为加载条件下支撑结构位置因电极层或电解质层的弹性变形发生改变，进而造成传感器响应过程的改变。

6.根据权利要求5所述的一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，其特征在于，所述支撑结构因材质间性能差异，两部分阻碍作用的主次将发生不同程度的转换，进而对传感器的性能造成影响。

7.一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化装置，其特征在于，包括：至少一个处理器；

至少一个存储器，用于存储至少一个程序；

当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现权利要求1‑6任一项所述方法。

8.一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，其特征在于，所述处理器可执行的程序在由处理器执行时用于执行如权利要求1‑6任一项所述方法。

说明书

离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法、装置及介质

技术领域

[0001] 本发明涉及柔性可穿戴传感领域，尤其涉及一种离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法、装置及介质。

背景技术

[0002] 随着技术的不断发展和人们物质生活水平的不断提高，柔性可穿戴设备在人工智能、健康监护等领域有了越来越广泛的应用，而可穿戴设备的性能提升则成为了科研工作者研究和拓展的主要目标。柔性可穿戴压力传感器作为柔性可穿戴设备的重要一环，在生理信号检测、人机交互界面、指纹识别、风洞实验等各领域中应用广泛。其中，离子电容式压力传感器作为目前研究领域的热点，具有高灵敏度、高漂移稳定性、低功耗、低温度依赖等优点，因此吸引了各国科研工作者的广泛研究，以期提升其灵敏度、线性度、承压范围等各项性能指标。

[0003] 现有离子电容式压力传感器一般为上电极、电解质和下电极层层贴合而成的三明治结构，为提升传感器灵敏度、线性度等各项性能，大量研究工作着眼于电极和电解质层的结构设计和先进材料研究。其中结构设计的现有研究有金字塔结构、半球结构、棱柱结构、多孔结构、褶皱结构、随机粗糙表面结构等，电极材料的现有研究有碳材料、金属纤维材料、镀金聚合物材料等，电解质材料的现有研究则为各类聚合物与离子溶液的混合物。

[0004] 此外，合理的封装方式不仅可以提升传感器性能的稳定性，同样对传感器灵敏度、线性度、承压范围等性能具有积极影响，但鲜有研究以此为调控核心实现传感器性能的大幅提升。而目前针对用于辅助封装的支撑结构对传感器性能的影响暂未得到系统研究，亟待进一步探索。

发明内容

[0005] 为至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一，本发明的目的在于提供一种离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法、装置及介质。

[0006] 本发明所采用的技术方案是：

[0007] 一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，包括以下步骤：

[0008] 将支撑结构放置于离子电容式柔性压力传感器的电极层与电解质层之间；

[0009] 控制支撑结构的影响因素，进行平行实验测试，统计各支撑条件下电容‑压强数据；

[0010] 根据统计的电容‑压强数据，计算获得各支撑结构条件下传感器的灵敏度、线性度和承压范围；

[0011] 基于支撑结构对传感器初始电容值、加载过程的阻碍方式的影响，分析各支撑结构对传感器灵敏度、线性度和承压范围各项性能影响的内在原因；

[0012] 汇总得到离子电容式柔性压力传感器基于支撑结构调控的性能优化策略。

[0013] 进一步地，所述支撑结构的厚度为电极层厚度的0.1～1倍；或，

[0014] 所述支撑结构的厚度为电解质层厚度的0.1～1倍。

[0015] 进一步地，所述支撑结构在长宽方向的形状，与电极层的形状保持对应一致。支撑结构在长宽方向的形状一般为环形，当电极与电解质层为圆形时，支撑结构形状为圆环；当电极、电解质层为矩形时，支撑结构形状则为矩形环，即与电极和电解质层的形状保持对应一致

[0016] 进一步地，所述支撑结构用于提供传感器电极、电解质层之间的初始距离，以及用于阻碍传感器的加载过程。

[0017] 进一步地，所述支撑结构对传感器加载过程的阻碍作用由两部分组成，其一为支撑结构自身在加载条件下的压缩，其二为加载条件下支撑结构位置因电极层或电解质层的弹性变形发生改变，进而造成传感器响应过程的改变。

[0018] 进一步地，所述支撑结构因材质间性能差异，两部分阻碍作用的主次将发生不同程度的转换，进而对传感器的性能造成影响。

[0019] 进一步地，所述电极层包括上电极和下电极；

[0020] 所述将支撑结构放置于离子电容式柔性压力传感器的电极层与电解质层之间，包括：

[0021] 将所述支撑结构放置于上电极与电解质层之间；和/或，

[0022] 将所述支撑结构放置于下电极与电解质层之间。

[0023] 进一步地，所述影响因素包括支撑结构的有无、支撑结构的材质以及支撑结构的厚度。

[0024] 本发明所采用的另一技术方案是：

[0025] 一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化装置，包括：

[0026] 至少一个处理器；

[0027] 至少一个存储器，用于存储至少一个程序；

[0028] 当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现上所述方法。

[0029] 本发明所采用的另一技术方案是：

[0030] 一种计算机可读存储介质，其中存储有处理器可执行的程序，所述处理器可执行的程序在由处理器执行时用于执行如上所述方法。

[0031] 本发明的有益效果是：本发明通过对用于辅助传感器封装的支撑结构进行调控，针对离子电容式柔性压力传感器在各类支撑条件下的性能进行分析和探讨，总结出各种影响因素对传感器性能的影响方式，揭示了其背后原因，进而总结出了各种应用场景或传感器性能需求下支撑结构的优化策略。

附图说明

[0032] 为了更清楚地说明本发明实施例或者现有技术中的技术方案，下面对本发明实施例或者现有技术中的相关技术方案附图作以下介绍，应当理解的是，下面介绍中的附图仅仅为了方便清晰表述本发明的技术方案中的部分实施例，对于本领域的技术人员而言，在无需付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取到其他附图。

[0033] 图1是本发明实施例中基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的两种结构示意图；其中图1(a)为无支撑结构，图1(b)为有支撑结构；

[0034] 图2是本发明实施例中无支撑、软&薄支撑、硬&薄支撑条件下离子电容式柔性压力传感器的电容‑压强测试数据及灵敏度统计；

[0035] 图3是本发明实施例中无支撑、软&薄支撑、硬&薄支撑条件下离子电容式柔性压力传感器的电容‑压强归一化数据及数学公式拟合曲线；

[0036] 图4是本发明实施例中硬&薄支撑、硬&厚支撑、硬&超厚支撑条件下离子电容式柔性压力传感器的电容‑压强测试数据及灵敏度统计；

[0037] 图5是本发明实施例中硬&薄支撑、硬&厚支撑、硬&超厚支撑条件下离子电容式柔性压力传感器的电容‑压强归一化数据及数学公式拟合曲线；

[0038] 图6是本发明实施例中一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法的步骤流程图。

具体实施方式

[0039] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。对于以下实施例中的步骤编号，其仅为了便于阐述说明而设置，对步骤之间的顺序不做任何限定，实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。

[0040] 在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0041] 在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

[0042] 本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

[0043] 如图6所示，本实施例提供一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，包括以下步骤：

[0044] S1、将支撑结构放置于离子电容式柔性压力传感器的电极层与电解质层之间；

[0045] S2、控制支撑结构的影响因素，进行平行实验测试，统计各支撑条件下电容‑压强数据；

[0046] S3、根据统计的电容‑压强数据，计算获得各支撑结构条件下传感器的灵敏度、线性度和承压范围；

[0047] S4、基于支撑结构对传感器初始电容值、加载过程的阻碍方式的影响，分析各支撑结构对传感器灵敏度、线性度和承压范围各项性能影响的内在原因；

[0048] S5、汇总得到离子电容式柔性压力传感器基于支撑结构调控的性能优化策略。

[0049] 本实施例方法通过对用于辅助传感器封装的支撑结构进行调控，针对离子电容式柔性压力传感器在各类支撑条件下的性能进行分析和探讨，总结出有无支撑、支撑材质、支撑厚度对传感器性能的影响方式，揭示了其背后原因，进而总结出了各种应用场景或传感器性能需求下支撑结构的优化策略。

[0050] 实施方式1：如图1所示，本实施方式针对的传感器主体为800‑220目随机粗糙表面电容式压力传感器，其中上电极层底面为800目随机粗糙表面，电解质层顶面为220目随机粗糙表面，其余表面均为平面。

[0051] 本实施例提供一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，包括以下步骤：

[0052] S101、设置5种支撑方式，分别为无支撑(厚度0μm)、软&薄支撑(无尘纸，厚度103μm)、硬&薄支撑(A4纸，厚度102μm)、硬&厚支撑(A4纸，厚度203μm)、硬&超厚支撑(A4纸，厚度409μm)，其中1种无支撑结构，4种有支撑结构；

[0053] S102、将上下电极层裁剪为20*20mm的矩形，支撑结构裁剪为外径20*20mm、内径15*15mm的矩形环形状，将支撑结构放置于上电极层与电解质层之间；

[0054] S103、保持传感器其他因素一致，针对步骤S101所述五种支撑条件进行平行实验测试，统计各支撑条件下电容‑压强数据，如图2和图4中所示数据点；

[0055] S104、对无支撑、软&薄支撑、硬&薄支撑条件下0～8.9kpa、8.9～88.9kpa、88.9～288.9kpa压强段的灵敏度进行统计并标记为S1、S2、S3，如图2所示。在无支撑条件下，S1＝‑1 ‑1 ‑1
0.66kpa ，S2＝0.17kpa ，S3＝0.05kpa ，灵敏度随压强增加而降低，且始终保持在较低水‑1 ‑1 ‑1
平；在软&薄支撑条件下，S1＝39.3kpa ，S2＝23.4kpa ，S3＝14.6kpa ，灵敏度随压强增加‑1 ‑1
而降低，但始终保持在较高水平；在硬&薄支撑条件下，S1＝31.0kpa ，S2＝37.5kpa ，S3＝‑1
38.6kpa ，灵敏度相对稳定，并始终保持在较高水平；

[0056] S105、对无支撑、软&薄支撑、硬&薄支撑条件下0～8.9kpa、8.9～88.9kpa、88.9～2 2 2 2
288.9kpa压强段的线性度进行统计，分别标记为R1、R2、R3。在无支撑条件下，R1＝0.998、
2 2 2
R2＝0.978、R3＝0.971，随着压强的增加传感器线性度逐渐减低；在软&薄支撑条件下，R1
2 2
＝0.979、R2 ＝0.989、R3＝0.990，传感器线性度较为平稳，并始终保持在较高水平；在硬&
2 2 2
薄支撑条件下，R1＝0.959、R2＝0.952、R3＝0.998，在0～88.9kpa压强段呈较低线性度，在
88.9～288.9kpa压强段反而呈现极高的线性度；

[0057] S106、对无支撑、软&薄支撑、硬&薄支撑条件下电容‑压强曲线进行归一化得如图3中数据点，对应3组数据点分别可用 ΔC2
(x)/C1＝erf(α·x)公式实现高质量拟合，拟合相关系数R分别为0.993、0.996、0.997；

[0058] S107、观察图3中各曲线间差异可知，不同支撑条件下传感器响应过程的变化规律呈现出显著性差异。无支撑条件下，传感器未发生接触状态的改变，在低压范围内接触面积随压强的增加而快速增加，且增速为三者中最快，如图3中橙色曲线所示。由接触面积的快速增加和较高的初始电容综合影响，造成该类传感器在全局范围的低线性度和低灵敏度。在软&薄支撑条件下，传感器在极低压强下即可发生接触状态的改变，此后接触面积以一定的增速随压强的增加而增加，增速为三者中较快，如图3中紫色曲线所示。由较低的初始电容和薄支撑的轻微阻碍作用综合影响，使得该类传感器具有高灵敏度、以及较高的线性度。
在硬&薄支撑条件下，传感器在较高压强下才可发生接触状态的改变，接触面积的增速为三者中最慢，如图3中绿色曲线所示。由极低的初始电容和硬支撑的阻碍作用综合影响，使得该类传感器在低压段展现出极差的线性度，而在全局范围内反而具有较高灵敏度、以及最高的线性度；

[0059] S108、在硬&薄支撑、硬&厚支撑、硬&超厚支撑条件下电容‑压强实验数据统计如图4所示。硬&薄支撑条件下，传感器在0～53.3kpa压强段内展现出了较高的灵敏度和线性度，‑1 2
S＝38.1kpa ，R＝0.994；硬&厚支撑条件下，传感器在0～355.6kpa压强段内电容并未随压强的增加而明显攀升，直至355.6～933.3kpa压强段内才展现出显著攀升趋势，传感器在此‑1 2
压强段内具有较高灵敏度和线性度：S＝19.5kpa ，R＝0.994；硬&超厚支撑条件下，传感器在0～533.3kpa压强段内电容仍未随压强的增加而明显攀升，直至533.3～933.3kpa压强段‑1 2
才展现出小幅攀升，此时传感器灵敏度和线性度保持在较低水平：S＝2.47kpa ，R ＝
0.974。虽然增加支撑结构的厚度可以在一定程度上降低传感器的初始电容值，但也大大阻碍了传感器的加载过程。以电容达到极限电容值99.9％时的对应压强为临界压强，硬&薄支撑、硬&厚支撑、硬&超厚支撑条件下传感器的临界压强分别约为0.93Mpa、2.22Mpa、
4.44Mpa，支撑结构厚度的增加对传感器的临界压强有显著提升作用；

[0060] S109、对硬&薄支撑、硬&厚支撑、硬&超厚支撑条件下电容‑压强曲线进行归一化得如图5中数据点，仅有硬&薄支撑对应曲线可用ΔC(x)/C1＝erf(α·x)实现高质量拟合，拟2
合相关系数R为0.997；

[0061] S110、通过上述步骤S101‑S109，可得到基于支撑结构调控的该类离子电容式柔性压力传感器的性能优化策略，汇总如下：

[0062] 1)在无支撑、软&薄支撑条件下，在较低压强段内传感器灵敏度随压强的增加而显著降低；而在硬&薄支撑条件下，由于硬质支撑对响应过程的阻碍，使得传感器在更广的压强段内始终保持有较高且平稳的灵敏度。

[0063] 2)软&薄支撑可以有效降低传感器的初始电容值，并对加载过程提供一定的阻碍，在二者的综合作用下，软&薄支撑条件下传感器比无支撑条件时展现出了更高的全局灵敏度和线性度。

[0064] 3)硬&薄支撑在有效降低传感器的初始电容值的同时，对加载过程提供了更大的阻碍，导致传感器由未接触转变至接触状态所需压强更大，进而造成了其在低压段的较低灵敏度、更广压强段内的高灵敏度、和更大的临界压强。虽然硬&薄支撑条件下传感器可以在更广的范围内表现出较高的灵敏度，但其在低压段表现出的低灵敏度和低线性度将会限制其在低压领域的应用。

[0065] 4)合适厚度(如102μm)的支撑结构可有效降低传感器的初始电容值，并对传感器的受载过程造成一定阻碍，此时支撑结构可有效提升传感器的灵敏度、线性度和承压范围。

[0066] 5)过大厚度(如203μm、409μm)的支撑结构虽仍可有效降低传感器的初始电容值，但其对传感器受载过程的阻碍将大大增加，此时传感器的承压范围将得到拓宽，但其在相当宽的低压范围内仅有极低的灵敏度，且最大灵敏度也明显低于合适厚度支撑传感器。因此，此厚度支撑结构对传感器超高压力段的性能有明显提升，但对全承压范围性能的整体提升并无积极作用，因此仅适用于特定超高压应用领域。

[0067] 综上所述，本发明在传感器结构设计、材料及制备工艺相同的情况下，通过对用于辅助封装的支撑结构有无、材质、厚度等的调控，可实现传感器灵敏度几十至几百倍的提升，并有效提升传感器的线性度区间和承压范围。同时，针对支撑结构对传感器初始电容值、加载过程的阻碍方式的影响进行分析，总结得到各支撑结构对传感器灵敏度、线性度和承压范围等各项性能影响的内在原因，进而可得到任意任意离子电容式柔性压力传感器基于支撑结构调控的性能优化方法。

[0068] 本实施例还提供一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化装置，包括：

[0069] 至少一个处理器；

[0070] 至少一个存储器，用于存储至少一个程序；

[0071] 当所述至少一个程序被所述至少一个处理器执行，使得所述至少一个处理器实现图6所示方法。

[0072] 本实施例的一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化装置，可执行本发明方法实施例所提供的一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法，可执行方法实施例的任意组合实施步骤，具备该方法相应的功能和有益效果。

[0073] 本申请实施例还公开了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存介质中。计算机设备的处理器可以从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行图6所示的方法。

[0074] 本实施例还提供了一种存储介质，存储有可执行本发明方法实施例所提供的一种基于支撑结构调控的离子电容式柔性压力传感器的性能优化方法的指令或程序，当运行该指令或程序时，可执行方法实施例的任意组合实施步骤，具备该方法相应的功能和有益效果。

[0075] 在一些可选择的实施例中，在方框图中提到的功能/操作可以不按照操作示图提到的顺序发生。例如，取决于所涉及的功能/操作，连续示出的两个方框实际上可以被大体上同时地执行或所述方框有时能以相反顺序被执行。此外，在本发明的流程图中所呈现和描述的实施例以示例的方式被提供，目的在于提供对技术更全面的理解。所公开的方法不限于本文所呈现的操作和逻辑流程。可选择的实施例是可预期的，其中各种操作的顺序被改变以及其中被描述为较大操作的一部分的子操作被独立地执行。

[0076] 此外，虽然在功能性模块的背景下描述了本发明，但应当理解的是，除非另有相反说明，所述的功能和/或特征中的一个或多个可以被集成在单个物理装置和/或软件模块中，或者一个或多个功能和/或特征可以在单独的物理装置或软件模块中被实现。还可以理解的是，有关每个模块的实际实现的详细讨论对于理解本发明是不必要的。更确切地说，考虑到在本文中公开的装置中各种功能模块的属性、功能和内部关系的情况下，在工程师的常规技术内将会了解该模块的实际实现。因此，本领域技术人员运用普通技术就能够在无需过度试验的情况下实现在权利要求书中所阐明的本发明。还可以理解的是，所公开的特定概念仅仅是说明性的，并不意在限制本发明的范围，本发明的范围由所附权利要求书及其等同方案的全部范围来决定。

[0077] 所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read‑Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

[0078] 在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。

[0079] 计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

[0080] 应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

[0081] 在本说明书的上述描述中，参考术语“一个实施方式/实施例”、“另一实施方式/实施例”或“某些实施方式/实施例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

[0082] 尽管已经示出和描述了本发明的实施方式，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

[0083] 以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明并不限于上述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。