单体定向切割碳化硅的方法

摘要

一种单体定向切割碳化硅的方法，涉及碳化硅切割技术领域，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。所述单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。

权利要求

1.一种单体定向切割碳化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：

晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；具体地，放入切割设备后对每一个晶体分别进行角度定向，以确定单个晶体角度，也即对单个晶体角度进行调整后再进行切割；

如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；具体地，调节所述固定装置的横向旋钮以调节晶体X轴和Z轴方向，以及纵向旋钮以调节晶体Y轴和Z轴方向；

如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。

2.根据权利要求1所述的单体定向切割碳化硅的方法，其特征在于，所述小托盘载体的长度为8cm‑10cm。

说明书

单体定向切割碳化硅的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及碳化硅切割技术领域，尤其涉及一种单体定向切割碳化硅的方法。

背景技术

[0002] 目前，碳化硅晶圆的生产工艺流程主要为：合成碳化硅微粉，晶体生长，晶体定向加工，晶体切割，晶圆研磨，晶圆抛光，晶圆检测，晶圆清洗；具体地，晶体定向加工后，对可加工的晶体进行匹配粘接完成之后，整体再粘接到托盘载体上，一般匹配粘接数量在2块或2块以上，将粘接后的托盘载体放入多线切割设备中，固定后对最外侧晶体端面进行千分表打表，确定横向和纵向角度偏差，偏差无问题后进行切割。然而现有技术中，切割后晶圆角度不固定，主要是不同晶体切割后晶圆与晶圆之间角度差异较大；虽然晶体在晶体切割前对单个晶体进行定向加工，放入多线切设备后对粘接后的最外侧晶体（即整个晶体）进行打表确定横向和纵向角度偏差，但由于精度要求微米级，无法确定晶体与晶体的粘接影响，从而无法保证每块晶体的晶圆切割后均能够达到客户要求角度。

[0003] 也即，现有技术中使用的切割方法采用粘接在一起切割，属于捆绑式切割，无法调整单个晶体角度，不能保证单个晶体切割角度，且整体重量较重，上料、取料并不安全，磕碰几率较大，需要周围人员进行辅助；此外还有分段式切割，将一块晶体进行定向粘接在托盘载体的一端，然后隔开一段距离再定向粘接第二块晶体，依次类推可在同一个托盘载体上粘接多个晶体，粘接完毕后放入切割设备后使用千分表对最外面的晶体端面进行千分表打表确定横向和纵向角度偏差，确认偏差无异常后切割，然而多个晶体粘接在同一个托盘载体上，在放入多线切割设备前对单个晶体进行调整，粘接完毕后无法进一步调整，此方法放入多线切割设备后不能调节单个晶体角度，具有一定的局限性。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供一种单体定向切割碳化硅的方法，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。

[0005] 为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

[0006] 一种单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：

[0007] 晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；

[0008] 如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；

[0009] 如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。

[0010] 其中，所述小托盘载体的长度为8cm‑10cm。

[0011] 具体地，调节所述固定装置的横向旋钮以调节晶体X轴和Z轴方向，以及纵向旋钮以调节晶体Y轴和Z轴方向。

[0012] 相对于现有技术，本发明所述的单体定向切割碳化硅的方法具有以下优势：

[0013] 本发明提供的单体定向切割碳化硅的方法中，其是放入切割设备后对每一个晶体分别进行角度定向，以确定单个晶体角度，而后再进行切割，使切割的晶圆角度可控，从而保证切割加工后能够满足客户要求，而且能够达到切割一锯并同时满足多个客户不同的角度要求，此外不必担心产量低的问题，能够完全满足各种产量需求。也即，本发明提供的单体定向切割碳化硅的方法，采用单个晶体方便上料和取料，极其轻便，安全系数高，且能够减少磕碰和摔碎现象；放入多线切割后，能够对单个晶体角度进行调整，从而有效避免晶体与晶体间角度差异问题，进而保证切割后晶圆角度满足客户需求；此外，每次能够切割多个晶体以增加了切割晶体的选择性，有效减少了晶体与晶体间粘接匹配的问题，同时保证了单个机台产量要求，并且同一锯能够切割不同角度晶体，满足了不同角度和厚度的多个客户要求。

具体实施方式

[0014] 为了便于理解，对本发明实施例提供的单体定向切割碳化硅的方法进行详细描述。

[0015] 本发明实施例提供一种单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：

[0016] 晶体定向加工后，将单个晶体粘接到小托盘载体上，放入多线切割设备，固定后使用千分表对单个晶体端面进行打表确定横向和纵向角度偏差；

[0017] 如果偏差出现问题，调节固定装置并使千分表读数达到要求范围；

[0018] 如果偏差未有问题，则第一块晶体调节完毕，放入第二块晶体直至第N块晶体，并按照上述步骤依次重复调节，至此每次能够切割多个晶体。

[0019] 相对于现有技术，本发明实施例所述的单体定向切割碳化硅的方法具有以下优势：

[0020] 本发明实施例提供的单体定向切割碳化硅的方法中，其是放入切割设备后对每一个晶体分别进行角度定向，以确定单个晶体角度，而后再进行切割，使切割的晶圆角度可控，从而保证切割加工后能够满足客户要求，而且能够达到切割一锯并同时满足多个客户不同的角度要求，此外不必担心产量低的问题，能够完全满足各种产量需求。也即，本发明提供的单体定向切割碳化硅的方法，采用单个晶体方便上料和取料，极其轻便，安全系数高，且能够减少磕碰和摔碎现象；放入多线切割后，能够对单个晶体角度进行调整，从而有效避免晶体与晶体间角度差异问题，进而保证切割后晶圆角度满足客户需求；此外，每次能够切割多个晶体以增加了切割晶体的选择性，有效减少了晶体与晶体间粘接匹配的问题，同时保证了单个机台产量要求，并且同一锯能够切割不同角度晶体，满足了不同角度和厚度的多个客户要求。

[0021] 其中，上述小托盘载体的长度可以为8cm‑10cm。

[0022] 具体地，调节固定装置的横向旋钮以调节晶体X轴和Z轴方向，以及纵向旋钮以调节晶体Y轴和Z轴方向。

[0023] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。