一种微LED的转移方法以及一种微LED显示基板

摘要

本发明涉及一种微LED的转移方法以及一种微LED显示基板，涉及微发光二极管显示制造领域。通过在所述基底上的保护层中形成暴露第一像素电路构件的第一凹槽、暴露第二像素电构件的第二凹槽和暴露第三像素电路构件的第三凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度，且所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度，进而在后续的转移工序中，可以将不同厚度的微发光二极管单元一次转移至不同深度的凹槽中，有效简化了转移工序，降低了生产成本。

权利要求

1.一种微LED的转移方法，其特征在于：包括：

提供一基底，在所述基底上形成驱动功能层，所述驱动功能层包括多个呈矩阵排布的薄膜晶体管；

在所述驱动功能层上形成电路层，所述电路层包括保护层以及嵌设在所述保护层中的多个第一像素电路构件、多个第二像素电构件和多个第三像素电路构件，各像素电路构件分别与相应的一薄膜晶体管电连接；

对所述保护层进行开孔处理，形成暴露所述第一像素电路构件的第一凹槽、暴露所述第二像素电构件的第二凹槽和暴露所述第三像素电路构件的第三凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度，且所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度；

提供一转移基板，在所述基板上形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，在所述第一、第二、第三沟槽中分别设置第一基色微发光二极管单元、第二基色微发光二极管单元和第三基色微发光二极管单元，所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元三者的厚度逐渐增加；

接着将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元分别嵌入到相应的所述第一、第二、第三凹槽中，并使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元分别与相应的所述第一、第二、第三像素电路构件电连接；

接着去除所述转移基板，接着在所述基底上形成公共电极层，以形成微LED显示基板。

2.根据权利要求1所述的微LED的转移方法，其特征在于：所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的微LED的转移方法，其特征在于：所述保护层的材质是无机电介质材料或有机电介质材料，所述第一、第二、第三像素电路构件均具有凸起结构，各凸起结构分别暴露在所述第一、第二、第三凹槽中。

4.根据权利要求1所述的微LED的转移方法，其特征在于：所述转移基板在加热加压条件下可以软化流动，在所述第一、第二、第三沟槽中分别设置第一基色微发光二极管单元、第二基色微发光二极管单元和第三基色微发光二极管单元的过程中，对所述转移基板进行加热加压处理，使得所述转移基板软化流动而包裹所述第一基色微发光二极管单元、所述第二基色微发光二极管单元和所述第三基色微发光二极管单元。

5.根据权利要求1所述的微LED的转移方法，其特征在于：所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽三者的尺寸相同。

6.根据权利要求3所述的微LED的转移方法，其特征在于：所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元的上表面均具有凹陷结构，在将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底的过程中，使得所述第一、第二、第三像素电路构件的各凸起结构嵌入到相应的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元的各凹陷结构中。

7.根据权利要求6所述的微LED的转移方法，其特征在于：将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底之前，在所述第一、第二、第三凹槽中设置导电胶。

8.一种微LED显示基板，其特征在于，采用权利要求1‑7任一项所述的转移方法形成的。

说明书

一种微LED的转移方法以及一种微LED显示基板

技术领域

[0001] 本发明涉及微发光二极管显示制造领域，具体涉及一种微LED的转移方法以及一种微LED显示基板。

背景技术

[0002] 在现有的微LED显示基板的制造过程中，在红、绿、蓝三基色微发光二极管芯片的转移过程中，由于红、绿、蓝三基色微发光二极管芯片的厚度不同，需要进行三次转移工序才可以完成红、绿、蓝三种微发光二极管芯片的转移工作，且在转移过程中，需要先转移厚度最小的微发光二极管芯片，最后转移厚度最大的微发光二极管芯片，导致转移工序的工艺繁琐、灵活性低，且增加了微LED显示基板的制造成本。

发明内容

[0003] 本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种微LED的转移方法以及一种微LED显示基板。

[0004] 为实现上述目的，本发明提出的一种微LED的转移方法，包括：

[0005] 提供一基底，在所述基底上形成驱动功能层，所述驱动功能层包括多个呈矩阵排布的薄膜晶体管。

[0006] 在所述驱动功能层上形成电路层，所述电路层包括保护层以及嵌设在所述保护层中的多个第一像素电路构件、多个第二像素电构件和多个第三像素电路构件，各像素电路构件分别与相应的一薄膜晶体管电连接。

[0007] 对所述保护层进行开孔处理，形成暴露所述第一像素电路构件的第一凹槽、暴露所述第二像素电构件的第二凹槽和暴露所述第三像素电路构件的第三凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度，且所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度。

[0008] 提供一转移基板，在所述基板上形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，在所述第一、第二、第三沟槽中分别设置第一基色微发光二极管单元、第二基色微发光二极管单元和第三基色微发光二极管单元，所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元三者的厚度逐渐增加。

[0009] 接着将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元分别嵌入到相应的所述第一、第二、第三凹槽中，并使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元分别与相应的所述第一、第二、第三像素电路构件电连接。

[0010] 接着去除所述转移基板，接着在所述基底上形成公共电极层，以形成微LED显示基板。

[0011] 作为优选的技术方案，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。

[0012] 作为优选的技术方案，所述保护层的材质是无机电介质材料或有机电介质材料，所述第一、第二、第三像素电路构件均具有凸起结构，各凸起结构分别暴露在所述第一、第二、第三凹槽中。

[0013] 作为优选的技术方案，所述转移基板在加热加压条件下可以软化流动，在所述第一、第二、第三沟槽中分别设置第一基色微发光二极管单元、第二基色微发光二极管单元和第三基色微发光二极管单元的过程中，对所述转移基板进行加热加压处理，使得所述转移基板软化流动而包裹所述第一基色微发光二极管单元、所述第二基色微发光二极管单元和所述第三基色微发光二极管单元。

[0014] 作为优选的技术方案，所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽三者的尺寸相同。

[0015] 作为优选的技术方案，所述第一、第二基、第三基色微发光二极管单元的上表面均具有凹陷结构，在将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底的过程中，使得所述第一、第二、第三像素电路构件的各凸起结构嵌入到相应的所述第一、第二基、第三基色微发光二极管单元的各凹陷结构中。

[0016] 作为优选的技术方案，将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底之前，在所述第一、第二、第三凹槽中设置导电胶。

[0017] 本发明还提出一种微LED显示基板，其采用上述转移方法形成的。

[0018] 本发明的有益效果在于：

[0019] 在本发明的微LED的转移方法中，通过在所述基底上的保护层中形成暴露第一像素电路构件的第一凹槽、暴露第二像素电构件的第二凹槽和暴露第三像素电路构件的第三凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度，且所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度，进而在后续的转移工序中，可以将不同厚度的微发光二极管单元一次转移至不同深度的凹槽中，有效简化了转移工序，降低了生产成本。

[0020] 且通过在所述第一、第二、第三像素电路构件上设置凸起结构，各凸起结构分别暴露在所述第一、第二、第三凹槽中，进而在述第一、第二基、第三基色微发光二极管单元的上表面均设置凹陷结构，在将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底的过程中，使得所述第一、第二、第三像素电路构件的各凸起结构嵌入到相应的所述第一、第二基、第三基色微发光二极管单元的各凹陷结构中，有效提高转移后的微发光二极管单元的接合稳固性。

附图说明

[0021] 图1显示为本发明实施例中在基底上形成驱动功能层的结构示意图。

[0022] 图2显示为本发明实施例中在驱动功能层上形成电路层的结构示意图。

[0023] 图3显示为本发明实施例中转移基板上设置微发光二极管单元的结构示意图。

[0024] 图4显示为本发明实施例中将转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至基底的结构示意图。

[0025] 图5显示为本发明实施例中在基底上形成公共电极层的结构示意图。

具体实施方式

[0026] 为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

[0027] 如图1～图5所示，本实施例提供一种微LED的转移方法，包括：

[0028] 如图1所示，提供一基底100，在所述基底100上形成驱动功能层101，所述驱动功能层101包括多个呈矩阵排布的薄膜晶体管102。

[0029] 在具体的实施例中，所述薄膜晶体管102包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述薄膜晶体管102为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。

[0030] 在更具体的实施例中，所述基底100为玻璃基底、聚酰亚胺基底等合适的基底，在所述基底100上沉积缓冲层，该缓冲层为用本领域常用的材料即可，当该晶体管为底栅型薄膜晶体管时，先在缓冲层上沉积金属层，并图案化处理以形成栅电极，然后在栅电极上沉积栅绝缘层，然后在栅绝缘层上沉积半导体层，并图案化处理以形成有源层，接着沉积绝缘介质层以覆盖有源层，并对所述绝缘介质层进行开孔处理并沉积导电材料，以形成源电极和漏电极。

[0031] 如图2所示，接着在所述驱动功能层101上形成电路层，所述电路层包括保护层103以及嵌设在所述保护层103中的多个第一像素电路构件1041、多个第二像素电构件1042和多个第三像素电路构件1043，各像素电路构件分别与相应的一薄膜晶体管电连接。

[0032] 在具体的实施例中，所述保护层103的材质为无机电介质材料或有机电介质材料，更具体的，可以为氧化铝、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、高聚物等合适的材料，所述保护层103通过ALD、PECVD、涂覆等合适的工艺形成，所述第一像素电路构件1041、第二像素电构件1042和第三像素电路构件1043可以为金属材料，更具体的，通过电镀、化学镀、热蒸发等合适的工艺沉积金属铜形成。所述第一像素电路构件1041、所述第二像素电构件1042和所述第三像素电路构件1043均不处于同一水平面。

[0033] 在具体的实施例中，对所述保护层103进行开孔处理，形成暴露所述第一像素电路构件1041的第一凹槽1031、暴露所述第二像素电构件1042的第二凹槽1032和暴露所述第三像素电路构件1043的第三凹槽1033，所述第一凹槽1031的深度小于所述第二凹槽1032的深度，且所述第二凹槽1032的深度小于所述第三凹槽1033的深度。

[0034] 在更优选的实施例中，所述第一、第二、第三像素电路构件1041‑1043均具有凸起结构（如图2所示），各凸起结构分别暴露在所述第一、第二、第三凹槽1031‑1033中。

[0035] 如图3所示，提供一转移基板200，在所述基板上形成第一沟槽201、第二沟槽202和第三沟槽203，在所述第一、第二、第三沟槽201‑203中分别设置第一基色微发光二极管单元301、第二基色微发光二极管单元302和第三基色微发光二极管单元303，所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元303三者的厚度逐渐增加。

[0036] 在具体的实施例中，所述转移基板200在加热加压条件下可以软化流动，更具体的其可以是热塑性树脂材料，加热的温度可以为相应热塑性树脂材料的玻璃化转变温度或者是稍大于其玻璃化转变温度，使得树脂材料发生塑性软化流动，进一步在合适的压力条件下可以加速树脂材料的流动，进而便于减少各基色微发光二极管单元的安装时间。

[0037] 在具体的实施例中，第一、第二、第三基色微发光二极管单元301‑303分别为红、绿、蓝三者颜色的微发光二极管芯片。

[0038] 在具体的实施例中，所述第一沟槽201、所述第二沟槽202和所述第三沟槽203三者的尺寸相同，即各沟槽的深度、长度和宽度均相同，在所述第一、第二、第三沟槽201‑203中分别设置第一基色微发光二极管单元301、第二基色微发光二极管单元302和第三基色微发光二极管单元303的过程中，对所述转移基板200进行加热加压处理，使得所述转移基板200软化流动而包裹所述第一基色微发光二极管单元301、所述第二基色微发光二极管单元302和所述第三基色微发光二极管单元303。

[0039] 在具体的实施例中，所述第一、第二基、第三基色微发光二极管单元301‑033的上表面均具有凹陷结构（如图3所示），在将所述转移基板200上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元301‑303转移至所述基底100的过程中，使得所述第一、第二、第三像素电路构件1041‑1043的各凸起结构嵌入到相应的所述第一、第二基、第三基色微发光二极管单元301‑303的各凹陷结构中。

[0040] 在更具体的实施例中，所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元301‑303均包括层叠设置的第一半导体层、发光层、第二半导体层以及导电层，进而使得各凹陷结构形成在相应的导电层中。

[0041] 如图4所示，接着将所述转移基板200上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元301‑303转移至所述基底100，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元301‑303分别嵌入到相应的所述第一、第二、第三凹槽1031‑1033中，并使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元301‑303分别与相应的所述第一、第二、第三像素电路构件1041‑
1043电连接。

[0042] 在具体的实施例中，将所述转移基板200上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元301‑303转移至所述基底100之前，在所述第一、第二、第三凹槽1031‑1033中设置导电胶，进而利用导电胶将各微发光二极管单元与各像素电路构件电连接，且在转移过程中，使得转移后的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元301‑303三者的顶端处于同一水平面。

[0043] 如图5所示，接着去除所述转移基板200，接着在所述基底100上形成公共电极层400，以形成微LED显示基板。

[0044] 在具体的实施例中，所述公共电极层400为透明导电薄膜。

[0045] 如图5所示，本发明还提出一种微LED显示基板，其采用上述转移方法形成的。

[0046] 在其他优选的技术方案中，本发明提出的一种微LED的转移方法，包括：

[0047] 提供一基底，在所述基底上形成驱动功能层，所述驱动功能层包括多个呈矩阵排布的薄膜晶体管。

[0048] 在所述驱动功能层上形成电路层，所述电路层包括保护层以及嵌设在所述保护层中的多个第一像素电路构件、多个第二像素电构件和多个第三像素电路构件，各像素电路构件分别与相应的一薄膜晶体管电连接。

[0049] 对所述保护层进行开孔处理，形成暴露所述第一像素电路构件的第一凹槽、暴露所述第二像素电构件的第二凹槽和暴露所述第三像素电路构件的第三凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度，且所述第二凹槽的深度小于所述第三凹槽的深度。

[0050] 提供一转移基板，在所述基板上形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，在所述第一、第二、第三沟槽中分别设置第一基色微发光二极管单元、第二基色微发光二极管单元和第三基色微发光二极管单元，所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元三者的厚度逐渐增加。

[0051] 接着将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底，使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元分别嵌入到相应的所述第一、第二、第三凹槽中，并使得所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元分别与相应的所述第一、第二、第三像素电路构件电连接。

[0052] 接着去除所述转移基板，接着在所述基底上形成公共电极层，以形成微LED显示基板。

[0053] 在更优的技术方案中，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。

[0054] 在更优的技术方案中，所述保护层的材质是无机电介质材料或有机电介质材料，所述第一、第二、第三像素电路构件均具有凸起结构，各凸起结构分别暴露在所述第一、第二、第三凹槽中。

[0055] 在更优的技术方案中，所述转移基板在加热加压条件下可以软化流动，在所述第一、第二、第三沟槽中分别设置第一基色微发光二极管单元、第二基色微发光二极管单元和第三基色微发光二极管单元的过程中，对所述转移基板进行加热加压处理，使得所述转移基板软化流动而包裹所述第一基色微发光二极管单元、所述第二基色微发光二极管单元和所述第三基色微发光二极管单元。

[0056] 在更优的技术方案中，所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽三者的尺寸相同。

[0057] 在更优的技术方案中，所述第一、第二基、第三基色微发光二极管单元的上表面均具有凹陷结构，在将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底的过程中，使得所述第一、第二、第三像素电路构件的各凸起结构嵌入到相应的所述第一、第二基、第三基色微发光二极管单元的各凹陷结构中。

[0058] 在更优的技术方案中，将所述转移基板上的所述第一、第二、第三基色微发光二极管单元转移至所述基底之前，在所述第一、第二、第三凹槽中设置导电胶。

[0059] 在更优的技术方案中，本发明还提出一种微LED显示基板，其采用上述转移方法形成的。

[0060] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。