发声装置以及电子设备

摘要

本申请提供了一种发声装置以及电子设备。所述发声装置包括：振动系统和磁路系统；振动系统包括振膜和音圈组件，音圈组件包括至少两个音圈，音圈组件与振膜连接；其中，音圈为扁平音圈，音圈包括平行设置的第一导线段和第二导线段，第一导线段与第二导线段内的电流方向相反；磁路系统包括磁轭和磁路组件，磁路组件设置在磁轭上，磁路组件包括至少三组磁体组件，至少三组磁体组件沿垂直于振膜振动方向间隔排布，相邻的两组磁体组件之间限定出磁间隙，每个音圈分别悬设于对应的磁间隙内，每个磁间隙内具有至少两个磁感线方向相反的磁隙，第一导线段与第二导线段分别与两个磁感线方向相反磁隙正对。本申请的发声装置具有良好的低频灵敏度。

权利要求

1.一种发声装置，其特征在于，包括：振动系统和磁路系统；

所述振动系统包括振膜（10）和音圈组件（11），所述音圈组件（11）包括至少两个音圈，所述音圈组件（11）与所述振膜（10）连接；其中，所述音圈为扁平音圈，所述音圈包括平行设置的第一导线段（101）和第二导线段（102），所述第一导线段（101）与所述第二导线段（102）内的电流方向相反；所述音圈的中心位置具有通孔结构，所述通孔结构具有长度尺寸，其中通孔结构的长度方向与磁体组件的延伸方向一致；

所述通孔结构具有宽度尺寸，其中通孔结构的宽度方向与所述振膜（10）的振动方向一致；

其中所述长度尺寸与所述宽度尺寸的比值大于4；

所述磁路系统包括磁轭（23）和磁路组件，所述磁路组件设置在所述磁轭（23）上，所述磁路组件包括至少三组磁体组件，至少三组磁体组件沿垂直于振膜（10）振动方向间隔排布，相邻的两组所述磁体组件之间限定出磁间隙（12），每个所述音圈分别悬设于对应的所述磁间隙（12）内，每个所述磁间隙（12）内具有至少两个磁感线方向相反的磁隙，所述第一导线段（101）与所述第二导线段（102）分别与两个磁感线方向相反所述磁隙正对；

所述振动系统还包括骨架（113）；

所述骨架（113）包括第一侧板（1131）、第二侧板（1132）和顶板（1133），所述顶板（1133）的两侧分别与所述第一侧板（1131）和所述第二侧板（1132）连接，所述第一侧板（1131）和所述第二侧板（1132）在所述磁体组件的排布方向上相对设置；

其中一个所述音圈与所述第一侧板（1131）连接，另一个所述音圈与所述第二侧板（1132）连接，所述顶板（1133）与所述振膜（10）连接；

所述骨架（113）为中空结构，其中一个所述磁体组件位于所述中空结构内。

2.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，位于所述音圈的至少一侧的磁体组件包括沿所述音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司（203）、第一磁体（201）、第二华司（204）和第二磁体（202），所述第一磁体（201）和所述第二磁体（202）均沿所述音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述第一华司（203）与所述第一磁体（201）之间设有第一磁隙，所述第二华司（204）与所述第二磁体（202）之间设有第二磁隙，所述第一磁隙和所述第二磁隙的磁感线方向相反，所述第一导线段（101）与所述第一磁隙对应设置，所述第二导线段（102）与所述第二磁隙对应设置。

4.根据权利要求1所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置包括两个所述骨架（113），两个所述骨架（113）沿所述磁间隙（12）的长度方向间隔分布；

其中每个所述音圈的一端与其中一个骨架（113）连接，每个所述音圈的另一端与另外一个骨架（113）连接。

5.根据权利要求4所述的发声装置，其特征在于，所述发声装置还包括导电件（3），所述导电件（3）与所述骨架（113）连接以固定所述音圈组件（11），所述音圈组件（11）的引线与所述导电件（3）电连接。

6.根据权利要求5所述的发声装置，其特征在于，所述骨架（113）还包括与所述顶板（1133）相对设置的底板（1134），所述顶板（1133）和所述底板（1134）分别设于所述第一侧板（1131）和所述第二侧板（1132）的相对两端，所述导电件（3）包括第一固定部（31）、第二固定部（32）和弹性部（33），所述弹性部（33）的两端分别与所述第一固定部（31）和所述第二固定部（32）连接，所述第一固定部（31）固定于所述发声装置的外壳，所述第二固定部（32）固定于所述底板（1134）。

7.根据权利要求6所述的发声装置，其特征在于，所述第二固定部（32）包括本体部（321）和焊盘部（322），所述本体部（321）固定于所述底板（1134）远离所述顶板（1133）的一侧表面上，所述焊盘部（322）设于所述本体部（321）的长度方向的两端以与所述引线电连接。

8.根据权利要求1‑7中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述磁路组件包括沿垂直于振膜（10）振动方向依次间隔排布的第一磁体组件（20）、第二磁体组件（21）和第三磁体组件（22）；

所述第一磁体组件（20）、第二磁体组件（21）和第三磁体组件（22）均包括沿音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司（203）、第一磁体（201）、第二华司（204）和第二磁体（202），所述第一磁体（201）和所述第二磁体（202）均沿所述音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

9.根据权利要求1‑7中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述磁路组件包括沿垂直于振膜（10）振动方向依次间隔排布的第一磁体组件（20）、第二磁体组件（21）和第三磁体组件（22）；

其中第一磁体组件（20）和第三磁体组件（22）均包括沿音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司（203）、第一磁体（201）、第二华司（204）和第二磁体（202），所述第一磁体（201）和所述第二磁体（202）均沿所述音圈的振动方向充磁且充磁方向相反；

所述磁轭（23）包括朝向靠近所述振膜方向延伸的凸出部（231），所述凸出部（231）位于所述第一磁体组件（20）和所述第三磁体组件（22）之间并分别与所述第一磁体组件（20）和所述第三磁体组件（22）间隔设置，所述凸出部（231）构成所述第二磁体组件（21）。

10.根据权利要求1‑7中任一项所述的发声装置，其特征在于，所述磁路组件包括沿垂直于振膜（10）振动方向依次间隔排布的第一磁体组件（20）、第二磁体组件（21）和第三磁体组件（22）；

其中所述第一磁体组件（20）和第三磁体组件（22）均包括沿音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司（203）、第一磁体（201）、第二华司（204）和第二磁体（202），所述第一磁体（201）和所述第二磁体（202）均沿所述音圈的振动方向充磁且充磁方向相反；

所述第二磁体组件（21）为导磁材料形成的中心华司，所述中心华司的高度与所述第一磁体组件（20）和所述第三磁体组件（22）的高度一致。

11.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1‑10任一项所述的发声装置。

说明书

发声装置以及电子设备

技术领域

[0001] 本申请实施例涉及电声转换技术领域，更具体地，本申请实施例涉及一种发声装置以及电子设备。

背景技术

[0002] 微型扬声器是便携式电子设备的重要声学部件，用于完成电信号与声音信 号之间的转换，是一种能量转换器件。普通的微型扬声器通常包括外壳，外壳 内收容有振动系统和磁路系统，振动系统包括振膜和振动音圈，振动音圈受到 电磁场的作用力，并根据音频电信号正负方向的交替变化而做上、下运动，从 而带动振膜发出声音，完成电‑声能量转换。

[0003] 另外随着消费者对电子产品性能的要求越来越高，希望扬声器具有更好的声学性能。其中，低频灵敏度是重要的声学性能指标，发声装置的低频灵敏度越高，对于额定电压的声音信号能够更好的作出相应，发声装置的低频效果越好。所以，对于发声装置如何以获得更高的低频灵敏度，是本领域面临的一大技术难题。

发明内容

[0004] 本申请的目的在于提供一种发声装置以及电子设备新技术方案。

[0005] 第一方面，本申请提供了一种发声装置。所述发声装置包括：振动系统和磁路系统；

[0006] 所述振动系统包括振膜和音圈组件，所述音圈组件包括至少两个音圈，所述音圈组件与所述振膜连接；其中，所述音圈为扁平音圈，所述音圈包括平行设置的第一导线段和第二导线段，所述第一导线段与所述第二导线段内的电流方向相反；

[0007] 所述磁路系统包括磁轭和磁路组件，所述磁路组件设置在所述磁轭上，[0008] 所述磁路组件包括至少三组磁体组件，至少三组磁体组件沿垂直于振膜振动方向间隔排布，相邻的两组所述磁体组件之间限定出磁间隙，每个所述音圈分别悬设于对应的所述磁间隙内，每个所述磁间隙内具有至少两个磁感线方向相反的磁隙，所述第一导线段与所述第二导线段分别与两个磁感线方向相反所述磁隙正对。

[0009] 可选地，位于所述音圈的至少一侧的磁体组件包括沿所述音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司、第一磁体、第二华司和第二磁体，所述第一磁体和所述第二磁体均沿所述音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

[0010] 可选地，所述第一华司与所述第一磁体之间设有第一磁隙，所述第二华司与所述第二磁体之间设有第二磁隙，所述第一磁隙和所述第二磁隙的磁感线方向相反，所述第一导线段与所述第一磁隙对应设置，所述第二导线段与所述第二磁隙对应设置。

[0011] 可选地，所述音圈的中心位置具有通孔结构，所述通孔结构具有长度尺寸，其中通孔结构的长度方向与所述磁体组件的延伸方向一致；

[0012] 所述通孔结构具有宽度尺寸，其中通孔结构的宽度方向与所述振膜的振动方向一致；

[0013] 其中所述长度尺寸与所述宽度尺寸的比值大于4。

[0014] 可选地，所述振动系统还包括骨架；所述骨架包括第一侧板、第二侧板和顶板，所述顶板的两侧分别与所述第一侧板和所述第二侧板连接，顶板第一侧板所述第一侧板和所述第二侧板在所述磁体组件的排布方向上相对设置；

[0015] 其中一个所述音圈与所述第一侧板连接，另一个所述音圈与所述第二侧板连接，所述顶板与所述振膜连接。

[0016] 可选地，所述发声装置包括两个所述骨架，两个所述骨架沿所述磁间隙的长度方向间隔分布；

[0017] 其中每个所述音圈的一端与其中一个骨架连接，每个所述音圈的另一端与另外一个骨架连接。

[0018] 可选地，所述发声装置还包括导电件，所述导电件与所述骨架连接以固定所述音圈组件，所述音圈组件的引线与所述导电件电连接。

[0019] 可选地，所述骨架还包括与所述顶板相对设置的底板，所述顶板和所述底板分别设于所述第一侧板和所述第二侧板的相对两端，所述导电件包括第一固定部、第二固定部和弹性部，所述弹性部的两端分别与所述第一固定部和所述第二固定部连接，所述第一固定部固定于所述发声装置的壳体，所述第二固定部固定于所述底板。

[0020] 可选地，所述第二固定部包括本体部和焊盘部，所述本体部固定于所述底板远离所述顶板的一侧表面上，所述焊盘部设于所述本体部的长度方向的两端以与所述引线电连接。

[0021] 可选地，所述磁路组件包括沿垂直于振膜振动方向依次间隔排布的第一磁体组件、第二磁体组件和第三磁体组件；

[0022] 所述第一磁体组件、第二磁体组件和第三磁体组件均包括沿所述音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司、第一磁体、第二华司和第二磁体，所述第一磁体和所述第二磁体均沿所述音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

[0023] 可选地，所述磁路组件包括沿垂直于振膜振动方向依次间隔排布的第一磁体组件、第二磁体组件和第三磁体组件；

[0024] 其中第一磁体组件和第三磁体组件均包括沿所述音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司、第一磁体、第二华司和第二磁体，所述第一磁体和所述第二磁体均沿所述音圈的振动方向充磁且充磁方向相反；

[0025] 所述磁轭包括朝向靠近所述振膜方向延伸的凸出部，所述凸出部位于所述第一磁体组件和所述第三磁体组件之间并分别与所述第一磁体组件和所述第三磁体组件间隔设置，所述凸出部构成所述第二磁体组件。

[0026] 可选地，所述磁路组件包括沿垂直于振膜振动方向依次间隔排布的第一磁体组件、第二磁体组件和第三磁体组件；

[0027] 其中所述第一磁体组件和第三磁体组件均包括沿所述音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司、第一磁体、第二华司和第二磁体，所述第一磁体和所述第二磁体均沿所述音圈的振动方向充磁且充磁方向相反；

[0028] 所述第二磁体组件为导磁材料形成的中心华司，所述中心华司的高度与所述第一磁体组件和所述第三磁体组件的高度一致。

[0029] 第二方面，提供了一种电子设备。所述电子设备包括如第一方面所述的发声装置。

[0030] 根据本申请的实施例，通过在相邻的两组磁体组件之间限定出磁间隙，每个音圈分别悬设于对应的磁间隙内，每个磁间隙内具有至少两个磁感线方向相反的磁隙，第一导线段与第二导线段分别与两个磁感线方向相反磁隙正对，由此，可以提升磁路系统的BL值，而且可以提升音圈绕线圈数和整体重量从而可以提升发声装置的低频灵敏度。而且，扁平音圈可以设置较大的长宽比，由此可以使发声装置适用于长宽比较大的电子设备。

[0031] 通过以下参照附图对本说明书的示例性实施例的详细描述，本说明书的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

[0032] 被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本说明书的实施例，并且连同其说明一起用于解释本说明书的原理。

[0033] 图1所示为本申请实施例提供的发声装置的结构示意图。

[0034] 图2所示为本申请实施例提供的发声装置的剖视图一。

[0035] 图3所示为本申请实施例提供的发声装置的剖视图二。

[0036] 图4所示为本申请实施例提供的发声装置的剖视图三。

[0037] 图5所示为音圈组件与导电件的连接结构示意图。

[0038] 图6所示为骨架的结构示意图。

[0039] 图7所示为发声装置包括三个音圈的结构示意图。

[0040] 图8所示为导电件结构的示意图。

[0041] 附图标记说明：

[0042] 10、振膜；103、补强部；

[0043] 11、音圈组件；111、第一音圈；112、第二音圈；113、骨架；114、第三音圈；1131、第一侧板；1132、第二侧板；1133、顶板；1134、底板；101、第一导线段；102、第二导线段；12、磁间隙；

[0044] 20、第一磁体组件；201、第一磁体；202、第二磁体；203、第一华司；204、第二华司；21、第二磁体组件；22、第三磁体组件；23、磁轭；231、凸出部；

[0045] 3、导电件；31、第一固定部；32、第二固定部；321、本体部；322、焊盘部；33、弹性部；

[0046] 4、外壳。

具体实施方式

[0047] 现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。

[0048] 以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。

[0049] 对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

[0050] 在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

[0051] 应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

[0052] 本申请实施例第一方面提供了一种发声装置。其中发声装置为微型发声装置，相当于大喇叭结构，本申请实施例提供的微型发声装置可以应用于智能眼镜或者智能手表等产品中，本申请实施例提供的发声装置在结构上为细长型结构。

[0053] 下面结合附图1至图8对本申请实施例提供的发声装置以及电子设备进行详细地描述。

[0054] 本申请实施例提供了一种发声装置。参照图1‑图4所示，发声装置包括：振动系统和磁路系统。

[0055] 振动系统包括振膜10和音圈组件11，音圈组件11包括至少两个音圈，音圈组件11与振膜10连接。其中音圈为扁平音圈，音圈包括平行设置的第一导线段101和第二导线段102，第一导线段101与第二导线段102内的电流方向相反。

[0056] 磁路系统包括磁轭23和磁路组件，磁路组件设置在磁轭23上。

[0057] 磁路组件包括至少三组磁体组件，至少三组磁体组件沿垂直于振膜10振动方向间隔排布，相邻的两组磁体组件之间限定出磁间隙12，每个音圈分别悬设于对应的磁间隙12内，每个磁间隙12内具有至少两个磁感线方向相反的磁隙，第一导线段101与第二导线段102分别与两个磁感线方向相反磁隙正对。

[0058] 换句话说，发声装置主要包括：振动系统和磁路系统。振动系统和磁路系统相互配合以发声。

[0059] 其中在该实施例中，振动系统包括振膜10和音圈组件11，其中音圈组件11包括了至少两个音圈。至少两个音圈可以串联连接或者并联连接，使得音圈组件11达到用户想要设定的直流电阻。在一个具体的实施例中，设定发声装置中音圈组件11的直流电阻为7ohm，此时可以分解为3.5ohm的两个音圈串联，或者14ohm的两个音圈并联，用户可以根据产品实际设计需求自行设计。

[0060] 例如参照图1所示，音圈组件11包括了两个音圈。例如参照图7所示，音圈组件11包括了三个音圈。

[0061] 在该实施例中，音圈组件11与振膜10连接，使得音圈组件11中的音圈与振膜10间接连接，音圈能够带动振膜10振动。其中参照图1所示，箭头a所示方向为振膜10振动方向。

[0062] 在现有技术中，在电子设备对发声装置的低频灵敏度要求较高的情况下，这就需要音圈的圈数多。但是若发声装置内只包括了一个音圈，一个音圈无法容纳下足够长的漆包线。因此本实施例发声装置的音圈组件11包括了至少两个音圈，至少两个音圈合理分配音圈组件11的漆包线，至少两个音圈在通电情况下带动振膜10振动，相当于增大了发声装置的振动质量和BL值，发声装置可以获得更高的低频灵敏度，从而可以满足发声装置的低频敏感度要求。

[0063] 在该实施例中，音圈为扁平音圈。其中扁平音圈为扁平结构的音圈。例如音圈具有长度（长轴）方向（箭头c所示方向），和宽度（短轴）方向（即箭头a所示方向），其中音圈在长度方向上的尺寸远远大于音圈在宽度方向上的尺寸。扁平音圈的结构大致呈跑道结构，并具有相对的两个导线段，两个导线段包括了第一导线段101和第二导线段102。第一导线段101和第二导线段102均沿音圈的长度方向延伸。第一导线段101和第二导线段102的电流方向相反。

[0064] 其中当音圈位于磁间隙12中，第一导线段101是位于第二导线段102上方的，并且根据音圈的电流流向，第一导线段101的电流流向和第二导线段102的电流流向是相反的。例如参照图1所示，音圈组件11包括了两个音圈，两个音圈包括了第一音圈111和第二音圈
112，以第二音圈112为例，第二音圈112的电流方向为顺时针流向，其中第二音圈112中第一导线段101中电流方向为向右，第二音圈112中第二导线段102中电流方向则是向左。

[0065] 在该实施例中，磁路系统包括了磁轭23和磁路组件，磁路组件固定设置在磁轭23上，例如磁路组件可以粘接固定在磁轭23上。其中磁轭23用于约束磁感线向外散放，使磁感线集中，以提高感应效率，并且起到磁屏蔽作用。

[0066] 在该实施例中，由于音圈组件11包括了至少两个音圈，音圈需要放置在磁路组件形成的磁间隙12内，使得音圈在磁间隙12内做切割磁感线运动而产生作用力，作用力分别推动振膜10振动，继而振膜10推动空气振动，从而产生声音。

[0067] 其中匹配于音圈组件11中的音圈数量，磁路组件包括了至少三组磁体组件。例如参照图1所示，磁路组件包括了三组磁体组件，其中三组磁体组件沿垂直于振膜10振动方向间隔设置（参照图1所示，为箭头b所示方向），使得三组磁体组件形成了两个磁间隙12。例如参照图7所示，磁路组件包括了四组磁体组件，其中四组磁体组件沿垂直于振膜10振动方向间隔设置（参照图1所示，为箭头b所示方向），使得四组磁体组件形成了三个磁间隙12。

[0068] 具体地，至少三组磁体组件在沿箭头b所示方向间隔设置，使得相邻设置的两组磁体组件之间形成了磁间隙12。其中磁间隙12是由磁体组件形成的磁场区域，在发声装置中，音圈通常处在磁间隙12中。当音圈中通入声音信号时，磁间隙12处的磁场能够驱动音圈移动。

[0069] 在该实施例中，音圈组件11包括了至少两个音圈，每一个音圈分别对应的悬置在磁间隙12内，即每一个音圈独立地位于一个磁间隙12内。

[0070] 例如参照图1所示，三组磁体组件包括了第一磁体组件20、第二磁体组件21和第三磁体组件22，其中第一磁体组件20和第二磁体组件21之间形成了第一磁间隙12，第二磁体组件21和第三磁体组件22之间形成了第二磁间隙12。音圈组件11包括了两个音圈，两个音圈包括了第一音圈111和第二音圈112，其中第一音圈111位于第一磁间隙12内，第二音圈112位于第二磁间隙12内。

[0071] 例如参照图7所示，四组磁体组件形成了三个磁间隙12，其中音圈组件11包括了第一音圈111、第二音圈112和第三音圈114，其中第一音圈111、第二音圈112和第三音圈114分别对应地设置在磁间隙12内。

[0072] 在该实施例中，每一个音圈分别对应的悬置在磁间隙12内，当音圈放置在磁间隙12内，音圈的第一导线段101和第二导线段102内的电流方向相反，为了确保第一导线段101和第二导线段102在磁间隙12内的运动一致，需要使得每个磁间隙12内具有至少两个磁感线方向相反的磁隙，其中第一导线段101与第二导线段102分别与两个磁感线方向相反的磁隙正对。

[0073] 具体地，每一个音圈对应地放置在磁间隙12内，并且确保第一导线段101和第二导线段102的受力方向和运动方向一致，在音圈放置在磁间隙12内，在振膜10的振动方向上，第一导线段101和第二导线段102上下设置。每一个音圈均这样设置后，音圈的中心轴线（垂直于音圈的长轴方向的轴线，以及垂直与音圈的短轴方向的轴线）是与磁体组件的排布方向平行的。即音圈的中心轴线是沿箭头b所示方向延伸的，音圈的中心轴线所在方向与振膜10的振动方向是垂直的。因此参照图1和图7所示，音圈组件11中的音圈是横向放置在磁间隙12内的。

[0074] 在现有技术中，音圈放置在磁间隙12内，音圈是竖直放置在磁间隙12中的，其中音圈的中心轴线所在方向，是与振膜10的振动方向平行设置的。在现有技术中，音圈竖直放置在磁间隙12中，音圈中包含了多圈（多匝）漆包线时音圈在磁间隙12的宽度方向上变宽，音圈外圈的漆包线很容易与两侧的磁体组件相接触或者相碰撞，影响了音圈在磁间隙12内做切割磁感线运动。

[0075] 而在本申请中，音圈是横向放置在磁间隙12内的，音圈的中心轴线所在方向与振膜10的振动方向是垂直的，音圈中包括了多圈（多匝）漆包线时，音圈在磁间隙12的高度（即箭头a所示方向）变高，音圈在磁间隙12的宽度（即箭头b所示方向）的不变，音圈外圈的漆包线不会与两侧的磁体组件产生接触和干涉，不会影响音圈在磁间隙12内做切割磁感线运动。

[0076] 因此，在本申请实施例中，通过在相邻的两组磁体组件之间限定出磁间隙12，每个音圈分别悬设于对应的磁间隙12内，每个磁间隙12内具有至少两个磁感线方向相反的磁隙，第一导线段101与第二导线段102分别与两个磁感线方向相反磁隙正对，由此，可以提升磁路系统的BL值，而且可以提升音圈绕线圈数和整体重量从而可以提升发声装置的低频灵敏度。而且，扁平音圈可以设置较大的长宽比，由此可以使发声装置适用于长宽比较大的电子设备。

[0077] 在一个可选的实施例中，为了提高振动系统的振幅，在振膜10的中部还设置有补强部103。音圈组件11可以与振膜10的补强部103连接。

[0078] 本领域的技术人员可以采用本领域的常规手段，如粘结剂粘接等方式

[0079] 将振膜10、补强部103和音圈组件11进行固定。

[0080] 在一个实施例中，参照图1‑图4所示，位于音圈的至少一侧的磁体组件包括沿音圈振动方向（也即振膜10振动方向，箭头a所示方向）依次堆叠设置的第一华司203、第一磁体201、第二华司204和第二磁体202，第一磁体201和第二磁体202均沿音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

[0081] 在本实施例中，磁路系统包括磁体组件和华司组件，磁路系统用于形成磁间隙12，磁间隙12内具有匀强磁场。具体地，磁体组件用于提供磁场，其材质可以是但不局限于铁氧体磁铁、钕铁硼磁铁。华司组件用于导磁，将磁铁组件形成的磁场集中到磁间隙12中，提高匀强磁场的磁场强度。华司为导磁材质，如SPCC等。

[0082] 在该实施例中，在第一磁体201上方设置第一华司203，其中第一华司203用于将第一磁体201产生的磁场集中，因此第一华司203和第一磁体201结合的位置处的磁感线强度最为密集。

[0083] 在该实施例中，在第一磁体201和第二磁体202之间设置第二华司204，其中第二华司204用于将第二磁体202产生的磁场集中，其中第二华司204和第二磁体202结合的位置处的磁感线强度最为密集。

[0084] 在该实施例中，每个音圈分别悬设于对应的磁间隙12内，其中位于音圈的至少一侧的磁体组件中的第一磁体201和第二磁体202是沿振膜10的振动方向（也即音圈的振动方向）排布（例如箭头a所示方向排布），其中第一磁体201相对于第二磁体202更靠近振膜10设置，第二磁体202相对于第一磁体201更远离振膜10设置。

[0085] 其中第一磁体201和第二磁体202均沿音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

[0086] 在一个具体的实施例中，参照图2‑图4所示，位于音圈的至少一个的磁体组件包括第一磁体201和第二磁体202，其中第一磁体201的N极至S极从上至下的方向分布，第二磁体202的S极至N极从上至下方向分布，使得磁间隙12中具有两个磁感线相反的磁隙，使得音圈的第一导线段101和第二导线段102分别对应地设置在不同的磁隙中。

[0087] 在一个可选的实施例中，在现有技术中，磁路系统只是包括了单一磁体，为了提升磁感强度，需要将单一磁体的高度设置的较高。本申请磁体组件包括了第一磁体201和第二磁体202，相对于单一磁体，本申请可以将音圈整体放置在磁感线密集区域。另外相对于单一磁体，本申请磁体组件的高度相较于单一磁体的高度较低。例如磁体组件的高度范围可以在1mm‑2mm。具体地，可以结合磁体组件的长度尺寸和宽度尺寸，对磁体组件的高度尺寸进行限定，可以将磁体组件的高度范围可以在1mm‑2mm。具体地，通过仿真发现，当磁体高度达到一定临界值时，再增加它的高度，对磁场强度（BL）值贡献非常小，反而造成空间浪费。

[0088] 在一个实施例中，第一华司203与第一磁体201之间设有第一磁隙，第二华司204与第二磁体202之间设有第二磁隙，第一磁隙和第二磁隙的磁感线方向相反，第一导线段101与第一磁隙对应设置，第二导线段102与第二磁隙对应设置。

[0089] 在该实施例中，将音圈的第一导线段101靠近第一华司203的一侧设置。参照2‑图4所示，第一导线段101与第一华司203平齐设置。将音圈的第二导线段102靠近第二华司204的一侧设置。参照2‑图4所示，第二导线段102与第二华司204平齐设置。

[0090] 具体地，由于第一导线段101的电流方向和第二导向段的电流方向是相反的，根据电磁感应定律，为了使得第一导线段101的运动方向和第二导向段的受力方向一致，需要将第一导线段101和第二导线段102位于不同方向的磁场中，因此第一导线段101位于第一磁隙，第一导线段101靠近第一磁体201和第一华司203设置，第二导线段102位于第二磁间中，第二导线段102靠近第二磁体202和第二华司204设置，其中第一磁隙和第二磁隙的磁感线方向相反，由此可以确保第一导线段101和第二导线段102受到相同方向的驱动力。

[0091] 本申请实施例将音圈的第一导线段101和第二导线段102均放置在华司周边的磁感线密集区域，提升了磁感应强度，提升振动质量，降低谐振频率，提升低频灵敏度。

[0092] 在一个实施例中，音圈的中心位置具有通孔结构，通孔结构具有长度尺寸，其中通孔结构的长度方向与磁体组件的延伸方向一致。参照图1所示，通孔结构的长度方向为箭头c所示方向。通孔结构具有宽度尺寸，其中通孔结构的宽度方向与振膜10的振动方向一致。参照图1所示，通孔结构的宽度方向为箭头a方向。其中长度尺寸与宽度尺寸的比值大于4。

[0093] 在该实施例中，对音圈的内径的长宽比进行限定，使得音圈的具有较长的延伸长度，音圈的结构为扁平结构。本实施例将扁平结构的音圈横向的放置的磁间隙12中，此时根据磁体组件的排布方式和音圈的放置方式，可以使得音圈的第一导线段101和第二导线段102均可以位于磁感线较为密集区域。而且，通过上述设置，可以使发声装置适用于长宽比比较大的电子设备中。

[0094] 在该实施例中，音圈的结构为扁平结构，音圈并且横向的放置在磁间隙12中，由此制备的发声装置结构也为扁平结构，使得制备的发声装置适用于长宽比超大的电子设备，譬如长宽比为25*7尺寸的智能眼镜或者智能手表等。

[0095] 在一个实施例中，参照图1‑图7所示，振动系统还包括骨架113。

[0096] 骨架113包括第一侧板1131、第二侧板1132和顶板1133，顶板1133的一侧与第二侧板1132连接，顶板1133的另一侧与第二侧板1132连接，第一侧板1131和第二侧板1132在磁体组件的排布方向上相对设置。

[0097] 其中一个音圈与第一侧板1131连接，另一个音圈与第二侧板1132连接，顶板1133与振膜10连接。

[0098] 在该实施例中，音圈组件11包括了至少两个音圈，其中每一个音圈均是固定在骨架113的。骨架113起到了对音圈的固定和连接作用。以及振膜10也是固定在骨架113上，因此音圈是通过骨架113与振膜10连接的。

[0099] 在一个可选的实施例中，音圈中通孔结构的长度尺寸可以与磁体组件中磁体的长度尺寸一致，或者音圈中通孔结构的长度尺寸可以大于磁体组件中磁体的长度尺寸，以便于与骨架113连接。

[0100] 在一个具体的实施例中，需要将至少两个音圈固定在骨架113上，参照音圈的设置位置，需要将骨架113的结构与音圈的数量、设置位置相互结合。参照图1、图5和图6所示，音圈组件11包括了两个音圈，骨架113设置为类似于框架结构，其中一个音圈固定在骨架113的第一侧板1131，另外一个音圈固定在骨架113的第二侧板1132。与两个侧板相互连接的顶板1133即为上表面，振膜10与骨架113的上表面连接，具体地，振膜10的补强部103与骨架113的上表面连接。

[0101] 例如音圈可以与骨架113粘接，振膜10的补强部103可以与骨架113粘接。在该实施例中，音圈与骨架113连接，可以通过调节骨架113的设置位置，使得音圈放置磁感线密集区域。

[0102] 参照图2‑图4所示，骨架113起到了连接音圈和振膜10的作用，在不影响骨架113作用的情况下，骨架113可以设置在中空结构，在实际安装过程中，其中一个磁体组件可以位于中空结构内，例如参照图2‑图4所示，位于中间位置的磁体组件位于骨架113的中空结构内，使得发声装置的结构更加紧凑。

[0103] 在一个实施例中，发声装置包括两个骨架113，两个骨架113沿磁间隙12的长度方向间隔分布；

[0104] 其中每个音圈的一端与其中一个骨架113连接，每个音圈的另一端与另外一个骨架113连接。

[0105] 在该实施例中，发声装置内包括了两个骨架113，其中两个骨架113的设置位置为：磁间隙12的长度方向（箭头c所示方向）间隔分布，即两个骨架113在箭头c所示方向上相对设置。

[0106] 参照图1所示，至少两个音圈包括了第一音圈111和第二音圈112，其中第一音圈111的一端与一个骨架113的第一侧板1131连接，第一音圈111的另一端与另一骨架113的第一侧板1131连接；其中第二音圈112的一端与一个骨架113的第二侧板1132连接，第二音圈
112的另一端与另一骨架113的第二侧板1132连接。

[0107] 本实施例通过两个骨架113对音圈进行固定，提升了固定音圈的可靠性和稳定性。

[0108] 在一个实施例中，发声装置还包括导电件3，导电件3与骨架113连接以固定音圈组件11，音圈组件11的引线与导电件3电连接。

[0109] 在该实施例中，发声装置还包括了导电件3，其中导电件3具有两个作用，其中一个作用为固定音圈组件11，例如导电板的一端与骨架113连接，导电件3的另一端与可以与发声装置的外壳4连接。另外一个作用为与音圈组件11的引出的引线电连接，例如音圈组件11引线与导电件3电连接，导电件3与外部焊盘电连接。

[0110] 由此可见，导电件3一方面起到了现有技术中定心支片的作用，另一方面还起到了现有技术中FPCB板的作用。因此本实施例是将现有技术中定心支片和现有技术中FPCB板两者结合在一起构成了本申请的导电件3，使得发声装置的结构更加紧凑。

[0111] 在一个具体的实施例中，骨架113还包括与顶板1133相对设置的底板1134，顶板1133和底板1134分别设于第一侧板1131和第二侧板1132的相对两端，导电件3包括第一固定部31、第二固定部32和弹性部33，弹性部33的两端分别与第一固定部31和第二固定部32连接，第一固定部31固定于发声装置的外壳，第二固定部32固定于底板1134。

[0112] 在该实施例中，骨架113包括了与顶板1133相对设置的底板1134，其中底板1134用于与导电件3连接。具体地，当导电件3固定在底板1134上，每一音圈中引出的引线与导电件3电连接。以及当导电件3固定在底板1134上，导电件3起到了对音圈的定心作用，避免了音圈在运动中出现偏振，以及导电件3与骨架113的底板1134固定，确保了骨架113、导电件3和音圈运动的稳定性和同步性，避免音圈的引线出现断裂现象。

[0113] 在一个具体的实施例中，导电件3包括了第一固定部31、第二固定部32和弹性部33，其中第一固定部31、第二固定部32和弹性部33可以一体成型。

[0114] 在固定过程中，第二固定部32与骨架113的底板1134连接，在第一第二固定部32上设置对应的焊盘，每一音圈中引出的引线和与其对应的焊盘电连接。在实施例中，第二固定部32相对于第一固定部31更靠近音圈设置，在第二固定部32上设置焊盘，便于音圈中引出的引线与焊盘电连接，而且音圈中引出的引线不必过长，降低了音圈的引线断裂的风险。

[0115] 具体地，参照图5所示，弹性部33的一端与第一固定部31连接，弹性部33的另一端与第二固定部32连接，第一固定部31可以与外部焊盘电连接。其中弹性部33为类似于蛇形连续弯折结构，弹性部33具有良好弹性、强度，使得导电件3具有对音圈组件11的定向作用。

[0116] 在一个实施例中，参照图8所示，第二固定部32包括本体部321和焊盘部322，本体部321固定于底板1134远离顶板1133的一侧表面上，焊盘部322设于本体部321的长度方向的两端以与引线电连接。

[0117] 在该实施例中，在本体部321上的两端设置焊盘，便于每一个音圈的引线与其对应的焊盘电连接。

[0118] 在一个实施例中，参照图2所示，磁路组件包括沿垂直于振膜10振动方向依次间隔排布的第一磁体组件20、第二磁体组件21和第三磁体组件22。

[0119] 其中第一磁体组件20、第二磁体组件21和第三磁体组件22均包括沿音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司203、第一磁体201、第二华司204和第二磁体202，第一磁体201和第二磁体202均沿音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

[0120] 具体地，第一磁体组件20中的第一磁体201的N极和S极从上至下方向排布，第二磁体组件21中第一磁体201的N极和S极从下至上方向排布。在第一磁体组件20中的第一磁体201与第一华司203之间形成了第一磁隙。

[0121] 在第二磁体组件21中第一磁体201于第一华司203之间形成了第一磁隙，其中第一音圈111的第一导线段101位于第一磁隙。

[0122] 第一磁体组件20中的第二磁体202的S极和N极从上至下方向排布，第二磁体组件21中第二磁体202的N极和S极从上至下方向排布。在第一磁体组件20中的第二磁体202与第二华司204之间形成了第二磁隙。在第二磁体组件21中第二磁体202和第二华司204之间形成了第二磁隙，其中第一音圈111的第二导线段102位于第二磁隙中。

[0123] 第二磁体组件21中第一磁体201的N极和S极从下至上方向排布，第三磁体组件22中的第一磁体201的N极和S极从上至下方向排布。在第三磁体组件22中的第一磁体201与第一华司203之间形成了第一磁隙。在第二磁体组件21中第一磁体201于第一华司203之间形成了第一磁隙，其中第二音圈112的第一导线段101位于第一磁隙。

[0124] 第二磁体组件21中第二磁体202的N极和S极从上至下方向排布，第三磁体组件22中的第二磁体202的S极和N极从上至下方向排布。在第三磁体组件22中的第二磁体202与第二华司204之间形成了第二磁隙。在第二磁体组件21中第二磁体202和第二华司204之间形成了第二磁隙，其中第二音圈112的第二导线段102位于第二磁隙中。

[0125] 本实施例提供的发声装置的低频灵敏度明显提升，在相同高度的发声装置结构下，电子设备的长宽比以25*7尺寸为例，本申请发声装置的灵敏度要高于常规结构（常规结构中设置一个音圈，并且一个音圈是竖直放置在磁间隙12中的）1db。

[0126] 在一个实施例中，参照图3所示，磁路组件包括沿垂直于振膜10振动方向依次间隔排布的第一磁体组件20、第二磁体组件21和第三磁体组件22。

[0127] 其中其中第一磁体组件20和第三磁体组件22均包括沿音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司203、第一磁体201、第二华司204和第二磁体202，第一磁体201和第二磁体202均沿音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

[0128] 磁轭23包括朝向靠近振膜10方向延伸的凸出部231，凸出部231位于第一磁体组件20和第三磁体组件22之间并分别与第一磁体组件20和第三磁体组件22间隔设置，凸出部
231构成第二磁体组件21。

[0129] 在该实施例中，与上述图2所示的实施例的区别在于：本实施例将位于第一磁体组件20和第三磁体组件22之间的第二磁体组件21去除，而是将磁轭23部分凸出，形成凸出部231，使得凸出部231位于第一磁体组件20和第二磁体组件21之间，并分别与第一磁体组件
20和第三磁体组件22间隔设置，以形成导磁回路。

[0130] 在该实施例中，第一磁体组件20和凸出部231的一侧壁间隔设置，第一音圈111位于两者之间。以及第三磁体组件22和凸出部231的一侧壁间隔设置，第二音圈112位于两者之间。

[0131] 本实施例去除了中心磁体组件，在不影响发声装置发声品质的情况下，降低了成本。

[0132] 在一个实施例中，参照图4所示，磁路组件包括沿垂直于振膜10振动方向依次间隔排布的第一磁体组件20、第二磁体组件21和第三磁体组件22。

[0133] 其中第一磁体组件20和第三磁体组件22均包括沿音圈振动方向依次堆叠设置的第一华司203、第一磁体201、第二华司204和第二磁体202，第一磁体201和第二磁体202均沿音圈的振动方向充磁且充磁方向相反。

[0134] 第二磁体组件21为导磁材料形成的中心华司，中心华司的高度与第一磁体组件20和第三磁体组件22的高度一致。

[0135] 在该实施例中，与上述图2所示的实施例的区别在于：本实施例将位于第一磁体组件20和第三磁体组件22之间的第二磁体组件21（中心磁体组件）去除，而是在第一磁体组件20和第三磁体组件22之间设置中心华司。

[0136] 例如在考虑到发声装置的宽度尺寸的情况下，在第一磁体组件20和第三磁体之间的中心磁体组件的尺寸太小，导致中心磁铁强度无法保证，也可以将中心磁体组件取消，在中心部位可以设置1pcs中心华司，中心华司只做导磁用，使得磁间隙12中的磁场更加汇聚，音圈放置在磁场密集的区域。

[0137] 在该实施例中，中心华司的高度与第一磁体组件20和第三磁体组件22的高度一致，使得磁场线汇聚在华司附近，使得音圈整体均位于磁场线密集区域。

[0138] 在一个实施例中，发声装置还包括外壳4，磁轭23设置在外壳4内。

[0139] 在该实施例中，发声装置还包括了外壳4，外壳4用于安装、固定、支撑和保护振动系统和磁路系统。也即外壳4为振动系统和磁路系统等部件提供安装基础。可以理解的，外壳4可以是具有安装空间的安装壳、外壳4或盒体等结构，在此不做限定。

[0140] 在该实施例中，外壳4包括了本体和支架，其中本体可以外框架结构，磁轭23嵌设在本体内。支架放置在磁路系统的上方，在磁路系统和振动系统放置在本体内，支架嵌设在本体内，使得发声装置的结构更加紧凑。

[0141] 第二方面，提供了一种电子设备。电子设备包括如第一方面的发声装置。例如电子设备可以是智能眼镜或者和智能手表等。

[0142] 上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。

[0143] 虽然已经通过示例对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。