基于表层和体相硅掺杂的三元正极材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于表层和体相硅掺杂的三元正极材料的制备方法，包括：将硅源溶于溶剂中，再将镍钴锰氢氧化物粉末溶解于其中搅拌均匀，然后蒸干溶剂，真空干燥，得前驱体；将前驱体与氢氧化锂倒入高混机中混合，混合后进行煅烧，得硅掺杂的三元正极材料；本发明还公开一种基于表层和体相硅掺杂的三元正极材料。本发明中通过镍钴锰氢氧化物粉末与硅源进行液相混合，并通过高温煅烧使硅掺杂进入体相晶格内部，以SiO44–的形式占据四面体位点，较强的Si‑O键键能可以稳定体相中的晶格氧，维持材料的层状结构，提升循环稳定性；同时，SiO44–具有较大的热化学半径，可以拓宽锂离子传输通道，提升材料的倍率性能，并降低了成本。